Esd保护装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本实用新型设及用于电子电路不受静电影响的ESD保护装置，特别是设及设置了 放电辅助电极的ESD保护装置。
【背景技术】
[0002] 下文的专利文献1中，公开了在陶瓷多层基板内设置第一、第二放电电极的ESD保 护装置。设置放电辅助电极，与第一、第二放电电极连接。放电辅助电极利用分散涂覆了不 具有导电性的无机材料的导电性材料而形成。
[0003] 另一发面，下述专利文献2中记载的ESD保护装置中，也设置放电辅助电极。专利文 献2中，作为放电辅助电极形成用糊料，采用包含：（1)在表面附着网格形成氧化物的金属粉 末，（2)在表面附着金属粉末W及网格形成氧化物的半导体粉末，或(3)在表面附着网格形 成氧化物的金属粉末，W及在表面附着网格形成氧化物的半导体粉末的糊料。
[0004] 现有技术文献
[0005] 专利文献
[0006] 专利文献 l:W02009/098944
[0007] 专利文献 2:W02013/038893 【实用新型内容】
[000引实用新型所要解决的技术问题
[0009] 专利文献1和专利文献2记载的ESD保护装置中，通过设置上述放电辅助电极，实现 放电开始电压的低电压化。然而，近年来为了对电子电路更可靠地进行保护，急需使放电开 始电压更进一步降低。
[0010] 本实用新型的目的在于提供一种ESD保护装置能使放电开始电压进一步降低。
[0011] 解决技术问题所采用的技术方案
[0012] 本实用新型设及的ESD保护装置，包括:基板;第一、第二放电电极；W及放电辅助 电极。第一、第二放电电极设置在所述基板，隔着间隙相对。所述放电辅助电极被设置使所 述第一放电电极、所述第二放电电极连接，在所述第一、第二放电电极之间促进放电。所述 放电辅助电极由（i)包含金属W及相对介电常数高于所述基板的高介电常数材料的第一混 合材料；（ii)包含W不具有导电材料的材料覆盖的金属，W及相对介电常数高于所述基板 的高介电常数材料的第二混合材料；（iii)包含W不具有导电材料的材料覆盖的金属，半导 体粒子W及相对介电常数高于所述基板的高介电常数材料的第=混合材料；W及(iv)包含 W不具有导电材料的材料覆盖的金属，具有所述基板的相对介电常数W下的相对介电常数 的低介电常数材料W及相对介电常数高于所述基板的高介电常数材料的第四混合材料构 成的组中选择至少一种的混合材料构成。
[0013] 本实用新型设及的ESD保护装置中，优选地，所述放电辅助电极包含空隙。
[0014] 本实用新型设及的ESD保护装置中，优选地，所述高介电常数材料的相对介电常数 为所述基板的相对介电常数的两倍W上，且loooow下。
[0015] 本实用新型设及的ESD保护装置中，优选地，相对介电常数低于所述基板的低介电 常数部分位于所述间隙。所述低介电常数部分也可为空桐。另外，低介电常数部分由相对介 电常数低于基板的固体材料形成也可。更优选地，采用树脂作为所述固体材料。
[0016] 本实用新型设及的ESD保护装置，优选地，还包括导体，该导体设置为W经由所述 基板的一部分与所述第一、第二放电电极间的间隙重合。
[0017] 优选地，本实用新型设及的ESD保护装置包括第一、第二外部电极，该第一、第二外 部电极设置在基板上，分别与第一 W及第二放电电极电连接，所述导体与第一或第二外部 电极电连接。其中，所述导体可W为悬浮导体。
[0018] 本实用新型设及的ESD保护装置中，优选地，所述导体包含:金属，W及与所述基板 相比高介电常数的材料。
[0019] 本实用新型设及的ESD保护装置中，所述第一、第二放电电极也可设置在所述基板 的外表面。
[0020] 另外，本实用新型设及的ESD保护装置中，所述第一、第二放电电极也可设置在所 述基板内，所述间隙位于基板内。
[0021] 本实用新型设及的ESD保护装置中，优选地，所述第一混合材料中的所述金属由平 均粒径0.3]im W上，1.5]im W下的金属粒子构成。
[0022] 本实用新型设及的ESD保护装置中，优选地，所述高介电常数材料包含铁酸领系陶 瓷。
[0023] 另外，本实用新型设及的ESD保护装置中，优选地，最低放电开始电压期望为化VW 下。
[0024] 本实用新型设及的ESD保护装置的制造方法中，包括W下各工序。
[0025] 准备烧成前的结构体的工序，该烧成前的结构体包括:基板;第一、第二放电电极， 该第一、第二放电电极经由间隙相对；W及未烧成的放电辅助电极，该未烧成的放电辅助电 极被设置为与所述第一、第二放电电极连接，并且由放电辅助电极糊料构成。
[0026] 将设置在上述结构体的上述未烧成的放电辅助电极烧成的工序。
[0027] 本实用新型的制造方法中，所述放电辅助电极糊料包含（i)包含金属W及相对介 电常数高于所述基板的高介电常数材料的第一混合材料；（ii)包含W不具有导电材料的材 料覆盖的金属，W及相对介电常数高于所述基板的高介电常数材料的第二混合材料；（iii) 包含W不具有导电材料的材料覆盖的金属，半导体粒子W及相对介电常数高于所述基板的 高介电常数材料的第=混合材料；W及（iv)包含W不具有导电材料的材料覆盖的金属，具 有所述基板的相对介电常数W下的相对介电常数的低介电常数材料W及相对介电常数高 于所述基板的高介电常数材料的第四混合材料构成的组中选择至少一种的混合材料。
[0028] 本实用新型设及的ESD保护装置的制造方法的某特定方面中：所述结构体中，所述 未烧成的放电辅助电极设置在所述基板的表面，所述第一 W及第二放电电极设置在所述基 板的表面中W利用所述放电辅助电极连接。
[0029] 本实用新型设及的ESD保护装置的制造方法的其它特定方面中，所述未烧成的放 电辅助电极设置在所述基板的内部，所述第一 W及第二放电电极设置在所述基板的表面或 内部。
[0030] 实用新型效果
[0031] 根据本实用新型设及的ESD保护装置，由于放电辅助电极由包含所述高介电常数 材料的特定的混合材料构成，因此能使放电开始电压有效降低。由此，电子电路等中，能更 有效地实现静电防护。
【附图说明】
[0032] 图1(a) W及图1(b)是本实用新型的第一实施方式设及的ESD保护装置的正面剖面 图W及表示设置放电辅助电极的关键部分的局部剖面放大正面剖视图。
[0033] 图2是表示第一实施方式设及的ESD保护装置中第一、第二放电电极、放电辅助电 极W及导体的位置关系的示意平面图。
[0034] 图3是用于说明本实用新型的第二实施方式设及的ESD保护装置的放电辅助电极 的示意性正面剖面图。
[0035] 图4(a) W及图4(b)是本实用新型的第S实施方式设及的ESD保护装置的正面剖面 图W及表示其关键部分的局部剖面放大正面剖视图。
[0036] 图5是表示第一、第二放电电极、放电辅助电极、W及导体的位置关系的示意性平 面图。
[0037] 图6是表示第一、第二放电电极、放电辅助电极、W及导体的位置关系的示意性平 面图。
[0038] 图7是表示第一、第二放电电极、放电辅助电极、W及导体的位置关系的示意性平 面图。
[0039] 图8是本实用新型的第四实施方式设及的ESD保护装置的正面剖面图。
[0040] 图9是本实用新型的第五实施方式设及的ESD保护装置的正面剖面图。
[0041] 图10是本实用新型的第六实施方式设及的ESD保护装置的正面剖面图。
[0042] 图11是本实用新型的第屯实施方式设及的ESD保护装置的正面剖面图。
[0043] 图12是作为本实用新型的实施例9准备的ESD保护装置的简要正面剖面图。
[0044] 图13是作为本实用新型的实施例10准备的ESD保护装置的简要正面剖面图。
【具体实施方式】
[0045] 下面，参照附图，通过对本实用新型的【具体实施方式】进行说明，明确本实用新型。
[0046] 图1(a) W及图1(b)是本实用新型的第一实施方式设及的ESD保护装置的正面剖面 图W及表示其关键部分的局部剖面放大正面剖视图。
[0047] ESD保护装置1具有基板2。基板2在本实施方式中具有板状的形状。基板2具有上表 面2曰、W及下表面化。另外，基板2具有第一端面2c，W及与第一端面2c相反侧的端面即第二 端面2d。基板2由合适的绝缘性材料构成。本实施方式中，基板2由陶瓷多层基板构成，由包 含Ba、Al W及Si作为主要成分的BAS材料构成。其中，基板2也可利用玻璃陶瓷等低溫烧结陶 瓷化TCC)构成。另外，也可利用氮化侣或氧化侣等W高溫烧成的陶瓷化TCC)。进一步地，也 可利用铁氧体等磁性体陶瓷。
[0048] 另外，基板2也可利用陶瓷W外的绝缘性材料形成。
[0049] 在基板2的上表面2a上形成第一放电电极3、第二放电电极4。第一放电电极3从上 表面2aW及端面2c形成的端缘延伸至基板2的上表面2a的中央侧。同样地，第二放电电极4 从端面2dW及上表面2a形成的端缘延伸至基板2的上表面2a的中央侧。基板2的上表面2a的 中央侧部分中，第一放电电极3的前端和第二放电电极4的前端隔着间隙相对。
[0050]设置放电辅助电极5W与第一、第二放电电极3、4的前端相互连接。
[0051 ]第一、第二放电电极3、4由合适的金属构成。作为像运样的金属，能列举化、Ag、Al、 Mo、W或包含运些金属的合金等。
[0052] 本实施方式的ESD保护装置1的特征是，放电辅助电极5由包含特定的高介电常数 材料的混合材料构成。即，放电辅助电极5由W下的i)~i V)的混合材料构成的组中选择的 至少一种混合材料构成。<