与已示出的图4B的情况同样地，例如如图5C所示那样，来自各排气装置15c、31a的排气借助排气路径21b被整流并向输入输出室21的下侧引导，之后向装置外部排出。此时，既可以将排气路径21b设为集合管，也可以针对每个排气装置15c、31a (或者14b)独立地设置排气路径21b。
[0074]但是，之前，列举了输送部15的侧流形成为自大致X轴的正方向朝向负方向的横向的情况为例，但也可以如图所示那样使其反向。图是表示输送部15的供气排气机构的结构的变形例的示意图。
[0075]S卩，也可以是，如图所示，在输送部15中，自被设在与交接部14连通的所述开口侧壁侧的FFU15b接受清洁空气的供气，并且利用被设在相对侧壁侧的排气装置15c排出该空气，由此，形成自大致X轴的负方向朝向正方向的横向的侧流。
[0076]另外，此时，为了能够在输送部15的横截面形成大致均匀的气流，优选将FFU15b设为例如能够从交接部14的开设于开口侧壁的开口周围的大致整面供气。
[0077]另外，在图5B中，列举了排气装置15d沿着输送路径15a的延伸方向设有多个的情况为例，但作为该情况的变形例，也可以是基板输送装置17在其可动轴周围具有排气装置。
[0078]在该情况下，虽然省略了图示，但将输送路径15a铺设在例如冲孔金属上，由此，能够将来自基板输送装置17所具有的排气装置的排气排出到排气路径31。
[0079]如所述那样，本实施方式的基板处理系统I (相当于“基板处理装置”的一例)包括输入输出室21、输送部15 (相当于“输送室”的一例)和交接部14 (相当于“交接室”的一例)。
[0080]输入输出室21用于从承载件C输入晶圆W(相当于“基板”的一例)或者将晶圆W输出至承载件C。输送部15形成有用于向处理单元16 (相当于“基板处理室”的一例)输送晶圆W的输送路径15a，该处理单元16用于对晶圆W实施规定的处理。
[0081]交接部14配置在输入输出室21与输送部15之间，用于基板的在输入输出室21与输送部15之间的交接。并且，交接部14的内压高于输入输出室21的内压和输送部15的内压。
[0082]因而，采用本实施方式的基板处理系统1，能够进一步抑制微粒附着于晶圆W。
[0083]其中，在所述实施方式中，列举了供气装置为FFU的情况为例，但并不限定于此，例如也可以是用于吸入在基板处理系统I的外部生成的清洁空气的供气装置。
[0084]另外，在所述实施方式中，列举了一对交接部14和一对输送部15配置在上下两层的情况为例，但它们也可以仅配置一层，也可以配置3层以上。
[0085]另外，在所述实施方式中，作为基板，列举了晶圆W为例，但也可以是用于液晶显示器等的玻璃基板等其他基板。
[0086]本领域技术人员能够容易地推导出更进一步的效果、变形例。因此，本发明的更广泛的形态并不限定于如以上那样表述并且记述的特定的详细内容以及代表性的实施方式。因而，本发明能够在不脱离附带的权利要求书及其同等范围所定义的总括性的发明的概念的精神或范围的情况下进行各种变更。
[0087]附图标iP,说曰月
[0088]1、基板处理系统；2、输入输出站；3、处理站；4、控制装置；11、承载件载置部；12、输送部；13、基板输送装置；14、交接部；14a、FFU ; 14b、排气装置；14c、交接台；15、输送部；15a、输送路径；15b、FFU ;15c、排气装置；15d、排气装置；16、处理单元；17、基板输送装置；
18、控制部；19、存储部；21、输入输出室；21a、FFU ;21b、排气路径；22、交接站；31、排气路径；31a、排气装置；C、承载件；W、晶圆。
【主权项】
1.一种基板处理装置，其特征在于， 该基板处理装置包括: 输入输出室，其用于从承载件输入基板或者将基板输出至承载件； 输送室，其形成有用于向基板处理室输送基板的输送路径，该基板处理室用于对基板实施规定的处理； 交接室，其配置在所述输入输出室与所述输送室之间，用于基板的在该输入输出室与该输送室之间的交接， 所述交接室的内压高于所述输入输出室的内压和所述输送室的内压。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于， 该基板处理装置具有配置在所述交接室的上方的供气装置和配置在该交接室的下方的排气装置， 在所述交接室的内部设有用于在所述输入输出室与所述输送室之间保持基板的交接台，并且在所述交接室的内部形成由所述供气装置和所述排气装置造成的清洁空气的下降流。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于， 所述输送室在高度方向上呈多层地设有多个， 与所述输送室相应地，所述交接室在高度方向上呈多层地设有多个， 所述交接室分别独立地与所述供气装置及所述排气装置连结。4.根据权利要求1?3中任意一项所述的基板处理装置，其特征在于， 该基板处理装置包括排气路径，该排气路径被设为用于对来自所述交接室的排气进行整流并且将其向该基板处理装置的外部引导。5.根据权利要求1?4中任意一项所述的基板处理装置，其特征在于， 所述输送室具有与所述交接室相对的相对侧壁和设于该相对侧壁的供气装置， 所述输送路径形成为自所述交接室侧向所述相对侧壁侧延伸， 在所述输送室的内部由所述相对侧壁的供气装置和被设在所述交接室侧的排气装置形成自所述相对侧壁侧向所述交接室侧流动的清洁空气的侧流。6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于， 设在所述交接室侧的排气装置配置在所述交接室的下方。7.根据权利要求1?4中任意一项所述的基板处理装置，其特征在于， 所述输送室具有:开口侧壁，其具有与所述交接室连通的开口 ；相对侧壁，其与该开口侧壁相对；供气装置，其设在所述开口侧壁的所述开口的周围；以及排气装置，其设于所述相对侧壁， 在所述输送室的内部由所述开口侧壁的供气装置和所述相对侧壁的排气装置形成自所述开口侧壁侧向所述相对侧壁侧流动的清洁空气的侧流。8.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于， 设于所述相对侧壁的供气装置被设为能够从所述相对侧壁的大致整面供气。9.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于， 设于所述开口侧壁的供气装置被设为能够从所述开口的周围的大致整面供气。10.根据权利要求2?9中任意一项所述的基板处理装置，其特征在于， 所述交接台包括搁板，该搁板在高度方向上呈多层地设置，所述基板一张张地载置于各搁板。11.根据权利要求5?10中任意一项所述的基板处理装置，其特征在于， 该基板处理装置包括: 基板输送装置，其设在所述输送室的内部，沿着所述输送路径输送基板； 排气路径，其沿着所述输送路径设在该输送路径的下方；以及 排气装置，其分别设在所述排气路径的两端， 所述排气路径的两端的排气装置用于将从所述基板输送装置的周围排出到所述排气路径的空气经由该排气路径从所述交接室侧和所述相对侧壁侧这两侧排出。
【专利摘要】本发明提供一种基板处理装置。本发明要解决的问题在于进一步抑制微粒附着于基板。实施方式的基板处理装置包括输入输出室、输送室和交接室。输入输出室用于从承载件输入基板或者将基板输出至承载件。输送室形成有用于向基板处理室输送基板的输送路径，该基板处理室用于对基板实施规定的处理。交接室配置在输入输出室与输送室之间，用于基板的在输入输出室与输送室之间的交接。并且，交接室的内压高于输入输出室的内压和输送室的内压。
【IPC分类】H01L21/67, H01L21/677
【公开号】CN105575849
【申请号】CN201510718230
【发明人】南田纯也, 青木大辅
【申请人】东京毅力科创株式会社
【公开日】2016年5月11日
【申请日】2015年10月29日
【公告号】US20160121373...