发光二极管的制备工艺的制作方法
【专利摘要】发光二极管的制备工艺，包括以下步骤：(1)提供一发光二极管晶片；(2)于晶粒的周围形成一保护层，上沉积一电极层，与每一发光二极管晶粒电连接并作为晶粒的第一电极；(3)于相邻的发光二极管晶粒之间的间隙内设置一绝缘层；(4)提供一导电板，使每一发光二极管晶粒与导电板的导电胶连接，绝缘层隔断相邻的发光二极管芯片之间的导电胶；(5)去除发光二极管晶片的衬底，并于每一发光二极管晶粒上形成第二电极；(6)利用透光材料包覆所述发光二极管晶片从而得到发光二极管。本发明在相邻的发光二极管芯片的间隙中设置有绝缘层，避免了相邻的发光二极管芯片在与底板连接时通过导电胶导通而造成短路的危险。
【专利说明】
发光二极管的制备工艺
技术领域
[0001]本发明涉及的是发光二极管的制备工艺。
【背景技术】
[0002]在各式各样的科技产品里，普遍装设有芯片封装组件，以增益产品的功能，传统芯片采直接封装，现有技术在制备发光二极管时，是采用较为密集的阵列排布方式，当将所述发光二极管晶片压入至导电胶时，所述导电胶中的导电粒子会因受挤压而跑至相邻的发光二极管晶片之间的间隙中，使得该相邻的发光二极管晶片之间会因为导电粒子相互接触而导通，存在短路的风险。
【发明内容】
[0003]为了解决以上技术问题，本发明提供发光二极管的制备工艺，具体步骤如下:
[0004](I)提供一发光二极管晶片,该发光二极管晶片包括一衬底及自该衬底生长的若干发光二极管晶粒；衬底为蓝宝石或者碳化硅。
[0005](2)于发光二极管晶粒的周围形成一保护层，于保护层上沉积一电极层，电极层与每一发光二极管晶粒电连接并作为每一发光二极管晶粒的第一电极；
[0006](3)于相邻的发光二极管晶粒之间的间隙内设置一绝缘层；绝缘层由光致抗蚀剂在光照的作用下固化而成。
[0007](4)提供一导电板，上涂布有导电胶。将衬底与发光二极管晶粒倒置，使每一发光二极管晶粒与导电板的导电胶连接，绝缘层隔断相邻的发光二极管芯片之间的导电胶；导电胶为异方性导电胶。
[0008](5)去除发光二极管晶片的衬底，并于每一发光二极管晶粒上形成第二电极；去除衬底采用晶片剥离法。
[0009](6)利用透光材料包覆所述发光二极管晶片从而得到发光二极管。透光材料一体包覆所有发光二极管芯片，使所有发光二极管芯片一体封装在一起。
[0010]本发明与现有技术相比，在相邻的发光二极管芯片的间隙中设置有绝缘层，该绝缘层隔断相邻的发光二极管芯片之间的导电胶，从而避免了相邻的发光二极管芯片在与底板连接时通过导电胶导通而造成短路的危险。且制造简便，成本较低。
【具体实施方式】
[0011]下面结合具体实施例，对发明的【具体实施方式】作进一步的说明。
[0012]实施例
[0013](I)提供一发光二极管晶片,该发光二极管晶片包括一衬底及自该衬底生长的若干发光二极管晶粒；衬底为蓝宝石。
[0014](2)于发光二极管晶粒的周围形成一保护层，于保护层上沉积一电极层，电极层与每一发光二极管晶粒电连接并作为每一发光二极管晶粒的第一电极；
[0015](3)于相邻的发光二极管晶粒之间的间隙内设置一绝缘层；绝缘层由光致抗蚀剂在光照的作用下固化而成。
[0016](4)提供一导电板，上涂布有导电胶。将衬底与发光二极管晶粒倒置，使每一发光二极管晶粒与导电板的导电胶连接，绝缘层隔断相邻的发光二极管芯片之间的导电胶；导电胶为异方性导电胶。
[0017](5)去除发光二极管晶片的衬底，并于每一发光二极管晶粒上形成第二电极；去除衬底采用晶片剥离法。
[0018](6)利用透光材料包覆所述发光二极管晶片从而得到发光二极管。透光材料一体包覆所有发光二极管芯片，使所有发光二极管芯片一体封装在一起。
[0019]在本发明中，在相邻的发光二极管芯片之间设置有绝缘层，该绝缘层隔断相邻的发光二极管芯片间的导电胶，阻隔了导电粒子填充到相邻的发光二极管芯片之间的间隙中，从而避免了相邻的发光二极管芯片在与底板连接时通过导电胶导通而造成短路的危险。
【主权项】
1.发光二极管的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤: (1)提供一发光二极管晶片，该发光二极管晶片包括一衬底及自该衬底生长的若干发光二极管晶粒； (2)于发光二极管晶粒的周围形成一保护层，于保护层上沉积一电极层，电极层与每一发光二极管晶粒电连接并作为每一发光二极管晶粒的第一电极； (3)于相邻的发光二极管晶粒之间的间隙内设置一绝缘层； (4)提供一导电板，上涂布有导电胶，将衬底与发光二极管晶粒倒置，使每一发光二极管晶粒与导电板的导电胶连接，绝缘层隔断相邻的发光二极管芯片之间的导电胶； (5)去除发光二极管晶片的衬底，并于每一发光二极管晶粒上形成第二电极； (6)利用透光材料包覆所述发光二极管晶片从而得到发光二极管。2.根据权利要求1所述发光二极管的制备工艺，其特征在于:衬底为蓝宝石或者碳化石圭。3.根据权利要求1所述发光二极管的制备工艺，其特征在于:绝缘层由光致抗蚀剂在光照的作用下固化而成。4.根据权利要求1所述发光二极管的制备工艺，其特征在于:导电胶为异方性导电胶。5.根据权利要求1所述发光二极管的制备工艺，其特征在于:透光材料一体包覆所有发光二极管芯片，使所有发光二极管芯片一体封装在一起。6.根据权利要求1所述发光二极管的制备工艺，其特征在于:去除衬底采用晶片剥离法。
【文档编号】H01L21/50GK106067424SQ201410578925
【公开日】2016年11月2日
【申请日】2014年10月24日 公开号201410578925.4, CN 106067424 A, CN 106067424A, CN 201410578925, CN-A-106067424, CN106067424 A, CN106067424A, CN201410578925, CN201410578925.4
【发明人】赵兵兵
【申请人】西安烨森电子科技有限责任公司