少一种来形成的至少一层。
[0152]接下来，参照图9，保护层108被加工以将第一焊盘106的表面和第二焊盘107的表面暴露在外部。
[0153]换句话说，保护层108形成为包括开口 120，以暴露第一焊盘106和第二焊盘107的顶表面的部分，而开口 120的直径小于第一焊盘106与第二焊盘107的直径。
[0154]因此，第一焊盘106和第二焊盘107的边缘被保护层108保护。
[0155]此后，接合膏111被施加到通过保护层108的开口 120暴露的第一焊盘中的至少一个，并且电子器件112被安装在接合膏111上。
[0156]电子器件112可以是无源器件。例如，电子器件112可以是电阻、电感或者电容。优选地，电子器件112可以是多层陶瓷电容器(MLCC)。
[0157]接合膏111可以包括选自由低熔点焊料、高熔点的焊料、包括合金颗粒的焊料、包含树脂的焊料，及其组合物构成的组中的至少一种焊膏，或者包括具有粘合特性的金属材料。如果有必要，接合膏111可以包括金属粉末以保证电导性。
[0158]由于接合膏111被施加在剩余第一焊盘106的至少一个焊盘上，电子器件112可以被牢固地固定在接合膏111上，使得接合膏111在电子器件112的横向侧方向上沉积。
[0159]接下来，参照图10，第一焊料球109形成在通过保护层108的开口 120暴露的第一焊盘106中的至少一个上。
[0160]此后，参照图11，处理器芯片110附接到第一焊料球109。
[0161]处理器芯片110通过第一焊料球109与第一焊盘106电连接。
[0162]接下来，参照图12，覆盖层130形成为将电子器件112和处理器芯片110两者覆盖，同时打开第一焊盘106的顶表面一部分。
[0163]此后，参照图13，如果形成覆盖层130，种子层113形成在保护层108、第一焊盘106、第二焊盘107以及覆盖层130的表面上。优选地，种子层113的厚度为I μπι。
[0164]种子层113可以通过化学镀方案来形成。
[0165]该化学镀方案可以按以下顺序进行；除油工艺、软蚀刻工艺、预催化工艺、催化处理工艺、加速工艺、化学镀工艺以及抗氧化处理工艺。另外，种子层可以通过使用等离子体溅射金属颗粒代替电镀方案来形成。
[0166]另外，种子层113可以由包含纯镍(Ni)的金属组成。可替代地，种子层113可以由Ni和多相金属的合金组成。
[0167]此后，参照图14，金属板114通过基于种子层113执行电解电镀方案来形成。
[0168]金属板114形成为贯穿形成有种子层113的区域的整个部分。
[0169]接下来，参照图15，掩模140被附接到金属板114的表面上，其被定位以对应于形成有凸块的区域。
[0170]此后，参照图16，对金属板114进行湿蚀刻。在这种情况下，如果金属板114被湿蚀刻，从除了掩膜140被附接的区域(用于凸块的区域)之外的剩余区域去除金属板114。
[0171]在这种情况下，由于基于湿蚀刻方案在金属板114的一部分(该部分上形成有掩膜140)上进行各向同性的蚀刻，凸块115以梯形的形状形成，该梯形的上部宽度窄，下部宽度宽。
[0172]此外，凸块115具有弯曲的侧面。
[0173]同时，种子层113不是由用于蚀刻金属板114的蚀刻剂来蚀刻，但是种子层113的形状原样地维持。
[0174]换言之，凸块115用于与上基板一起构成封装。因此，至少一个凸块115形成在左侧和右侧中的每一个中，以便有效地支撑上基板的两个端部部分。
[0175]在这种情况下，优选地，凸块115的高度形成为高于附接到第二绝缘层104的电子器件112和处理器芯片110的高度。
[0176]优选地，从保护层108向上突出的凸起115的一部分的厚度在100 μπι至150 μπι
的范围内。
[0177]此后，参照图17，将附接到凸块115的顶表面的掩膜140从凸块115中去除。
[0178]随后，参照图18，去除预先形成用于形成金属板114的种子层113。
[0179]在这种情况下，如果使用用于蚀刻种子层113的蚀刻剂进行蚀刻工艺，凸块115和第二焊盘107没有被蚀刻，但是凸块115以及第二焊盘107的形状维持原样。
[0180]因此，设置在凸块115下的种子层112没有被去除而是被保留。
[0181]随后，参照图19所示，第二焊料球116形成在第二焊盘107中的至少一个上。
[0182]根据实施例，金属柱形成在下基板上，上基板使用金属柱附接到下基板，从而制造封装，使得精细间距可以形成。因此，制造的生产率可以最大化。
[0183]另外，根据实施例，在与上基板一起进行的封装工艺中，暴露于外部的电子器件被附接到下基板上，并且使用树脂来模塑电子器件的附接空间。因此，在用于电子器件的附接的基板的设计中，可以增强自由度，并且就产率而言，可以提高生产率。
[0184]此外，根据本实施例，由于形成在下基板与上基板之间的模塑区域由形成在下基板上的金属柱支撑，从而附接在模塑区域中的电子器件可以被有效地保护，因此可以提高封装基板的可靠性。
[0185]此外，根据另一实施例，该金属柱的侧面是弯曲的，并且金属柱具有上部宽度比下部宽度窄的梯形的形状，使得相邻金属柱之间的距离增加以防止短路故障。此外，可以使用少量的焊料将上基板附接到下基板。
[0186]此外，根据本实施例，由于金属柱是通过蚀刻方案而不是图案电镀方案来形成，可以降低印刷电路板的制造成本。
[0187]图20是说明根据本实施例的封装基板的截面图。
[0188]参考图20，封装基板包括下基板100和上基板200。
[0189]由于以上已经参照图2对下基板100进行了描述，其细节将被省略。
[0190]上基板200包括第四绝缘层201、电路图案或者焊盘202、导电通孔203、焊料球205以及存储器芯片206。
[0191]虽然第四绝缘层201可以是形成有单个图案的印刷电路板的支撑板，第四绝缘层201可以指的是绝缘层区域，在该绝缘层区域中，具有多个层叠结构的印刷电路板中形成任何一个电路图案。
[0192]第四绝缘层201设置成绝缘板的形式，并且可以包括热固性或热塑性聚合基板、陶瓷基板、有机-无机复合材料基板或玻璃纤维浸渍基板。如果绝缘层包括聚合树脂，绝缘层可以包括环氧绝缘性树脂，例如FR-4、双马来酰亚胺三嗪(BT)、或味之素构建膜(ABF)。可替代地，绝缘层可以包括基于聚酰亚胺的树脂，但是实施例不限于此。
[0193]电路图案或焊盘202形成在第四绝缘层201中至少一个表面上。
[0194]换句话说，电路图案或焊盘202可以通过典型的制造印刷电路板的工艺来形成，例如，添加工艺、减少工艺、改进的半添加工艺(MSAP)，以及半添加工艺、其细节将被省略。
[0195]导电通孔203形成在第四绝缘层201中。
[0196]导电通孔203将形成在第四绝缘层201的顶表面上的电路图案或焊盘202与形成在第四绝缘层201的底表面上的电路图案或焊盘202电连接。
[0197]导电通孔203可以包括选自于由铜、银、锡、金，镍和钯构成的组中的任意一种，并且可以通过化学镀方案、电解电镀方案、丝网印刷方案、溅射方案、蒸发方案、注入方案，以及分配方案中的任意一种方案或其组合来进行金属材料的填充。
[0198]焊料球205在形成在第四绝缘层201的顶表面上的电路图案或焊盘202的至少一个上形成。
[0199]存储器芯片206被安装在焊料球205上。
[0200]由于焊料球205的形成和存储器芯片206的安装被公众所知，其细节将在本实施例中省略。
[0201]上基板200通过连接焊料球150与下基板100彼此耦接。
[0202]换句话说，连接焊锡球150形成在下基板100的凸块115上。
[0203]在这种情况下，由于凸块115形成在下基板100的两端处，当从下基板100的截面观看时，连接焊料球150形成在凸块115上，凸块115形成在下基板100的左侧区域和右侧区域上。
[0204]上基板200被附接到形成在凸块115上的连接焊料球150上。在此情况下，上基板200由凸块115支撑，并通过连接焊料球150提供的粘合特性附接到连接焊料球150上。
[0205]模塑层160插入在下基板100和上基板200之间。
[0206]模塑层160保护下基板100与上基板200的表面同时保护形成在下基板100上的部件。
[0207]换句话说，电子器件112和处理器芯片110附接到下基板100上。在这种情况下，为了提高下基板100的可制造性同