一种阵列基板、显示面板及显示装置的制造方法_4

文档序号:8382516阅读:来源:国知局
体管6中的漏极电性连接;
[0068](4)在形成有金属桥8的衬底基板I上形成第二钝化层9 ;
[0069](5)在第二钝化层9上形成有机树脂层10,并形成贯穿有机树脂层10和第二钝化层9的第二过孔;
[0070](6)在形成有第二过孔的衬底基板I上形成有机电致发光结构30的图形;其中,有机电致发光结构30中的阳极31通过第二过孔与金属桥8电性连接。
[0071]基于同一发明构思,本发明实施例还提供了一种显示面板,包括:本发明实施例提供的上述阵列基板。该显示面板的实施可以参见上述阵列基板的实施例,重复之处不再赘述。
[0072]较佳地,本发明实施例提供的上述显示面板可以为有机电致发光显示面板。当然,也可以为其他的可以实现本发明的显示面板,在此不做限定。
[0073]基于同一发明构思,本发明实施例还提供了一种显示装置,包括本发明实施例提供的上述显示面板,该显示装置可以为:手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。该显示装置的实施可以参见上述显示面板的实施例,重复之处不再赘述。
[0074]本发明实施例提供的一种阵列基板、显示面板及显示装置,该阵列基板包括:衬底基板,以及位于衬底基板上的外围走线和多个像素结构;由于至少一个像素结构在衬底基板的正投影与外围走线所在的外围区域具有重叠区域,即像素结构延伸至覆盖部分或全部外围走线所在的外围区域,并且,由于外围走线所在膜层位于像素结构所在膜层与衬底基板之间或位于像素结构所在膜层背向衬底基板的一侧,这样,即使像素结构在衬底基板的正投影与外围走线所在的外围区域相互重叠也不会影响像素结构的正常显示,从而使得显示区域扩大至覆盖部分或全部外围走线所在的外围区域,与现有的显示区域与外围区域互不重叠的结构相比,可以使显示面板的边框的宽度变窄,甚至为无边框。
[0075]显然,本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
【主权项】
1.一种阵列基板,包括:衬底基板,以及位于所述衬底基板上的外围走线和多个像素结构;其特征在于: 至少一个所述像素结构在所述衬底基板的正投影与所述外围走线所在的外围区域在所述衬底基板的正投影具有重叠区域; 所述外围走线所在膜层位于所述像素结构所在膜层与所述衬底基板之间;或者,所述外围走线所在膜层位于所述像素结构所在膜层背向所述衬底基板的一侧。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括:位于所述衬底基板上的交叉而置且相互绝缘的多条数据线和多条栅线;各所述数据线和各所述栅线在所述衬底基板的正投影与所述外围走线在所述衬底基板的正投影互不重叠; 位于所述重叠区域以外的像素结构和与该像素结构对应的栅线和数据线中,相邻的两条数据线和相邻的两条栅线限定一个像素结构。
3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述外围走线所在膜层位于所述像素结构所在膜层与所述衬底基板之间;所述阵列基板还包括:位于所述衬底基板与所述像素结构所在膜层之间且在所述衬底基板上依次设置的与各所述像素结构对应的薄膜晶体管、第一钝化层、金属桥和第二钝化层;所述像素结构为有机电致发光结构; 与位于所述重叠区域内的有机电致发光结构对应的薄膜晶体管的漏极通过贯穿所述第一钝化层的第一过孔与所述金属桥电性连接,该金属桥通过贯穿所述第二钝化层的第二过孔与该有机电致发光结构中的阳极电性连接; 与位于所述重叠区域以外的有机电致发光结构对应的薄膜晶体管的漏极通过贯穿所述第一钝化层和所述第二钝化层的第三过孔与该有机电致发光结构中的阳极电性连接。
4.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述外围走线所在膜层位于所述像素结构所在膜层背向所述衬底基板的一侧;所述阵列基板还包括:在所述像素结构所在膜层背向所述衬底基板的一侧依次设置的第二钝化层、金属桥、第一钝化层和与各所述像素结构对应的薄膜晶体管;所述像素结构为有机电致发光结构; 与位于所述重叠区域内的有机电致发光结构对应的薄膜晶体管的漏极通过贯穿所述第一钝化层的第一过孔与所述金属桥电性连接,该金属桥通过贯穿所述第二钝化层的第二过孔与该有机电致发光结构中的阳极电性连接; 与位于所述重叠区域以外的有机电致发光结构对应的薄膜晶体管的漏极通过贯穿所述第一钝化层和所述第二钝化层的第三过孔与该有机电致发光结构中的阳极电性连接。
5.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括:位于所述衬底基板上的交叉而置且相互绝缘的多条数据线和多条栅线;各所述数据线和各所述栅线在所述衬底基板的正投影与所述外围走线在所述衬底基板的正投影互不重叠; 每个所述像素结构沿所述栅线的延伸方向的宽度大于相邻的两条数据线之间的距离;和/或,每个所述像素结构沿所述数据线的延伸方向的宽度大于相邻的两条栅线之间的距离。
6.如权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述外围走线所在膜层位于所述像素结构所在膜层与所述衬底基板之间;所述阵列基板还包括:位于所述衬底基板与所述像素结构所在膜层之间且在所述衬底基板上依次设置的与各所述像素结构对应的薄膜晶体管和第一钝化层;所述像素结构为有机电致发光结构; 各所述有机电致发光结构中的阳极通过所述第一钝化层中的第一过孔与对应的所述薄膜晶体管中的漏极电性连接。
7.如权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,还包括:在所述第一钝化层上依次设置的金属桥和第二钝化层;其中, 所述金属桥通过所述第一钝化层中的第一过孔与所述薄膜晶体管中的漏极电性连接,所述金属桥通过所述第二钝化层中的第二过孔与所述有机电致发光结构中的阳极电性连接。
8.如权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述外围走线所在膜层位于所述像素结构所在膜层背向所述衬底基板的一侧;所述阵列基板还包括:在所述像素结构所在膜层背向所述衬底基板的一侧依次设置的第一钝化层和与各所述像素结构对应的薄膜晶体管;所述像素结构为有机电致发光结构; 各所述有机电致发光结构中的阳极通过所述第一钝化层中的第一过孔与对应的所述薄膜晶体管中的漏极电性连接。
9.如权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,还包括:在所述第一钝化层上依次设置的金属桥和第二钝化层;其中, 所述金属桥通过所述第一钝化层中的第一过孔与所述有机电致发光结构中的阳极电性连接,所述金属桥通过所述第二钝化层中的第二过孔与所述薄膜晶体管中的漏极电性连接。
10.如权利要求3、4、7或9所述的阵列基板,其特征在于,所述金属桥的形状为条形;各所述金属桥位于与所述栅线相互平行的不同直线上。
11.如权利要求1-9任一项所述的阵列基板,其特征在于,还包括:外围电路; 所述外围走线所在膜层与所述外围电路所在膜层位于所述像素结构所在膜层与所述衬底基板之间;或者,所述外围走线所在膜层与所述外围电路所在膜层位于所述像素结构所在膜层背向所述衬底基板的一侧。
12.—种显示面板,其特征在于,包括:如权利要求1-11任一项所述的阵列基板。
13.如权利要求12所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板为有机电致发光显示面板。
14.一种显示装置,其特征在于,包括:如权利要求12或13所述的显示面板。
【专利摘要】本发明公开了一种阵列基板、显示面板及显示装置,该阵列基板包括:衬底基板,以及位于衬底基板上的外围走线和多个像素结构;由于至少一个像素结构在衬底基板的正投影与外围走线所在的外围区域具有重叠区域,即像素结构延伸至覆盖部分或全部外围走线所在的外围区域,并且,由于外围走线所在膜层位于像素结构所在膜层与衬底基板之间或位于像素结构所在膜层背向衬底基板的一侧,这样,即使像素结构在衬底基板的正投影与外围走线所在的外围区域相互重叠也不会影响像素结构的正常显示,从而使得显示区域扩大至覆盖部分或全部外围走线所在的外围区域,与现有的显示区域与外围区域互不重叠的结构相比,可以使显示面板的边框的宽度变窄,甚至为无边框。
【IPC分类】H01L27-32
【公开号】CN104701352
【申请号】CN201510126336
【发明人】邹祥祥
【申请人】京东方科技集团股份有限公司
【公开日】2015年6月10日
【申请日】2015年3月20日
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