nm，无机缓冲薄膜的厚度为100nm~200nm。
[0037] 在一个较优的实施例中，柔性基底10与一个上述的有机缓冲薄膜直接接触。有机 缓冲薄膜直接与柔性基底10接触，增加了缓冲层20的整体与柔性基底10之间的粘接性 能，有利于进一步降低柔性基底10和无机缓冲薄膜在在进行弯曲操作时的内应力。
[0038] 阳极30的材料为银（Ag)、金（Au)或铝（A1)。阳极30的厚度为70nm~200nm。
[0039] 有机电致发光单元40为有机材料形成的多个功能层的集合体，其一般包括依次 层叠的空穴传输层、发光层和电子传输层，阳极30与空穴传输层直接接触。
[0040] 在其他的实施方式中，有机电致发光单元40还可以包括空穴注入层、电子阻挡 层、空穴阻挡层、电子注入层等结构，也可以视情况省略空穴传输层或电子传输层。
[0041] 空穴传输层的材料可以为N，N' -二苯基-N，N' -二（1-萘基）-1，1' -联 苯-4, 4' -二胺（NPB)或4, 4'，4' ' -三（N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺（m-MTDATA)， 空穴传输层的厚度可以为20nm~60nm。
[0042] 发光层的材料可以为5, 6, 11，12-四苯基萘并萘（Rubrene)或4, 4'-二（2, 2-二 苯乙烯基）-1，1'-联苯（DPVBi)，发光层的厚度为5nm~30nm。
[0043] 电子传输层的材料可以为8-羟基喹啉铝（Alq3)或4, 7-二苯基-邻菲咯啉 (Bphen)，电子传输层的厚度为20nm~40nm。
[0044] 阴极50的材料为Ag或A1，阴极50的厚度为20nm~30nm。封装层60为交替层 叠3次~5次的有机封装薄膜和无机封装薄膜。
[0045] 有机封装薄膜的材料为酞菁铜（CuPc)，酞菁锌（ZnPc)或酞菁钼（PtPc)，无机封装 薄膜的材料为二氧化硅或氧化铝。
[0046] 首先，采用薄膜封装能够使得柔性有机电致发光器件达到较好的挠曲性。
[0047]其次，有机缓冲薄膜能够有效的提高封装层60整体的韧性，减少阴极50和无机封 装薄膜在挠曲过程中产生的内应力，保证挠曲过程中各膜层不发生破坏。此外，无机缓冲薄 膜在制备时产生的高热量对有机材料的破坏较小，因而能保证封装层60的各个薄膜在制 备过程中的稳定性。
[0048] 有机封装薄膜的材料为CuPc，ZnPc或PtPc，这类材料具有较好的成膜性，形成的 薄膜致密度高，因而阻挡性能好，并且其热稳定性较好。
[0049] 有机封装薄膜的厚度为100nm~300nm，无机封装薄膜的厚度为100nm~200nm。
[0050] 在一个较优的实施例中，阴极50与一个上述的有机封装薄膜直接接触。有机封装 薄膜直接与阴极50接触，增加了封装层60的整体与阴极50之间的粘接性能，有利于进一 步降低阴极50和无机缓冲薄膜在在进行弯曲操作时的内应力。
[0051] 如图2所示的上述柔性有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：
[0052] S10、提供清洗干净的柔性基底10。
[0053] 柔性基底10可以为不锈钢薄片，厚度为0.05mm~0.2mm，表面粗糙度（Ra)小于 0? 6 u m〇
[0054] 将不锈钢薄片清洗干净后待用。
[0055] S20、在S10得到的清洗干净的柔性基底10上制备缓冲层20。
[0056] 缓冲层20为交替层叠3次~5次的有机缓冲薄膜和无机缓冲薄膜。
[0057]有机缓冲薄膜的材料为酞菁铜（CuPc)，酞菁锌（ZnPc)或酞菁钼（PtPc)，无机缓冲 薄膜的材料为二氧化硅或氧化铝。
[0058] S20 中，真空度为IX1(T5~IXl(T3Pa。
[0059] 有机缓冲薄膜采用热阻蒸发制备，蒸发速度为0. 5nm/s~2nm/s。
[0060] 无机缓冲薄膜采用电子束蒸发制备，蒸发速度为0. 5nm/s~2nm/s。
[0061] 在一个较优的实施例中，首先在柔性基底10上制备有机缓冲薄膜，并且最后制备 无机缓冲薄膜。
[0062] 有机缓冲薄膜的厚度为lOOnm~200nm，无机缓冲薄膜的厚度为lOOnm~200nm。
[0063] S30、在缓冲层20依次蒸镀形成阳极30、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极 50〇
[0064] 阳极30的材料为银（Ag)、金（Au)或铝（A1)。阳极30的厚度为70nm~200nm。
[0065] 本实施方式中，空穴传输层、发光层和电子传输层组成有机电致发光单兀40。
[0066] 在其他的实施方式中，有机电致发光单元40还可以包括空穴注入层、电子阻挡 层、空穴阻挡层、电子注入层等结构，也可以视情况省略空穴传输层或电子传输层。
[0067] 空穴传输层的材料可以为N，N' -二苯基-N，N' -二（1-萘基）-1，1' -联 苯-4, 4' -二胺（NPB)或4, 4'，4' ' -三（N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺（m-MTDATA)， 空穴传输层的厚度可以为20nm~60nm。
[0068] 发光层的材料可以为5, 6, 11，12-四苯基萘并萘（Rubrene)或4, 4' -二（2, 2-二 苯乙烯基）-1，1'-联苯（DPVBi)，发光层的厚度为5nm~30nm。
[0069] 电子传输层的材料可以为8-羟基喹啉铝（Alq3)或4, 7-二苯基-邻菲咯啉 (Bphen)，电子传输层的厚度为20nm~40nm。
[0070]阴极50的材料为Ag或A1，阴极50的厚度为20nm~30nm。S30中，真空度为 IX1(T5~IXl(T3Pa，制备阳极30时的蒸发速度为0. 2nm/s~lnm/s，制备空穴传输层时的 蒸发速度为0.lnm/s~lnm/s，制备发光层时的蒸发速度为0.Olnm/s~lnm/s，制备电子传 输层时的蒸发速度为0.lnm/s~lnm/s，制备阴极50时的蒸发速度为0.lnm/s~lnm/s。
[0071] 在上述的较优的实施例中，阳极30直接制备在一个无机缓冲薄膜上。
[0072] S40、在阴极50上制备封装层60,得到柔性有机电致发光器件。
[0073] 结合图1，封装层60和柔性基底10之间形成密闭空间，阳极30、有机电致发光单 元40和阴极50均被容置在封闭空间内。
[0074] 封装层60为交替层叠3次~5次的有机封装薄膜和无机封装薄膜。
[0075] 有机封装薄膜的材料为酞菁铜（CuPc)，酞菁锌（ZnPc)或酞菁钼（PtPc)，无机封装 薄膜的材料为二氧化硅或氧化铝。
[0076] S40 中，真空度为IX1(T5~IXl(T3Pa。
[0077] 有机封装薄膜采用热阻蒸发制备，蒸发速度为0. 5nm/s~2nm/s。
[0078] 无机封装薄膜采用电子束蒸发制备，蒸发速度为0. 5nm/s~2nm/s。
[0079] 在一个较优的实施例中，首先在阴极50上制备有机缓冲薄膜，并且最后制备无机 缓冲薄膜。
[0080] 有机封装薄膜的厚度为lOOnm~300nm，无机封装薄膜的厚度为lOOnm~200nm。
[0081] 这种柔性有机电致发光器件的制备方法步骤简单，简便易行，制备得到的柔性有 机电致发光器件的热稳定性较好。
[0082] 以下为具体实施例，实施例中使用的测试与制备设备包括：沈阳