专利名称：组合型内存散热装置的制作方法
技术领域：
本实用新涉及一种电信技术的散热装置，尤指一种附着于内存两侧且具有较 佳散热效能的组合型内存散热装置。
背景技术：
在当前服务器用ra - DI丽(全缓冲内存模组)内存中，在FB- DI丽内存上 增加了一枚体积较大的缓冲芯片，它的名称为"Advanced Memory Buffer (高级 内存缓存，简称AMB)，并在缓冲芯片的两侧排列有数个体积较小的芯片。在内存 工作时，缓冲芯片会释放较大热量，使得该部分的温度达到80-10(TC，周围芯片 的温度也可达到50-7(TC。在这样的温度状况下，必须采用辅助散热方式来帮助内 存散热。
目前市场上的内存散热装置-大都采用一体成型的铝金属片。首先，铝的导热 系数相对较低，不利于整个散热片的热量传递，可供选择的材料还有金属铜，铜 的导热系数比铝大很多，但是铜的价格相对昂贵，不满足经济要求。其次，这种 一体式的散热片，由于加工限制，使得散热片只与缓冲芯片上的DIE接触，大大 减小了换热面积，因此，对于这种具有中央缓冲芯片的内存而言，现有市场上的 散热装置并不能有效降低内存、特别是中央缓冲芯片部位的温度，有待改善。
实用新型内容
本实用新型针对现有技术的不足，提出一种增大中央缓冲芯片区域换热面积 并采用不同材料的组合型内存散热装置，克服背景技术中的不足。
本实用新型是通过以下技术方案实现的，本实用新型所述的组合型内存散热 装置，它夹制于具有中央缓冲芯片的内存两侧，包括一与内存正面相接触的前散 热片、 一与内存背面相接触的后散热片和一嵌套在前散热片内与中央缓冲芯片相
接触的散热块。前散热片上设有一凹槽，散热块嵌入其中，散热块与中央缓冲芯 片紧密接触。
所述散热块上设有两个凹坑，其中一个保证缓冲芯片上突起的DIE(中央芯片)
与散热块接触良好，另一个凹坑用于隔开中央缓冲芯片上外露针脚与散热块。 所述前散热片和后散热片与内存之间粘贴有具有缓冲作用的片状导热胶。 所述散热块和缓冲芯片的接触面上涂有膏状的导热胶。 所述前散热片、后散热片两侧设有安装定位用扣部和扣槽。 所述前散热片、后散热片上方扣入一对夹制散热片的夹持件。 所述散热块采用导热系数高、价格相对昂贵的金属，如铜。 所以前散热片和后散热片采用导热系数和价格相对较低的金属，如铝。 与现有技术相比，本实用新型的优点是本实用新型在一定程度上解决了成 本和效能的矛盾，与中央缓冲芯片接触的铜制散热块，可及时将缓冲芯片产生的 热量向散热片传导，由于该散热块体积较小，并不会对整个散热装置带来较大成 本附加。同时，该铜制散热块表面加工的凹坑，可有效增大温度最高区域的换热 面积。这样，可较大幅度降低中央缓冲芯片的温度，并减少热量向两侧芯片的传 递。另外，本实用新型所述铜制散热块，在成本允许的情况下可增大体积向两侧 延伸，同中央缓冲芯片两侧的芯片进行接触，进一步提高散热能力。
图1代表本实用新型散热装置的分解图。
图2代表本实用新型散热装置中前散热片与散热块的分解图和组合图； 其中2a为分解图，2b为组合图。
图3代表本实用新型散热装置中前散热片、散热块与内存的分解图和组合其中3a为分解图，3b为组合图。
图4代表本实用新型散热装置与内存的组合其中4a为前散热片侧，4b为后散热片侧。
图5代表本实用新型散热装置中散热块的另外实施例；
其中5a和5b分别为不同的散热块结构方案；
图号说明ll前散热片，lll置散热块凹坑，112定位扣部，12后散热片， 121定位扣槽，13内嵌散热块，131置外露针脚凹坑，132置DIE凹坑，14夹持件， 15内存，151中央缓冲芯片，152外露针脚，153 DIE (中央芯片)，161内嵌散 热块替代结构一，162内嵌散热块替代结构二。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的实施例作详细说明本实施例在以本实用新型
技术方案为前提下进行实施，给出了详细的实施方式和具体的操作过程，但本实 用新型的保护范围不限于下述的实施例。
请参见图1至图4，本实用新型的散热装置主要包括了一前散热片11和一后 散热片12，两散热片夹制于内存15的两侧，两散热片与内存之间粘贴有具有缓冲 作用的片状导热胶， 一方面保护芯片，另一方面减少接触热阻，强化传导效果。 前散热片11、后散热片12上方扣入一对夹持件14，将前散热片11、后散热片12 稳固夹制。
所述前散热片11、后散热片12两侧设有扣部112和扣槽121，用于定于和快 速安装。
本实用新型最重要的设计点，请参见图2和图3，在与中央缓冲芯片151接触 的前散热片11中间设有一凹坑，其中嵌套一与中央缓冲芯片151直接接触的散热 块13，散热板13由高导热系数材料加工而成。参见图2，在安装内存15之前， 先将散热块13嵌入前散热片11，在接触面上涂抹膏状的导热胶，减小接触面的接 触热阻，强化传热。散热块13上设有一凹坑，即置DIE凹坑132，保证中央缓冲 芯片151上突起的DIE (中央芯片)153与散热块13接触良好；散热块13上还设 有另一凹坑，即置外露针脚凹坑131，避免中央缓冲芯片151上外露针脚151与金 属散热块13接触。
所述散热块13采用金属铜(导热系数为398W/m. k)，前散热片11和后散热片 12采用金属铝(导热系数为198398W/m.k)。
另外，上述的散热块13还可以采取别的结构形式，如图5所示，其中5a、 5b 分别表示不同的散热块结构，由于内嵌散热块替代结构一161、内嵌散热块替代结 构二 162与散热块13相比长度有不同程度的增加，所以能进一步增强散热装置的 散热效果，但另一方面会增大散热装置的总成本，可在具体应用中加以选择。
综上所述，本实用新型组合型内存散热装置配合服务器用高速计算机需求使 用，有效提高了内存散热效能和稳定性。而依此技术所作的简单等效变化，仍属 本实用新型专利保护范围之中。
权利要求1.一种组合型内存散热装置，它夹置于具有中央缓冲芯片(151)的内存两侧，包括一前散热片(11)、一后散热片(12)和一与内存中央缓冲芯片相接触的散热块(13)，其特征在于在前散热片(11)上设有一凹槽(111)，散热块(13)嵌入其中，散热块(13)与中央缓冲芯片(151)紧密接触。
2. 如权利要求l所述的组合型内存散热装置，其特征是所述散热块(13) 设有置中央芯片凹坑(132)，中央缓冲芯片(151)上的中央芯片(153)与散热 块(13)通过该凹坑(132)接触。
3. 如权利要求1或2所述的组合型内存散热装置，其特征是所述散热块 (13)上设有置外露针脚凹坑(131)，中央缓冲芯片(151)上外露针脚与散热块(13)通过该凹坑(131)隔开。
4. 如权利要求l所述的组合型内存散热装置，其特征是所述散热块(13) 和中央缓冲芯片(151)的接触面以及散热块(13)与前散热片(11)的接触面 上涂有膏状的导热胶。
5. 如权利要求1或2或4所述的组合型内存散热装置，其特征是所述散 热块(13)，其材料为金属铜，导热系数为398W/m. k。
6. 如权利要求1所述的组合型内存散热装置，其特征是:所述前散热片(ll) 和后散热片(12)与内存(15)之间粘贴有片状导热胶。
7. 如权利要求1所述的组合型内存散热装置，其特征是所述前散热片 (11)、后散热片(12)两侧设有安装定位用扣部(112)和扣槽(121)。
8. 如权利要求1所述的组合型内存散热装置，其特征是所述前散热片 (11)、后散热片(12)上方扣入一对夹制散热片的夹持件(14)。
9. 如权利要求1或7或8所述的组合型内存散热装置，其特征是所述前 散热片(11)和后散热片(12)，其材料为金属铝，导热系数为198398W/m. k。
专利摘要本实用新型公开了一种组合型内存散热装置，它夹制于具有中央缓冲芯片的内存两侧，包括一与内存正面相接触的前散热片、一与内存背面相接触的后散热片和一嵌套在前散热片内与中央缓冲芯片相接触的散热块；所述内存散热片的两端设有相对的扣槽和扣部，可快速定位将两散热片安装在内存上；所述内存散热装置还包括一组背夹，自所述两散热片上部扣入。本实用新型使得内存、特别是温度最高的中央缓冲芯片区域的散热和保护效果大幅提高。
文档编号H05K7/20GK201199521SQ20082005817
公开日2009年2月25日 申请日期2008年5月8日 优先权日2008年5月8日
发明者文 王, 邰晓亮, 邵世婷 申请人:力优勤电子技术(上海)有限公司