科学仪器研制中 心有限公司的高真空镀膜系统(蒸镀)，美国海洋光学OceanOptics的USB4000光纤光谱仪 (测试电致发光光谱)，美国吉时利公司的Keithley2400 (测试电学性能)，日本柯尼卡美能 达公司的CS-100A色度计(测试亮度和色度)。其中，"/"代表层叠。
[0083] 实施例1
[0084] 一种柔性有机电致发光器件，包括依次层叠的柔性基底、缓冲层、阳极、空穴传输 层、发光层、电子传输层、阴极和封装层，具体结构表示为：不锈钢薄片/CuPC/A1203/CuPC/ Al203/CuPc/Al203/CuPc/Al203/CuPc/Al203/Ag/NPB/Rubrene/Alq3/Al/CuPc/Al203/CuPc/ A1203/CuPc/A1203/CuPc/A1203/CuPc/A1203。
[0085] 制备步骤为：
[0086] 提供厚度为0. 05mm的不锈钢薄片，清洗干净后待用。
[0087] 在真空度为1Xl(T5Pa的真空镀膜系统中，在不锈钢薄片表面以0. 5nm/s的蒸发速 度热阻蒸镀制备CuPc薄膜，接着在CuPc薄膜表面以0. 5nm/s的蒸发速度电子束蒸镀制备 A1203薄膜。重复CuPc薄膜和A1203薄膜的制备过程，制备总层数分别为5层的层叠的CuPc 薄膜和A1203薄膜，形成缓冲层，其中，CuPc薄膜的厚度均为lOOnm，A1203薄膜的厚度均为 100nm〇
[0088] 在真空度为1Xl(T5Pa的真空镀膜系统中，在A1203薄膜的表面以0. 2nm/s的蒸发 速度热阻蒸镀制备阳极。阳极的材料为Ag，厚度为70nm。
[0089] 在真空度为1Xl(T5Pa的真空镀膜系统中，在阳极的表面以0.lnm/s的蒸发速度热 阻蒸镀制备空穴传输层。空穴传输层的材料为NPB，厚度为20nm。
[0090] 在真空度为IXl(T5Pa的真空镀膜系统中，在空穴传输层的表面以0.lnm/s的蒸发 速度热阻蒸镀制备发光层。发光层的材料为Rubrene，厚度为5nm。
[0091] 在真空度为lXl(T5Pa的真空镀膜系统中，在发光层的表面以0.lnm/s的蒸发速度 热阻蒸镀制备电子传输层。电子传输层的材料为Alq3,厚度为20nm。
[0092] 在真空度为1Xl(T5Pa的真空镀膜系统中，在电子传输层的表面以0.lnm/s的蒸发 速度热阻蒸镀制备阴极。阴极的材料为A1，厚度为20nm。
[0093] 在真空度为1Xl(T5Pa的真空镀膜系统中，在阴极表面以0.lnm/s的蒸发速度热阻 蒸镀制备CuPc薄膜，接着在CuPc薄膜表面以0.lnm/s的蒸发速度电子束蒸镀制备A1203薄 膜。重复CuPc薄膜和A1203薄膜的制备过程，制备总层数分别为5层的层叠的CuPc薄膜和 A1203薄膜，形成封装层，其中，CuPc薄膜的厚度均为100nm，A1203薄膜的厚度均为100nm。
[0094] 实施例2
[0095] 一种柔性有机电致发光器件，包括依次层叠的柔性基底、缓冲层、阳极、空穴传输 层、发光层、电子传输层、阴极和封装层，具体结构表示为：不锈钢薄片/ZnPc/Si02/ZnPc/Si02/ZnPc/Si02/Al/m_MTDATA/DPVBi/Bphen/Ag/ZnPc/Si02/ZnPc/Si02/ZnPc/Si02。
[0096] 制备步骤为：
[0097] 提供厚度为0. 2mm的不锈钢薄片，清洗干净后待用。
[0098] 在真空度为1Xl(T3Pa的真空镀膜系统中，在不锈钢薄片表面以lnm/s的蒸发速度 热阻蒸镀制备ZnPc薄膜，接着在ZnPc薄膜表面以2nm/s的蒸发速度电子束蒸镀制备Si02 薄膜。重复ZnPc薄膜和Si02薄膜的制备过程，制备总层数分别为3层的层叠的ZnPc薄膜 和Si02薄膜，形成缓冲层，其中，ZnPc薄膜的厚度均为200nm，Si02薄膜的厚度均为200nm。 [0099] 在真空度为IXl(T3Pa的真空镀膜系统中，在Si02薄膜的表面以lnm/s的蒸发速 度热阻蒸镀制备阳极。阳极的材料为A1，厚度为200nm。
[0100] 在真空度为1Xl(T3Pa的真空镀膜系统中，在阳极的表面以lnm/s的蒸发速度热阻 蒸镀制备空穴传输层。空穴传输层的材料为m-MTDATA，厚度为60nm。
[0101] 在真空度为IXl(T3Pa的真空镀膜系统中，在空穴传输层的表面以lnm/s的蒸发速 度热阻蒸镀制备发光层。发光层的材料为DPVBi，厚度为30nm。
[0102] 在真空度为IXl(T3Pa的真空镀膜系统中，在发光层的表面以lnm/s的蒸发速度热 阻蒸镀制备电子传输层。电子传输层的材料为Bphen，厚度为60nm。
[0103] 在真空度为1Xl(T3Pa的真空镀膜系统中，在电子传输层的表面以lnm/s的蒸发速 度热阻蒸镀制备阴极。阴极的材料为Ag，厚度为30nm。
[0104] 在真空度为1Xl(T3Pa的真空镀膜系统中，在阴极表面以lnm/s的蒸发速度热阻蒸 镀制备ZnPc薄膜，接着在ZnPc薄膜表面以2nm/s的蒸发速度电子束蒸镀制备Si02薄膜。 重复ZnPc薄膜和Si02薄膜的制备过程，制备总层数分别为3层的层叠的ZnPc薄膜和Si02 薄膜，形成封装层，其中，ZnPc薄膜的厚度均为200nm，Si02薄膜的厚度均为200nm。
[0105] 实施例3
[0106] 一种柔性有机电致发光器件，包括依次层叠的柔性基底、缓冲层、阳极、空穴传输 层、发光层、电子传输层、阴极和封装层，具体结构表示为：不锈钢薄片/PtPc/Si02/PtPc/Si02/PtPc/Si02/PtPc/Si02/Au/NPB/DPVBi/BCP/Ag/PtPc/Si02/PtPc/Si02/PtPc/Si02/ PtPc/Si02。
[0107] 制备步骤为：
[0108] 提供厚度为0. 1mm的不锈钢薄片，清洗干净后待用。
[0109] 在真空度为1xl(T4Pa的真空镀膜系统中，在不锈钢薄片表面以2nm/s的蒸发速度 热阻蒸镀制备PtPc薄膜，接着在PtPc薄膜表面以2nm/s的蒸发速度电子束蒸镀制备Si02 薄膜。重复PtPc薄膜和Si02薄膜的制备过程，制备总层数分别为4层的层叠的PtPc薄膜 和Si02薄膜，形成缓冲层，其中，PtPc薄膜的厚度均为150nm，Si02薄膜的厚度均为150nm。
[0110] 在真空度为lXl(T4Pa的真空镀膜系统中，在Si02薄膜的表面以0. 5nm/s的蒸发 速度热阻蒸镀制备阳极。阳极的材料为Au，厚度为100nm。
[0111] 在真空度为1Xl(T4Pa的真空镀膜系统中，在阳极的表面以0. 5nm/s的蒸发速度热 阻蒸镀制备空穴传输层。空穴传输层的材料为NPB，厚度为40nm。
[0112] 在真空度为lXl(T4Pa的真空镀膜系统中，在空穴传输层的表面以0. 5nm/s的蒸发 速度热阻蒸镀制备发光层。发光层的材料为DPVBi，厚度为20nm。
[0113] 在真空度为lXl(T4Pa的真空镀膜系统中，在发光层的表面以0. 5nm/s的蒸发速度 热阻蒸镀制备电子传输层。电子传输层的材料为BCP，厚度为15nm。
[0114] 在真空度为lXl(T4Pa的真空镀膜系统中，在电子传输层的表面以0. 5nm/s的蒸发 速度热阻蒸镀制备阴极。阴极的材料为Ag，厚度为25nm。
[0115] 在真空度为lXl(