直接驱动电路600可以作为开关操作，所以可以基于两个直接驱动电路600来实现图7的半桥电路700。因此，可以使用两个器件实现半桥电路700，其中每个器件可以对应于结合图3G、4和5所描述的器件中的一个。因此根据本公开的器件可以被配置成作为半桥电路或者至少其一部分而操作。以类似的方式，根据本公开的器件可以被配置成作为任何其他桥电路或共源共栅电路的至少一部分而操作。
[0072]图8示意性地图示出根据本公开的器件800的横截面视图。器件800可以包括驱动器电路43和第一半导体芯片44，其中驱动器电路43和第一半导体芯片44可以被单片集成在第一半导体材料45中。器件800可以还包括第二半导体芯片46，该第二半导体芯片46可以被集成在第二半导体材料47中。第二半导体材料47可以包括复合半导体。结合图9描述类似于器件800的更详细的器件。
[0073]在一个示例中，器件800可以对应于直接驱动电路或者可以被包括在直接驱动电路中。返回参考图6的示例性直接驱动电路600，器件800的第一半导体芯片44可以对应于直接驱动电路600的MOSFET 37。此外，器件800的驱动器电路43可以对应于直接驱动电路600的第一驱动器38和第二驱动器40中的一个或两者。例如，这些组件可以被集成在基本半导体材料(诸如例如硅)中。器件800的第二半导体芯片46可以对应于直接驱动电路600的JFET 36。例如，该组件可以被集成在诸如GaN之类的复合半导体材料中。在另外的示例中，器件800可以至少部分地对应于半桥电路、全桥电路、共源共栅电路等等中的至少一个或者可以至少部分地被包括在半桥电路、全桥电路、共源共栅电路等等中的至少一个中。
[0074]图9示意性地图示出根据本公开的器件900的横截面视图。例如，器件900可以对应于QFN (四方扁平无引线)封装并且可以被配置成作为半桥电路而操作。在一个示例中，器件900可以至少部分地对应于图7的半桥电路700。结合图7做出的评述因此也可以适用于器件900。在图9的示例中，由线条指示器件900的各个组件之间的电连接。提供电连接的导电元件的类型可以取决于器件900的功能。例如，所指示的电连接中的每一个可以包括一个或多个导线、一个或多个接合导线、一个或多个接触夹等等中的至少一个。
[0075]器件900可以包括输入48，该输入48可以耦合到控制电路49使得控制电路49从器件900的外部可以是可访问的。控制电路49可以包括第一输出，该第一输出可以耦合到第一直接驱动电路600A。此外，控制电路49可以包括第二输出，该第二输出可以耦合到第二直接驱动电路600B。直接驱动电路600A和600B中的每一个可以类似于图6的直接驱动电路600。结合图6做出的评述因此也可以适用于图9的器件。在一个示例中，直接驱动电路600A和600B可以类似或相同。直接驱动电路600A和600B可以邻近于彼此设置，即直接驱动电路600A可以特别地被横向设置在直接驱动电路600B的轮廓外部，并且反之亦然。
[0076]直接驱动电路600A可以包括第一半导体芯片50A和第二半导体芯片51A。例如，第一半导体芯片50A可以包括类似于图6的器件600的一个或多个驱动器(未明确示出)和MOSFET (未明确示出)。第一半导体芯片50A可以被单片集成在半导体材料中，特别是基本半导体材料，诸如例如硅。在器件900的操作期间，第一半导体芯片50A的驱动器中的至少一个可以由控制电路49控制。第二半导体芯片51A可以包括类似于图6的器件600的JFET (未明确示出)。第二半导体芯片51A可以被耦合到第一半导体芯片50A，从而形成类似于图6的直接驱动电路。特别地，第二半导体芯片51A可以被集成在诸如例如GaN之类的复合半导体材料中。
[0077]器件900可以包括端子52，该端子52可以被耦合到第一直接驱动电路600A，特别是耦合到第二半导体芯片51A。因此，可以经由端子52从器件900的外部访问第一直接驱动电路600A。第一直接驱动电路600A可以耦合到第二直接驱动电路600B，从而形成半桥电路。器件900可以包括另外的端子53，该另外的端子53可以耦合到第二直接驱动电路600B，特别是耦合到第一半导体芯片50B。因此可以经由端子53从器件900的外部访问第二直接驱动电路600B。
[0078]虽然可能已经关于数个实现方式中的仅一个公开了本公开的特别的特征或方面，但是此类特征或方面可以与如可以被期望且对于任何给定或特别的应用有利的其他实现方式的一个或多个其他特征或方面进行组合。此外，在将术语“包括”、“具有”、“有”或其其他变体用在详细描述或权利要求中方面来说，此类术语意图以类似于术语“包含”的方式是开放性的。同样，术语“示例性”仅仅意指作为示例，而非最佳或最优。还应认识到的是，出于简单和容易理解的目的，本文中描绘的特征和/或元件被图示为具有相对于彼此的特别的尺寸，并且实际尺寸可以实质上不同于本文中所图示的尺寸。
[0079]尽管本文中已经图示和描述了特定方面，但是本领域普通技术人员将认识到的是，在不偏离本公开的范围的情况下，多种替换和/或等同的实现方式可以代替所示出和所描述的特定方面。本申请意图覆盖本文中讨论的特定方面的任何调适或变化。因此，所意图的是本公开仅由权利要求及其等同形式所限制。
【主权项】
1.一种器件，包括: 第一半导体芯片，被布置在第一载体之上并且包括第一电接触；以及第二半导体芯片，被布置在第二载体之上并且包括被布置在所述第二半导体芯片的表面之上的第二电接触，该第二电接触面对所述第二载体，其中所述第二载体电耦合到所述第一电接触和所述第二电接触。2.权利要求1所述的器件，还包括: 至少部分地密封所述第一半导体芯片的密封材料，其中所述第二载体被布置在所述密封材料之上。3.权利要求2所述的器件，还包括: 被布置在所述密封材料之上的层压材料，其中所述第二载体至少部分地嵌入所述层压材料中。4.权利要求3所述的器件，其中所述层压材料在所述密封材料和所述第二载体之间提供机械连接。5.权利要求1所述的器件，其中所述第一半导体芯片被布置在所述第一载体的第一表面之上，并且所述第二半导体芯片被布置在所述第二载体的第二表面之上，其中所述第一表面和所述第二表面被布置在不同层次上。6.权利要求1所述的器件，其中所述第二半导体芯片被横向设置在所述第一半导体芯片的轮廓外部。7.权利要求1所述的器件，其中所述第一载体和所述第二载体中的至少一个包括引线框架。8.权利要求1所述的器件，其中所述第一载体和所述第二载体由不同材料制成。9.权利要求1所述的器件，其中所述第一半导体芯片包括复合半导体。10.权利要求1所述的器件，还包括: 电耦合到所述第一半导体芯片的第一再分布层；以及 电耦合到所述第二半导体芯片的第二再分布层。11.权利要求1所述的器件，其中所述第一半导体芯片的源电极电耦合到所述第二半导体芯片的漏电极。12.权利要求1所述的器件，还包括: 电耦合到所述第一半导体芯片的栅电极和所述第二半导体芯片的栅电极的驱动器电路。13.权利要求1所述的器件，还包括: 电耦合到所述第一载体和所述第二载体的通孔连接。14.一种器件，包括: 第一半导体芯片，被布置在第一载体之上； 密封材料，至少部分地密封所述第一半导体芯片； 层压材料，被布置在所述密封材料之上； 第二载体，至少部分地嵌入所述层压材料中；以及 第二半导体芯片，被布置在所述第二载体和所述层压材料之上。15.权利要求14所述的器件，其中所述第二载体电耦合到所述第一半导体芯片的第一电接触并且电耦合到所述第二半导体芯片的第二电接触，其中所述第二电接触被布置在所述第二半导体芯片面对所述第二载体的表面之上。16.—种器件,包括: 驱动器电路； 第一半导体芯片，其中所述驱动器电路和所述第一半导体芯片被单片集成在第一半导体材料中；以及 第二半导体芯片，被集成在第二半导体材料中，其中所述第二半导体材料包括复合半导体。17.权利要求16所述的器件，还包括: 被配置成控制所述驱动器电路的控制电路。18.权利要求16所述的器件，其中所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片被包括在共源共栅电路或半桥电路中。19.权利要求16所述的器件，其中所述驱动器电路被配置成控制所述第一半导体芯片的栅电极和所述第二半导体芯片的栅电极。20.权利要求16所述的器件，其中所述第一半导体芯片被横向设置在所述第二半导体芯片的轮廓外部。
【专利摘要】本发明涉及包括多个半导体芯片和多个载体的器件。一种器件包括被布置在第一载体之上且包括第一电接触的第一半导体芯片。该器件还包括被布置在第二载体之上且包括被布置在所述第二半导体芯片面对所述第二载体的表面之上的第二电接触的第二半导体芯片。所述第二载体电耦合到所述第一电接触和所述第二电接触。
【IPC分类】H01L23/29, H01L25/16, H01L25/00
【公开号】CN105023920
【申请号】CN201510179747
【发明人】O.赫伯伦, M-A.库察克, R.奥特伦巴, K.席斯
【申请人】英飞凌科技股份有限公司
【公开日】2015年11月4日
【申请日】2015年4月16日
【公告号】DE102015105821A1, US20150303128