硼背面场层120的上方。另外，可形成抗反射层180于掺杂层160的上方，以降低入射光的反射率。在一实施例中，抗反射层180包含氮化硅。
[0049]如图4E所示，形成开口 O贯穿钝化层130。详细而言，开口 O贯穿第一钝化层132、第二钝化层134及硼背面场层120。例如可利用激光或其他合适的方式形成开口 O。
[0050]如图4F所示，设置铝胶142于开口 O内。亦可形成银胶172于抗反射层180上。最后，进行烧结步骤，烧结铝胶142与银胶172，以形成如图2所示的铝局部背面场层150、背面电极层140与正面电极层170,而招局部背面场层150位于开口 130a、120a下方的半导体基材110内。
[0051]图5A-5F是绘示依照本发明一实施例的一种太阳能电池的制造方法的各制程阶段的示意图。首先，如图5A所示，提供一半导体基材110，半导体基材110具有一正面IlOa及一背面IlOb相对设置。
[0052]然后，如图5B所示，对正面IlOa进行粗化制程，再形成掺杂层160于正面IlOa下方的半导体基材110内。例如可利用高温扩散，将掺质扩散至正面IlOa下方的半导体基材110内，而形成J多杂层160。
[0053]如图5C 所不，形成含硼纯化材料层(boron-contained passivat1n layer) BPL于半导体基材110的背面IlOb的上方，然后形成第二钝化层134于含硼钝化材料层BPL的上方。含硼钝化材料层BPL包含硼及钝化材料。在一实施例中，利用涂布制程，如喷涂(spray coating)方式,形成含硼钝化材料层BPL于背面IlOb的上方。在一实施例中，钝化材料包含氧化铝、氧化硅、氮氧化硅或其组合，但不限于此。在一实施例中，第二钝化层134包含氮化硅。另外，可形成抗反射层180于掺杂层160的上方，以降低入射光的反射率。
[0054]如图所示，形成开口 O贯穿第二钝化层134及含硼钝化材料层BPL。例如可利用激光或其他合适的方式形成开口 O。
[0055]如图5E所示，设置铝胶142于开口 O内。亦可形成银胶172于抗反射层180上。然后，进行烧结步骤，烧结铝胶142与银胶172，以形成如图5F所示的铝局部背面场层150、背面电极层140与正面电极层170,而招局部背面场层150位于开口 O下方的半导体基材110内。值得注意的是，在烧结铝胶142与银胶172的时候，如图5E所示的含硼钝化材料层BPL的硼会扩散至背面IlOb下方的半导体基材110内，而形成如图5F所示的硼背面场层120。在含硼钝化材料层BPL的硼释出之后，也就形成了如图5F所示的第一钝化层132。也就是说，在本实施例中，不需另移除含硼钝化材料层BPL，故可减少制程步骤。
[0056]根据上述可知，本发明的制造方法皆不需运用到半导体制程的微影蚀刻技术，即可制作出硼背面场层及铝局部背面场层。因此相对于需运用到微影蚀刻技术形成太阳能电池的制造方法，本发明的制造方法可大幅降低制程成本，极具有实用性。
[0057]虽然本发明已以实施方式揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟悉此技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视所附的权利要求书所界定的范围为准。
【主权项】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包含: 一半导体基材，具有一正面及一背面相对设置； 一硼背面场层，位于该背面下方的该半导体基材内； 一钝化层，位于该硼背面场层的上方，该钝化层具有一开口贯穿该钝化层； 一背面电极层，位于该开口内；以及 一铝局部背面场层，位于该开口下方的该半导体基材内，并接触该硼背面场层及该背面电极层。2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该背面电极层还覆盖该钝化层。3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该钝化层未被该背面电极层完全覆盖。4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该硼背面场层具有一开口，该硼背面场层的该开口大致对准该钝化层的该开口。5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该钝化层包含: 一第一钝化层，接触该硼背面场层，该第一钝化层包含氧化铝、氧化硅、氮氧化硅或其组合；以及 一第二钝化层，位于该第一钝化层的上方，该第二钝化层包含氮化硅。6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，还包含: 一第一掺杂层，位于该正面下方的该半导体基材内； 一第二掺杂层，位于该正面下方的该半导体基材内，并邻接该第一掺杂层，该第一掺杂层及该第二掺杂层的导电型相同，且该第二掺杂层的掺质浓度大于该第一掺杂层的掺质浓度；以及 一正面电极层，接触该第二掺杂层。7.一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，包含: 提供一半导体基材，该半导体基材具有一正面及一背面相对设置； 形成一硼背面场层于该背面下方的该半导体基材内； 形成一钝化层于该硼背面场层的上方； 形成一开口贯穿该钝化层； 设置铝胶于该开口内；以及 烧结该铝胶，以形成一铝局部背面场层于该开口下方的该半导体基材内。8.根据权利要求7所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，形成该硼背面场层于该背面下方的该半导体基材内步骤是透过扩散或离子布植硼至该背面下方的该半导体基材内。9.根据权利要求7所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，形成该硼背面场层于该背面下方的该半导体基材内步骤包含: 形成一含硼钝化材料层于该半导体基材的该背面的上方，该含硼钝化材料层包含硼及钝化材料；以及 扩散该含硼钝化材料层的该硼至该背面下方的该半导体基材内，以形成该硼背面场层。10.根据权利要求9所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，扩散该含硼钝化材料层的该硼至该背面下方的该半导体基材内步骤与烧结该铝胶步骤是同时进行。11.根据权利要求7所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，形成该硼背面场层于该背面下方的该半导体基材内步骤包含: 形成一硼来源层于该半导体基材的该背面的上方； 扩散该硼来源层的硼至该背面下方的该半导体基材内，以形成该硼背面场层；以及 去除该硼来源层。12.根据权利要求11所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，该硼来源层包含硼胶、硼硅玻璃或其组合。13.根据权利要求11所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，还包含扩散磷至该正面下方的该半导体基材内。14.根据权利要求13所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，扩散该硼来源层的该硼至该背面下方的该半导体基材内步骤及扩散该磷至该正面下方的该半导体基材内步骤是于同一次热处理程序中进行。
【专利摘要】本发明揭露一种太阳能电池及其制造方法。太阳能电池包含半导体基材、硼背面场层、钝化层、背面电极层及铝局部背面场层。半导体基材具有一正面及一背面相对设置。硼背面场层位于背面下方的半导体基材内。钝化层位于硼背面场层的上方，且具有一开口贯穿钝化层。背面电极层位于开口内。铝局部背面场层位于开口下方的半导体基材内，并接触硼背面场层及背面电极层。硼背面场层及铝局部背面场层可提升背面导电度及有效增加载子的收集效率；钝化层可提升背面钝化效果，进而提升太阳能电池的电池转换效率。
【IPC分类】H01L31/0216, H01L31/18
【公开号】CN105590968
【申请号】CN201410578307
【发明人】吴中瀚, 陈奎伯, 吴兴华, 林信成, 欧乃天, 黄桂武
【申请人】昱晶能源科技股份有限公司
【公开日】2016年5月18日
【申请日】2014年10月24日