球栅阵列单层基板的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种半导体蚀刻技术，尤其涉及一种球栅阵列单层基板。
【背景技术】
[0002]现有技术在进行植球前，先要对底层金属进行蚀刻，而在蚀刻过程中容易发生过蚀刻问题，即对底层金属蚀刻的量小于预计要蚀刻的量，或者对底层金属蚀刻的量大于预计量，甚至将底层金属完全蚀刻掉，这将造成之后的植球时，焊球的结合能力低或者不能植球。
【实用新型内容】
[0003]在下文中给出关于本实用新型的简要概述，以便提供关于本实用新型的某些方面的基本理解。应当理解，这个概述并不是关于本实用新型的穷举性概述。它并不是意图确定本实用新型的关键或重要部分，也不是意图限定本实用新型的范围。其目的仅仅是以简化的形式给出某些概念，以此作为稍后论述的更详细描述的前序。
[0004]本实用新型提供一种球栅阵列单层基板，包括:依次层叠设置的衬底层、铜箔层、底部金属层；所述底部金属层包括至少有两层层叠设置的子金属层，所述子金属层的层叠方向与所述衬底层、铜箔层和底部金属层的层叠方向相同；以距离所述铜箔层最远的子金属层为第一子金属层，与所述第一子金属层相邻的为第二子金属层，所述第一子金属层和第二子金属层为不同材料的金属层。
[0005]本实用新型至少一个有益效果为:底部金属层至少包括两层层叠设置的子金属层，并且第一子金属层和第二子金属层采用不同的材料，蚀刻因此可以分层进行，保证第一子金属层不被蚀刻掉，而该层可以直接用于植球，这样能够保证植球的可靠性，提高产品良率。
【附图说明】
[0006]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0007]图1为本实用新型球栅阵列单层基板的一种实施例；
[0008]图2为本实用新型球栅阵列单层基板的另一种实施例。
[0009]附图标记:1-衬底层(carrier) ;2_铜箔层(copper foil) ;3_底部金属层(bottom metal) ;4_ 保护层；5_ 顶部金属层(top metal) ;6_ 阻焊层(solder mask) ;7-表面镀层(surface finish) ; 131-铜层；132-镍层；231_第一铜层；232_镍层；-233_第二铜层O
【具体实施方式】
[0010]为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。在本实用新型的一个附图或一种实施方式中描述的元素和特征可以与一个或更多个其它附图或实施方式中示出的元素和特征相结合。应当注意，为了清楚的目的，附图和说明中省略了与本实用新型无关的、本领域普通技术人员已知的部件和处理的表示和描述。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0011]在本实用新型以下各实施例中，实施例的序号和/或先后顺序仅仅便于描述，不代表实施例的优劣。对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
[0012]本实用新型公开一种栅阵列单层基板，如图1和图2所示，包括衬底层1、铜箔层
2、底部金属层3，这三层依次层叠设置，或者说以图中所示的方向，由下至上依次层叠设置；上述底部金属层包括至少两层层叠设置的子金属层，且相邻两子金属层为不同材料的金属层。简而言之，至少两个子金属层组成了底部金属层，当然这至少两个子金属层，也是在上下的方向层叠设置。为了方便下面的说明，将这至少两层中最靠上的一层称为第一子金属层，当然该第一子金属层也是离铜箔层最远的一层。与该第一子金属层相邻的为第二子金属层。第一子金属层和第二子金属层为不同材料的金属层。
[0013]应该理解，这里所说的上下是以图1和2为参照所说的，如箭头A所示的方向为上，图中所示的单层基板植球时，一般为倒装，因此在植球时需要将衬底层去除，再去除铜箔层，然后在露出的底部金属层上继续操作，去除除了第一子金属层外的其他子金属层，可知，最终只留下该了第一子金属层，最后在该第一子金属层上植球。
[0014]因为底部金属层至少有两层子金属层，去除金属层时可以分层进行，保证第一子金属层不被蚀刻掉，而该第一层子金属层可以直接用于植球，这样能够保证植球的可靠性，提高产品良率。一般在去除金属层时都采用蚀刻，又由于相邻的子金属层的材料不同，因此可以保证第一子金属层不被蚀刻掉。
[0015]下面分别以底部金属层为两层和三层两种情况说明:
[0016]实施例1:
[0017]如图1所示，底部金属层有两层，分别为:远离铜箔层的铜层131，及靠近铜箔层的镍层132。即上述第一子金属层为铜层，第二子金属层为镍层。
[0018]或者可以理解为，底部金属层分为设置在上方的铜层和设置在铜层以下镍层。当然，两层之间可以是紧密贴合的，也可是彼此有间隙的。
[0019]在操作中，先将衬底层去除，一般采用蚀刻方式，然后使用含铜保护剂的镍蚀刻液，将镍层蚀刻完，留下铜层，用于植球。此处“含铜保护剂的镍蚀刻液”是指能够蚀刻镍，但不蚀刻铜的蚀刻液。
[0020]实施例2:
[0021 ] 如图2所示，底部金属层有三层，分别为:远离铜箔层的第一铜层231、靠近铜箔层的第二铜层233，和设置于第一铜层与所述第二铜层之间的镍层232。即第一子金属层为第一铜层，第二子金属层为镍层。同样，三层之间可以是紧密贴合也可以是有间隙的。
[0022]与实施例1相比，是在实施例1的镍层下方在设置一层第二铜层。在操作中可以将第二铜层和衬底层一同去除，然后同样可以使用含铜保护剂的镍蚀刻液，将镍层蚀刻完，在剩下的铜层上植球。
[0023]下面说明本实用新型其他方面，当然以下的说明可以同时适用于实施例1和实施例2。
[0024]可选的，还具有保护层4，保护层位于铜箔层上，并包裹底部金属层，且在保护层上形成开口部，供所述底部金属层的功能面露出。此处所说的“位于铜箔层上”并不一定是与铜箔层直接接触，可以与铜箔层不接触或者部分接触。如图1和2所示的，底部金属层面积小于铜箔层，该保护层在包裹底部金属层时，会落到铜箔层上，从而部分与铜箔层接触。而如果底部金属曾的面积与铜箔层相同，那么保护层在包裹该底部金属层时就不会与铜箔层接触。
[0025]在上述保护层上设置有顶部金属层5，顶部金属层与底部金属层的功能面电连接。顶部金属层上设置有阻焊层6，阻焊层上形成开口，以露出所述顶部金属层的功能面，并在所述顶部金属层的功能面上形成表面镀层7。本文所指的功能面为一部件与另一部件电连接的部位。
[0026]可选的，阻焊层为绿油层，避免不必要的焊接发生。上述保护层可以为玻璃纤维层O
[0027]最后应说明的是:虽然以上已经详细说明了本实用新型及其优点，但是应当理解在不超出由所附的权利要求所限定的本实用新型的精神和范围的情况下可以进行各种改变、替代和变换。而且，本实用新型的范围不仅限于说明书所描述的过程、设备、手段、方法和步骤的具体实施例。本领域内的普通技术人员从本实用新型的公开内容将容易理解，根据本实用新型可以使用执行与在此所述的相应实施例基本相同的功能或者获得与其基本相同的结果的、现有和将来要被开发的过程、设备、手段、方法或者步骤。因此，所附的权利要求旨在在它们的范围内包括这样的过程、设备、手段、方法或者步骤。
【主权项】
1.一种球栅阵列单层基板，其特征在于，包括: 依次层叠设置的衬底层、铜箔层、底部金属层； 所述底部金属层包括至少有两层层叠设置的子金属层，所述子金属层的层叠方向与所述衬底层、铜箔层和底部金属层的层叠方向相同； 以距离所述铜箔层最远的子金属层为第一子金属层，与所述第一子金属层相邻的为第二子金属层，所述第一子金属层和第二子金属层为不同材料的金属层。
2.根据权利要求1所述的球栅阵列单层基板，其特征在于， 所述底部金属层包括两层，分别为: 远离所述铜箔层的铜层，所述铜层为所述第一子金属层，及靠近所述铜箔层的镍层，所述镍层为所述第二子金属层。
3.根据权利要求1所述的球栅阵列单层基板，其特征在于， 所述底部金属层包括三层，分别为: 远离所述铜箔层的第一铜层、靠近所述铜箔层的第二铜层，和设置于所述第一铜层与所述第二铜层之间的镍层，所述第一铜层为所述第一子金属层，所述镍层为所述第二子金属层。
4.根据权利要求1-3任一项所述的球栅阵列单层基板，其特征在于， 还具有保护层，所述保护层位于所述铜箔层上，并包裹所述底部金属层，且在所述保护层上形成开口部，供所述底部金属层的功能面露出。
5.根据权利要求4所述的球栅阵列单层基板，其特征在于， 所述保护层上设置有顶部金属层，所述顶部金属层与所述底部金属层的功能面电连接。
6.根据权利要求5所述的球栅阵列单层基板，其特征在于， 所述顶部金属层上设置有阻焊层，所述阻焊层上形成开口，以露出所述顶部金属层的功能面，并在所述顶部金属层的功能面上形成表面镀层。
【专利摘要】本实用新型涉及一种球栅阵列单层基板，依次层叠设置的衬底层、铜箔层、底部金属层；所述底部金属层包括至少有两层层叠设置的子金属层，所述子金属层的层叠方向与所述衬底层、铜箔层和底部金属层的层叠方向相同；以距离所述铜箔层最远的子金属层为第一子金属层，与所述第一子金属层相邻的为第二子金属层，所述第一子金属层和第二子金属层为不同材料的金属层。本实用新型至少一个有益效果为：底部金属层至少包括两层层叠设置的子金属层，并且第一子金属层和第二子金属层采用不同的材料，蚀刻因此可以分层进行，保证第一子金属层不被蚀刻掉，而该层可以直接用于植球，这样能够保证植球的可靠性，提高产品良率。
【IPC分类】H01L23-48
【公开号】CN204315560
【申请号】CN201420813295
【发明人】李红雷
【申请人】南通富士通微电子股份有限公司
【公开日】2015年5月6日
【申请日】2014年12月19日