一种芯粒抓取装置及其抓取方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种芯粒抓取装置及其抓取方法，特别是涉及用于对发光二极管芯粒分选抓取的分选机抓取装置及其抓取方法。
【背景技术】
[0002]现有的LED芯片分选装置，其抓取装置结构如图1所示，抓取芯粒时，大都顶针必须刺破蓝膜，顶针结构如图2所示，其后吸笔才能将芯粒吸走；顶针所产生的针眼会不断扩大蓝膜，扩大的蓝膜相比正常蓝膜，其上芯粒的位置发生偏移，偏移导致芯粒在分选过程中容易造成抓错或定位失败无法抓取；同时顶针刺破蓝膜时，直接接触到芯粒背面，容易造成芯粒背面破损，从而影响到芯粒的光电参数造成芯粒降档或无法使用。
【发明内容】
[0003]本发明所要解决的问题是，改变现有分选机抓取芯粒的方式，避免出现蓝膜浪费和抓取定位失败等问题，提高分选工作的效率。
[0004]为解决以上技术问题，本发明提供了一种芯粒抓取装置，包括顶针系统和吸笔，所述顶针系统包括一顶针、一支架和一加热器，所述支架上放置有上表面粘附芯粒的胶膜，所述吸笔位于芯粒上方用来抓取芯粒，所述芯粒抓取装置的作用为进行芯粒、胶膜分离，所述胶膜的材料为耐高温膜，所述顶针与加热器连接。
[0005]优选的，所述加热器加热的顶针在工作时，与芯粒下方的胶膜接触，加热降低胶膜对芯粒的粘附性，通过所述吸笔抓取胶膜上的芯粒。
[0006]优选的，所述胶膜在150°C下不会被破坏。
[0007]优选的，所述胶膜上表面具有粘剂，所述粘剂在5~35°C具备粘附性，当粘剂温度在35~150°C粘附性下降。
[0008]优选的，所述顶针顶端为平面。
[0009]优选的，所述支架用来吸附胶膜下表面，所述顶针位于支架中央。
[0010]优选的，所述吸笔和支架分别与一真空发生器连接，通过真空发生器提供真空吸力。
[0011]优选的，所述芯粒抓取装置还包括行程控制系统，所述行程控制系统通过影像识别技术控制顶针和吸笔精确移动。
[0012]优选的，所述加热器具有温控功能，工作时控制顶针温度为T土 ΛΤ，其中80°C彡 T 彡 150°C，0°C彡Λ Τ 彡 5°C。
[0013]此外本发明还提供了一种芯粒抓取方法，步骤包括:
(1)提供一顶针系统、一吸笔和行程控制系统，所述顶针系统包括一顶针、一支架和一加热器，所述顶针的顶端为平面，所述支架上放置有耐高温膜，所述耐高温膜上表面粘附有芯粒，所述行程控制系统通过影像识别技术控制顶针和吸笔精确移动；
(2)通过加热器对顶针进行加热； (3)支架通过真空吸附固定耐高温膜；
(4)顶针通过行程控制系统的控制下，移动到待抓取芯粒的耐高温膜下方，与耐高温膜接触，通过加热降低耐高温膜的粘性；
(5)吸笔在行程控制系统的控制下移动至待抓取芯粒上方，此时对待抓取芯粒吸力大于耐高温膜的粘附力，抓取芯粒。
[0014]优选的，所述步骤(2)的顶针加热后温度为T土 ΛΤ，其中80°C彡T彡150°C,0°C^A Τ < 5°C。
[0015]本发明的有益效果包括:解决了【背景技术】中的技术难题，在分选工艺抓取芯粒过程中无须刺破蓝膜，即可实现胶膜与芯粒脱离。避免了蓝膜因刺破的针眼导致扩大而造成蓝膜上芯粒位置偏移无法正常抓取的情况，保护了芯粒表面不被顶针刮伤，同时耐高温膜实现循环利用、节省了成本。
【附图说明】
[0016]附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。此外，附图数据是描述概要，不是按比例绘制。
[0017]图1是现有技术的抓取装置示意图。
[0018]图2是现有技术的顶针示意图。
[0019]图3是实施例的结构示意图。
[0020]图4是实施例的支架俯视图。
[0021]图5是实施例的置于耐高温膜上的晶片示意图。
[0022]图6是实施例的顶针示意图。
[0023]图7是实施例的结构俯视图。
[0024]附图标示:1:行程控制系统；2:吸笔；3:芯粒；4:传统膜；41:耐高温膜；42:扩张环；5:顶针；6:加热器；61:温控组件；7:支架;71:真空细孔；8:真空发生器；9:机械臂。
【具体实施方式】
[0025]下面结合示意图对本发明进行详细的描述，借此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。
实施例
[0026]如图3所示，本实施例提供一种芯粒抓取装置，该装置由行程控制系统1、顶针系统和吸笔2组成。顶针系统包括顶针5、加热器6和支架7，行程控制系统1控制吸笔2和顶针5的移动。提供一粘附有待抓取芯粒3的耐高温膜41，耐高温膜41通过扩张环42支撑置于支架7上。顶针系统用于配合吸笔2在行程控制系统1控制下，分离耐高温膜41和待抓取芯粒3。其中行程控制系统1通过影像识别技术控制吸笔2和顶针5精确移动。吸笔2和支架7分别与真空发生器8连接。
[0027]如图4~5所示，支架7上工作面密布有真空细孔71，支架7通过真空发生器8对扩张环42上的耐高温膜41下表面进行吸附固定，耐高温膜41采用聚酰亚胺薄膜和有机硅压敏胶粘剂制成，聚酰亚胺薄膜在80~150°C不会被高温破坏，耐高温膜41通过粘剂粘附芯粒3，有机硅压敏胶粘剂在常温下具备粘附性，而当温度达到120°C以上，粘附性下降。
[0028]对比图2和图6可知，本实施例的顶针5与现有技术结构上的区别在于:本实施例顶针5的顶端为平面。
[0029]回看图3，工作时，顶针5通过加热器6进行加热，顶针5位于支架7中央，加热器6由一温控组件61进行温度调节使顶针5温度稳定在130±5°C。顶针5通过行程控制装置1运动到芯粒3下方。顶针5与芯粒3下方耐高温膜41面接触，加热100~200毫秒，有机硅压敏胶粘合剂在高温下粘附性下降，芯粒3与耐高温膜41间粘附力下降，同时，如图7所示，吸笔2在机械臂9的作用下，移动至芯粒3上方，通过真空发生器8的吸力抓取芯粒3。
[0030]应该理解的是，本领域技术人员可以修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的特性效果。因此，以上描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制，凡依本发明所做的任何变更，皆属本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种芯粒抓取装置，包括顶针系统和吸笔，所述顶针系统包括一顶针、一支架和一加热器，所述支架上放置有上表面粘附芯粒的胶膜，所述吸笔位于芯粒上方用来抓取芯粒，所述芯粒抓取装置的作用为进行芯粒、胶膜分离，所述胶膜的材料为耐高温膜，所述顶针与加热器连接。2.根据权利要求1所述的一种芯粒抓取装置，其特征在于:所述加热器加热的顶针在工作时，与芯粒下方的胶膜接触，加热以降低胶膜对芯粒的粘附性，通过所述吸笔抓取胶膜上的芯粒。3.根据权利要求1所述的一种芯粒抓取装置，其特征在于:所述胶膜在80~150°C不会被破坏。4.根据权利要求1所述的一种芯粒抓取装置，其特征在于:所述胶膜上表面含有粘剂，所述粘剂在5~35°C温度范围具备粘附性，当粘剂在35~150°C温度范围粘附性下降。5.根据权利要求1所述的一种芯粒抓取装置，其特征在于:所述顶针位于支架中央，顶针顶端为平面。6.根据权利要求1所述的一种芯粒抓取装置，其特征在于:所述支架用来吸附胶膜下表面。7.根据权利要求1所述的一种芯粒抓取装置，其特征在于:所述吸笔和支架分别与真空发生器连接，通过真空发生器提供真空吸力。8.根据权利要求1所述的一种芯粒抓取装置，其特征在于:所述芯粒抓取装置还包括行程控制系统，所述行程控制系统通过影像识别技术控制顶针和吸笔精确移动。9.根据权利要求1所述的一种芯粒抓取装置，其特征在于:所述加热器具有温控功能，工作时控制顶针温度为T土 ΛΤ，其中80°C彡T彡150°C，0°C彡ΛΤ彡5°C。10.一种芯粒抓取方法，包括步骤: (1)提供一顶针系统、一吸笔和行程控制系统，所述顶针系统包括一顶针、一支架和一加热器，所述顶针的顶端为平面，所述支架上放置有耐高温膜，所述耐高温膜上表面粘附有芯粒，所述行程控制系统通过影像识别技术控制顶针和吸笔精确移动； (2)通过加热器对顶针进行加热； (3)支架通过真空吸附固定耐高温膜； (4)顶针通过行程控制系统的控制下，移动到待抓取芯粒的耐高温膜下方，与耐高温膜接触，通过加热降低耐高温膜的粘性； (5)吸笔在行程控制系统的控制下移动至待抓取芯粒上方，此时对待抓取芯粒吸力大于耐高温膜的粘附力，抓取芯粒。11.根据权利要求10所述的一种芯粒抓取方法，其特征在于:所述步骤(2)的顶针加热后温度为T土 ΛΤ，其中80°C彡T彡150°C，0°C彡Λ T彡5°C。
【专利摘要】一种芯粒抓取装置及其抓取方法，用于LED芯粒的分选工艺，采用耐高温膜代替现有普通蓝膜，增加顶针加热器，提供顶针稳定的加热源，结合平面顶端的顶针改变了传统设备和工艺需要刺破蓝膜顶起芯粒的弊端，且可再利用，并保护芯粒表面不被顶针刮伤。
【IPC分类】H05K13/02
【公开号】CN105324022
【申请号】CN201510601848
【发明人】魏家举, 杨硕, 陈春阳, 许原豪, 余力丞, 罗全
【申请人】厦门三安光电有限公司
【公开日】2016年2月10日
【申请日】2015年9月21日