]一绝缘层300顺应性设置于基底180的第二表面180b上，且延伸至第一开口280内，并暴露出导电垫160a的表面。在本实施例中，绝缘层300可包括环氧树脂、无机材料(例如，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、金属氧化物或前述的组合)、有机高分子材料(例如，聚酰亚胺树月旨(poIyimide)、苯环丁稀(butyleye1butene，BCB)、聚对二甲苯(parylene)、萘聚合物(polynaphthalenes)、氟碳化物(f Iuorocarbons)、丙稀酸酯(acrylates))或其他适合的绝缘材料。
[0021]图案化的重布线层340设置于绝缘层300上，且顺应性延伸至第一开口280的侧壁及底部上(亦即，重布线层340延伸至导电垫160a的表面上)，并进一步填满第二开口320。重布线层340可经由第一开口 280直接电性接触或间接电性连接露出的导电垫160a，且亦可经由第二开口 320直接电性接触或间接电性连接露出的所有导电垫160a、160b及160c的内部。另外，当基底180包括半导体材料(例如，硅)时，第一开口 280内的重布线层340也称为硅通孔电极(through silicon via，TSV)，且重布线层340可通过绝缘层300与半导体材料电性隔离。在一实施例中，重布线层340可包括铜、铝、金、铂、镍、锡、前述的组合、导电高分子材料、导电陶瓷材料(例如，氧化铟锡或氧化铟锌)或其他适合的导电材料。
[0022]一钝化保护层360设置于绝缘层300上，且覆盖重布线层340，并填入第一开口 280内。在一实施例中，钝化保护层360与第一开口 280内的重布线层340之间具有一空腔380，位于第一开口 280的底部。在其他实施例中，钝化保护层360可填满第一开口 280。钝化保护层360具有开口(未绘示)，露出位于第二表面180b上的重布线层340的一部分。在本实施例中，钝化保护层360可包括环氧树脂、绿漆(solder mask)、无机材料(例如，氧化娃、氮化娃、氮氧化硅、金属氧化物或前述的组合)、有机高分子材料(例如，聚酰亚胺树脂、苯环丁烯、聚对二甲苯、萘聚合物、氟碳化物、丙烯酸酯)、光阻材料或其他适合的绝缘材料。
[0023]一导电结构400设置于钝化保护层360的开口内，以电性连接露出的重布线层340。在本实施例中，导电结构400可为凸块(例如，接合球或导电柱)或其他适合的导电结构，且可包括锡、铅、铜、金、镍、前述的组合或其他适合的导电材料。
[0024]在本实施例中，晶片封装体还包括另一基底100，设置于介电层130上，基底100具有一第一表面10a(可视为前侧)及与其相对的一第二表面10b(可视为背侧)。在本实施例中，介电层130位于基底100的第一表面10a与基底180的第一表面180a之间，亦即基底100的第一表面10a邻近于导电垫结构160中的导电垫160c(可视为底层导电垫)，而基底180的第一表面180a邻近于导电垫结构160中的导电垫160a(可视为顶层导电垫)。在一实施例中，基底100可为一硅基底或其他半导体基底。
[0025]在本实施例中，基底100为一装置基底，且包括一元件区110。元件区110可包括影像感测元件(例如，光电二极管(photod1de )、光晶体管(phototransistor)或其他光感测器)。再者，基底100内可具有控制上述影像感测元件的集成电路(例如，互补型金属氧化物半导体晶体管(complementary metal oxide semiconductor，CM0S)、电阻或其他的半导体元件)，其与介电层130内的导电垫结构160电性连接。为了简化图式，此处仅绘示出平整的元件区110及光学元件200，且仅以虚线140表示元件区110与导电垫结构160之间的电性连接。
[0026]一光学元件200(例如，微透镜阵列、滤光层或其他适合的光学元件)可选择性设置于基底100的第二表面100b(S卩，背侧)上。一盖板220设置于基底100的第二表面10b上，以保护光学元件200ο在本实施例中，盖板220可包括玻璃或其他适合的透明材料。再者，基底100与盖板220之间具有一间隔层(或称作围堰(dam))240，其围绕光学元件200，且于基底100与盖板220之间形成一空腔260。在一实施例中，间隔层240大致上不吸收水气。在一实施例中，间隔层240不具有粘性，因此间隔层240可通过额外的粘着胶，以将盖板220贴附于基底100上。在另一实施例中，间隔层240可具有粘性，因此间隔层240可不与任何的粘着胶接触，以确保间隔层240的位置不因粘着胶而移动。同时，由于不需使用粘着胶，可避免粘着胶溢流而污染光学元件200。在本实施例中，间隔层240可包括环氧树脂、无机材料(例如，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、金属氧化物或前述的组合)、有机高分子材料(例如，聚酰亚胺树脂、苯环丁烯、聚对二甲苯、萘聚合物、氟碳化物、丙烯酸酯)、光阻材料或其他适合的绝缘材料。
[0027]请参照图2及3，其绘示出根据本发明各种实施例的晶片封装体的剖面示意图，其中相同于前述图1E的实施例的部件使用相同的标号并省略其说明。图2及3的实施例使用前照式(frontside iIluminat1n，FSI)感测装置作为范例说明。在图2的实施例中，晶片封装体包括一基底100、一介电层130、一第一开口 280、一第二开口 320及一重布线层340。基底100具有一第一表面10a(可视为前侧)及与其相对的一第二表面10b(可视为背侧)。在本实施例中，基底100为一装置基底，且包括具有影像感测元件的一元件区110。
[0028]介电层130设置于基底100的第一表面10a上，且包括导电垫结构160。导电垫结构160由垂直堆叠的导电垫160a(可视为顶层导电垫)、导电垫160b及导电垫160c (可视为底层导电垫)所构成，且与元件区110电性连接(如虚线140所示)。
[0029]—光学元件200(例如，微透镜阵列、滤光层或其他适合的光学元件)可选择性设置于介电层130及基底100的第一表面100a(S卩，前侧)上。一盖板220设置于介电层130上，以保护光学元件200。在本实施例中，介电层130位于盖板220与基底100之间。再者，介电层130与盖板220之间具有一间隔层(或称作围堰)240，其围绕光学元件200，且于介电层130与盖板220之间形成一空腔260。
[0030]第一开口 280自基底100的第二表面10b朝第一表面10a延伸而贯穿基底100，并进一步延伸至介电层130内，因而露出导电垫结构160中的底层导电垫160c的一表面。第二开口320自底层导电垫160c的表面(S卩，第一开口280的底部)朝盖板220延伸，且同时贯穿导电垫结构160中的所有导电垫160a、160b及160c，因而露出导电垫结构160的内部。在本实施例中，第二开口 320与第一开口 280连通，且第二开口 320的直径小于第一开口 280的直径。
[0031]绝缘层300顺应性设置于基底100的第二表面10b上，且延伸至第一开口 280内，并暴露出导电垫160c的表面。图案化的重布线层340设置于绝缘层300上，且顺应性延伸至第一开口280的侧壁及底部上(亦即，重布线层340延伸至导电垫160c的表面)，并进一步填满第二开口 320。重布线层340可经由第一开口 280直接电性接触或间接电性连接露出的导电垫160c，且亦可经由第二开口 3 20直接电性接触或间接电性连接露出的所有导电垫160a、160b及160c的内部。在本实施例中，第一开口280内的重布线层340也称为硅通孔电极。
[0032]钝化保护层360设置于绝缘层300上，且覆盖重布线层340，并填入第一开口280内