一种液态金属多层电路制作方法及装置的制造方法_3

文档序号:9839758阅读:来源:国知局
件完毕后将整个多层电路基底封装,该多层电路即可正常使用。
[0072]对于方法实施方式,为了简单描述,故将其都表述为一系列的动作组合,但是本领域技术人员应该知悉,本发明实施方式并不受所描述的动作顺序的限制,因为依据本发明实施方式,某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次,本领域技术人员也应该知悉,说明书中所描述的实施方式均属于优选实施方式,所涉及的动作并不一定是本发明实施方式所必须的。
[0073]以下列举一个具体实施例,来详细说明该液态金属多层电路制作方法及装置的具体内容和工作原理。
[0074]本实施例所使用的液态金属多层电路制作装置的印制机构I为电磁驱动式液态金属电路印制机,所使用的液态金属9的材质为镓铟合金,所使用的基底2为聚氯乙烯薄膜,所使用的封装材料10为聚二甲基硅氧烷,配准方式为十字配准。
[0075]本实施例制作的电路为双层电路。将底层电路印制于聚氯乙烯薄膜上,在电路上覆盖聚二甲基硅氧烷,同时利用层厚控制装置,使底层电路被预设厚度的聚二甲基硅氧烷封装,将顶层电路镜像印制于聚氯乙烯薄膜上,按相同方法封装。在固定机构3表面开有若干细小连通孔,通过外界抽气使之产生负压,翻转顶层电路,将两层电路吸附固定于固定机构3上,调整层厚控制装置使得总层厚符合设计要求,调整配准机构5使两层电路对应位置对齐,使用融合机构6融合两层电路之间的聚二甲基硅氧烷材料,使用打孔机构8使层间连接符合设计要求,使用分离装置将封装材料10自基底2外分离,使基底2上的电路直接暴露在外,在电路上直接放置元器件,放置完毕后覆盖一层聚二甲基硅氧烷,利用层厚控制装置控制电路总厚度,封装完毕后即得到符合设计要求的双层电路。
[0076]其工作原理为:在本实施例的液态金属多层电路制作装置中,印制机构I将各层电路印制在基底2上,在层厚控制装置配合下封装各层电路,翻转、配准各层电路后,融合封装材料10并在有层间连接的位置打孔,得到多层电路,分离基底2后放置元件,再封装整个电路,得到包含元件的多层电路。
[0077]综上所述,本实施例的液态金属多层电路制作方法及装置能将电路分层印制和封装,通过配准机构5配准对齐各层电路后,通过融合机构6融合各层电路之间的封装材料10,并按要求通过打孔机构8打孔连接各层电路,避免了直接翻转或堆叠液态金属电路时容易破坏线路的问题,能准确、有效地制作多层液态金属电路,大大提高了液态金属电路的适用范围,有效保证了封装厚度、配准精度、打孔准确度,避免发生电路错位、连接错误或不慎打穿电路等问题。整个方法使用简单,对应装置具有组装方便、成本低廉、无污染等优点。
[0078]本发明的实施例是为了示例和描述起见而给出的,而并不是无遗漏的或者将本发明限于所公开的形式。很多修改和变化对于本领域的普通技术人员而言是显而易见的。选择和描述实施例是为了更好说明本发明的原理和实际应用,并且使本领域的普通技术人员能够理解本发明从而设计适于特定用途的带有各种修改的各种实施例。
【主权项】
1.一种液态金属多层电路制作装置,其特征在于,包括: 多组基底,均用于承载由液态金属印制的电路,多组所述基底分别通过封装材料封装,且相邻的两组所述基底相对设置; 融合机构,设置于相邻两组所述基底之间,用于将相邻两组所述基底之间的封装材料融合; 配准机构,用于为多组所述基底之间的位置配准定位; 打孔机构,用于使相邻两组所述基底的预设位置贯穿连接; 分离机构,用于将所述基底与封装材料分离,以设置元器件。2.根据权利要求1所述的液态金属多层电路制作装置,其特征在于,还包括: 印制机构,用于在所述基底上通过液态金属印制电路; 多组固定机构,分别用于固定多组所述基底; 层厚控制机构,设置于相邻两组所述固定机构之间,用于调整相邻两组所述固定机构的间距。3.根据权利要求2所述的液态金属多层电路制作装置,其特征在于,所述印制机构包括液态金属打印机、液态金属电路手写笔或液态金属电路掩膜喷涂装置; 所述固定机构通过嵌入、压紧、胶黏或负压吸附的方式固定所述基底的边缘或底部; 所述层厚控制机构包括层数可调的多层调控片和/或升降台控制单元。4.根据权利要求1所述的液态金属多层电路制作装置,其特征在于,所述配准机构通过标记配准的方式将多层电路对齐,所述标记包括十字形或米字形。5.根据权利要求1所述的液态金属多层电路制作装置,其特征在于,所述融合机构通过等离子键合或粘合的方式融合两层所述基底之间的封装材料。6.根据权利要求1所述的液态金属多层电路制作装置,其特征在于,所述打孔机构将导电材料贯穿设置于两层所述基底之间的预设厚度的封装材料上,以使两层所述基底上的电路之间连接,所述导电材料包括所述液态金属。7.根据权利要求1-6任一项所述的液态金属多层电路制作装置,其特征在于,所述液态金属的组分包括熔点在200°C以下的低熔点金属单质或金属合金,或者是所述金属单质或金属合金分别与具有导电作用的纳米或微米颗粒的混合物。8.根据权利要求1-6任一项所述的液态金属多层电路制作装置,其特征在于,所述基底包括聚乙烯、聚氯乙烯、聚丙烯、聚酰亚胺、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚醚醚酮、聚甲基丙烯酸甲酯、聚对苯二甲酸乙二酯、环氧树脂或丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物的一种或几种。9.根据权利要求1-6任一项所述的液态金属多层电路制作装置,其特征在于,所述封装材料为聚二甲基硅氧烷、硅胶、乳胶、硫橡胶或聚合物漆的一种或几种。10.—种液态金属多层电路制作方法,其特征在于,是基于如权利要求1-9任一项所述的液态金属多层电路制作装置提出的,该方法包括如下步骤: S1、分别在多层基底上印制底层电路和镜像印制中间层电路,并分别封装印制有所述底层电路和中间层电路的基底; S2、在印制有所述底层电路的基底上相对的固定一层镜像印制有所述中间层电路的基底; S3、通过配准机构配准定位两层分别印制有所述底层电路和中间层电路的基底,以使所述底层电路和中间层电路定位; S4、通过融合机构融合印制有所述底层电路和中间层电路的基底之间的封装材料; S5、通过打孔机构贯穿打通印制有所述底层电路和中间层电路的基底之间的封装材料,以使所述底层电路与中间层电路之间连接; S6、通过分离机构将印制有所述中间层电路的基底与覆盖其外部的封装材料之间分尚,以使印制有所述中间层电路的基底与印制有底层电路的基底组成多层电路基底; S7、以步骤S6中形成的所述多层电路基底为印制有底层电路的基底,返回步骤S2,直至所述多层电路基底拼装完成; S8、所述多层电路基底拼装完成后,将印制有所述底层电路的基底与覆盖其外部的封装材料之间分离; S9、确定拼装完成的所述多层电路基底中的一层为元器件层,在所述元器件层的电路上设置元器件并封装,即得。
【专利摘要】本发明涉及柔性电路制造技术领域,尤其涉及一种液态金属多层电路制作方法及装置。本发明的液态金属多层电路制作方法及装置能将电路分层印制和封装,通过配准机构配准对齐各层电路后,通过融合机构融合各层电路之间的封装材料,并按要求通过打孔机构打孔连接各层电路,避免了直接翻转或堆叠液态金属电路时容易破坏线路的问题,能准确、有效地制作多层液态金属电路,大大提高了液态金属电路的适用范围,有效保证了封装厚度、配准精度、打孔准确度,避免发生电路错位、连接错误或不慎打穿电路等问题。该制作方法使用简单,该制作装置具有组装方便、成本低廉、无污染等优点。
【IPC分类】H05K3/46
【公开号】CN105611753
【申请号】CN201610102450
【发明人】林聚, 于洋, 王倩, 刘静
【申请人】北京梦之墨科技有限公司
【公开日】2016年5月25日
【申请日】2016年2月24日
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