。也可以在NH3气中添加N2气。通过氨等离子体处理，能够除去在CMP处理中在构成第一配线MlW的第一铜膜CUl的表面形成的氧化膜(CuO)，并能够将第二层间绝缘膜INS2的表面改性(例如，掩埋悬挂键(dangling bond))。因此，能够提高在接下来的工序中形成的第一绝缘性阻挡膜BRl与第一配线MlW的粘接性(贴紧性)。然而，由于第二层间绝缘膜INS2由Low — k膜构成，所以通过该氨等离子体处理，在第二层间绝缘膜INS2的表面上形成第一损伤层DM1。第一损伤层DMl形成在从第二层间绝缘膜INS2的表面至深度4nm的范围内。第一损伤层DMl是构成第二层间绝缘膜INS2的SiCOH膜被氮化而成的膜。在本实施方式中，通过氨等离子体处理，在第一损伤层DMl的下部形成第一电场缓和层ERl。第一电场缓和层ERl也是构成第二层间绝缘膜INS2的SiCOH膜被氮化而成的膜。即，第一损伤层DMl和第一电场缓和层ERl是氮浓度高于第二层间绝缘膜INS2的区域。在图5中，为便于理解而将第一损伤层DMl和第一电场缓和层ERl区分表不，但实际上两者是一体的。
[0053]图6是对第一绝缘性阻挡膜BRl的形成工序进行说明的图。以覆盖通过氨等离子体处理而被除去了氧化膜(CuO)的第一配线MlW表面以及第二层间绝缘膜INS2表面的方式，形成由绝缘膜形成的第一绝缘性阻挡膜BRl。
[0054]图7是表示假定图6的A — A部分的基于TOF — SIMS的CN —强度(氮浓度)分布的图表。是通过TOF - SIMS法对从第一绝缘性阻挡膜BRl到第二层间绝缘膜INS2的规定深度为止进行分析的结果，使用CN—强度表示氮浓度。第二层间绝缘膜INS2的深度方向上的氮浓度在深于表面的位置具有浓度峰值。浓度峰值位于距离第二层间绝缘膜INS2的表面5nm?20nm的范围。第二层间绝缘膜INS2的表面部分(O?4nm)为第一损伤层DM1，具有比表面部分的氮浓度高的氮浓度的区域为第一电场缓和层ER1。在第一电场缓和层ERl中存在氮浓度逐渐增加的区域、氮浓度的峰值区域以及氮浓度逐渐减少的区域。第一电场缓和层ERl的氮浓度高于第一损伤层DMl的氮浓度。换句话说，第一电场缓和层ERl的介电常数高于第一损伤层DMl的介电常数。这样，在相邻的第一配线MlW之间，在比第二层间绝缘膜INS2的表面(上表面)深的位置设有介电常数比表面的介电常数高的区域(层)，由此能够缓和第二层间绝缘膜INS2表面上的电场。其结果，能够提高相邻的第一配线MlW间的TDDB特性(寿命)。若第一电场缓和层ERl距离第二层间绝缘膜INS2表面过远则电场缓和效果减少，因此第一电场缓和层ERl的氮浓度峰值位置最好比第一配线MlW的厚度的1/2浅。
[0055]图8是对第三层间绝缘膜INS3、第二绝缘膜INS31以及第二接触孔VG2的形成工序进行说明的图。在第一绝缘性阻挡膜BRl上依次形成第三层间绝缘膜INS3、第二绝缘膜INS31。第三层间绝缘膜INS3以及第二绝缘膜INS31由与第二层间绝缘膜INS2以及第一绝缘膜INS21相同的膜构成。接下来，在第二绝缘膜INS31上形成由具有与第二接触孔VG2对应的开口的绝缘膜形成的第二抗蚀膜PR2。如图8所示，将该第二抗蚀膜PR2用作掩膜，对第二绝缘膜INS31、第三层间绝缘膜INS3实施干法刻蚀，来形成第二接触孔VG2。在第一绝缘性阻挡膜BRl上停止蚀刻。因此，在第二接触孔VG2的底部残留有第一绝缘性阻挡膜BRl0
[0056]接下来，图9是对用于形成第二配线槽WG2的由绝缘膜形成的第4抗蚀膜PR4的形成工序说明的图。在除去第二抗蚀膜PR2后，在第二接触孔VG2内以及第二绝缘膜INS31上形成第三抗蚀膜PR3。在第三抗蚀膜PR3上形成第三绝缘膜INS32以及由绝缘膜形成的防反射膜BARC。第三绝缘膜INS32由氧化硅膜形成，通过低温CVD法形成。接下来，在防反射膜BARC上形成具有与第二配线槽WG2对应的开口的第4抗蚀膜PR4。
[0057]图10是对形成第二配线槽WG2的工序进行说明的图。以第4抗蚀膜PR4为掩膜，对第二绝缘膜INS31以及第三层间绝缘膜INS3实施干法刻蚀，形成第二配线槽WG2。此时，同时除去在第三抗蚀膜PR3之上形成的第三绝缘膜INS32、防反射膜BARC以及第4抗蚀膜PR4，如图10所示，在第二配线槽WG2的周围以及第二接触孔VG2内残留第三抗蚀膜PR3。
[0058]图11是对除去第一阻挡膜BRl的工序进行说明的图。首先，除去残留在第二配线槽WG2的周围以及第二接触孔VG2内的第三抗蚀膜PR3，其后，为了去掉BRl的开口部，通过实施整面蚀刻，如图11所示，使第一配线MlW的表面露出。在该整面蚀刻的工序中，第二绝缘膜INS31也被蚀刻而变薄。
[0059]图12是对形成第二配线M2W的工序进行说明的图。在第二接触孔VG2以及第二配线槽WG2内，依次形成作为导电性膜的第二导电性阻隔膜CBR2以及作为导电性膜的第二铜膜⑶2后，对第二铜膜⑶2的表面实施CMP处理。而且，仅在第二接触孔VG2内以及第二配线槽WG2内选择性地残留第二导电性阻隔膜CBR2以及第二铜膜⑶2，以形成第二配线M2W。在该CMP处理中，也除去第二绝缘膜INS31，使第三层间绝缘膜INS3的表面露出，由此，第二配线M2W之间通过Low - k绝缘膜电分离，从而能够降低第二配线M2W间的电容。
[0060]图13是说明氨等离子体处理的工序和第二绝缘性阻挡膜BR2的形成工序的图。对第二配线M2W以及第三层间绝缘膜INS3的表面实施含有氨(NH3)气的等离子体处理。氨等离子体处理的条件与第一配线MlW的情况相同。通过该氨等离子体处理，在第三层间绝缘膜INS3的表面形成第二损伤层DM2。第二损伤层DM2形成在从第三层间绝缘膜INS3表面至深度4nm的范围内。第二损伤层DM2是构成第三层间绝缘膜INS3的SiCOH膜被氮化而成的膜。在本实施方式中，通过氨等离子体处理，在第二损伤层DM2的下部形成第二电场缓和层ER2。第二电场缓和层ER2也是构成第三层间绝缘膜INS3的SiCOH膜被氮化而成的膜。即，第二损伤层DM2和第二电场缓和层ER2是氮浓度高于第三层间绝缘膜INS3的区域。在图13中，为了便于理解而将第二损伤层DM2和第二电场缓和层ER2区分表示，但实际上两者是一体的。接下来，以覆盖第三层间绝缘膜INS3以及第二配线M2W的方式形成由绝缘膜形成的第二绝缘性阻挡膜BR2，得到图13的构造。图13的B — B部分的氮浓度分布与图7所示的图表相同。第二电场缓和层ER2由与第一电场缓和层ERl同样的构成形成，因此第二电场缓和层ER2起到与第一电场缓和层ERl同样的效果。因为冗长而省略重复的说明，能够理解为在图7的说明段落的记述中将第二层间绝缘膜INS2换为第三层间绝缘膜INS3、第一损伤层DMl换为第二损伤层DM2、第一电场缓和层ERl换为第二电场缓和层ER2、第一配线MlW换为第二配线M2W。
[0061]图14是说明本实施方式的效果的图表。图14表示构成层间绝缘膜的SiCOH膜的内部与表面的CN —强度比(氮浓度比)、和TDDB寿命之间的关系。若CN —强度比为I以上，则TDDB寿命提高一个数量级以上。即，通过在层间绝缘膜的内部设置氮浓度比表面的氮浓度高的层，TDDB寿命提高一个数量级以上。换句话说，通过设置氮浓度比第一损伤层DMl的氮浓度高的第一电场缓和层ERl，相邻的第一配线MlW间的TDDB寿命提高一个数量级以上。同样地，通过设置第二电场缓和层ER2，相邻的第二配线M2W间的TDDB寿命提高一个数量级以上。
[0062](实施方式2)
[0063]本实施方式2是上述实施方式I的变形例，与实施方式I相比，第一电场缓和层ERl以及第二电场缓和层ER2的形成方法和氨等离子体处理的条件不同，其他部分相同。在本实施方式2中，第一电场缓和层ERl在第二层间绝缘膜INS2的形成工序中形成，第二电场缓和层ER2在第三层间绝缘膜INS3的形成中形成。因此，通过氨等离子体处理工序形成第一损伤层DMl以及第二损伤层DM2，但不形成第一电场缓和层ERl以及第二电场缓和层ER2。图15是表示第二层间绝缘膜INS2以及第三层间绝缘膜INS3形成时的气体流动的图，图16是表不图6的A — A部分以及图13的B — B部分的基于飞行时间二次尚子质谱仪(T0F - SIMS)测得的CN —强度(氮浓度)分布的图表。
[0064]构成第二层间绝缘膜INS2的SiCOH膜通过使用了有机硅烷气体(3MS:三甲基硅烷，4MS:四甲基硅烷，IMS:单甲基硅烷，2MS:二甲基硅烷)以及氧化气体(02、N2O, CO、CO2等)的CVD法形成。在本实施方式2