专利名称：一种半导体基板清洗装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及半导体基板生产技术领域，具体涉及一种半导体基板清洗装置。
背景技术：
一般半导体基板(如TFT阵列基板)在制作完成后，须分别经过清洗与风干处理， 然后方可进行下一步的工序处理。目前，对半导体基板进行清洗的机器，具有清洗与风干的功能，但是在实际生产过程中，设计人发现这些机器在对半导体基板清洗时，其每个喷头能够清洗的面积较小且清洗不够均勻，从而导致清洗效果不好，严重影响了清洗机的工作效率。
实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题是提供一种半导体基板清洗装置，用以提高半导体基板清洗装置的工作效率。为解决上述技术问题，本实用新型提供方案如下一种半导体基板清洗装置，包括一承载台；设置在所述承载台上方的传送单元、清洗单元和风干单元；所述清洗单元包括流体管道以及与所述流体管道连通的多个喷头；其中，所述喷头包括进水部、出水部和喷头本体，所述出水部包括有出水腔和出水孔，其中，所述出水腔由一圆筒状的桶体和一圆锥面状顶壁构成，所述圆锥面状顶壁的顶点朝向所述桶体的底部并靠近所述出水孔处，所述出水孔设置在所述桶体的底部的中心处。优选地，上述的半导体基板清洗装置中，所述喷头本体中形成有一呈螺旋状的流体通道，所述进水部与所述流体管道连通，所述出水部通过所述流体通道与所述进水部连通。优选地，上述的半导体基板清洗装置中，所述流体管道包括多个相互平行的子管道，所述喷头设置在所述子管道末端，与所述子管道连通。优选地，上述的半导体基板清洗装置中，所述传送单元包括多个被一动力源所带动的传动轮与一传送带，所述传动轮设置于所述承载台上，所述传送带绕设于所述传动轮上。优选地，上述的半导体基板清洗装置中，所述风干单元包括设置在所述承载台上、用于超声汽化半导体基板上的液体的超声汽化装置。优选地，上述的半导体基板清洗装置中，所述风干单元还包括设置所述承载台上方的进气管；以及[0022]与所述进气管连通、用于对所述半导体基板进行风干处理的风刀组。优选地，上述的半导体基板清洗装置中，所述超声汽化装置和所述风刀组沿所述传送单元的传送方向顺序设置。优选地，上述的半导体基板清洗装置中，所述风刀组的出风口的朝向，与所述传送单元的传送方向成一大于90度的角度。优选地，上述的半导体基板清洗装置中，所述风刀组包括安装在所述承载台上、且位于所述半导体基板下方的一个以上的风刀；和/或，安装在所述进气管上、且位于所述半导体基板上方的一个以上的风刀。优选地，上述的半导体基板清洗装置中，所述风刀的进风口的横截面的面积大于所述风刀的出风口的横截面的面积。从以上所述可以看出，本实用新型实施例提供的半导体基板清洗装置，通过特殊的喷头设计，使得喷头在喷射液体时能够喷射均勻且喷射速度能够得以提高，液体在喷出后形成一伞形喷射效果，能够增大单个喷头的清洗面积并提高清洗效果，从而提高清洗效率。并且，本实用新型在风干单元中增加超声汽化装置对半导体基板上的水膜进行超声汽化，然后再由风刀进行风干，能够克服现有技术风干后仍然存在水滴残留等问题，达到更好的风干效果，提高风干效率。
图1为本实用新型实施例提供的半导体基板清洗装置的侧视图；图2为本实用新型实施例中清洗单元的俯视图；图3为本实用新型实施例的喷头的结构示意图；图4为本实用新型实施例的喷头的出水部的分解示意图；图5为本实用新型实施例中喷头可以采用的流体通道的另一种示意图；图6为本实用新型实施例的风刀的结构示意图；图7为本实用新型实施例的喷头的出水部的制造示意图。
具体实施方式
本实用新型提供的半导体基板清洗装置，采用新颖的喷头设计，使清洗更均勻、清洗面积更大，从而提高了清洗的效果和效率。并且，本实用新型还通过在风干单元中增加超声汽化设计，提高了风干效率，保证半导体基板无水滴残留，从而大大提高了半导体基板清洗装置的工作效率。以下将结合附图，通过具体实施例对本实用新型作进一步的说明。请参照图1 4，其中，图1为本实施例所述的半导体基板清洗装置的侧视图，图 2为所述半导体基板清洗装置中清洗单元的俯视图，图3为本实施例的喷头的结构示意图， 图4为本实施例的喷头的出水部的分解示意图。本实施例的半导体基板清洗装置，包括一承载台40和设置在所述承载台40上方的传送单元、清洗单元和风干单元；其中，所述清洗单元包括[0046]设置在所述传送单元上方的流体管道11 ；设置在所述流体管道11上的进水口 12和药液进口 13 ；以及设置在所述流体管道11上的多个喷头14，所述喷头14均与所述流体管道11连通；其中，所述喷头14包括进水部141、出水部142和喷头本体143。所述喷头14的出水部142包括有出水腔1421和出水孔1422，所述出水腔1421由一圆筒状的桶体14211 和一圆锥面状顶壁14213构成。所述圆锥面状顶壁14213的顶点朝向所述桶体14211的底部并靠近所述出水孔1422处，所述出水孔1422设置在所述桶体14211的底部的中心处。图3中，所述喷头本体143中形成有一呈螺旋状的流体通道1431，所述进水部141 与所述流体管道11连通，所述出水部142通过所述流体通道1431与所述进水部141连通。 喷头本体143的制造方式可以参考图7，首先在一圆锥体145的圆锥面上刻蚀出一螺旋状的凹槽14310，然后再将圆锥体145套设于一内表面为圆锥面的结构中，并使该内表面与圆锥体145的圆锥面紧密贴合，从而使得其中的凹槽14310形成所述流体通道1431。图5还给出了本实施例所述喷头中可以采用的流体通道的另一种示意图。图5中的流体通道1431’是沿着圆柱体表面螺旋向下的一个螺线管状式通道，其制造方式可以是 首先，在一个圆柱体的外表面刻蚀出凹槽1431’，然后在将该圆柱体套设于一内表面为圆柱面的结构中，并使该内表面与圆柱体的外表面紧密贴合，从而使得其中的凹槽1431’形成所述流体通道。这里，所述传送单元包括多个被一动力源(图中未示出)所带动的传动轮31与一传送带32，所述传动轮31设置于所述承载台40上，所述传送带32绕设于所述传动轮31 上，半导体基板50通过所述述传送带32被依次送至清洗单元和风干单元。从图2可以看出，本实施例的所述流体管道11包括多个相互平行的子管道111 ； 所述喷头14设置在所述子管道上111，与所述子管道111连通。采用上述喷头14结构后，本实施例在进行半导体基板清洗时，清洗用的水或药液在通过所述流体通道1431进入出水腔1421，在出水腔1421形成如图3所示的旋转涡流， 最后通过出水孔1422喷射至半导体基板50，其喷射均勻且喷射速度也比现有技术明显增加，液体在喷出后形成伞形喷射效果，能够增大单个喷头的清洗面积并提高清洗效果，从而提高清洗效率。本实施例还进一步对现有的风干单元进行了改进，请参照图1所示，本实施例的风干单元包括设置在所述承载台40上、用于超声汽化半导体基板上的液体的超声汽化装置15 ；设置所述承载台40上方的进气管21，所述进气管21上设有高压气体的入口 22 ； 以及与所述进气管21连通、用于对所述半导体基板进行风干处理的风刀组。其中，所述风刀组包括两个以上的风刀，可以安装在承载台40上和/或安装在所述进气管21上。图1中，所述风刀组包括安装在所述承载台40上、且位于所述半导体基板 50下方的风刀25、以及安装在所述进气管21上、且位于所述半导体基板50上方的风刀23 和24。上述风干单元的结构中，所述超声汽化装置15和所述风刀组沿所述传送单元的传送方向顺序设置，即半导体基板在沿传送方向前进时，先经过超声汽化装置15所在的第一位置，再经过风刀组所在的第二位置。这样，可以先由超声汽化装置15对半导体基板上的水膜进行超声汽化，然后再由风刀进行风干，能够克服现有技术风干后仍然存在水滴残留等问题，达到更好的风干效果，提高生产效率。这里，为了获得较佳的超声汽化效果，通常要求超声汽化装置15与半导体基板距离很近，例如，在几厘米范围之内，因此可以将超声汽化装置15设置在承载台40上，在工作时处于半导体基板的下方，以获得与半导体基板之间更近的距离。当然，超声汽化装置15 也可以设置在半导体基板的上方。为实现更好的风干效果，本实施例中，所述风刀组的出风口的朝向，与所述传送单元的传送方向成一大于90度的角度。这样，风刀就可以正对所述半导体基板的来向迎面吹风，提高相对风速，获得更好的风干效果。请参照图6，图6进一步给出了本实施例可以采用的风刀的一种具体结构。所述风刀包括风刀本体232、进风口 231和出风口 233，其中，所述进风口 231与进气管21连通，所述出风口 233朝向下方的传送带，且所述进风口 231的横截面的面积大于所述出风口 233 的横截面的面积，以增加出风口的压力，提高风速，获得更好的风干效果。以下说明本实施例的半导体基板清洗装置的一种应用半导体基板50由传送带32送到清洗单元，药液(或水)经流体管道11供应，经由喷头14喷出，清洗半导体基板50 ；清洗完成后，半导体基板50由传送带32送入风干单元，先由超声汽化装置15对半导体基板50上的水滴或水膜等进行超声汽化，由上下风刀对半导体基板50进行吹干。风干完成后，半导体基板50被送出本半导体基板清洗装置。综上，本实用新型实施例提供的半导体基板清洗装置能够提供清洗效率和风干效率，从而提高生产效率。
权利要求1.一种半导体基板清洗装置，包括 一承载台；设置在所述承载台上方的传送单元、清洗单元和风干单元； 其特征在于，所述清洗单元包括流体管道以及与所述流体管道连通的多个喷头； 其中，所述喷头包括进水部、出水部和喷头本体，所述出水部包括有出水腔和出水孔， 其中，所述出水腔由一圆筒状的桶体和一圆锥面状顶壁构成，所述圆锥面状顶壁的顶点朝向所述桶体的底部并靠近所述出水孔处，所述出水孔设置在所述桶体的底部的中心处。
2.如权利要求1所述的半导体基板清洗装置，其特征在于，所述喷头本体中形成有一呈螺旋状的流体通道，所述进水部与所述流体管道连通，所述出水部通过所述流体通道与所述进水部连通。
3.如权利要求1所述的半导体基板清洗装置，其特征在于， 所述流体管道包括多个相互平行的子管道，所述喷头设置在所述子管道末端，与所述子管道连通。
4.如权利要求1所述的半导体基板清洗装置，其特征在于，所述传送单元包括多个被一动力源所带动的传动轮与一传送带，所述传动轮设置于所述承载台上，所述传送带绕设于所述传动轮上。
5.如权利要求1所述的半导体基板清洗装置，其特征在于， 所述风干单元包括设置在所述承载台上、用于超声汽化半导体基板上的液体的超声汽化装置。
6.如权利要求5所述的半导体基板清洗装置，其特征在于， 所述风干单元还包括设置所述承载台上方的进气管；以及与所述进气管连通、用于对所述半导体基板进行风干处理的风刀组。
7.如权利要求6所述的半导体基板清洗装置，其特征在于，所述超声汽化装置和所述风刀组沿所述传送单元的传送方向顺序设置。
8.如权利要求6所述的半导体基板清洗装置，其特征在于，所述风刀组的出风口的朝向，与所述传送单元的传送方向成一大于90度的角度。
9.如权利要求6至8任一项所述的半导体基板清洗装置，其特征在于， 所述风刀组包括安装在所述承载台上、且位于所述半导体基板下方的一个以上的风刀； 和/或，安装在所述进气管上、且位于所述半导体基板上方的一个以上的风刀。
10.如权利要求9所述的半导体基板清洗装置，其特征在于，所述风刀的进风口的横截面的面积大于所述风刀的出风口的横截面的面积。
专利摘要本实用新型提供一种半导体基板清洗装置，属于半导体基板生产技术领域。本实用新型的半导体基板清洗装置，包括一承载台；设置在所述承载台上方的传送单元、清洗单元和风干单元；所述清洗单元包括流体管道；以及与所述流体管道连通的多个喷头；其中，所述喷头包括进水部、出水部和喷头本体，所述出水部包括有出水腔和出水孔，其中，所述出水腔由一圆筒状的桶体和一圆锥面状顶壁构成，所述圆锥面状顶壁的顶点朝向所述桶体的底部，所述出水孔设置在所述桶体的底部的中心处。本实用新型能够提高半导体基板清洗装置的工作效率。
文档编号B08B3/02GK202277980SQ201120422069
公开日2012年6月20日 申请日期2011年10月28日 优先权日2011年10月28日
发明者王祖强 申请人:京东方科技集团股份有限公司, 成都京东方光电科技有限公司