r>[0199] 另外，下述表10中的平均粒径是根据用SEM对多个金属粒子放大10000倍拍摄得到 的图像求得的。即在图像中引出一根对角线，对与该对角线相交的全部金属粒子的长边进 行测定。对5张图像进行该操作，求出金属粒子的长边的平均值。将该平均值作为平均粒径。
[0200] [表 9]
[0206]将上述表9所记载的高介电常数材料、表10所示的任一种金属粒子、上述有机载体 W下述表11所示的比例进行混合，得到放电辅助电极糊料P-4~P-7。
[0210]除去采用上述放电辅助电极糊料P-4~P-7之外，与实施例1同样地制作实施例5~ 8的ESD保护装置。
[0別。（评价）
[0212] 对于上述那样得到的实施例5~8的ESD保护装置，与实施例1同样地，评价工作率。
[0213] 另外，对上述那样得到的ESD保护装置从沿着长度方向W及厚度方向的面进行研 磨，使放电辅助电极的剖面露出。用沈M对该露出的放电辅助电极剖面进行拍摄。另外拍摄 反射电子图像，使其为10000倍的倍率。测定得到的图像中存在的金属粒子的长边。对10张 图像进行该操作，求出测定的金属粒子的长边的平均值。将该平均值作为平均粒径。结果如 下述表12所示。
[0217]由表12可知，在实施例5~8的ESD保护装置中，在3kVW上的施加电压下工作率较 高。另外，实施例5~7中，确认施加了化V电压的情况下也能够被驱动。可W认为，运是由于 存在于放电辅助电极的金属粒子的平均粒径为1. SwnW下，因此电压施加时放电电极和金 属粒子之间的电场集中局部化，容易放电。
[021引另外，上述实施例5~8的ESD保护装置中的第一外部电极9 W及第二外部电极10之 间的静电电容由安捷伦公司研制的LCR巧聯仪测定。结果如表13所示。
[0222]可知实施例5~8的ESD保护装置的静电电容不足0.5pF。由此，运些ESD保护装置能 够适用在局频电路中。
[0223] 从沿着长度方向和宽度方向的面对上述实施例5~8的ESD保护装置进行研磨，使 放电辅助电极露出。对露出的放电辅助电极，进行微焦点X射线分析。结果，从放电辅助电极 检测到BaTi化。
[0224] 另外，对实施例5~8的ESD保护装置从沿着长度方向W及厚度方向的面进行研磨， 使放电辅助电极的剖面露出。对该放电辅助电极的剖面进行WDX分析。结果，能确认Cu例子 W及BaTi化粒子的存在。
[02巧](实施例9、10)
[0226] 图12是表示实施例9准备的ESD保护装置81的简要正面剖面图。除了设置与第二外 部电极10电连接的导体6之外，ESD保护装置81具有与图11所示的ESD保护装置71几乎相同 的结构。导体6在基板32内被设置在放电辅助电极5的下方。该导体6隔着基板32的一部分， 与第一 W及第二放电辅助电极3、4的相对部分W及放电辅助电极5重合。
[0227] 另外，实施例10中，准备图13所示的ESD保护装置91。在此，导体6与第二外部电极 10电连接。而其它的结构，ESD保护装置91与ESD保护装置81相同。
[0228] 与上述实施例5同样地，制作具有上述导体6的ESD保护装置81、91。但是，利用实施 例5中采用的放电电极糊料形成导体6。
[0。9](评价）
[0230]对于上述那样指定的实施例9、10的ESD保护装置，与实施例5~8同样地进行评价。 结果如下述表14W及表15所示。
[0237]由表14可知，实施例9W及10设及的ESD保护装置中，可知低施加电压下的工作率 大幅提高。即，上述的实施例5中，施加电压为2kV的情况下，工作率为超过10%~50%的范 围。
[023引与此相对，实施例9中，2kV的施加电压的情况下，工作率超过90%，实施例10中也 在超过50%~90%的范围。可W认为运是由于导体6作为背后电极发挥作用所造成。即，可 W认为是由于在电压施加时容易产生经由放电辅助电极的沿面放电。特别是，实施例9中， 施加2kV时的工作率大幅提高。可W认为运是由于导体6作为背后电极的功能被进一步提 高。由此可知，导体6最好如实施例9那样与外部电极电连接。
[0239] 另外，由表15可知，实施例9 W及10设及的ESD保护装置的静电电容不足0.5pF。由 此，运些ESD保护装置能够适用于高频电路。
[0240] 标号说明
[0241] 1 ESD保护装置
[0242] 2 基板
[0243] 2a上表面
[0244] 2b下表面
[0245] 2c、2d 第一、第二端面
[0246] 3、4第一、第二放电电极
[0247] 3a、4a 侧边 [024引5放电辅助电极
[0249] 5a金属粒子
[0250] 化高介电常数材料粒子
[0巧1 ] 5c空隙
[0巧2] 6、6A导体
[0253] 7、8第一、第二树脂层
[0254] 9、10第一、第二外部电极 [0巧日]15放电辅助电极
[0巧6] 31 ESD保护装置
[0巧7] 32基板
[0巧引 3化空桐
[0259] 41、51、61、71 ESD 保护装置
【主权项】
1. 一种ESD保护装置，其特征在于，包括： 基板； 第一、第二放电电极，该第一、第二放电电极设置在所述基板，隔着间隙相对；以及 放电辅助电极，该放电辅助电极被设置为连接所述第一放电电极、所述第二放电电极， 促进所述第一、第二放电电极之间的放电； 所述放电辅助电极由 (i) 包含金属以及相对介电常数高于所述基板的高介电常数材料的第一混合材料； (ii) 包含被不具有导电性的材料覆盖的金属、以及相对介电常数高于所述基板的高介 电常数材料的第二混合材料； (iii) 包含被不具有导电性的材料覆盖的金属、半导体粒子以及相对介电常数高于所 述基板的所述高介电常数材料的第三混合材料;以及 (iv) 包含被不具有导电性的材料覆盖的金属、具有所述基板的相对介电常数以下的相 对介电常数的低介电常数材料以及相对介电常数高于所述基板的所述高介电常数材料的 第四混合材料 构成的组中选择的至少一种混合材料构成， 所述放电辅助电极包含空隙。2. 如权利要求1所述的ESD保护装置，其特征在于， 所述高介电常数材料的相对介电常数为所述基板的相对介电常数的两倍以上，且 10000以下。3. 如权利要求1所述的ESD保护装置，其特征在于， 相对介电常数低于所述基板的低介电常数部分位于所述间隙。4. 如权利要求3所述的ESD保护装置，其特征在于， 所述低介电常数部分为空洞。5. 如权利要求3所述的ESD保护装置，其特征在于， 所述低介电常数部分由相对介电常数低于基板的固体材料形成。6. 如权利要求5所述的ESD保护装置，其特征在于， 所述相对介电常数低于基板的固体材料为树脂。7. 如权利要求1~6中任一项所述的ESD保护装置，其特征在于， 还包括导体，该导体被设置为经由所述基板的一部分与所述第一、第二放电电极间的 间隙重合。8. 如权利要求1~6中任一项所述的ESD保护装置，其特征在于， 还包括第一、第二外部电极，该第一、第二外部电极设置在所述基板上，分别与所述第 一、第二放电电极电连接， 所述导体与所述第一或第二外部电极电连接。9. 如权利要求1~6中任一项所述的ESD保护装置，其特征在于， 所述导体为悬浮导体。10. 如权利要求7所述的ESD保护装置，其特征在于， 所述导体包含:金属，以及与所述基板相比高介电常数的材料。11. 如权利要求8所述的ESD保护装置，其特征在于， 所述导体包含:金属，以及与所述基板相比高介电常数的材料。12. 如权利要求9所述的ESD保护装置，其特征在于， 所述导体包含:金属，以及与所述基板相比高介电常数的材料。13. 如权利要求1~6中任一项所述的ESD保护装置，其特征在于， 所述第一、第二放电电极被设置在所述基板的外表面。14. 如权利要求1~6中任一项所述的ESD保护装置，其特征在于， 所述第一、第二放电电极被设置在所述基板内，所述间隙位于所述基板内。15. 如权利要求1所述的ESD保护装置，其特征在于， 所述第一混合材料中的所述金属是平均粒径〇. 3μηι以上，1.5μηι以下的金属粒子。16. 如权利要求1~6中任一项所述的ESD保护装置，其特征在于， 所述高介电常数材料是钛酸钡系陶瓷。17. 如权利要求1~6中任一项所述的ESD保护装置，其特征在于， 最低放电开始电压为2kV以下。
【专利摘要】本实用新型提供使放电开始电压进一步降低的ESD保护装置。ESD保护装置(1)中，在基板(2)上隔着间隔相对地设置第一、第二放电电极(3、4)，设置促进第一、第二放电电极(3、4)之间的放电的放电辅助电极(5)，使得连接第一放电电极(3)和第二放电电极(4)，放电辅助电极(5)由(i)包含金属以及相对介电常数高于所述基板的高介电常数材料的第一混合材料；(ii)包含被不具有导电性的材料覆盖的金属、以及相对介电常数高于所述基板的高介电常数材料的第二混合材料；(iii)包含被不具有导电性的材料覆盖的金属、半导体粒子以及相对介电常数高于所述基板的所述高介电常数材料的第三混合材料；以及(iv)包含被不具有导电性的材料覆盖的金属、具有所述基板的相对介电常数以下的相对介电常数的低介电常数材料以及相对介电常数高于所述基板的所述高介电常数材料的第四混合材料构成的组中选择的至少一种混合材料构成。
【IPC分类】H01T4/12, H01T4/10
【公开号】CN205141366
【申请号】CN201490000538
【发明人】足立淳, 安中雄海, 鹫见高弘
【申请人】株式会社村田制作所
【公开日】2016年4月6日
【申请日】2014年4月8日
【公告号】WO2014168141A1