挠性电路板及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明是关于一种挠性电路板及其制造方法，尤其是超薄挠性电路板及其制造方法。
【背景技术】
[0002]在印刷电路板中，为了保护金属线路，通常会在其上设置聚酰亚胺保护层(coverlay)。随着技术发展及产品需求，印刷电路板的尺寸趋向轻、薄、及多功能化，降低印刷电路板的整体厚度也为业界重要发展目标，其中，聚酰亚胺保护层的薄化已成为印刷电路板整体设计的重要指标之一。
[0003]再者，一般印刷电路板的制作是在聚酰亚胺薄膜上形成电路，而如果聚酰亚胺薄膜的厚度过于轻薄时(厚度低于6微米以下)，在现有技术的工艺能力上并无法达成，以至于印刷电路板的轻薄度受到限制。
[0004]然而，受限于现有聚酰亚胺膜的工艺能力，超薄聚酰亚胺膜确实有开发上的难度。已知目前市售最薄聚酰亚胺膜的厚度可低于10微米；然而，欲以现有的双轴延伸技术制备低于5微米以下的聚酰亚胺膜，几乎是不可能达到的目标。并且，也必须考虑下游应用时的布胶操作性的问题，而此种超薄聚酰亚胺膜出微米以下)作为电路板使用时，超薄的聚酰亚胺膜出微米以下)在现有工艺能力下并无法制作电路，以至于超薄的聚酰亚胺膜无法作为电路板的使用，使电路板无法达到更为轻薄短小的诉求。
[0005]据此，本发明针对超薄的聚酰亚胺膜进行研发，及可使其应用于印刷电路板时，电路可形成于其上，而成为超薄印刷电路板。
【发明内容】
[0006]本发明提供了一种烧性电路板，包括:一聚酰亚胺层，其具有一第一表面及一第二表面；一基底层，其可剥离地附着于该聚酰亚胺层的第一表面，且包括构成该基底层主结构的聚酰亚胺；及一金属层，其形成该聚酰亚胺层的第二表面；将该基底层自该聚酰亚胺板体剥离，而成为超薄印刷电路板。
[0007]本发明还提供一种挠性电路板及其制造方法，包括:一聚酰亚胺层，其具有一第一表面及依第二表面；一基底层，其可剥离地附着于该聚酰亚胺层的第一表面，且包括构成该基底层主结构的聚酰亚胺；一金属层，其形成该聚酰亚胺层的第二表面；一保护层，其包括一聚酰亚胺层及一基底层可剥离地附着于该聚酰亚胺层，该聚酰亚胺层覆盖于该具有金属层的聚酰亚胺层上；将基底层可自该聚酰亚胺层上剥离，而成为超薄印刷电路板。
【附图说明】
[0008]图1为本发明的挠性电路板的制造第一示意图。
[0009]图2为图1的挠性电路板的示意图。
[0010]图3为本发明的挠性电路板的制造第二示意图。[0011 ]图4为图3的挠性电路板的示意图。
[0012]【符号说明】
[0013]10基底层
[0014]12聚酰亚胺层
[0015]14低表面能的高分子
[0016]16第一表面
[0017]18第二表面
[0018]20聚酰亚胺
[0019]22金属层
[0020]24保护层
[0021]26 胶体
【具体实施方式】
[0022]在一实施例中，请参阅图1，本发明的挠性电路板，包括一基底层10及聚酰亚胺层12，基底层10可剥离地附着于聚酰亚胺层12上，本实施例中，一低表面能的高分子14可分布于基底层10或聚酰亚胺层12中，使基底层10可自聚酰亚胺层12剥离，聚酰亚胺板体12设有第一表面16及一第二表面18，基底层10的表面为直接接触并相附着第一表面16上。本实施例中基底层10包括:构成该层主结构的聚酰亚胺20及低表面能的含氟高分子14，且低表面能的含氟高分子14可呈颗粒状并分布于基底层10中，其表面能低于35dyne/Cm。另一实施例中，基底层10或聚酰亚胺层12也可为含硅氧烷，即硅氧烷高分子与聚酰亚胺聚合反应，而使聚酰亚胺层12或基底层10含有硅氧烷，以降低聚酰亚胺层12或基底层10其中之一的其表面能至35dyne/cm以下，使基底层10与聚酰亚胺层12可剥离。
[0023]聚酰亚胺层12具有6微米以下的厚度，优选为5微米以下，例如:0.1至5微米。在实施例中，聚酰亚胺层2的厚度可为0.1、1、2、2.5、3、4、4.5微米、或前述任两点间的数值。
[0024]基底层10的厚度并未特别限制，可采用现有基底层的厚度。在部分实施例中，基底层10的厚度为5至10微米。在部分实施例中，基底层10的厚度可为10微米以上。
[0025]在实施例中，分布于基底层10中的含氟的高分子14可为，举例但非限定，氟烃类(fuorocarbons)。具体而言，含氟的高分子例如包括氟化聚稀(fluorinated polyalkene)、具有氟取代基的聚烧、具有氟取代基的聚烧氧、氯氟经(chlorofIuorocarbons)等。
[0026]在部分实施例中，含氟的高分子为聚氟乙稀(polyvinylf luoride (PVF))、全氟亚乙稀基(polyf luorinated vinylidene (PVDF))的聚合物、聚四氟乙稀(polytetrafluoroethylene(PTFE))、聚全氣乙丙稀(polyfluorinatedethylene propylene (FEP))、全氣聚酿(perfluoropolyether (PEPE))、全氣横酸(PFSA)聚合物、全氟烧氧基(perf luoroalkoxy (PFA))的聚合物、三氟氯乙稀(chlorotrif luoroethylene (CTFE))的聚合物、及乙稀-三氣氯乙稀(ethylenechlorotrifuloroethylene (ECTFE))的聚合物等，可单独使用或组合使用。
[0027]在实施例中，以基底层10的总重量为基础，含氟的高分子比例为45被％至60wt%,例如:46、48、50、55、58wt%，或前述任两点之间的值。在部分实施例中，含氟的高分子的比例可为45至55wt%。在另一部分实施例中，含氟的高分子的比例可为55至60wt %。在另一部分实施例中，含氟的高分子的比例可为47至57wt%。
[0028]所采用的含氟的高分子可为粉状，含氟的高分子具有20微米(μπι)以下的平均粒径，例如，0.5 μ m、I μ m、2.5 μ m、5 μ m、7.5 μ m、10 μ m、12.5 μ m、15 μ m、17.5 μ m、19 μ m、20 μπκ或前述任两点之间的值。在实施例中，含氟的高分子的平均粒径为约5至15 μπι。在一些实施例中，可采用平均粒径为I至10 μ m的含氟的高分子，优选为2至8 μ m。在另一些实施例中，可采用平均粒径为11至20 μπι的含氟的高分子，优选为12至18 μπι。在另一些实施例中，可采用平均粒径为6至15 μπι的含氟的高分子。
[0029]请参阅图2，在本发明中添加低表面能的含氟高分子14于基底层10中，可降低该膜的表面张力，使得该膜表面与其他层结构的附着力随之降低。在实施例中，由于添加该含氟的高分子，基底层10可具有所欲表面张力，使得聚酰亚胺层12能够形成于基底层10的一表面上。另一优点在于，将本发明的聚酰亚胺层12进行后续应用，例如与金属层22贴合以制备挠性电路板时，能够轻易地移除基底层10，例如，可以直接剥离基底层10，并完整保留聚酰亚胺层12附着于金属层(例如铜箔)20上，不会使聚酰亚胺层12破裂或随着基底层10而与铜箔分离。
[0030]在实施例中，基底层10具有水接触角大于40°，例如:50°、60°、75°、90°、120°、150°、180°，或前述任两点之间的值。
[0031]在一实施例中，聚酰亚胺层12与基底层10之间的剥离强度低于0.15kgf/cm，例如:0.14kgf/cm、0.12kgf/cm、0.10kgf/cm、0.05kgf/cm，或前述任两点之间的值。
[0032]在实施例中，本发明的制备步骤可包括:制备一基底层10，其中，该基底层10包括构成该基底层主结构的聚酰亚胺20及分布于其中的低表