一种强力粘连半导体封装结构的制作方法

文档序号:8807310阅读:136来源:国知局
一种强力粘连半导体封装结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种半导体封装结构,尤其涉及一种强力粘连半导体封装结构。技术背景
[0002]在现有的半导体封装技术中,采用的是只有框架(PMF)和盖子(CAP)内壁直接粘连的封装模式,由于内壁都为平面,在作业过程发现单一的用于平面固定,不能很好地结合CAP和PMF,产品会发生很多脱落导致制品失效。对此,有些厂家研制卡接方式来进行安装,但目前的卡接方式的卡接结构难以真正地做到有效的卡接,对于小型芯片的卡接封装更是难以实施,难以真正地完全解决粘接封装的脱落问题。

【发明内容】

[0003]本实用新型克服了现有技术中的缺点,提供了一种强力粘连半导体封装结构。
[0004]为了解决上述技术问题,本实用新型是通过以下技术方案实现的:一种强力粘连半导体封装结构,包括框架和盖子,所述框架和盖子通过粘连面相连接,所述粘连面上涂有粘连胶,所述粘连面上与框架平行的表面设有三角形犄角合面结构,所述粘连面上与框架垂直的表面设有对槽结构。
[0005]作为优选,所述三角形犄角合面结构包括凹结构和凸结构,所述凹结构和凸结构分别设置在粘连面的两侧,所述对槽结构包括槽口,所述槽口的开口相正对设置在粘连面的两侧。
[0006]作为优选,所述对槽结构的槽口内设有围堰填充胶。
[0007]与现有技术相比,本实用新型的优点是:将粘接的PMF和CAP上设置对槽结构,能有效地形成阻动块,三角形犄角合面结构的设置,有效地加大粘连面积,改变平面粘连为立体粘连,有效增强粘连结构的强度,从而实现粘连强度的增加,使得封装后产品结构性能更牢固,有效杜绝了封装后的脱落现象。
【附图说明】
[0008]图1是本实用新型实施例的结构示意图。
【具体实施方式】
[0009]下面结合附图与【具体实施方式】对本实用新型作进一步详细描述。
[0010]如图1所示,一种强力粘连半导体封装结构,包括框架I和盖子2,所述框架I和盖子2通过粘连面相连接,所述粘连面上涂有粘连胶,所述粘连面上与框架I平行的表面设有三角形犄角合面结构,所述三角形犄角合面结构包括凹结构12和凸结构22,所述凹结构12和凸结构22分别设置在粘连面的两侧,所述粘连面上与框架I垂直的表面设有对槽结构,所述对槽结构包括槽口 11和槽口 21,所述槽口 11和槽口 21的开口相对,所述粘连面两侧的槽口 11和槽口 21内涂有围堰填充胶。
[0011]本实用新型将粘接的框架I和盖子2上设置对槽结构,通过围堰填充胶涂在槽口11和槽口 21内,等围堰填充胶固化后就形成整体的阻动块,能有效地杜绝封装后的结构再次脱落,通过凹结构12和凸结构22的设置,有效地加大粘连面积,从而实现粘连强度的增加,并且改变平面粘连为立体粘连,有效增强粘连结构的强度,使得封装后产品结构性能更牢固,有效地杜绝了封装后的脱落现象。
[0012]除了上述的实施例外,其他未述的实施方式也应在本实用新型的保护范围之内。本文所述的具体实施例仅仅是对本实用新型精神作举例说明,本实用新型所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代,但并不会偏离本实用新型的精神或超越所附权利要求书所定义的范围。本文虽然透过特定的术语进行说明,但不排除使用其他术语的可能性,使用这些术语仅仅是为了方便地描述和解释本实用新型的本质,把它们解释成任何一种附加的限制都是与本实用新型精神相违背的。
【主权项】
1.一种强力粘连半导体封装结构,包括框架和盖子,所述框架和盖子通过粘连面相连接,所述粘连面上涂有粘连胶,其特征在于,所述粘连面上与框架平行的表面设有三角形犄角合面结构,所述粘连面上与框架垂直的表面设有对槽结构。
2.根据权力要求I所述的一种强力粘连半导体封装结构,其特征在于,所述三角形犄角合面结构包括凹结构和凸结构,所述凹结构和凸结构分别设置在粘连面的两侧,所述对槽结构包括槽口,所述槽口的开口相正对设置在粘连面的两侧。
3.根据权力要求2所述的一种强力粘连半导体封装结构,其特征在于,所述对槽结构的槽口内设有围堰填充胶。
【专利摘要】本实用新型公开了一种强力粘连半导体封装结构,包括框架和盖子,所述框架和盖子通过粘连面相连接,所述粘连面上涂有粘连胶,所述粘连面上与框架平行的表面设有三角形犄角合面结构,所述粘连面上与框架垂直的表面设有对槽结构,本实用新型的技术方案能有效地形成阻动块,加大粘连面积,立体粘连能有效增强粘连结构的强度,使得封装后产品结构性能更牢固,有效杜绝了封装后的脱落现象。
【IPC分类】H01L23-13, H01L23-04
【公开号】CN204516739
【申请号】CN201520226160
【发明人】张小平, 卢涛
【申请人】江苏晟芯微电子有限公司
【公开日】2015年7月29日
【申请日】2015年4月15日
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