r>[0037]图6示出了在另外的过程步骤之后的半导体晶片100的部分的垂直剖视图，在该另外的过程步骤中外延层200被生成在第一表面101上。在此外延层200以及在外延层200下面的第一区101中，半导体器件的有源区可被实施。外延层200在晶片100的垂直方向中的厚度(尺寸)例如在3 μ m和10 μ m之间。
[0038]在本文之前所说明的方法的每个中，在该方法之后，在第一区110中存在低浓度的氧沉淀(从而半导体器件的有源区可在此处被形成)以及充当吸杂区的在第二区120中的高浓度的氧沉淀。位于第二区和第二表面之间的第三区中，可具有比第一区中的高的氧沉淀浓度。然而，由于第三区类似于第二区包括氧，但并不包括如第二区120那么高的空位浓度，第三区中的氧沉淀浓度低于第二区120中的氧沉淀浓度。例如，第三区中的空位浓度低于lE14cm 3，或甚至低于lE13cm3。
[0039]理想地，氧沉淀在第一区中的浓度是零。在第三区中，氧沉淀的浓度不为零。通常，如果第一区中的氧浓度稍高于零，第三区中的氧沉淀的最小浓度是第一区中的氧沉淀的最大浓度的至少10倍。第二区120中的氧沉淀的最小浓度是第三区中的氧沉淀的最大浓度的至少3倍、至少5倍或至少10倍。
[0040]虽然本发明的各种示例性实施例已被公开，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，显然本领域的技术人员可以做出各种变化和修改以实现本发明的优点中的一些。对于本领域的熟练技术人员，显然执行相同功能的其他部件可被适当的替换。应当提及的是，参考特定附图的进行说明的特征可与其他附图的特征结合，即使是在未被明确提及的情况下。此外，本发明的方法可使用适当的处理器指令在全部软件实施中被实现，或者利用硬件逻辑和软件逻辑的结合以达到相同结果的混合实施中被实现。对本发明构思的此修改旨在被所附权利要求覆盖。
[0041]空间相关术语比如“下(under、below、lower)”、“上(over、upper) ”等被用于简化描述，以解释一个元件相对于第二元件的定位。这些术语旨在涵盖除了那些在附图中所示出的不同方位之外的器件的不同方位。此外，术语比如“第一(first) ”、“第二(second)”等被用于描述各种元件、区域、部分等，并且也并非意在限制。贯穿整个描述同样的术语指同样的元件。
[0042]如本文所用，术语“具有(having)”、“包括(containing、including、comprising) ”等是开放式术语，表示所陈述的元件或特征的存在，但并不排除其它的元件或特征。冠词“一(a或an)”和“该(the) ”旨在包括复数形式以及单数形式，除非上下文另有明确说明。
[0043]考虑以上所述的变化和应用的范围，应当理解的是，本发明既不受前述【具体实施方式】限制，也不受附图限制。相反，本发明仅由下述权利要求及其等同物限制。
【主权项】
1.一种方法，包括: 通过第一热处理降低第一区中的硅晶片中的氧浓度，所述第一区邻接所述硅晶片的第一表面; 通过经由所述第一表面向所述晶片中注入颗粒，至少在位于邻接所述第一区的第二区中的所述晶片的晶格中生成空位；以及 通过第二热处理在所述第二区中形成氧沉淀。2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一热处理中的温度高于1000°C。3.如权利要求1所述的方法，其中所述第一热处理的持续时间大于I小时。4.如权利要求1所述的方法，其中所述第一热处理的持续时间大于4小时。5.如权利要求1所述的方法，进一步包括: 在所述第一热处理之前，测量所述第一区中的所述氧浓度；以及 基于所述测量，调节所述第一热处理的温度和所述第一热处理的持续时间中的至少一个。6.如权利要求1所述的方法，其中所述第一热处理被配置为将所述第一区中的所述氧浓度降至6E17cm 3以下。7.如权利要求1所述的方法， 其中所述第一热处理被配置为将所述第一区中的所述氧浓度降至5E17cm3以下。8.如权利要求1所述的方法， 其中所述第一热处理被适配为形成具有从所述第一表面来看的在2-15 μπι之间的深度的所述第一区。9.如权利要求1所述的方法，其中所述颗粒包括质子和氦原子中的至少一种。10.如权利要求1所述的方法，其中注入所述颗粒包括以5E13cm2和lE15cm 2之间的剂量注入所述颗粒。11.如权利要求1所述的方法，其中生成空位包括生成浓度在lE17cm3和lE19cm 3之间的空位。12.如权利要求1所述的方法，其中所述第二热处理中的温度选自700°C和1050°C之间的范围。13.如权利要求12所述的方法，其中所述第二热处理的持续时间在I小时和30小时之间。14.如权利要求13所述的方法，其中所述第二热处理包括: 将至少所述第二区加热至750°C和850°C之间的温度并持续I小时至10小时，以及 将至少所述第二区加热至950°C和1100°C之间的温度并持续10小时至20小时。15.如权利要求1所述的方法，进一步包括: 在所述第二热处理之前，在位于第三区中的所述晶片的晶格中生成空位，所述第三区邻接与所述第一表面相对的第二表面。16.如权利要求15所述的方法，其中在所述第三区中生成空位包括向所述第二表面中注入颗粒和在含氮气氛中对所述第二表面进行热处理中的至少一种。17.如权利要求16所述的方法，进一步包括: 在所述含氮气氛中的所述热处理之前，在所述第一表面上形成保护层。18.如权利要求17所述的方法，其中所述保护层是氧化物层。19.如权利要求1所述的方法，进一步包括: 在所述第一表面上形成外延层。20.如权利要求1所述的方法，进一步包括: 在形成所述氧沉淀之前，在所述第二区中形成成核籽。21.如权利要求1所述的方法，进一步包括: 在所述第一热处理之前，将间隙硅原子从所述第一表面驱入所述硅晶片中。22.如权利要求21所述的方法， 其中将所述间隙原子驱入所述硅晶片中包括在所述第一表面上形成氧化物。23.一种半导体晶片包括: 第一表面； 第一区、第二区和第三区， 其中所述第一区邻接所述第一表面，并且所述第二区位于所述第一区和所述第三区之间， 其中所述第三区中的氧沉淀的最小浓度高于所述第一区中的氧沉淀的最大浓度，以及 其中所述第二区中的氧沉淀的最小浓度高于所述第三区中的氧沉淀的最大浓度。24.如权利要求23所述的半导体晶片， 其中所述第三区中的所述氧沉淀的最小浓度是所述第一区中的所述氧沉淀的最大浓度的至少10倍。25.如权利要求23所述的半导体晶片， 其中所述第二区中的所述氧沉淀的最小浓度是所述第三区中的所述氧沉淀的最大浓度的至少3倍。
【专利摘要】本发明公开了一种用于处理半导体主体的方法。在一实施例中，该方法包括通过第一热处理降低第一区中的硅晶片中的氧浓度，该第一区邻接该硅晶片的第一表面，通过经由第一表面向晶片中注入颗粒，至少在第二区中的晶片的晶格中生成空位，该第二区邻接该第一区，以及通过第二热处理在该第二区中形成氧沉淀。
【IPC分类】H01L21/322, H01L21/324
【公开号】CN105390392
【申请号】CN201510548480
【发明人】H-J·舒尔策, H·奥弗纳
【申请人】英飞凌科技股份有限公司
【公开日】2016年3月9日
【申请日】2015年8月31日
【公告号】DE102015114361A1, US9312120, US20160064206