°C时荧光粉不会对其结构产生影响。
[0026] 需要说明的是，所述玻璃粉可由组分I、组分II和组分III制成，所述组分I中 各原料按重量的百分比为：Si0 2:10% -14%，Bi 203:40 % - 60%，CaO :2% -10%，ZnO : 5% -10%, B2〇3：l% -5%, Na2O -.4% -1%, K2O ：0% -2%, MgO ：0% - 1%, Sb203：l% -2%, Li2O ：1% -3%,BaO ：3% -5%,SnO ：0% -3%,SrO ：0% -3%,P2O5=I^ -2%,V205 ：1% -2%； 所述组分II为低膨胀耐火材料；所述组分III为过渡金属氧化物。所述组分II和组分I的重 量配比为1:4。所述组分I和组分III的重量配比为100:0. 4。
[0027] 优选地，所述荧光粉膜的厚度为0. 2~lmm。
[0028] 需要说明的是，所述荧光粉膜的尺寸根据芯片的尺寸以及安装方式确定，如采用 胶水固定则荧光粉膜与芯片的尺寸相同即可。其中制备荧光粉膜时可按实际要求尺寸依次 成型，也可先制作成大块的玻璃薄片，然后再将玻璃薄片根据产品要求切割成小块的荧光 粉膜。
[0029] 相应地，本发明还提供一种用于倒装LED芯片的荧光粉膜的制备方法，包括以下 步骤： S100,按重量比玻璃粉：荧光粉=1~1〇:1称取原料，经混合搅拌之后放入熔化池中熔 化，形成玻璃液。
[0030] 需要注意的是，玻璃粉与荧光粉需混合均匀否则会导致荧光粉膜中荧光粉的含量 不同，造成色温差异。
[0031] 其中，所述玻璃粉以氧化物基准的摩尔百分率表示，包括78~88%的Si02、2~10%的 Al203、2~5% 的 Na20、1~5% 的 Mg0、0~3% 的 K2O 和 0~2% 的 CaO。
[0032] 优选地，本发明采用的的溶化温度为650-800°C ;更佳地，本发明采用的的溶化温 度为 850~900°C。
[0033] S101，再将玻璃液通入澄清池中均化，澄清，消除气泡，形成熔融体。
[0034] S102,采用浮法工艺、压延工艺或溢流法工艺形成玻璃薄片，再将玻璃薄片根据产 品要求切割成小块的荧光粉膜。
[0035] 优选地，本发明所述荧光粉膜的厚度为0. 2~lmm。更佳地，本发明所述荧光粉膜的 厚度为〇· 2~0· 5_。
[0036] 相应地，本发明还提供一种使用荧光粉的倒装LED芯片，包括LED芯片和所述用于 倒装LED芯片的荧光粉膜，所述荧光粉膜固定在LED芯片上。
[0037] 与现有的倒装LED芯片相比，本发明所述倒装LED芯片将原有LED芯片上点荧光 粉胶的工艺改变为在LED芯片上固定设置荧光粉膜，克服了原有LED芯片荧光粉不均匀，荧 光粉胶层厚度不一致，表面会形成一个中间厚两边薄的弧形结构，导致色温差异、合格率不 高、荧光粉激发效率低以及出光不均匀等技术问题。通过在玻璃粉中混合荧光粉制备出很 薄的荧光粉膜，再通过现有已知的固定方式使荧光粉膜粘合在芯片上，产品的光效稳定性 强，提高荧光粉激发效率，出色均匀，色区集中。
[0038] 以下将通过实验比较本发明实施例与现有技术的参考例： 参考例：选用正波长蓝色芯片以及含黄绿色荧光粉的荧光粉胶层制成的倒装LED芯 片； 实施例：选用正波长蓝色芯片以及含黄绿色荧光粉的荧光粉膜制成的倒装LED芯片； 其中，正波长蓝色芯片波长范围通常是指450mm-460mm之间。
[0039] 各取同批生产的参考例和实施例30个作为样品，分别测试每个样品的色温、胶层 厚度/荧光粉膜厚度、将胶层/荧光粉膜固定在芯片上的固定时间等参数，并统计得到平均 值或数值范围，具体实验结果如下： 表1实施例与参考例的性能参数表
由表1可知，通过60个样品统计得出，实施例的色温区间比参考例的色温区间更狭窄， 即每个实施例样品色温更集中，实施例的LED芯片在色温一致性上表现更出色。而实施例 的荧光粉膜厚度（〇. 45~0. 5_)的误差相比于参考例的胶层厚度（0. 3~0. 6_)的误差更小， 能确保荧光粉发光效率和产品光效的稳定性。由于实施例两种样品的结构和固定方式不 同，实施例的固定方式不需要烘干固化，只要在常温中操作即可，减少固定时间，安装方便， 有利于提尚生广效率。
[0040] 最后所应当说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对本发明保 护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本发明作了详细说明，本领域的普通技术人员应当 理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的实质 和范围。
【主权项】
1. 一种用于倒装LED芯片的荧光粉膜，其特征在于，包括玻璃粉和荧光粉，按重量比玻 璃粉：荧光粉=1~1〇: 1，制成含荧光粉的玻璃薄片。2. 如权利要求1所述用于倒装LED芯片的荧光粉膜，其特征在于，所述玻璃粉的熔点为 450-600。。。3. 如权利要求1所述用于倒装LED芯片的荧光粉膜，其特征在于，所述荧光粉膜的厚度 为 0? 2~lmm。4. 一种如权利要求1所述用于倒装LED芯片的荧光粉膜的制备方法，其特征在于，包括 以下步骤： 步骤一，按重量比玻璃粉：荧光粉=1~1〇:1称取原料，经混合搅拌之后放入熔化池中熔 化，形成玻璃液； 步骤二，再将玻璃液通入澄清池中均化，澄清，消除气泡，形成熔融体； 步骤三，采用浮法工艺、压延工艺或溢流法工艺形成玻璃薄片，再将玻璃薄片根据产品 要求切割成小块的荧光粉膜。5. 如权利要求4所述用于倒装LED芯片的荧光粉膜的制备方法，其特征在于，所述玻璃 粉的熔点为450-600°C。6. 如权利要求4所述用于倒装LED芯片的荧光粉膜的制备方法，其特征在于，所述步骤 一中熔化的溶化温度为650-800°C。7. 如权利要求4所述用于倒装LED芯片的荧光粉膜的制备方法，其特征在于，所述荧光 粉膜的厚度为〇? 2~lmm〇8. -种倒装LED芯片，其特征在于，包括LED芯片和权利要求1-3所述用于倒装LED芯 片的荧光粉膜，所述荧光粉膜固定在LED芯片上。9. 如权利要求8所述倒装LED芯片，其特征在于，所述荧光粉膜通过胶水固定在LED芯 片上。
【专利摘要】本发明公开了一种用于倒装LED芯片的荧光粉膜，包括玻璃粉和荧光粉，按重量比玻璃粉：荧光粉=1~10:1，制成含荧光粉的玻璃薄片。本发明还公开了一种用于倒装LED芯片的荧光粉膜的制备方法以及一种倒装LED芯片。采用本发明，可避免荧光粉沉淀，荧光粉膜厚度误差小，安装方便快捷，提高产品的稳定性，还可以提升功率密度、减少光衰。
【IPC分类】H01L33/50, H01L33/48
【公开号】CN105244429
【申请号】CN201510691013
【发明人】王孟源, 朱思远, 董挺波
【申请人】佛山市中昊光电科技有限公司
【公开日】2016年1月13日
【申请日】2015年10月23日