低了温度上升的速度，更重要的是热膨胀系数小，使得所述热沉在散热的过程中各个不同位置处的形变小，提高了运行的安全性和可靠性。需要说明的是，在本发明中还可以使用其它的热沉5，本发明对此不作具体限定。
[0046]在上述实施例的基础上，在本发明的一种【具体实施方式】中，所述钼铜热沉为铜-钼-铜合金热沉。所述钼铜热沉采用为类似“三明治”结构的铜-钼-铜复合材料，这种材料的结构是层叠式，一般分为三层，中间层为低膨胀材料层，两边为高导电导热的材料层，所述低膨胀芯材为金属Mo，双面高导电导热材料为纯铜，所述材料具有高强度、高热导率、低膨胀系数以及可冲制成型等特点，其膨胀系数等性能还具有可设计性。在所述LDMOS功率放大器或GaN功率放大器大功率输出，所述热沉5温度升高时，所述热沉5不会发生翘边，所述LDMOS功率放大器或GaN功率放大器的芯片不会发生断裂，所述热沉5与所述金属底板4的固定效果也不会减弱。需要说明的是，在本发明中还可以使用其它结构的钼铜热沉，只要利于提高所述热沉的散热能力即可，本发明对此不作具体限定。
[0047]在本发明的所述混合集成微波功率放大器的中，在所述第一功率放大器I和第二功率放大器2之间还设置有级间匹配电路，所述级间匹配电路设置于所述PCB板上，输入端与所述第一功率放大器I的输出端连接，输出端与所述第二功率放大器2的输入端连接。
[0048]另外，所述混合集成微波功率放大器一般中还包括输出匹配电路，所述输出匹配电路的输入端与所述LDMOS功率放大器或GaN功率放大器的输出端连接。
[0049]所述级间匹配电路10或所述输出匹配电路由分立元件9和金丝绑线8组成。所述分立元件9主要是贴片电容，所述金丝绑线8具有与芯片电容阻抗匹配的分布电感，等效为级间匹配电路的电感。所述第二功率放大器2的管脚6通过金丝绑线8键合与所述PCB板3焊盘7上实现各种电气连接。
[0050]由于所述第一功率放大器I的输出阻抗和所述第二功率放大器2的输入阻抗都是只有几欧姆的低阻，故可以不再用常规的将输入输出阻抗匹配至50 Ω的方法，而是在所述PCB板3上通过所述金丝绑线和所述分立元件，直接将前级输出阻抗匹配到后级输入阻抗，并且无需进行常规的将所述第二功率放大器封装内预匹配，使得所述第一功率放大器I和所述第二功率放大器2之间的阻抗非常容易匹配，而且二者之间的级间匹配电路10结构简单，效果良好。
[0051]综上所述，所述混合集成微波功率放大器通过将所述第一功率放大器和所述第二功率放大器集成到所述金属底板上，所述第一功率放大器集成到所述PCB板上，所述第二功率放大器设置到所述热沉上，与所述第一功率放大器连接，使得所述混合集成微波功率放大器的同时具有GaAs和LDMOS/GaN两种器件的优点，整体电路具有高频、高增益、高线性度、大功率、高效率等特点，且集成度高，封装成本低，应用更方便。所述LDMOS功率放大器或GaN功率放大器设置到所述热沉上而未集成到所述PCB板上，所述热沉具有很低的热膨胀系数，受热情况下不容易发生形变，使得所述LDMOS/GaN功率放大器的芯片不会发生断裂；所述热沉具有很强的导热能力，极大地提高了对所述LDMOS功率放大器GaN功率放大器的散热能力；所述GaAs功率放大器设置到所述PCB板上，而所述PCB板和所述热沉集成到所述金属底板上，所述金属底板具有很强的导热能力，使得所述PCB板和所述热沉的温度差别较小，所述PCB板各部分的温差较小，不会发生断裂。另外，由于所述GaAs功率放大器输出阻抗和所述LDMOS功率放大器或GaN功率放大器输入阻抗都是只有几欧姆的低阻，故可以不再用常规的将输入输出阻抗匹配至50 Ω的方法，而是在所述PCB板上直接通过分立元件和金丝绑线将前级输出阻抗匹配到后级输入阻抗，并且无需进行常规的LDMOS功率放大器或GaN功率放大器封装内预匹配，电路结构更简单，效果良好。
[0052]以上对本发明所提供的基于PCB工艺的GaAs和LDMOS/GaN混合集成微波功率放大器进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。
【主权项】
1.一种基于PCB工艺的GaAs和LDMOS/GaN的混合集成微波功率放大器，其特征在于，包括: 金属底板； 所述金属底板的上表面设置有PCB板和热沉； 所述PCB板上设置有第一功率放大器； 所述热沉上设置有第二功率放大器； 所述第二功率放大器的输入端与所述第一功率放大器的输出端连接； 其中，所述第一功率放大器为GaAs功率放大器，所述第二功率放大器为LDMOS功率放大器或GaN功率放大器。2.如权利要求1所述的混合集成微波功率放大器，其特征在于，所述第二功率放大器通过银浆焊或共晶焊的方式固定在所述热沉上。3.如权利要求2所述的混合集成微波功率放大器，其特征在于，所述金属底板上还具有槽，所述槽的形状与所述热沉的横截面形状相同，所述热沉的底部嵌套进所述金属底板的槽。4.如权利要求3所述的混合集成微波功率放大器，其特征在于，所述PCB板上还具有通孔，所述通孔的横截面形状与所述热沉的横截面形状相同，所述热沉穿过所述通孔嵌套进所述金属底板的槽。5.如权利要求4所述的混合集成微波功率放大器，其特征在于，所述槽的深度等于所述热沉的厚度与所述PCB板的厚度的差值。6.如权利要求1-5任一项所述的混合集成微波功率放大器，其特征在于，所述热沉为钼铜热沉。7.如权利要求6所述的混合集成微波功率放大器，其特征在于，所述钼铜热沉为铜-钼-铜热沉。8.如权利要求1所述的混合集成微波功率放大器，其特征在于，还包括级间匹配电路，所述级间匹配电路设置于所述PCB板上，输入端与所述第一功率放大器的输出端连接，输出端与所述第二功率放大器的输入端连接。9.如权利要求8所述的混合集成微波功率放大器，其特征在于，还包括输出匹配电路，所述输出匹配电路的输入端与所述第二功率放大器的输出端连接。10.如权利要求9所述的混合集成微波功率放大器，其特征在于，所述级间匹配电路或所述输出匹配电路由分立元件和金丝绑线组成。
【专利摘要】本发明公开了一种基于PCB工艺的GaAs和LDMOS/GaN的混合集成微波功率放大器，包括：金属底板；所述金属底板的上表面设置有PCB板和热沉；所述PCB板上设置有第一功率放大器；所述热沉上设置有第二功率放大器；所述第二功率放大器的输入端与所述第一功率放大器的输出端连接；其中，所述第一功率放大器为GaAs功率放大器，所述第二功率放大器为LDMOS功率放大器或GaN功率放大器。所述GaAs和LDMOS/GaN混合集成微波功率放大器，结合GaAs和LDMOS/GaN两种器件的优点，使得所述GaAs和LDMOS/GaN混合集成微波功率放大器的整体电路具有高频、高增益、高线性度、大功率、高效率等特点，且集成度高，封装成本低，应用更方便。
【IPC分类】H03F3/19, H03F1/02, H03F1/32
【公开号】CN104883133
【申请号】CN201510346136
【发明人】高怀, 丁杰, 王 锋, 祖慧慧
【申请人】苏州英诺迅科技股份有限公司
【公开日】2015年9月2日
【申请日】2015年6月19日