专利名称：一种多晶硅线痕片的制绒方法
技术领域：
本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种多晶硅线痕片的制绒方法。
背景技术：
在能源与环境日趋紧张的今天，光伏行业得到了飞速的发展。为了节省企业的经济成本，增加企业的经济效益，降低生产成本、提高太阳能电池的效率已经成为众多企业所研究的重点。如图1所示，硅片经常容易出现线痕，线痕是影响硅片表面质量的一个重要因素，硅片质量的好坏直接关系到电池片的制造和加工，早期电池片生产所用到的硅片较厚， 如今在硅片的生产过程中比较容易出现线痕问题，我们可以使用抛光研磨去除硅片线痕， 光伏行业的硅片越来越薄，在原料紧缺的情况下，不可能把原料浪费在研磨损失上，而且增加工艺会增加成本，研磨工艺在太阳能电池行业是不适用的。如图2所示，在现有制绒方法中，电池片生产过程需要利用化学腐蚀制备绒面，线痕是影响硅片表面质量的一个重要因素，线痕的存在还会影响电池片的生产工艺，电池片生产过程需要利用化学腐蚀制备绒面， 线痕可能会影响腐蚀，增加电池片制备的困难并且影响转换效率，同时从组件的角度讲，影响组件外观，长期使用易造成破片或功率衰减，大大降低了产品的使用性，造成资源的浪费，给人们带来不便。发明内容
本发明的目的是提供一种多晶硅线痕片的制绒方法，以克服目前现有方法中存在的资源浪费，经济成本高以及长期使用会造成破片或功率减退等不足。
本发明的目的是通过以下技术方案来实现一种多晶硅线痕片的制绒方法，包括以下步骤(1)在8°C 10°C恒温槽内配制硝酸和氢氟酸的混合溶液，该混合溶液为制绒液；(2)将多晶硅线痕片进行装载，然后在制绒液中制绒清洗，清洗I 3分钟；以及(3)制绒清洗后，将多晶硅线痕片依次进行纯水清洗、碱洗、第二次纯水清洗、去离子清洗以及第三次纯水清洗过程，然后将硅片在温度为40°C的空气下烘干，最后将硅片卸载，得到制续后的娃片。
进一步的，所述步骤(I)中，硝酸的浓度为33% 35%，氢氟酸的浓度为5% 6%。
优选的，所述步骤(3)中，所述碱洗溶液为浓度为8%的氢氧化钠溶液；所述步骤(3)中，所述去离子清洗液为浓度为5%的盐酸溶液。
本发明的有益效果为本发明的工艺过程简单，便于操作，使用抛光和制绒一步处理，大大缩短了制绒反应时间，同时处理后的多晶硅线痕片 表面形成均匀绒面，有效去除了切割所产生的线痕，有利于提高太阳能电池的工作效率，提高了电池的吸光能力，可用于大规模的生产。
下面根据附图对本发明作进一步详细说明。
图1是在显微镜下经放大50倍的多晶硅线痕片形貌图；图2是现有制绒方法处理后，在显微镜下经放大50倍的多晶硅线痕片绒面形貌图；图3是本发明制绒方法处理后，在显微镜下经放大50倍的多晶硅线痕片绒面形貌图。
具体实施方式
本实施所述的一种多晶硅线痕片的制绒方法，包括以下步骤(1)在8°C 10°C恒温槽内配制硝酸和氢氟酸的混合溶液，该混合溶液为制绒液，其中，硝酸的浓度为33% 35%，氢氟酸的浓度为5% 6% ；(2)将多晶硅线痕片进行装载，然后在制绒液中制绒清洗，清洗I 3分钟；以及(3)制绒清洗后，将多晶硅线痕片依次进行纯水清洗、碱洗、第二次纯水清洗、去离子清洗以及第三次纯水清洗过程，然后将硅片在温度为40°C的空气下烘干，最后将硅片卸载，得到制续后的娃片。
所述步骤(I)中，硝酸的浓度为33% 35%，氢氟酸的浓度为5% 6% ;所述步骤(3)中，所述碱洗溶液为浓度为8%的氢氧化钠溶液；所述步骤(3)中，所述去离子清洗液为浓度为5%的盐酸溶液。
使用本发明的制绒方法处理后，如图3所示，硅片表面多晶硅绒面均匀，外观良好，有利于提高太阳能电池的效率，与现有的处理方法相比，本发明在制绒槽中提高了反应溶液中硝酸的浓度，使得硅片表面的线痕很好的抛光，在相同条件下，又获得了 I 3μπι且均匀的绒面，而且腐蚀掉的多晶硅的厚度为6 10 μ m ;另外本发明使用抛光和制绒一步处理，缩短了制绒反应的时间，操作过程简单，不仅节省了资源，而且保证了硅片的使用质量， 给人们带来方便，很具有实用性。
虽然以上仅描述了本发明的具体实施方式
范例，但是本领域的技术人员应当理解，这些仅是举例说明，本发明的保护范围是由所附权利要求书限定的。本领域的技术人员在不背离本发明的原理和实质的前提下，可以对这些实施方式做出多种变更或修改，但这些变更或修改均落入本发明的保护范围。
权利要求
1.ー种多晶硅线痕片的制绒方法，其特征在于，包括以下步骤 (1)在8°C 10°C恒温槽内配制硝酸和氢氟酸的混合溶液，该混合溶液为制绒液； (2)将多晶硅线痕片进行装载，然后在制绒液中制绒清洗，清洗I 3分钟；以及 (3)制绒清洗后，将多晶硅线痕片依次进行纯水清洗、碱洗、第二次纯水清洗、去离子清洗以及第三次纯水清洗过程，然后将硅片在温度为40°C的空气下烘干，最后将硅片卸载，得到制续后的娃片。
2.根据权利要求1所述的ー种多晶硅线痕片的制绒方法，其特征在于所述步骤(I)中，硝酸的浓度为33% 35%，氢氟酸的浓度为5% 6%。
3.根据权利要求1所述的ー种多晶硅线痕片的制绒方法，其特征在于所述步骤(3)中，所述碱洗溶液为浓度为8%的氢氧化钠溶液。
4.根据权利要求1所述的ー种多晶硅线痕片的制绒方法，其特征在于所述步骤(3)中，所述去离子清洗液为浓度为5%的盐酸溶液。
全文摘要
本发明涉及一种多晶硅线痕片的制绒方法，包括以下步骤(1)在8℃～10℃恒温槽内配制硝酸和氢氟酸的混合溶液，该混合溶液为制绒液；(2)将多晶硅线痕片进行装载，然后在制绒液中制绒清洗，清洗1～3分钟；(3)制绒清洗后，将多晶硅线痕片依次进行纯水清洗、碱洗、第二次纯水清洗、去离子清洗以及第三次纯水清洗过程，然后将硅片在温度为40℃的空气下烘干，最后将硅片卸载，得到制绒后的硅片。本发明的有益效果为工艺过程简单，便于操作，使用抛光和制绒一步处理，大大缩短了制绒反应时间，同时处理后的多晶硅线痕片表面形成均匀绒面，有效去除了切割所产生的线痕，有利于提高太阳能电池的工作效率，提高了电池的吸光能力。
文档编号C30B33/10GK103035780SQ20121057667
公开日2013年4月10日 申请日期2012年12月26日 优先权日2012年12月26日
发明者许颖, 武涛, 赵钊, 陈招银, 郑炜 申请人:太阳能光伏北京市工程研究中心有限公司