3、第二介电层432和第一介电层431进行图案 化，以形成第一凹槽450。第一凹槽450位于第二凹槽480周围。在第三介电层433上形成 有钝化层440的情况下，需要先对钝化层440进行图案化。图案化的方法同样可以采用本 领域已知的光刻和刻蚀的方法。同样地，为了使随后湿法刻蚀的过程中，刻蚀剂不会损坏布 线金属层420,在依次对第三介电层433、第二介电层432和第一介电层431进行图案化形 成第一凹槽450时，可以在第一凹槽450中保留预定厚度的第一介电层431。
[0054] 如图41所示，采用湿法刻蚀从第一凹槽450向两侧对第二介电层432进行刻蚀， 以在第一介电层431和第三介电层433之间形成横向槽460。刻蚀剂同样可以参照上文中 步骤S130中的描述。需要说明的是，当第一凹槽450中保留有预定厚度的第一介电层431 时，还需要对第一凹槽450中的第一介电层431进行刻蚀，以暴露布线金属层420。在对第 二介电层432进行湿法刻蚀时，除了对第一介电层431上的第二介电层432进行刻蚀，还会 对第二凹槽480内的第二介电层432进行刻蚀，以去除第二凹槽480内的第二介电层432 的一部分或全部。例如，在根据本发明的一个优选实施例中，第二介电层432和第一介电层 431之间形成有刻蚀停止层434,湿法刻蚀时，可以对第二凹槽480内的第二介电层432的 全部进行刻蚀，直至刻蚀停止层434。当然，也可以只刻蚀去除第二凹槽480内的第二介电 层432的一部分。
[0055] 如图4J所示，在布线金属层420以及第三介电层433上形成反射层470。当第三 介电层433上形成有钝化层440时，反射层470形成在钝化层440上。即反射层470形成 在第三介电层433上，但反射层470和第三介电层433之间形成有居间的钝化层440。由 于第一介电层431和第三介电层433之间形成有横向槽460,因此，第三介电层433上的反 射层470和第一介电层431上的反射层470断开，即第一凹槽450中的形成在布线金属层 420上的反射层470 (对应于焊垫上的反射层470)与第三介电层433上的反射层470 (对 应于焊垫外的反射层470)断开。特别是当第二凹槽480中的一部分或全部的第二介电层 432也被刻蚀的情况下，由于在形成反射层470的过程中，很难在第二凹槽480中形成反射 层470,因此，即使第三介电层433上的布线金属层470延伸至横向槽460的内侧，其与第一 介电层431上的布线金属层470也会在第二凹槽480的开口处断开，因而能够确保布线金 属层420上的反射层470与第三介电层433上的布线金属层470断开。
[0056] 根据本发明的另一个方面，还提供一种半导体器件200/400,如图2G和4J所示。 半导体器件200/400通过上述的任何一种方法制作。下面以半导体器件400为例来简要说 明本发明提供的半导体器件的结构。
[0057] 如图4J所示，半导体器件400包括半导体衬底410、依次形成在半导体衬底410上 的布线金属层420、第一介电层431、第二介电层432、第三介电层433。第一介电层431、第 二介电层432以及第三介电层中间形成有第一凹槽450。第一介电层431和第三介电层433 之间形成有位于第二介电层432上的横向槽460。第三介电层433以及布线金属层420上 形成有反射层470,且第三介电层433上的反射层470与布线金属层420上的反射层470彼 此断开。优选地，第三介电层433与反射层470之间还可以形成有钝化层440。
[0058] 第二介电层232可以水平地形成在第一介电层231的上表面，如图2G所示。此 外，第一介电层431中也可以形成第二凹槽480,第二介电层432可以形成在第一介电431 的除开第二凹槽480区域的上表面，如同图4J所示，或者第二凹槽480内也可以部分地填 充第二介电层432。第一介电层431和第二介电层432之间优选地可以形成有刻蚀停止层434。半导体器件200/400包含的其他各个部件的详细情况可以参照上文中相应部分的描 述，为了简洁，不再赘述。
[0059] 综上所述，根据本发明的半导体器件的制作方法在第一介电层231/431和第三 介电层233/433之间形成横向槽260/460,从而能够使得布线金属层220/420上的反射层 270/470 (对应于焊垫上的反射层270/470)与第三介电层上233/433的反射层270/470 (对 应于焊垫外的反射层270/470)断开。且该方法不需要金属层次版定义，简化工艺，提高特 殊广品性能。
[0060] 本发明已经通过上述实施例进行了说明，但应当理解的是，上述实施例只是用于 举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围内。此外本领域技术人 员可以理解的是，本发明并不局限于上述实施例，根据本发明的教导还可以做出更多种的 变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。本发明的保护范围由 附属的权利要求书及其等效范围所界定。
【主权项】
1. 一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括： a) 提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有布线金属层，所述布线金属层上形成有 介电层，所述介电层包括依次形成的第一介电层、第二介电层和第三介电层，其中所述第二 介电层的材料不同于所述第一介电层和所述第三介电层； b) 依次对所述第三介电层、所述第二介电层和所述第一介电层进行图案化，以形成第 一凹槽； c) 采用湿法刻蚀从所述第一凹槽向两侧对所述第二介电层进行刻蚀，以在所述第一介 电层和所述第三介电层之间形成横向槽，并使所述第一凹槽暴露所述布线金属层；以及 d) 在所述布线金属层以及所述第三介电层上形成反射层，且所述布线金属层上的反射 层与所述第三介电层上的反射层断开。2. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述a)步骤中，所述介电层的形成方法包 括： 在所述布线金属层上形成所述第一介电层； 对所述第一介电层进行图案化，以形成暴露所述布线金属层的第二凹槽，其中所述第 二凹槽位于所述第一凹槽的周围； 在所述第二凹槽内和所述第一介电层上形成所述第二介电层；以及 在所述第二介电层上形成所述第三介电层。3. 如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述湿法刻蚀还包括去除所述第二凹槽内 的所述第二介电层的至少一部分。4. 如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法在形成所述第二凹槽后且形成所 述第二介电层之前，还包括在所述第二凹槽内和所述第一介电层上形成刻蚀停止层。5. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一介电层和所述第三介电层的材料 为正硅酸乙酯，所述第二介电层的材料为硼磷硅玻璃。6. 如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的刻蚀剂为氢氟酸。7. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述b)步骤中，所述第一凹槽内剩余预定 厚度的所述第一介电层。8. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第三介电层和所述反射层之间形成 有钝化层。9. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述反射层的材料为Ag。10. -种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件采用权利要求1-9中任何一项所述 的方法制备。
【专利摘要】本发明公开一种半导体器件及其制作方法。所述方法包括：a)提供半导体衬底，该半导体衬底上形成有布线金属层，布线金属层上形成有介电层，介电层包括依次形成的第一介电层、第二介电层和第三介电层，其中第二介电层的材料不同于第一介电层和第三介电层；b)依次对第三介电层、第二介电层和第一介电层进行图案化，以形成第一凹槽；c)采用湿法刻蚀从第一凹槽向两侧对第二介电层进行刻蚀，以在第一介电层和第三介电层之间形成横向槽，并使第一凹槽暴露布线金属层；以及d)在布线金属层以及第三介电层上形成反射层，且布线金属层上的反射层与第三介电层上的反射层断开。该方法能够使焊垫上的反射层与焊垫外的反射层断开。
【IPC分类】H01L21/3213, H01L23/525, H01L23/532, H01L21/768
【公开号】CN105226047
【申请号】CN201410245009
【发明人】杨欢, 宋华, 王蛟
【申请人】无锡华润上华半导体有限公司
【公开日】2016年1月6日
【申请日】2014年6月4日