铜层侧表面的条纹状凸部的平均高度的最大值的测 定方法的示意图。
[0093] 图8是表示条纹状凹部的3D影像。
[0094] 图9是用以说明极薄铜层的载体侧表面的条纹状凹部的平均深度的最大值的测 定方法的示意图。
[0095] 图10是用以说明自树脂基板的极薄铜层侧表面至上述图案镀铜层的上端部的厚 度的最大值一最小值的剖面观察照片。
[0096] 图11是用以理解"拖尾部"的上述电路的俯视观察照片。
【具体实施方式】
[0097] <附载体铜箱>
[0098] 本发明的附载体铜箱具备载体、积层于载体上的中间层、及积层于中间层上的极 薄铜层。附载体铜箱本身的使用方法为本领域业者所周知，例如可将极薄铜层的表面贴合 在纸基材酚树脂、纸基材环氧树脂、合成纤维布基材环氧树脂、玻璃布一纸复合基材环氧树 月旨、玻璃布一玻璃不织布复合基材环氧树脂及玻璃布基材环氧树脂、聚酯膜、聚酰亚胺膜等 绝缘基板，热压接后剥离载体，将与绝缘基板接着的极薄铜层蚀刻成目标的导体图案，或在 与绝缘基板接着的极薄铜层上形成图案镀铜层，通过快速蚀刻而形成特定宽度的电路，最 终制造印刷配线板。
[0099] < 载体 >
[0100] 作为本发明的载体，例如可使用树脂膜等膜。作为此种膜载体，一般而言，优选为 可承受干式表面处理或湿式表面处理时，或者是基板制作时的积层压制时的热负载的耐热 膜，可使用聚酰亚胺膜等。
[0101] 使用为聚酰亚胺膜的材料并无特别限制。例如现正上市中的宇部兴产制造的 Upilex、DuPont/DU PONT - TORAY 制造的 KaptoruKANEKA 制造的 Apical 等，任何的聚酰亚 胺膜皆可应用。又，可用于本发明的载体的膜并不限定于上述的特定品种。
[0102] 又，作为本发明的载体，亦可使用金属箱。作为金属箱，可使用铜箱、镍箱、镍合金 箱、铝箱、铝合金箱、铁箱、铁合金箱、锌箱、锌合金箱、不锈钢箱等。又，作为本发明的载体， 可使用铜箱。铜箱典型而言以压延铜箱或电解铜箱的型态提供。电解铜箱是自硫酸铜镀浴 中使铜电解析出于钛或不锈钢的滚筒上而制造，压延铜箱是重复利用压延辊的塑性加工与 热处理而制造。作为铜箱的材料，除了可使用精铜（JIS H3100 ;合金编号C1100)或无氧铜 (JIS H3100;合金编号C1020)等高纯度铜以外，亦可使用例如像是掺Sn的铜、掺Ag的铜、 添加有Cr、Zr或Mg等的铜合金、添加有Ni及Si等的卡逊系铜合金般的铜合金。再者，本 说明书中单独使用用语"铜箱"时亦包含铜合金箱。
[0103] 可在本发明中使用的载体的厚度亦无特别限制，只要在实现作为载体的作用方面 适当调节为适宜的厚度即可，例如可设为5 μπι以上。但是，若过厚，则生产成本提高，因此 通常优选为设为70 μ m以下。因此，载体的厚度典型为8~70 μ m，更典型为12~70 μ m， 更典型为I8~35 μπι。又，就减少原料成本的观点而言，载体的厚度以小为佳。因此，载体 的厚度典型为5 μπι以上35 μπι以下，优选为5 μπι以上18 μπι以下，优选为5 μπι以上12 μπι 以下，优选为5 μπι以上11 μπι以下，优选为5 μπι以上10 μπι以下。再者，在载体的厚度小 的情形时，在载体的通箱时容易产生弯折。为了防止产生弯折，例如有效的是使附载体铜箱 制造装置的搬送辊变得平滑，或缩短搬送辊与下一搬送辊的距离。再者，在作为印刷配线板 的制造方法之一的埋入法（嵌入法（Enbedded Process))中使用附载体铜箱的情形时，载 体的刚性必须较高。因此，在用于埋入法的情形时，载体的厚度优选为18 μπι以上300 μπι 以下，优选为25 μ m以上150 μ m以下，优选为35 μ m以上100 μ m以下，优选为35 μ m以上 70 μm以下。
[0104] 再者，亦可在与载体的设置极薄铜层侧表面相反侧的表面设置粗化处理层。可使 用已知方法来设置该粗化处理层，亦可通过后述的粗化处理来设置。在与载体的设置极薄 铜层侧表面相反侧的表面设置粗化处理层，具有下述优点：在将载体自具有该粗化处理层 的表面侧积层于树脂基板等支撑体时，载体变得难与树脂基板剥离。又，在欲使表面更加平 滑的情形时，亦可不设置该粗化处理层。
[0105] 在使用电解铜箱作为本发明的载体的情形时，该载体是通过以下条件，自硫酸铜 镀浴中使铜电解析出于钛或不锈钢的电解滚筒上而制造。
[0106] <电解液组成>
[0107] 铜：80 ~110g/L
[0108] 硫酸：70 ~110g/L
[0109] 氯：10 ~100 质量 ppm
[0110] 〈制造条件〉
[0111] 电流密度：50 ~200A/dm2
[0112] 电解液温度：40~70 °C
[0113] 电解液线速：3~5m/sec
[0114] 电解时间：0. 5~10分钟
[0115] 再者，本说明书中所记载的电解、蚀刻、表面处理或镀敷等中所使用的处理液（蚀 刻液、电解液）的剩余部分，若无特别明确记载则为水。
[0116] 此时所使用的电解滚筒其表面的条纹状凹部的平均深度的最大值为2.0 μπι以 下。电解滚筒的表面的条纹状凹部的平均深度的最大值优选为1.8 μπι以下，更优选为 1. 6 μπι以下，再更优选为1. 4 μπι以下，再更优选为1. 2 μπι以下，再更优选为I. 0 μπι以下。 上述"条纹状凹部"是指在电解滚筒的表面中在特定方向（例如，电解滚筒的圆周方向（电 解铜箱制造时的电解滚筒的旋转方向））延伸而成为长度在200 μπι以上的条纹状的凹部。 表面的条纹状凹部的平均深度的最大值的下限并不须特别限定，典型为0.0 OOym以上、 或0.001 μπι以上、或0.005 μπι以上、或0.01 μπι以上。上述"条纹状凹部"，也就是在电解 滚筒的表面中在特定方向（例如，电解滚筒的圆周方向（电解铜箱制造时的电解滚筒的旋 转方向））延伸而成为长度在200 μπι以上的条纹状的凹部亦可不存在。在此情形时，表面 的条纹状凹部的平均深度的最大值表示〇. 〇〇〇 μ m。
[0117] 由于上述条纹状凹部是起因于电解滚筒表面的研磨条纹，因此该电解滚筒的表面 的条纹状凹部的平均深度可通过对电解滚筒表面进行使用有支数#1000~#8000的研磨 磨石的研磨、抛光研磨精加工、或镜面抛光来控制。研磨磨石的旋转数优选为设为500~ 2500rpm〇
[0118] 在使用压延铜箱作为本发明的载体的情形时，优选为在精加工压延辊后，对压延 铜箱的表面进行使用有支数#6000~8000的抛光研磨材料粒度的抛光轮的抛光研磨精加 工，或镜面抛光。抛光轮的旋转数优选为设为200~350rpm。
[0119] 在通过具有上述表面的电解滚筒或抛光研磨而形成的本发明的附载体铜箱的载 体中，可将极薄铜层侧表面的条纹状凸部的平均高度的最大值控制在2. 0 μπι以下、且可将 极薄铜层侧表面的最大高度Ry控制在2. 0 μm以下。上述"条纹状凸部"是指在载体表面 中在特定方向延伸而成为长度在200 μπι以上的条纹状的凸部。又，在本发明中，"最大高度 Ry"是指自粗糙度曲线在其平均线的方向仅取出基准长度，在粗糙度曲线的纵向倍率方向 测定此取出部分的峰顶线与峰谷线间的间距而得者。在附载体铜箱的载体中，若极薄铜层 侧表面的条纹状凸部的平均高度的最大值为2.0 μπι以下，或极薄铜层侧表面的最大高度 Ry为2. 0 μπι以下，则在隔着中间层将极薄铜层设置于该表面时，则可将该极薄铜层侧表面 的条纹状凸部的平均高度的最大值控制在2.0 μπι以下，或可将该极薄铜层侧表面的最大 高度Ry控制在2. 0 μπι以下。因此，可良好地抑制将附载体铜箱自极薄铜层侧贴合于树脂 基板后，剥离去除载体后树脂基板表面中的"起伏"的产生。故，即便通过在残存在树脂基 板上的极薄铜层上形成图案镀铜层，接着进行快速蚀刻而形成特定宽度的电路，亦可抑制 树脂基板表面中的"起伏"的产生，因此超过该电路宽度而生成的铜残渣被抑制，可防止因 该铜残渣的影响所产生的电路短路。
[0120] 载体的极薄铜层侧表面的条纹状凸部的平均高度的最大值优选为1.8 μπι以下， 更优选为1.6 μπι以下，再更优选为1.4 μπι以下，再更优选为1.2 μπι以下，再更优选为 LOym以下。载体的极薄铜层侧表面的条纹状凸部的平均高度的最大值的下限并不需要特 别限定，典型为〇.〇〇〇 μπι以上、或0.001 μm以上、或0.005 μm以上、或0.01 μm以上。上 述"条纹状凸部"，也就是在载体表面中在特定方向（例如，载体制造装置中的载体的进行 方向）延伸而成为长度在200 μπι以上的条纹状的凸部亦可不存在。在此情形时，载体的极 薄铜层侧表面的条纹状凸部的平均高度的最大值表示〇. 〇〇〇 μ m。
[0121] 载体的极薄铜层侧表面的最大高度Ry优选为I. 8 μπι以下，更优选为I. 6 μπι以 下，再更优选为1. 4 μπι以下，再更优选为1. 2 μπι以下，再更优选为I. 0 μπι以下。载体的极 薄铜层侧表面的最大高度Ry的下限并不需要特别限定，典型为0. 001 μ m以上、或0. 005 μ m 以上、或Ο.ΟΙμπι以上。
[0122] 再者，在至少一表面中的条纹状凸部的平均高度的最大值为2.0 μπι以下的载体， 或在至少一表面中的最大高度Ry为2. 0 μ m以下的载体，亦可不是电解铜箱或压延铜箱，而 是上述树脂膜等的膜载体。
[0123] <中间层>
[0124] 在载体的单面或双面上设置中间层。在载体为电解铜箱载体的情形，在电解铜箱 载体的光泽面（制造时形成在电解滚筒侧的表面）设置中间层。载体与中间层之间亦可设 置其他层。关于本发明中使用的中间层，只要为如下构成，则并无特别限定，即，在附载体铜 箱向绝缘基板的积层步骤前极薄铜层不易自载体剥离，另一方面，在向绝缘基板的积层步 骤后可自载体剥离极薄铜层的构成。例如，本发明的附载体铜箱的中间层亦可含有选自由 Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、这类的合金、这类的水合物、这类的氧化物、及有机物 组成的群中一种或二种以上。又，中间层亦可为多个层。
[0125] 又，例如，中间层可通过如下方式构成：自载体侧形成由选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、 Ti、W、P、Cu、Al、Zn构成的元素群中一种元素构成的单一金属层、或由选自由Cr、Ni、Co、Fe、 Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn构成的元素群中一种或二种以上的元素构成的合金层，并在其上形 成由选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn构成的元素群中一种或二种以上的元素 的水合物或氧化物构成的层。
[0126] 在仅在单面设置中间层的情形时，优选为在载体的相反面设置镀镍层等防锈层。 再者，认为在通过铬酸盐处理或锌铬酸盐处理或镀敷处理来设置中间层的情形时，存在铬 或锌等附着的金属的一部分成为水合物或氧化物的情况。
[0127] 又，例如，中间层可在载体上依序积层镍、镍一磷合金或镍一钴合金及铬而构成。 由于镍与铜的接着力高于铬与铜的接着力，因此在剥离极薄铜层时，在极薄铜层与铬的界 面进行剥离。又，对中间层的镍期待防止铜成分自载体向极薄铜层扩散的阻隔效果。中 间层中的镍附着量优选为100 μ g/dm2以上40000 μ g/dm2以下，更优选为100 μ g/dm2以上 4000 μ g/dm2以下，更优选为100 μ g/dm2以上2500 μ g/dm2以下，更优选为100 μ g/dm2以上 1000 μ g/dm2以下，中间层中的络附着量优选为5 μ g/dm2以上100 μ g/dm2以下。在仅在单 面设置中间层的情形时，优选为在载体的相反面设置镀镍层等防锈层。
[0128] <极薄铜层>
[0129] 在中间层上设置极薄铜层。中间层与极薄铜层之间亦可设置其他层。极薄铜层可 通过利用硫酸铜、焦磷酸铜、胺磺酸铜、氰化铜等电解浴的电镀而形成，就可用在通常的电 解铜箱中使用，并以高电流密度形成铜箱而言，优选为硫酸铜浴。极薄铜层的厚度并无特别 限制，通常薄于载体，例如为12 μπι以下。典型为0· 5~12 μπι，更典型为1~5 μπι，再更典 型为1. 5~5 μ m，再更典型为2~5 μ m。再者，亦可在载体的双面设置极薄铜层。
[0130] 如上所述，本发明的附载体铜箱的载体其极薄铜层侧表面的条纹状凸部的平均高 度的最大值为2. 0 μπι以下，且极薄铜层侧表面的最大高度Ry为2. 0 μπι以下。因此，隔着 中间层而设置于该载体的该表面的上述极薄铜层，可使载体侧表面的条纹状凹部的平均深 度的最大值在2. 0 μπι以下。上述"条纹状凹部"是指在极薄铜层的载体侧表面在特定方向 延伸而成为长度在200 μπι以上的条纹状的凹部。
[0131] 若极薄铜层的载体侧表面的条纹状凹部的平均深度的最大值为2. 0 μπι以下，则 可将附载体铜箱的极薄铜层侧表面的条纹状凸部的平均高度的最大值控制在2. 0 μπι以 下，或可将极薄铜层侧表面的最大高度Ry控制在2. 0 μm以下。因此，可良好地抑制将附 载体铜箱自极薄铜层侧贴合于树脂基板后，剥离去除载体后树脂基板表面中的"起伏"的产 生。故，即便通过在残存于树脂基板上的极薄铜层上形成图案镀铜层，接着进行快速蚀刻而 形成特定宽度的电路，亦可抑制树脂基板表面中的"起伏"的产生，因此超过该电路宽度而 生成的铜残渣被抑制，可防止因该铜残渣的影响所产生的电路短路。
[0132] 该极薄铜层的载体侧表面的条纹状凹部的平均深度的最大值优选为1.8 μπι以 下，更优选为1. 6 μπι以下，再更优选为1. 4 μπι以下，再更优选为1. 2 μπι以下，再更优选为 1.0 μπι以下。该极薄铜层的载体侧表面的条纹状凹部的平均深度的最大值的下限并不需 要特别限定，典型为〇. OOOym以上、或0. 001 μ m以上、或0. 005 μ m以上、或0. 01 μ m以上。 上述"条纹状凹部"，也就是在极薄铜层的载体侧表面中在特定方向（例如，附载体铜箱制 造装置中的载体的进行方向）延伸而成为长度在200 μ m以上的条纹状的凹部亦可不存在。 在此情形时，极薄铜层的载体侧表面的条纹状凹部的平均深度的最大值表示0. 〇〇〇 μ m。
[0133] 可使用本发明的附载体铜箱来制作积层体（覆铜积层体等）。作为该积层体，例 如，亦可为"极薄铜层/中间层/载体/树脂或预浸体"依序积层的构成，亦可为"载体/中 间层/极薄铜层/树脂或预浸体"依序积层的构成，亦可为"极薄铜层/中间层/载体/树 脂或预浸体/载体/中间层/极薄铜层"依序积层的构成，亦可为"载体/中间层/极薄铜 层/树脂或预浸体/极薄铜层/中间层/载体"依序积层的构成，亦可为"载体/中间层/ 极薄铜层/树脂或预浸体/载体/中间层/极薄铜层"依序积层的构成。前述树脂或预浸 体亦可为后述的树脂层，或亦可含有使用于后述的树脂层的树脂、树脂硬化剂、化合物、硬 化促进剂、介电体、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸体、骨架材料等。再者，附载体铜箱亦 可在俯视时小于树脂或预浸体。
[0134] <粗化处理及其他表面处理>
[0135] 在极薄铜层的表面，亦可例如为了使与绝缘基板的密合性变良好等，而通过实施 粗化处理而设置粗化处理层。粗化处理例如可通过利用铜或铜合金形成粗化粒子而进行。 粗化处理亦可为微细者。粗化处理层亦可为由选自由铜、镍、磷、钨、砷、钼、铬、铁、钒、钴及 锌组成的群中任一单质或含有此等单质任一种以上的合金构成的层等。又，亦可在通过铜 或铜合金形成粗化粒子后，进而进行通过镍、钴、铜、锌的单质或合金等设置二次粒子或三 次粒子的粗化处理。然后，亦可通过镍、钴、铜、锌的单质或合金等形成耐热层或防锈层，进 而可对其表面实施铬酸盐处理、硅烷偶合处理等处理。或者亦可不进行粗化处理，而通过 镍、钴、铜、锌的单质或合金等形成耐热层或防锈层，进而对其表面实施铬酸盐处理、硅烷偶 合处理等处理。即，可在粗化处理层的表面形成选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅 烷偶合处理层组成的群中1种以上的层，亦可在极薄铜层的表面形成选自由粗化处理层、 耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层组成的群中1种以上的层。再者，上述粗 化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层、硅烷偶合处理层亦可分别以多个层形成（例如 2层以上、3层以上等）。
[0136] 例如，作为粗化处理的铜一钴一镍合金镀敷可通过电解镀敷，以形成如附着量为 15~40mg/dm2的铜一 100~3000 μ g/dm2的钴一 100~1500 μ g/dm2的镍的3元系合金层 的方式实施。若Co附着量未达100 μ g/dm2,则存在耐热性恶化，蚀刻性变差的情况。若Co 附着量超过3000 μ g/dm2,则存在如下情况，即，在必须考虑磁性的影响的情形时欠佳，产生 蚀刻污渍，又，耐酸性及耐化学品性恶化。若Ni附着量未达100 μ g/dm2,则存在耐热性变差 的情况。另一方面，若Ni附着量超过1500 μ g/dm2,则存在蚀刻残留增多的情况。优选的Co 附着量为1000~2500 μ g/dm2,优选的镍附着量为500~1200 μ g/dm2。此处，所谓蚀刻污 渍，是指在利用氯化铜进行蚀刻的情形时，Co未溶解而残留，并且，所谓蚀刻残留，是指在利 用氯化铵进行碱蚀刻的情形时，Ni未溶解而残留。
[0137] 用以形成此种3元系铜一钴一镍合金镀敷的通常的镀浴及镀敷条件之一例如下 所述：
[0138] 镀浴组成：Cu 10 ~20g/L、Co 1 ~10g/L、Ni 1 ~10g/L
[0139] pH 值：1 ~4
[0140] 温度：30 ~50°C
[0141] 电流密度 Dk: 20 ~30A/dm 2
[0142] 镀敷时间：1~5秒
[0143] 以上述方式制造具备载体、积层于载体上的中间层、及积层于中间层上的极薄铜 层的附载体铜箱。附载体铜箱本身的使用方法为本领域业者所周知，例如可将极薄铜层的 表面贴合于纸基材酚树脂、纸基材环氧树脂、合成纤维布基材环氧树脂、玻璃布一纸复合基 材环氧树脂、玻璃布一玻璃不织布复合基材环氧树脂及玻璃布基材环氧树脂、聚酯膜、聚酰 亚胺膜等绝缘基板，热压接后剥离载体而制成覆铜积层板，将与绝缘基板接着的极薄铜层 蚀刻成目标的导体图案，最终制造印刷配线板。
[0144] 本发明的附载体铜箱亦可在极薄铜层上具备粗化处理层，亦可在粗化处理层上具 备一层以上选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成的群中的层。
[0145] 又，亦可在极薄铜层上具备粗化处理层，亦可在粗化处理层上具备耐热层、防锈 层，亦可在耐热层、防锈层上具备铬酸盐处理层，亦可在铬酸盐处理层上具备硅烷偶合处理 层。
[0146] 如上所述，本发明的附载体铜箱的载体其极薄铜层侧表面的条纹状凸部的平均高 度的最大值为2. 0 μπι以下，且极薄铜层侧表面的最大高度Ry为2. 0 μπι以下。因此，在该载 体的该表面隔着中间层设置极薄铜层时，可将该极薄铜层侧表面的条纹状凸部的平均高的 最大值控制在2. O μπι以下、或可将该极薄铜层侧表面的最大高度Ry控制在2. O μπι以下。 上述"条纹状凸部"是指在极薄铜层侧表面在特定方向延伸而成为长度在200 μ m以上的条 纹状的凸部。
[0147] 本发明的附载体铜箱的极薄铜层侧表面的条纹状凸部的平均高度的最大值优选 为L 8 μ m以下，更优选为L 6 μ m以下，再更优选为L 4 μ m以下，再更优选为L 2 μ m以下， 再更优选为1. 〇 μπι以下。再者，附载体铜箱的极薄铜层侧表面的条纹状凸部的平均高度的 最大值的下限并不需要特别限定，典型为〇. 〇〇〇 μπι以上、或0. 001 μπι以上、或0. 005 μπι以 上、或0. 01 μ m以上。上述"条纹状凸部"，也就是在附载体铜箱的极薄铜层侧表面中在特定 方向（例如，附载体铜箱制造装置中的载体的进行方向）延伸而成为长度在200 μ m以上的 条纹状的凸部亦可不存在。在此情形时，附载体铜箱的极薄铜层侧表面的条纹状凸部的平 均高度的最大值表示〇. 〇〇〇 μ m。
[0148] 本发明的附载体铜箱的极薄铜层侧表面的最大高度Ry优选为I. 8 μπι以下，更优 选为1. 6 μπι以下，再更优选为1. 4 μπι以下，再更优选为1. 2 μπι以下，再更优选为I. 0 μπι 以下。再者，附载体铜箱的极薄铜层侧表面的最大高度Ry的下限并不需要特别限定，典型 为0.001 μm以上、或0.005 μm以上、或0.01 μm以上。
[0149] 再者，在本发明中，在在极薄铜层上形成有粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处 理层、硅烷偶合处理层等表面处理层的情形时，"附载体铜箱的极薄铜层侧表面"是指该表 面处理层的最表面。
[0150] 本发明的附载体铜箱在另一方面中，通过将附载体铜箱自极薄铜层侧贴合于双马 来亚酰胺三嗪树脂基板后，剥离上述载体，接着利用蚀刻来去除上述极薄铜层而露出的上 述树脂基板表面的条纹状凹部的平均深度的最大值为2. 0 μπι以下。上述"条纹状凹部"是 指在树脂基板表面在特定方向延伸而成为长度在200 μ m以上的条纹状的凹部。通过此种 构成，可良好地抑制树脂基板表面中的"起伏"的产生，即便通过在残存在树脂基板上的极 薄铜层上形成图案镀铜层，接着进行快速蚀刻而形成特定宽度的电路，亦可抑制超过该电 路宽度而生成的铜残渣，可防止因该铜残渣的影响所产生的电路短路。
[0151] 该树脂基板表面的条纹状凹部的平均深度的最大值优选为1.8 μπι以下，更优选 为L 6 μ m以下，再更优选为L 4 μ m以下，再更优选为L 2 μ m以下，再更优选为L 0 μ m以 下。再者，树脂基板表面的条纹状凹部的平均深度的最大值的下限并不需要特别限定，典型 为0· 000 μπι以上、或0· 001 μπι以上、或0· 005 μπι以上、或0· 01 μπι以上。上述"条纹状凹 部"，也就是在树脂基板表面中在特定方向（例如，在将附载体铜箱自极薄铜层侧贴合在树 脂基板的情形时，贴合于该树脂基板的附载体铜箱的附载体铜箱制造装置中的与载体的进 行方向平行的方向）延伸而成为长度在20