静电保护部件的制作方法_3

文档序号:8432870阅读:来源:国知局
l的可靠性提高。
[0073]在上述电介质材料为氧化锆的情况下,静电保护部件EPl的放电特性提高。氧化锆介电常数比较高并且容易发生电场集中。由此,静电保护部件EPl的放电特性提高。
[0074]如果作为放电诱发部13的构成材料含有氧化锆,则在放电诱发部13中金属颗粒被适度分散而存在。由此,静电保护部件EPl的放电特性提高。如果金属颗粒发生凝集而存在,则有可能在金属颗粒之间的距离短的地方离子迀移会加速。因此,通过放电诱发部13含有氧化锆,静电保护部件EPl的可靠性也会提高。
[0075](第2实施方式)
[0076]接着,参照图10?图14来说明第2实施方式所涉及的静电保护部件EP2的结构。图10是表示第2和第3实施方式所涉及的静电保护部件的立体图。图11是表示第2实施方式所涉及的素体结构的分解立体图。图12是表示第2实施方式所涉及的静电保护部件的包含第一 ESD抑制器和第三ESD抑制器的截面结构的图。图13是表示第2实施方式所涉及的静电保护部件的包含第二 ESD抑制器和第四ESD抑制器的截面结构的图。图14是表示第2实施方式所涉及的静电保护部件的包含第一 ESD抑制器和第四ESD抑制器的截面结构的示意图。
[0077]静电保护部件EP2如图10?图14所示具备素体4、被配置于素体4外表面的多个外部电极41?46。静电保护部件EP2具备:第一线圈I^1和第二线圈L2 2、第一 ESD抑制器SPS1、第二 ESD抑制器SP22、第三ESD抑制器SP23和第四ESD抑制器SP2 4。第一和第二线圈L2P L22、第一至第四ESD抑制器SP2i?SP2 4被配置于素体4的内部。第一至第四ESD抑制器SP2i?SP2 4具有ESD吸收性能。
[0078]素体4作为外表面具有互相相对的一对端面4a、4b和与端面4a、4b相邻接的四个侧面4c、4d、4e、4f。侧面4c与侧面4d互相相对,侧面4e与侧面4f互相相对。侧面4c和侧面4d以连结一对端面4a、4b的方式在一对端面4a、4b的相对方向上延伸。侧面4c和侧面4d也在侧面4e与侧面4f的相对方向上延伸。侧面4e和侧面4f以连结一对端面4a、4b的方式在一对端面4a、4b的相对方向上延伸。侧面4e和侧面4f也在一对侧面4c、4d的相对方向上延伸。侧面4c与侧面4d的相对方向与绝缘体层10的层叠方向一致。
[0079]外部电极41以沿着侧面4c与侧面4d的相对方向覆盖端面4a的一部分的方式跨及侧面4c和侧面4d而形成。外部电极42是以沿着侧面4c与侧面4d的相对方向覆盖端面4b的一部分的方式跨及侧面4c和侧面4d而形成。
[0080]外部电极43和外部电极44被配置于侧面4e侧。外部电极43和外部电极44以沿着侧面4c与侧面4d的相对方向覆盖侧面4e的一部分的方式跨及侧面4c和侧面4d而形成。外部电极43位于端面4a侧,外部电极44位于端面4b侧。
[0081]外部电极45和外部电极46被配置于侧面4f侧。外部电极45和外部电极46以沿着侧面4c与侧面4d的相对方向覆盖侧面4f的一部分的方式跨及侧面4c和侧面4d而形成。外部电极45位于端面4a侧,外部电极46位于端面4b侧。
[0082]第一线圈IA和第二线圈L2 2在绝缘体层10的层叠方向上从接近于素体4的侧面4c的一方按第一线圈IA、第二线圈1^22的顺序定位。
[0083]第一线圈!^通过导体51和导体52的端部彼此被位于导体51与导体52之间的通孔导体15连接来构成的。导体51和导体52在素体4的内部在绝缘体层10的层叠方向上并置。导体52呈螺旋状。导体51和导体52在绝缘体层10的层叠方向上从接近于侧面4c的一方按导体51、导体52的顺序定位。
[0084]导体51的端部51a露出于侧面4e,并且与外部电极43相连接。导体52的端部52a露出于素体4的侧面4f,并且与外部电极45相连接。导体51的端部51a对应于第一线圈IA的一端E2 导体52的端部52a对应于第一线圈1^的另一端E2 2。第一线圈I^1与各个外部电极43、45电连接。
[0085]第二线圈1^22通过导体53和导体54的端部彼此被位于导体53与导体54之间的通孔导体16连接而构成。导体53和导体54在素体4的内部在绝缘体层10的层叠方向上并置。导体54呈螺旋状。导体53和导体54在绝缘体层10的层叠方向上从接近于侧面4d的一方按导体53、导体54的顺序定位。
[0086]导体53的端部53a露出于侧面4e,并且与外部电极44相连接。导体54的端部54a露出于素体4的侧面4f,并且与外部电极46相连接。导体53的端部53a对应于第二线圈L22的一端E2 2,导体54的端部54a对应于第二线圈1^22的另一端E2 2。第二线圈L22与各外部电极44、46电连接。
[0087]呈现螺旋形状的导体52和导体54在绝缘体层10的层叠方向上以邻接的方式定位。第一线圈IA和第二线圈L2 2通过导体52和导体54磁耦合从而构成所谓共模滤波器。
[0088]第一和第二 ESD抑制器3Ρ2^Ρ22位于同一层。第一和第二 ESD抑制器SP2 0SP22在绝缘层10的叠方向上比第二线圈L22更接近于侧面4d。第三和第四ESD抑制器SP23、SP24位于同一层。第三和第四ESD抑制器SP2 3、3?24在绝缘层10的叠方向上较第一线圈IA更接近于侧面4c。
[0089]第一 ESD抑制器SP2i具备第一放电电极61和第二放电电极62、放电诱发部13。第一放电电极61和第二放电电极62在同一个绝缘体层10上被以彼此分开的方式配置。放电诱发部13连接第一放电电极61和第二放电电极62。
[0090]第一放电电极61具有引出部61a和相对部61b。引出部61a在绝缘体层10的短边方向(侧面4e与侧面4f相对的方向)上延伸。相对部61b在绝缘体层10的长边方向(一对端面4a、4b相对的方向)上延伸。引出部61a和相对部61b被一体地形成。第一放电电极61呈L字状。引出部61a露出于侧面4e并与外部电极43相连接。即,第一放电电极61通过外部电极43与第一线圈L2i的一端E2 连接。相对部61b与第二放电电极62相对。
[0091]第二放电电极62在绝缘体层10的长边方向上延伸。第二放电电极62具有引出部62a、相对部62b。引出部62a露出于端面4a并与外部电极41相连接。相对部62b与第一放电电极61的相对部61b在绝缘体层10的短边方向上相对。
[0092]第一放电电极61和第二放电电极62以相对部61b与相对部62b相对的方式被相互分开而配置。在相对部61b与相对部62b之间形成有间隙部GP2i (参照图12)。如果在外部电极41与外部电极43之间施加规定值以上的电压,则在第一放电电极61与第二放电电极62之间的间隙部GP2i上产生放电。间隙部GP2 宽度以能够获得所希望的放电特性的方式被设定为规定值。
[0093]放电诱发部13以连接第一放电电极61的相对部61b和第二放电电极62的相对部62b彼此的方式被连接于第一放电电极61和第二放电电极62。即,放电诱发部13是以连接第一和第二放电电极61、62中的互相相对的部分彼此的方式而被形成,并且具有容易发生第一放电电极61和第二放电电极62之间的放电的功能。
[0094]素体4在第一 ESD抑制器SPZ1的位置上具有空洞部14 (参照图12和图14)。划分空洞部14的面包含第一和第二放电电极61、62 (相对部61b、62b)以及放电诱发部13 (从相对部61b、62b露出的部分)的表面13a、与该表面13a相对的面14b。空洞部14以从层叠方向看覆盖放电诱发部13的整体的方式定位。空洞部14与相对部61b、62b和放电诱发部13(从相对部61b、62b露出的部分)相接触。空洞部14具有吸收在放电时第一放电电极61、第二放电电极62、绝缘体层10以及放电诱发部13的热膨胀的功能。
[0095]第二 ESD抑制器SP22具备第一放电电极65和第二放电电极62、放电诱发部13。第一放电电极65和第二放电电极62在同一个绝缘体层10上以彼此分开的方式被配置。放电诱发部13连接第一放电电极65和第二放电电极62。
[0096]第一放电电极65具有引出部65a和相对部65b。引出部65a在绝缘体层10的短边方向上延伸。相对部65b在绝缘体层10的长边方向上延伸。引出部65a和相对部65b被一体地形成。第一放电电极65呈L字状。引出部65a露出于侧面4f并与外部电极46相连接。即,第一放电电极65通过外部电极46与第二线圈1^2的另一端E2^连接。相对部65b与第二放电电极62相对。
[0097]第二放电电极62具有引出部62c和相对部62d。引出部62c露出于端面4b并与外部电极42相连接。相对部62d在绝缘体层10的短边方向上与第一放电电极65的相对部65b相对。引出部62a、62c和相对部62b、62d被一体地形成。
[0098]第一放电电极65和第二放电电极62以相对部65b与相对部62d相对的方式被相互分开配置。在相对部65b与相对部62d之间形成有间隙部GP22 (参照图13)。如果在外部电极42与外部电极46之间施加规定值以上的电压,则在第一放电电极65与第二放电电极62之间的间隙部GP22上产生放电。间隙部GP2 2的宽度以能够获得所希望的放电特性的方式被设定成规定值。
[0099]放电诱发部13以连接第一放电电极65的相对部65b以及第二放电电极62的相对部62d彼此的方式连接于第一放电电极65和第二放电电极62。即,放电诱发部13以连接第一和第二放电电极65、62中互相相对的部分彼此的方式而被形成,并且具有容易产生第一放电电极65和第二放电电极62之间的放电的功能。
[0100]素体4在第二 ESD抑制器SP22的位置上具有空洞部14 (参照图13)。划分空洞部14的面包含第一和第二放电电极65、62 (相对部65b、62d)以及放电诱发部13 (从相对部65b、62d露出的部分)的表面13a、与该表面13a相对的面14
当前第3页1 2 3 4 5 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1