贯穿所述第一绝缘层142以及所述第二绝缘层152的所述通孔160电性连接所述中转区122。优选地，所述透明电极171是氧化铜锡。
[0029]通过于所述基板110上设置所述数据线121以及所述中转区122，接着在所述数据线121以及所述中转区122上形成所述源极131以及所述漏极132，接着再使用所述主动层图案141包覆所述源极131以及所述漏极132，进而达到避免避免所述源极131以及所述漏极132被等离子体轰击而氧化。
[0030]参考图2-14，绘示本发明的有机半导体薄膜晶体管100的制作方法的流程图。其中依照附图数字的增加表示制作方法的步骤，图号若无英文数字或英文数字为a表示为该步骤所形成產物的侧视图，图号若有英文数字b表示为该步骤所形成产物的上视图。
[0031]首先，参考图2，设置基板110。
[0032]参考图3，沉积第一金属层120于所述基板110之上。参考图3、图4a以及图4b，使用第一掩膜(未图示)对所述第一金属层120进行蚀刻以形成数据线121以及中转区122。
[0033]接着，参考图5，沉积第二金属层130于所述基板110、所述数据线121以及所述中转区122之上。参考图5、图6a以及图6b，使用第二掩膜(未图示)对所述第二金属层130进行蚀刻以形成源极131以及漏极132。
[0034]参考图7，涂布有机半导体层140于所述数据线121、所述中转区122、所述基板110所述源极121以及所述漏极122之上。接着，参考图7、图8a以及图8b，使用第三掩膜(未图示)对所述有机半导体层140以形成主动层图案141。
[0035]接着，参考图9，涂布第一绝缘层142于所述数据线121、所述中转区122以及所述主动层图案141之上。
[0036]接着，参考图10，沉积第三金属层150于所述第一绝缘层142之上。参考图10、图1la以及图11b，使用第四掩膜(未图示)对所述第三金属层150进行蚀刻以形成栅极151以及扫描线153。所述柵極151以及所述扫描线153是电性连接。
[0037]参考图12，涂布第二绝缘层152于所述第三金属层151以及所述第一绝缘层142之上。接着，参考图13，于所述第一绝缘层142以及所述第二绝缘层152形成所述通孔160，通孔160贯穿第一绝缘层142以及所述第二绝缘层152。参考图1以及图14，图14是本发明的有机半导体薄膜晶体管的最终结构的上视图，而图1是本发明的有机半导体薄膜晶体管的最终结构的侧视图。沉积透明电极170于所述第二绝缘层152之上并通过所述通孔160电性连接所述中转区122。接下來使用第五掩膜对透明电极170进行蚀刻以形成有机发光二极管的阳电极。
[0038]本发明先于基板100上设置数据线121以及中转区122，接着在数据线121以及中转区122上形成源极131以及漏极132，接着再形成主动层图案141以包覆源极131以及漏极132。因为主动层图案141包覆源极131以及漏极132，所以可以保护源极131以及漏极132不受等离子体轰击而氧化。
[0039]综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
【主权项】
1.一种有机半导体薄膜晶体管，其特征在于，所述有机半导体薄膜晶体管包括: 基板； 数据线以及中转区，设置于所述基板之上； 源极以及漏极，设置于所述基板、所述数据线以及所述中转区之上； 主动层图案，设置于所述数据线、所述中转区、所述基板所述源极以及所述漏极之上； 第一绝缘层，设置于所述数据线、所述中转区以及所述主动层图案之上； 栅极以及扫描线，设置于所述第一绝缘层之上； 第二绝缘层，设置于所述栅极以及所述第一绝缘层之上； 透明电极，设置于所述第二绝缘层之上并通过贯穿所述第一绝缘层以及所述第二绝缘层的通孔电性连接所述中转区。2.如权利要求1所述的有机半导体薄膜晶体管，其特征在于，所述数据线以及所述中转区是钛或钼。3.如权利要求1所述的有机半导体薄膜晶体管，其特征在于，所述源极以及所述漏极是银。4.如权利要求1所述的有机半导体薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极是铝或铜。5.如权利要求1所述的有机半导体薄膜晶体管，其特征在于，所述透明电极是氧化铟锡。6.一种有机半导体薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括: 设置基板； 沉积第一金属层于所述基板之上； 使用第一掩膜对所述第一金属层进行蚀刻以形成数据线以及中转区； 沉积第二金属层于所述基板、所述数据线以及所述中转区之上； 使用第二掩膜对所述第二金属层进行蚀刻以形成源极以及漏极； 涂布有机半导体层于所述数据线、所述中转区、所述基板所述源极以及所述漏极之上； 使用第三掩膜对所述有机半导体层以形成主动层图案； 涂布第一绝缘层于所述数据线、所述中转区以及所述主动层图案之上； 沉积第三金属层于所述第一绝缘层之上； 使用第四掩膜对所述第三金属层进行蚀刻以形成栅极以及扫描线； 涂布第二绝缘层于所述第三金属层以及所述第一绝缘层之上； 于所述第一绝缘层以及所述第二绝缘层形成通孔；以及 沉积透明电极于所述第二绝缘层之上并通过所述通孔电性连接所述中转区。7.如权利要求6所述的有机半导体薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述第一金属层是钛或钼。8.如权利要求6所述的有机半导体薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述第二金属层是银。9.如权利要求6所述的有机半导体薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述第三金属层是铝或铜。10.如权利要求6所述的有机半导体薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述透明电极是氧化铟锡。
【专利摘要】本发明公开一种有机半导体薄膜晶体管，所述有机半导体薄膜晶体管包括基板、数据线、中转区、源极、漏极、主动层图案、第一绝缘层、栅极、第二绝缘层以及透明电极。所述数据线以及所述中转区设置于所述基板之上。所述源极以及所述漏极设置于所述基板、所述数据线以及所述中转区之上。所述主动层图案，设置于所述数据线、所述中转区、所述基板、所述源极以及所述漏极之上。通过设置所述主动层图案所述源极以及所述漏极之上进而避免所述源极以及所述漏极受到等离子体轰击。
【IPC分类】H01L51/40, H01L51/05
【公开号】CN105470388
【申请号】CN201510802435
【发明人】徐洪远, 苏长义
【申请人】深圳市华星光电技术有限公司
【公开日】2016年4月6日
【申请日】2015年11月18日