极管的导线架结构，并请参考图6A以及图6B所示，图6A绘示为本实用新型发光二极管的导线架结构第二实施态样的陶瓷基板平面图；图68绘示为本实用新型发光二极管的导线架结构第二实施态样的陶瓷基板剖视图。
[0088]首先于陶瓷基板10上以激光切割方式或是蚀刻方式设置至少二穿孔11，图6A中是以四个穿孔11作为示意，本实用新型并不以此为限制，值得注意的是，穿孔11贯穿于陶瓷基板10的第一表面12以及第二表面13，且穿孔11于陶瓷基板10的第一表面12的孔径小于穿孔11于陶瓷基板10的第二表面13孔径。
[0089]接着，请参考图7A以及图7B所示，图7A绘示为本实用新型发光二极管的导线架结构第二实施态样的陶瓷基板与金属层平面图；图7B绘示为本实用新型发光二极管的导线架结构第二实施态样的陶瓷基板与金属层剖视图。
[0090]金属层20以电镀方式形成于陶瓷基板10的第一表面12以及第二表面13，且金属层20以电镀方式形成于穿孔11的表面，值得注意的是，金属层20于陶瓷基板10的第一表面12形成彼此不相连的第一电镀区域21以及第二电镀区域22，第一电镀区域21以及第二电镀区域22不相连之间形成间隙23。
[0091]接着，请参考图8A以及图SB所示，图8A绘示为本实用新型发光二极管的导线架结构第二实施态样的陶瓷基板、金属层与阻隔层平面图；图8B绘示为本实用新型发光二极管的导线架结构第二实施态样的陶瓷基板、金属层与阻隔层剖视图。
[0092]阻隔层30形成于间隙23，值得注意的是，阻隔层30的高度与金属层20的高度大致相同，并且阻隔层30具有绝缘性。
[0093]接着，请参考图9A以及图9B所示，图9A绘示为本实用新型发光二极管的导线架结构第二实施态样的平面图；图9B绘示为本实用新型发光二极管的导线架结构第二实施态样的剖视图。
[0094]胶座40以射出成型方式形成于陶瓷基板10的第一表面12，胶座40具有凹陷的功能区41，使部分第一电镀区域21、第二电镀区域22、第一阻隔区域31以及第二阻隔区域32凸露于胶座40的功能区41，以制成本实用新型发光二极管的导线架结构的第二实施态样。
[0095]上述的胶座40是以聚合物材质所制成，聚合物材质包含有高密度聚乙烯(HDPE)、低密度聚乙稀(LDPE)、聚乙稀(Polyethylene，PE)、聚丙稀(Polypropylene，PP)、聚对苯二甲酸乙二酉旨(Polyethylene terephthalate，PET)、聚苯乙稀(Polystyrene，PS)、丙稀睛丁二稀_苯乙稀塑料(Acrylonitrile butadiene styrene，ABS)、聚氯乙稀(Polyvinyl chloride, PVC)、聚碳酸醋(Polycarbonate，PC)、邻苯基苯酸(Ortho-Phenylphenol，OPP)、延伸聚苯乙稀(Oriented Polystyrene，OPS)、线型低密度聚乙稀(LinearLow-Density Polyethy，LLDPE)、聚缩酸(POM)以及娃氧树脂(polymerized siloxanes 或polysiloxanes，一般称为娃利康(silicone))，在此仅为举例说明之，并不以此局限本实用新型的应用范畴。
[0096]胶座40以射出成型方式形成于陶瓷基板10的第一表面12时，由于第一电镀区域21以及第二电镀区域22不相连之间形成间隙23会被阻隔层30完全填满，以让模具(附图中未绘示)完全贴合胶座40的功能区41，即可避免射出成型时液态胶会由间隙23渗入于露于胶座40的功能区41的第一电镀区域21以及第二电镀区域22中，并且可通过胶座40部分延伸于穿孔11中提供胶座40的固定。
[0097]接着，请参考图10A以及图10B所示，图10A绘示为应用本实用新型发光二极管的导线架结构第二实施态样的发光二极管结构平面图；图10B绘示为应用本实用新型发光二极管的导线架结构第二实施态样的发光二极管结构剖视图。
[0098]发光二极管50横跨且分别电性连接露于胶座40的功能区41的第一电镀区域21以及第二电镀区域22，即为应用本实用新型发光二极管的导线架结构的第二实施态样的发光二极管结构。
[0099]接着，以下要说明本实用新型所揭露第三实施态样的发光二极管的导线架结构，并请参考图1lA以及图1lB所示，图1lA绘示为本实用新型发光二极管的导线架结构第三实施态样的陶瓷基板平面图；图1lB绘示为本实用新型发光二极管的导线架结构第三实施态样的陶瓷基板剖视图。
[0100]首先于陶瓷基板10上以激光切割方式或是蚀刻方式设置至少二穿孔11，图1IA中是以四个穿孔11作为示意，本实用新型并不以此为限制。
[0101]接着，请参考图12A以及图12B所示，图12A绘示为本实用新型发光二极管的导线架结构第三实施态样的陶瓷基板与金属层平面图；图12B绘示为本实用新型发光二极管的导线架结构第三实施态样的陶瓷基板与金属层剖视图。
[0102]金属层20以电镀方式制成，陶瓷基板10的第一表面12上形成的金属层20穿过穿孔11而延伸形成于陶瓷基板10的第二表面13上，值得注意的是，金属层20于陶瓷基板10的第一表面12形成彼此不相连的第一电镀区域21以及第二电镀区域22，第一电镀区域21以及第二电镀区域22不相连之间形成间隙23。
[0103]接着，请参考图13A以及图13B所示，图13A绘示为本实用新型发光二极管的导线架结构第三实施态样的平面图；图13B绘示为本实用新型发光二极管的导线架结构第三实施态样的剖视图。
[0104]阻隔层30包含彼此相互间隔的第一阻隔区域31以及第二阻隔区域32，且第一阻隔区域31以及第二阻隔区域32分别形成于间隙23的两侧外侧，值得注意的是，阻隔层30的高度与金属层20的高度大致相同，并且阻隔层30具有绝缘性，以制成本实用新型发光二极管的导线架结构的第三实施态样。
[0105]接着，以下要说明本实用新型所揭露第四实施态样的发光二极管的导线架结构，并请参考图14A以及图14B所示，图14A绘示为本实用新型发光二极管的导线架结构第四实施态样的陶瓷基板平面图；图14B绘示为本实用新型发光二极管的导线架结构第四实施态样的陶瓷基板剖视图。
[0106]首先于陶瓷基板10上以激光切割方式或是蚀刻方式设置至少二穿孔11，图14A中是以四个穿孔11作为示意，本实用新型并不以此为限制，值得注意的是，穿孔11贯穿于陶瓷基板10的第一表面12以及第二表面13，且穿孔11于陶瓷基板10的第一表面12的孔径小于穿孔11于陶瓷基板10的第二表面13孔径。
[0107]接着，请参考图15A以及图15B所示，图15A绘示为本实用新型发光二极管的导线架结构第四实施态样的陶瓷基板与金属层平面图；图15B绘示为本实用新型发光二极管的导线架结构第四实施态样的陶瓷基板与金属层剖视图。
[0108]金属层20以电镀方式形成于陶瓷基板10的第一表面12以及第二表面13，且金属层20以电镀方式形成于穿孔11的表面，值得注意的是，金属层20于陶瓷基板10的第一表面12形成彼此不相连的第一电镀区域21以及第二电镀区域22，第一电镀区域21以及第二电镀区域22不相连之间形成间隙23。
[0109]接着，请参考图16A以及图16B所示，图16A绘示为本实用新型发光二极管的导线架结构第四实施态样的陶瓷基板、金属层与阻隔层平面图；图16B绘示为本实用新型发光二极管的导线架结构第四实施态样的陶瓷基板、金属层与阻隔层剖视图。
[0110]阻隔层30形成于间隙23，值得注意的是，位于间隙23的两侧外侧的阻隔层30高度高于位于间隙23中间的阻隔层30高度，而位于间隙23的两侧