在同一空间中，线圈导体图案的最内侧环/部分42’和44’所占的面积可以更宽，并且可以具有改善的DC电阻(Rdc) ο
[0077]实现最佳线圈结构的方法可以是例如在向最内侧环/部分42’和44’施加二次引线镀覆的情况下，通过抑制最内侧环/部分42’和/或44’沿厚度方向生长来实现，在所述最佳线圈结构中，通过控制线圈导体图案的相应的最内侧环/部分42’和44’的厚度以使其小于线圈导体图案的内部环/部分和最外侧环/部分(例如，42"、42" ’、44"和44" ’以及可选地额外的内部环/部分)的厚度ti，从而使线圈或环/部分的厚度从磁性材料主体50的外部向其内部减小，但是不限于此。
[0078]在一些实施例中，抑制最内侧环/部分42’和44’的沿厚度方向生长的方法可以通过在最内侧环/部分42’和44’的侧表面和/或上表面上设置坝或阻挡件(在下文中，称为“坝”)来实现。
[0079]例如，坝可以以预定的间隔设置在最内侧环/部分42’和44’的侧表面和/或上表面上，从而即使当向最内侧环/部分42’和44’施加二次引线镀覆时，也可以抑制最内侧环/部分42’和44’在厚度上的生长。
[0080]在一些实施例中，坝可以设置在之前形成的图案镀覆层42a的侧表面和/或上表面上，例如在电镀以提供二次引线的情况下，可以设置坝以防止或限制电镀层42b在最内侧环/部分42’上生长，从而可以使相应的最内侧环/部分42’实现为具有小于内部环/部分和最外侧环/部分(例如，42"和42" ’)的厚度。
[0081]在一些实施例中，可以执行利用坝来抑制最内侧环/部分42’和44’沿厚度方向生长的工艺，以在线圈和坝之间形成相对窄的空间，因此抑制了引入到该空间中的铜离子(Cu2+)的移动和扩散，从而显著地减小了最内侧环/部分42’和44’沿厚度方向的生长。
[0082]可以通过任意合适的方法来形成坝，但是可以利用诸如干膜抗蚀剂(DFR)、阻焊剂(SR)等的普通绝缘材料来形成坝。另外，坝的形状没有具体限制，坝的高度也没有限制。然而，坝可以设置在等于或高于或低于线圈导体图案或者线圈导体图案的一部分或者线圈导体图案的环或部分的目标高度的高度处。
[0083]形成线圈导体图案的工艺仅是示例，并且不限于此。例如，可以使用各种不同的方法。
[0084]虽然图3示出了只有最内侧环/部分42’仅由图案镀覆层42a构成，但是两个或更多个相邻或不相邻的环/部分可以仅由图案镀覆层42a构成。
[0085]根据本公开的示例性实施例，在线圈导体图案42的最内侧环/部分42’的宽度为Wqi，线圈导体图案42的最外侧环/部分42" ’的宽度为Wffi，并且位于最外侧环/部分和最内侧环/部分之间的一个或更多个或者全部的内部环/部分42"的宽度为W1的情况下，可以满足
[0086]在一些实施例中，改善的线圈结构可以具有改善的电感器特性，并且可以具有从最外侧环/部分向最内侧环/部分减小的线圈的环/部分的宽度，例如，从磁性材料主体的外部向其内部减小。
[0087]然而，以前通过基板镀覆工艺制造的线圈结构不包括以上描述的改善的线圈结构特征。因此，通过基板镀覆制造的以前的线圈图案在电感器的特性方面具有限制。
[0088]根据在本公开中的示例性实施例，线圈导体图案42的最内侧环/部分42’的宽度Wm和与最内侧环/部分42’相邻或其它地方的内部环/部分(例如，42")的宽度W1被控制为满足KW1，使得可以实现改善的线圈结构，在改善的线圈结构中，线圈的宽度从磁性材料主体的外部向其内部减小，从而可以改善片式电感器的品质因子，例如，Q因子。
[0089]如图3和图4中所示，线圈导体图案42和线圈导体图案44的最外侧环/部分42" ’和44" ’的宽度、最内侧环/部分42’和44’的宽度以及内部环/部分(例如，42"和44")的宽度可以被限定为在磁性材料主体50的在长度方向上的横截面中线圈导体图案的相应的环/部分的左端表面和右端表面之间的距离。
[0090]通常，为了改善薄膜型电感器的DC电阻(Rdc)以及其它特性，镀覆的各种技术会是重要的。在一些情况下，可以使用各向异性镀覆方法，即，施加高密度电流以仅或优先或主要在线圈的向上方向上生长镀层。
[0091]各向异性镀覆是可以包括如下步骤的技术:抑制线圈在宽度方向上生长，通过在相对低的无机材料浓度下施加高密度电流来使线圈沿(整个、主要或基本)向上的方向生长，以实现线圈导体图案的高的高宽比(A/R)，从而可获得芯区域，因此防止效率的劣化，并且具有改善的DC电阻(Rdc)。
[0092]然而，利用各向异性镀覆方法形成片式电感器的线圈的技术可能具有最外侧环/部分和最内侧环/部分也会沿宽度方向生长的问题，使得其横截面积不均匀。
[0093]作为片式电子组件的特性的DC电阻(Rdc)的值随着线圈的横截面积变大而变低，通常，在其横截面积均匀的情况下，相同体积的线圈具有更低的电阻值。
[0094]在最外侧线圈和最内侧线圈沿宽度方向生长以具有不均匀的横截面积的情况下，可能不能改善作为片式电感器的特性的DC电阻(Rdc)。
[0095]根据本公开中的示例性实施例，可以实现其中环/部分的宽度从磁性材料主体的外部向其内部减小的改善的线圈结构，从而可以改善DC电阻(Rdc)特性。
[0096]实现改善的线圈结构的方法可以通过各种技术来实现，所述技术包括，例如，在对最内侧环/部分42’和44’施加二次引线镀覆的情况下，抑制最内侧环/部分42’和44’在宽度方向上的生长，在所述改善的线圈结构中，通过将线圈导体图案42和线圈导体图案44的相应的最内侧环/部分42’和44’的宽度Wm以及例如与最内侧环/部分42’和44’相邻的内部环/部分(例如，42"和44")的宽度W1控制成满足如上所述的KW1，来使环/部分的宽度从磁性材料主体50的外部向其内部减小。
[0097]在一些实施例中，可以通过如上所述的在最内侧环/部分42’和44’的侧表面和/或上表面上设置坝来实现抑制最内侧环/部分42’和44’的沿宽度方向的生长的方法。
[0098]例如，可以以预定的间隔在最内侧环/部分42’和44’的侧表面和/或上表面上设置坝，从而即使对最内侧环/部分42’和44’施加二次引线镀覆，也可以抑制最内侧环/部分42’和44’的沿宽度方向的生长。
[0099]在一些实施例中，可以在之前形成的图案镀覆层42a的侧表面和/或上表面上设置坝，并且可以设置坝来防止或限制例如当进行电镀以提供二次引线时在最内侧环/部分42’上生长电镀层，从而可以使最内侧环/部分42’实现为具有比内部环/部分(例如，42")的宽度和/或厚度小的宽度和/或厚度。
[0100]在本公开的一个实施例中，在线圈导体图案42的相应的最外侧环/部分42" ’的宽度为Wra的情况下，可以满足\具。
[0101]在向最内侧环/部分42’和44’施加二次引线镀覆的情况下，可以抑制最内侧环/部分42’和44’沿宽度方向生长，由于可以通过合适的方法在最外侧环/部分42" ’和44" ’的图案镀覆层上执行二次引线镀覆，所以可以促进最外侧环/部分42" ’和44" ’沿宽度方向生长。因此，在最外侧环/部分42" ’的宽度为^2的情况下，其宽度^2可以满足?
[0102]另外，在一些实施例中，最外侧环/部分42" ’的宽度Wq2、一个或更多个或全部的内部环/部分(例如，42")的宽度W1以及最内侧线圈导体图案42’的宽度^可以满足
w02>w1>w01o
[0103]因此，可以实现其中线圈的宽度从磁性材料主体的外部向其内部减小的改善的线圈结构，从而可以提高片式电感器的品质因子(例如，Q因子)和/或可以改善DC电阻(Rdc)特性。
[0104]线圈导体图案42和线圈导体图案44的最外侧环/部分42" ’和44" ’与最内侧环/部分42’和44’之间的内部环/部分(例如，42"和44")的宽度可以分别彼此相同，但是不限于此。
[0105]由于与最外侧环/部分42" ’和44" ’以及最内侧环/部分42’和44’不同，在执行二次引线镀覆时，线圈导体图案的环/部分能够在内部环/部分42"和44"的两个侧表面处针对内部环/部分42"和44"执行竞争，因此内部环/部分42"和44"可以以彼此相似的形状来实现并且具有相似的宽度/厚度。
[0106]内部环/部分42"和44"的宽度可以彼此相同的意思不是说它们彼此一致而没有微小的误差，而是包括它们彼此相似的意思。因此，可能由于工艺偏差而在预定的范围内存在差异。在一些实施例中，所述偏差可以小于大约I %、或小于大约2 %、或小于大约3 %、或小于大约5%、或小于大约8%、或者在一些实施例中，可以高达大约10%、12%或15%。
[0107]在一些实施例中，线圈导体图案42的最内侧环/部分42’可以仅或部分地由图案镀覆层42a构成，线圈导体图案42的内部环/部分42"和最外侧环/部分42" ’可以包括图案镀覆层42a和形成在图案镀覆层42a上的电镀层42b，但是不限于此。
[0108]根据本公开中的示例性实施例，可以在最内侧环/部分42’的侧表面和/或上表面上形成坝以抑制最内侧环/部分42’沿宽度方向和厚度方向生长，从而在执行二次引线镀覆时，电镀层42b可以不形成在最内侧环/部分42’上，或者将在最内侧环/部分42’上受到限制。
[0109]因此，最内侧环/部分42’可以由图案镀覆层42a构成，并且与线圈导体图案的其余的环/部分不同，最内侧环/部分42’可以具有相对小的宽度和厚度。
[0110]在一些实施例中，内部环/部分和最外侧环/部分本身可以通过任何合适的工艺来实施，而不受限于通过特定工艺来实施，内部环/部分和最外侧环/部分可以包括图案镀覆层42a和形成在图案镀覆层42a上的电镀层42b。
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