半导体结构的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明是有关一种半导体结构的制造方法。
【背景技术】
[0002]当制作影像感测器的晶片(例如CMOS晶片)时，通常会将玻璃片覆盖于晶圆(wafer)的表面，用以保护晶圆，使灰尘不易附着于晶圆的影像感测区。当晶圆切割后形成的晶片使用于电子产品时，由于电子产品通常在对齐晶片的壳体上会设置透光片，而透光片与晶片表面上的玻璃片具有相似的保护功能，因此会造成材料的浪费与透光度下降。
[0003]然而，当晶圆的表面不设置玻璃片时，虽然可提升透光度，使得晶圆切割后的晶片的感测影像能力有所提升，但因晶圆的厚度很薄，要移动已形成球栅阵列的晶圆是相当困难的。
[0004]此外，若在制作影像感测器的制程中影像感测区未被其他元件保护，易使影像感测区受灰尘污染，造成良率难以提升。虽可利用胶带覆盖影像感测区，以于制程中保护影像感测区，但胶带未经设计，不易于切割后的晶圆(即晶片)上移除，造成晶片制造商的不便。
【发明内容】
[0005]本发明的一技术态样为一种半导体结构的制造方法。
[0006]根据本发明一实施方式，一种半导体结构的制造方法包含下列步骤:(a)使用暂时粘着层将载板贴附于晶圆的第一表面上，且形成布线层、绝缘层与球栅阵列于晶圆相对第一表面的第二表面上；(b)将晶圆的第二表面贴附于框体上的紫外光胶带，并移除暂时粘着层与载板；(C)贴附保护胶带于晶圆的第一表面上，以覆盖晶圆的影像感测区，其中保护胶带的面积大于晶圆的面积，使得保护胶带凸出于晶圆；(d)照射紫外光于紫外光胶带，使紫外光胶带的粘性消失；(e)贴附切割胶带于保护胶带与框体上，并移除紫外光胶带；(f)使用第一刀具从晶圆的第二表面切割晶圆，而形成多个晶片与晶片间的多个间隙；以及(g)使用宽度小于第一刀具的第二刀具沿间隙切割保护胶带，使得切割后的保护胶带分别凸出于晶片。
[0007]在本发明上述实施方式中，载板可提供形成球栅阵列前的晶圆的支撑力，且在晶圆的第二表面贴附于紫外光胶带后，暂时粘着层与载板便可移除。载板与保护胶带均可保护晶圆的影像感测区，避免于制程中遭到污染，可提升良率。另外，由于保护胶带的面积大于晶圆的面积，且切割晶圆时是使用较宽的第一刀具，切割保护胶带时是使用较窄的第一刀具，因此在晶圆与保护胶带切割后，每一晶片上的保护胶带均会凸出于晶片。如此一来，保护胶带便可轻易从晶片的边缘撕下，提升制造上的便利性。此外，移除载板与保护胶带后的晶片可提升感测能力，并节省已知在晶片上设置玻璃片的成本。
[0008]本发明的一技术态样为一种半导体结构的制造方法。
[0009]根据本发明一实施方式，一种半导体结构的制造方法包含下列步骤:(a)使用暂时粘着层将载板贴附于晶圆的第一表面上；(b)蚀刻晶圆，使得晶圆形成多个晶片与晶片间的多个间隙，且形成布线层、绝缘层与球栅阵列于晶圆相对第一表面的第二表面上；(C)将晶圆的第二表面贴附于框体上的紫外光胶带，并移除暂时粘着层与载板；(d)贴附保护胶带于晶圆的第一表面上，以覆盖晶圆的影像感测区，其中保护胶带的面积大于晶圆的面积，使得保护胶带凸出于晶圆；(e)照射紫外光于紫外光胶带，使紫外光胶带的粘性消失；(f)贴附切割胶带于保护胶带与框体上，并移除紫外光胶带；以及(g)使用宽度小于间隙的刀具沿间隙切割保护胶带，使得切割后的保护胶带分别凸出于晶片。
[0010]在本发明上述实施方式中，载板可提供形成球栅阵列前的晶圆的支撑力，且在晶圆的第二表面贴附于紫外光胶带后，暂时粘着层与载板便可移除。载板与保护胶带均可保护晶圆的影像感测区，避免于制程中遭到污染，可提升良率。另外，蚀刻晶圆时可形成晶片与间隙。由于保护胶带的面积大于晶圆的面积，且切割保护胶带时是使用宽度小于间隙的刀具，因此在保护胶带切割后，每一晶片上的保护胶带均会凸出于晶片。如此一来，保护胶带便可轻易从晶片的边缘撕下，提升制造上的便利性。此外，移除载板与保护胶带后的晶片可提升感测能力，并节省已知在晶片上设置玻璃片的成本。
[0011]本发明的一技术态样为一种半导体结构的制造方法。
[0012]根据本发明一实施方式，一种半导体结构的制造方法包含下列步骤:(a)使用暂时粘着层将载板贴附于晶圆的第一表面上，使暂时粘着层覆盖晶圆的影像感测区；(b)蚀刻晶圆，使得晶圆形成多个晶片与晶片间的多个间隙，且形成布线层、绝缘层与球栅阵列于晶圆相对第一表面的第二表面上；(C)将晶圆的第二表面贴附于框体上的紫外光胶带，并移除载板，其中暂时粘着层的面积大于晶圆的面积，使得暂时粘着层凸出于晶圆；(d)使用宽度小于间隙的刀具切割暂时粘着层对齐间隙的位置，使得切割后的暂时粘着层分别凸出于晶片；以及(e)照射紫外光于紫外光胶带，使紫外光胶带的粘性消失。
[0013]本发明上述实施方式中，载板可提供形成球栅阵列前的晶圆的支撑力，且在晶圆的第二表面贴附于紫外光胶带后，载板便可移除。载板与暂时粘着层均可保护晶圆的影像感测区，避免于制程中遭到污染，可提升良率。另外，蚀刻晶圆时可形成晶片与间隙。由于暂时粘着层的面积大于晶圆的面积，且切割暂时粘着层时是使用宽度小于间隙的刀具，因此在暂时粘着层切割后，每一晶片上的暂时粘着层均会凸出于晶片。如此一来，暂时粘着层便可轻易从晶片的边缘撕下，提升制造上的便利性。此外，移除载板与暂时粘着层后的晶片可提升感测能力，并节省已知在晶片上设置玻璃片的成本。
【附图说明】
[0014]图1绘示根据本发明一实施方式的半导体结构的制造方法的流程图。
[0015]图2A至图2D绘示布线层、绝缘层与球栅阵列形成于晶圆时的制程示意图。
[0016]图3绘示图2D的结构贴附于紫外光胶带后的示意图。
[0017]图4绘示图3的结构移除暂时粘着层与载板时的示意图。
[0018]图5绘示图4的晶圆贴附保护胶带后的示意图。
[0019]图6绘示图5的结构照射紫外光时的示意图。
[0020]图7绘示图6的保护胶带与框体贴附切割胶带后的示意图。
[0021]图8A绘示图7的紫外光胶带移除后，且使用第一刀具切割晶圆时的示意图。
[0022]图SB绘示图8A的晶片间的间隙形成后，使用第二刀具切割保护胶带时的示意图。
[0023]图9绘示图SB的晶片与保护胶带从切割胶带取下时的示意图。
[0024]图10绘示图9的晶片与保护胶带的放大图。
[0025]图11绘示根据本发明一实施方式的半导体结构的制造方法的流程图。
[0026]图12A至图12B绘示布线层、绝缘层与球栅阵列形成于晶圆时的制程示意图。
[0027]图13绘示图12B的结构贴附于紫外光胶带后的示意图。
[0028]图14绘示图13的结构移除暂时粘着层与载板时的示意图。
[0029]图15绘示图14的晶圆贴附保护胶带后的示意图。
[0030]图16绘示图15的结构照射紫外光时的示意图。
[0031]图17绘示图16的保护胶带与框体贴附切割胶带后的示意图。
[0032]图18绘示图17的紫外光胶带移除后，使用刀具切割保护胶带时的示意图。
[0033]图19绘示根据本发明一实施方式的半导体结构的制造方法的流程图。
[0034]图20绘示图13的结构移除载板时的示意图。
[0035]图21绘不图20的载板移除后，使用刀具切割暂时粘着层时的不意图。
[0036]图22绘示图21的结构照射紫外光时的示意图。
[0037]图23绘示图22的晶片与暂时粘着层从紫外光胶带取下时的示意图。
[0038]其中，附图中符号的简单说明如下:
[0039]110:暂时粘着层IlOa:暂时粘着层
[0040]120:载板130:晶圆
[0041]130a:晶片132:第一表面
[0042]134:第二表面136:凹孔
[0043]138:影像感测区142:布线层
[0044]144:绝缘层146:球栅阵列
[0045]150:框体152:紫外光胶带
[0046]160:保护胶带160a:保护胶带
[0047]170:紫外光源180:切割胶带
[0048]210:第一刀具220:第二刀具
[0049]230:刀具240:刀具
[0050]d:厚度dl?d2:间隙
[0051]Dl?D2:方向L:紫外光
[0052]Wl?W4:宽度SI?S7:步骤。
【具体实施方式】
[0053]以下将以图式揭露本发明的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说，在本发明部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化图式起见，一些已知惯用的结构与元件在图式中将以简单示意的方式绘示。
[0054]图1绘示根据本发明一实施方式的半导体结构的制造方法的流程图。首先在步骤SI中，使用暂时粘着层将载板贴附于晶圆的第一表面上，且形成布线层、绝缘层与球栅阵列于晶圆相对第一表面的第二表面上。接着在步骤S2中，将晶圆的第二表面贴附于框体上的紫外光胶