面能高分子14 ;在该基底层10的一表面涂布一聚酰胺酸溶液；以及加热该聚酰胺酸溶液，以在该基底层上形成一聚酰亚胺层12，其中，该基底层10为可剥离地附着在该聚酰亚胺层12上。详细内容则如下所述。首先制备基底层，将所欲二胺单体及二酐单体置于溶剂中反应形成第一聚酰胺酸溶液，接着添加低表面能的高分子14，混合均匀后，在玻璃或不锈钢平板上涂布成层。接着以约90°C至约350°C的温度烘烤，而形成该基底层10。
[0033]接着，制备聚酰亚胺层12，将所欲二胺单体及二酐单体置于溶剂中反应形成第二聚酰胺酸溶液，其所使用的单体可与基底层10为相同、部分相同、或不同。视需要可添加所欲添加剂，如色料、消光剂等。将第二聚酰胺酸溶液于基底层上涂布成层，以约90°C至约350°C的温度烘烤，而形成聚酰亚胺层12，聚酰亚胺层12的厚度优选为5微米以下，例如:0.1至5微米。
[0034]视需要，可在形成该聚酰亚胺膜(包括该基底层10及该聚酰亚胺层12)后，进一步进行双轴延伸处理，据此可增进该聚酰亚胺膜的强度。由于聚酰亚胺膜厚度越薄则越难以进行双轴延伸处理，因此，已知目前市售的超薄聚酰亚胺膜几乎无法于工艺中进行双轴延伸处理，对于其薄膜强度会造成不利的影响。只是，本发明的聚酰亚胺膜由于直接形成超薄的聚酰亚胺层12于该基底层10上，因此可视需要进行双轴延伸处理，而不会对薄膜造成不利的影响，例如破裂。
[0035]本发明的聚酰亚胺膜可利用热转化或化学转化的方式形成。若采用化学转化的方式，则在涂布步骤前，可将脱水剂及催化剂添加至聚酰胺酸溶液中。前述所使用的溶剂、脱水剂及催化剂均可为本技术领域现有者。该溶剂可为非质子性极性溶剂，例如二甲基乙酰胺(DMAC) ,N, Nr -二甲基甲酰胺(DMF)、N-甲基吡咯啶酮(NMP)、二甲亚砜(DMSO)、四甲基砜、N，N' - 二甲基-N，N'-丙烯基脲(DMPU)等。该脱水剂可为脂肪族酸酐(如醋酸酐及丙酸酐)、芳香族酸酐(如苯酸酐及邻苯二甲酸酐)等。该催化剂可为杂环三级胺(例如甲吡啶(Picoline)、吡啶等)、脂肪族三级胺(例如三乙基胺(TEA)等)、芳香族三级胺(例如二甲苯胺等)等。聚酰胺酸:脱水剂:催化剂的摩尔比为1: 2: 1，即对每摩尔的聚酰胺酸，使用约2摩尔的脱水剂及约I摩尔的催化剂。
[0036]在本发明中，由二胺单体及二酐单体经缩合反应而形成聚酰亚胺，且该二胺与该二酐以约为等摩尔的比例(I: I)进行反应，例如0.9: 1.1、或0.98: 1.02。
[0037]构成该基底层10主结构的聚酰亚胺20及聚酰亚胺层12的聚酰亚胺20并未特别限制。
[0038]在实施例中，该二胺单体可为4，4' - 二胺基二苯醚(4，4' -oxydianiline (4，4 ' -ODA))、对苯二胺(phenylenediamine (p-PDA))、2，2’ -双(三氣甲基)联苯胺(2，2 ' -Bis (trif luoromethyl) benzidine (TFMB) )、1，3-双(4 '-胺基苯氧基)苯(1，3_bis (4-aminophenoxy) benzene (TPER) )、1，4-双(4-胺基苯氧基)苯(1，4_bis (4-aminophenoxy) benzene (TPEQ))、4，4，- 二胺基-2，2，- 二甲基-1，1，-联苯(2，2 ' -dimethyl [1，I ' -biphenyl]-4，4 ' -diamine(m-TB-HG))、1，3-双(3-胺基苯氧基)苯(1，3，-Bis (3-aminophenoxy) benzene (APBN))、3，5_ 二胺基三氣甲苯(3，5-Diaminobenzotrifluoride (DABTF)) ^2,2'-双[4-(4-胺基苯氧基苯基)]丙烧(2，2' -bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl]propane (BAPP))、6_ 胺基-2- (4-胺基苯基)-苯并恶挫(6-amino-2- (4-aminophenyl) benzoxazole (6PB0A))、5_ 胺基-2- (4-胺基苯基)-苯并恶挫(5-amino-2- (4-aminophenyl) benzoxazole (5PB0A))等，可单独使用或组合使用。
[0039]在实施例中，该二酐单体可为3，3、4，4'-联苯四羧酸二酸酐(3，3 '，4，4 ' -biphenyItetracarboxyIic dianhydride (BPDA))、2，2_ 双[4_(3，4_ 二羧基苯氧基)苯基]丙烧二酸酐(2,2-bis[4-(3,4dicarboxyphenoxy)phenyl]propanedianhydride (BPADA))、均苯四甲酸二酸酐(pyromellitic dianhydride (PMDA))、4，4'-(六氣异丙稀)二駄酸酐(2，2' -Bis- (3,4-Dicarboxyphenyl) hexaf Iuoropropanedianhydride (6FDA))、二苯酿四甲酸二酸酐(4，4-0xydiphthalic anhydride (ODPA))、苯酮四竣酸二酸酐(Benzophenonetetracarboxylic dianhydride (BTDA))、3，3 '，4，4' - 二环己基四甲酸二酐(3，3 '，4，4' -dicyclohexyltetracarboxylie aciddianhydride (HBPDA)等，可单独使用或组合使用。
[0040]在一些实施例中，构成基底层10主结构的聚酰亚胺20的单体包括下列成分:二胺可为4，V - 二胺基二苯醚(4，f -0DA)、对苯二胺(p-PDA)、2，2’ -双(三氟甲基)联苯胺(TFMB)，可单独或组合使用；该二酐可为均苯四甲酸二酐(PMDA)、3，3'，4，4'-联苯四羧酸二酐(BPDA)、2，2_双[4-(3，4-二羧基苯氧基)苯基]丙烷二酐(BPADA)，可单独或组合使用。
[0041]在实施例中，聚酰亚胺层12可使用与该基底层10完全相同、部分相同、或不同的单体。在一些实施例中，聚酰亚胺层12所使用的二胺可为4W - 二胺基二苯醚(4，4r -0DA)、对苯二胺(p-PDA)、2，2’ -双(三氟甲基)联苯胺(TFMB)，可单独或组合使用；以及，二酐可为均苯四甲酸二酐(PMDA)、3，3^ ,4,4'-联苯四羧酸二酐(BPDA)、2，2-双[4-(3，4-二羧基苯氧基)苯基]丙烷二酐(BPADA)，可单独或组合使用。
[0042]在另一实施例中，请参阅图3，本发明另提供一保护层24，保护层24为另一附着有基底层10的聚酰亚胺层12，在聚酰亚胺层12的第二表面18涂布胶体26，而将保护层22通过胶体26黏着于具有金属层24的聚酰亚胺层12上，用以保护金属层22，接着，请参阅图4，自聚酰亚胺层12上剥离基底层10，如是，可形成另一具有保护层22的超薄挠性电路板。
[0043]以下以实施例详述本发明。
[0044]实施例
[0045]将52.63克的4，V -ODA与溶剂440克的DMAc置入三颈烧瓶内。于30°C下搅拌至完全溶解后再加入约57.37克的PMDA。其中，单体占反应溶液总重量的20wt%。接着，续持搅拌并于25°C持续反应20个小时，即可获得第一聚酰胺酸溶液。于第一聚酰胺酸溶液中加入100克的PTFE粉末(占PI膜总重量的45wt% )，搅拌均匀后再加入醋酸酐及甲基吡啶作为催化剂(添加比例为聚酰胺酸溶液:醋酸酐:甲基吡啶的摩尔比为约1: 2: 1)，脱泡完涂布于玻璃板上，并放入80°C的烘箱内加热约30分钟，以移除大多数的溶剂。接着，将上述涂布有聚酰胺酸溶液的玻璃板放入170°C的烘箱内，加热约I小时以形成基底层10。
[0046]接着，以类似步骤制备超薄聚酰亚胺板体。以52.63克的4，V -ODA与57.37克的PMDA反应可获得第一聚酰胺酸溶液单体