透明导电膜制造用的氧化物烧结体的制作方法

专利名称：透明导电膜制造用的氧化物烧结体的制作方法
技术领域：
本发明涉及用于制造在平板显示器等中作为电极形成的透明导电膜的氧化物烧结体。此外，本发明涉及将该氧化物烧结体作为溅射靶使用所得的透明导电膜及其制造方法。
背景技术：
ITOdndium Tin Oxide)膜由于低电阻率、高透过率、微细加工容易性等的特征比其它透明导电膜优异，所以在以平板显示器用显示电极为首的宽范围的领域中被使用着。 现在，从能以大面积、均勻性与生产性优良地制作ITO膜的角度考虑，产业上的生产步骤中 ITO膜的成膜方法绝大多数采用以ITO烧结体为靶进行溅射的所谓的溅射成膜法。在利用ITO透明导电膜的平板显示器制造工艺中，常遇到的情况是溅射刚完成后的ITO膜的结晶性为非晶质，在非晶质的状态进行蚀刻等微细加工，通过之后的热退火处理来使得ITO膜结晶。其原因在于，可同时享受以下两个优点ιτο非晶质膜与结晶质膜相比在蚀刻速率上有显著差距，故生产上有利，且ITO结晶膜电阻率低。将ITO靶溅射所得的膜的绝大部分为非晶质，但常常有一部分会结晶。其原因在于，ITO膜的结晶温度在约150°C，膜的绝大部分仅处于低于150°C的温度故呈现非晶质，但通过溅射而飞向基板的粒子当中，有些具有相当高的能量，故会因为到达基板后的能量的授与接收，造成膜的温度为结晶温度以上的高温，从而产生膜结晶的部分。一旦ITO膜的一部分如上述般产生结晶部分，则该部分的蚀刻速度会比非晶质部分低约两位数，而在其后的蚀刻时以蚀刻残渣的形式残留，引起配线短路等问题。为此，作为防止溅射膜的结晶、使得溅射膜全部为非晶质的方法，已知在溅射时对腔室内添加氩气等溅射气体并添加水(H2O)是有效的(参见例如非专利文献1)。但是，尝试以添加水的溅射来得到非晶质膜的方法存在几个问题。首先，溅射膜中常常会产生粒子。粒子会对溅射膜的平坦性、结晶性造成不良影响。再者，由于只要不添加水即不会产生粒子，故粒子产生的问题原因在于添加水。再者，由于溅射腔室内的水分浓度会随着溅射时间的推移而逐渐降低，故即使刚开始为适当的水分浓度，也会逐渐成为不符合适当浓度的浓度，造成溅射膜的一部分结晶。但是，另一方面，若为了确实得到非晶质的溅射膜，而提高所添加的水分浓度，则有下述问题在其后通过退火使膜结晶时的结晶温度会变得非常高，所得的膜的电阻率会变得非常高。S卩，为使溅射膜全部为非晶质而实行添加水的溅射，通常必须掌握、控制腔室内的水浓度，但这非常困难且需要相当程度的工夫与劳力。为了解决上述问题，有人尝试使用一部分非晶质稳定的透明导电材来取代容易制作出结晶性膜的ITO膜。例如，已知有以氧化铟中添加有锌的组成的烧结体作为靶，以该靶进行溅射来得到非晶质膜，但这样所得的溅射膜呈现极度非晶质安定，若未达500°c以上的高温则不结晶。
因此，无法得到通过结晶来相当程度地减低蚀刻速度的工艺上的好处，如果溅射膜的电阻率为约0. 5πιΩ cm，则比结晶的ITO膜高。再者，该膜的可见光平均透过率为约85% 左右，比ITO膜差。作为已公开不添加水、锌而得到非晶质膜的现有技术可列举如下。专利文献1中，记载了“以h的氧化物为主成分的、含有Ge的透明导电膜或含有 Ge与Sn的透明导电膜为非晶质膜，从而蚀刻容易且加工性优异”(参见W015]段)。这是由于“在某特定成膜条件下，Ge的添加对于^i2O3膜的非晶质化有效，且不会损及膜的电阻率以及透过率”(参见W021]段)，其成膜条件是“将成膜温度设定在100 30(TC、将Ge 的添加量相对于Ge量与h量的合计设定在2 12原子％、将氧分压设定在0. 02mTorr以上来进行成膜”(参见W029]段)。此外，也记载了 “此时，若成膜温度小于100°C、Ge添加量小于2原子％，则通过Ge载流子电子释放所能达成的电阻率降低不充分，电阻率超过 0. 01 QcmJ (参见
段)。不过，专利文献1所记载的发明仅止于获得非晶质膜，而未考虑到使所得的非晶质膜结晶。在专利文献2中，记载了“以氧化铟为主成分且含有钨、硅、锗的1种以上的透明导电性薄膜，可稳定获得表面平滑性优异的非晶质结构的膜，若将该非晶质膜加热来结晶，则可在维持其表面平滑性的前提下得到9. OX 10_4Ω -cm以下的低比电阻，且具有高可见光透过率。」(参见W024]段)，其显示了通过对氧化铟或掺杂有锡的氧化铟添加选自钨、硅、锗中的至少1种作为第1添加元素，可将膜非晶质化来实现膜的平坦性。第1添加元素的含量相对于铟与第1添加元素的合计量设定为0.2 15原子％。此外，非晶质的透明导电性薄膜通过在结晶温度以上进行加热处理，可在维持优异表面平滑性的前提下进行结晶，同时可降低比电阻。但是，该专利文献虽记载了在制作非晶质膜后进行结晶，但具体仅公开了添加钨的例子，并无单独添加其它元素的例子。因此，锗等其它元素是否与钨具有同样的效果不明。再者，在实施例中，用于结晶的热处理温度为300°C到450°C的高温。除此以外，还有对溅射靶添加各种元素来谋求特性改善的技术。在专利文献3中，公开了以提供电阻率为0. 8 IOX 10_3Ω cm左右的高电阻透明导电膜用氧化铟系溅射靶为课题，示出了在氧化铟或掺杂有锡的氧化铟中含有绝缘性氧化物的靶，作为绝缘性氧化物的1个例子举出了氧化锰。但是，在专利文献3中并未记载用于得到低电阻导电膜的溅射靶。在专利文献4中，公开了在包含氧化铟与氧化锡的烧结体中，认为含锰的烧结体可达成极高的烧结密度，因此在氧化铟或掺杂有锡的氧化铟中添加锰的靶。其记载了进行调整使锰在最终所得的ITO烧结体中的含量为5 5000ppm。锰的含量优选为10 500ppm， 即便在具体例中最多也仅添加了 500ppm。在专利文献5中，公开了通过在氧化铟中加氧化锰，可降低透明导电膜的电阻率。 通过将氧化锰的添加量控制在2 15m0l%，比电阻会达到2X 10_4Ω cm以下是优选的。在专利文献6中，记载了一种透明导电膜，其特征在于以氧化铟与氧化锡作为主成分，并含有选自镁与镍中的至少一种金属氧化物。由此，膜变得致密，且电子迁移率提高为1. 5X IOcm2 · S"1 · V"1左右。此外，也记载了通过适当控制镁或镍的添加比例，可改善耐湿性与耐紫外线性。并记载了镁化合物或镍化合物相对于铟化合物的配合比例，换算为铟与镁或镍(M)并以式M/(M+In)表示时为0.05以下为宜。在专利文献7中，公开了在氧化铟中添加氧化镍可降低透明导电膜的电阻率。氧化镍的添加量控制在2 25mol%时，比电阻达到2X10_4Qcm以下是优选的。在专利文献8中，公开了氧化铟中含有三价阳离子的膜，作为其一例举出了铝。由此，可得到电阻更低、蚀刻特性获改善了的透明导电膜。现有技术文献
专利文献
专利文献1日本特许第3780100号
专利文献2日本特开2004-241296
专利文献3日本特开2003-105532
专利文献4日本特许第3496239号
专利文献5日本特开平3-78907号
专利文献6日本特开平7-161235号
专利文献7日本特开平3-71510号
专利文献8日本特开平8-199343号
非专利文献
非专利文献 IThin Solid Films 445 (2003)p23
发明内容
发明所要解决的问题上述任一现有技术都没有公开可在基板不加热状态下溅射时无须添加水便能进行成膜、通过低温退火容易结晶、且结晶后可显现充分低电阻率的非晶质透明导电膜。再者，也没有公开适合制造这种非晶质透明导电膜的溅射靶。若能得到这种非晶质透明导电膜，则产业利用性高，在经济上也有利。因此，本发明的主要课题之一在于提供可制造上述非晶质透明导电膜的溅射靶。 本发明的另一主要课题在于提供这种非晶质透明导电膜。用于解决课题的手段本发明人对向ITO中添加有各种元素的氧化物烧结体进行了努力研究，结果发现将适当选择掺杂剂种类以及比例的氧化物烧结体用作溅射靶，可获得可于低温下容易结晶、且结晶后电阻显著降低的透明非晶质导电膜。以该知识为基础所完成的本发明可特定如下。1)氧化物烧结体，其以氧化铟为主成分，并含有锡作为第一添加元素，含有选自锗、镍、锰和铝中的1种以上作为第二添加元素，第一添加元素锡的含量相对于铟与锡的合计量为2 15原子％，第二添加元素的总含量相对于铟、锡和第二添加元素的合计量为 0. 1 2原子％。2)氧化物烧结体，其以氧化铟为主成分，并含有锡作为第一添加元素，含有选自锗、镍、锰和铝中的1种以上作为第二添加元素，含有选自镁和钙中的1种以上作为第三添加元素，第一添加元素锡的含量相对于铟与锡的合计量为2 15原子％，第二添加元素与第三元素的总含量相对于铟、锡、第二添加元素和第三添加元素的合计量为0. 1 2原子％。3)非晶质膜的制造方法，其特征在于，使用上述1)或2)所述的氧化物烧结体作为溅射靶来进行溅射。4)非晶质膜，其具有与上述1)或2)所述的氧化物烧结体相同的组成。5)结晶质膜的制造方法，其特征在于，将上述4)所述的非晶质膜在160 250°C 的温度进行退火，使非晶质膜结晶。6)结晶质膜，其具有与上述1)或2)所述的氧化物烧结体相同的组成。7)如上述6)的结晶质膜，其电阻率小于4. 5 X 10_4 Ω cm。本发明的第一特征在于所添加的锗等添加元素具有通过将ITO的网络结构连接切断的效果，来防止结晶。此外，若仅以妨碍ITO膜的结晶为目的，则将添加浓度提高得非常高，即可达成。但是，此种情况下，将无法发挥本发明的第二特征即成膜后通过低温退火使膜结晶，结晶后的膜的电阻率低的特征。其原因在于，若提高添加元素浓度，不但结晶温度上升， 同时结晶后的膜电阻率也变高。S卩，本发明的技术贡献不仅在于成膜时的溅射膜的非晶质化，还在于以其后的低温退火达成膜的结晶与低电阻率化两者。发明效果根据本发明，将在ITO中添加有适当浓度的锗等添加元素的氧化物烧结体作为溅射靶来使用，通过以规定条件进行溅射成膜，可得到膜整体为非晶质的膜。而且，该膜进行后续的蚀刻不会有蚀刻残渣产生的问题，与结晶质的ITO膜相比，蚀刻速率可快两位数，而可享受ITO的非晶质膜所具有的优点。进而，有成膜后通过低温退火使膜结晶，可得到低电阻率的结晶质膜的优点。
具体实施例方式氧化物烧结体与透明导电膜的组成作为第一添加元素的锡若添加至氧化铟中，则起到η型施主的作用，而具有降低电阻率的效果，市售的ITO靶等通常锡(Sn)浓度相对于铟与锡的合计量为约10原子％。若锡浓度过低，电子供给量会变少，另外，若相反地过多会成为电子散射杂质，不论是何种情况，通过溅射所得的膜的电阻率都会变高。因此，以ITO而言适当的锡浓度范围是锡相对于铟与锡的合计量为2 15原子％、优选为8 12原子％。作为第二添加元素的锗、锰、镍以及铝若添加至ITO中，具有妨碍膜的结晶、使膜非晶质化的效果。这些可单独添加也可添加2种以上。其中，若第二添加元素的总含量相对于铟、锡和第二添加元素的合计量过少，则几乎没有使膜非晶质化的效果，溅射所得的膜会一部分结晶。相反地，若第二添加元素的总含量相对于铟、锡和第二添加元素的合计量过多，为使得经溅射所得的非晶质膜结晶所需要的退火温度将为超过250°C的高温，因这种工艺实施需要相当的成本、工夫与时间，在生产上并不适当。再者，若第二添加元素的浓度过高，即使在高温退火使膜结晶，所得的膜的电阻率也会变高，从透明导电膜的导电性的角度考虑为严重的缺点。
因此，第二添加元素的总含量相对于铟、锡和第二添加元素的合计量设定为 0. 1 2原子％、优选设定为0. 5 1原子％。第二添加元素中优选锗。其理由在于，锗与其它的第二添加元素相比降低结晶温度的效果高，且降低结晶后的膜的电阻的效果也高。作为第三添加元素的镁与钙，也和第二添加元素同样有助于膜的非晶质化，所以可和第二添加元素一起添加于ITO中。这些元素可单独添加也可并用添加。此时，若第二添加元素与第三添加元素的总含量相对于铟、锡、第二添加元素和第三添加元素的合计量过少，则非晶质化的效果并不充分，结晶温度也低，溅射膜的一部分包含结晶部分，有在蚀刻时以蚀刻残渣的形式残留的不良情况。相反地，若第二添加元素与第三添加元素的总含量相对于铟、锡、第二添加元素和第三添加元素的合计量过多，则有非晶质化的效果变得过强，为了结晶需要高温，且结晶后的膜电阻也增加的不良情况。因此，第二添加元素与第三添加元素的总含量相对于铟、锡、第二添加元素和第三添加元素的合计量设定为0. 1 2原子％，优选设定为0. 3 1原子％。此外，也可在不损及本发明的目的的范围，在本发明的氧化物烧结体或透明导电性薄膜中含有上述添加元素以外的元素，例如Ag、Cu、Au、Pt、Pd、Ir、Re、Os、Ru、Ti、Mo、Hf、 Ce等杂质元素。氧化物饶结体的制造方法以下对本发明的氧化物烧结体的合适制造方法进行说明。为了制造本发明的氧化物烧结体，首先，将原料的氧化铟粉末、氧化锡粉末、第二添加元素的氧化物粉末以及视情况添加的第三添加元素的氧化物粉末以规定的比例秤量、 混合。若混合不充分，在所制造的靶中因为第二添加元素、第三添加元素的偏析而出现高电阻率区域与低电阻率区域，在溅射成膜时容易因为高电阻率区域的带电而发生电弧等异常放电。在原料方面虽也可使用氧化物形态以外之物，从使用的观点优选氧化物。因此，混合使用高速混合机，以每分钟2000 4000转程度的高速旋转进行约2 5分钟左右的充分混合。又，由于原料粉为氧化物所以气氛气体并无须特别考虑防止原料氧化等，所以即使是大气也无妨。又，在该阶段于大气气氛中，加入保持于1250 1350°C下4 6小时的预烧步骤， 来事先促进原料间的固溶也是有效的。另外，也可将氧化铟和第二添加元素和/或第三添加元素的氧化物或者氧化锡和第二添加元素和/或第三添加元素的氧化物以混合粉的形式进行预烧。接着，进行混合粉的微粉碎。这是为了使原料粉在靶中均勻分散，因为若存在粒径大的原料粉，会因部位的不同而出现组成不均；特别是，由于氧化锗为绝缘性的，会成为溅射成膜时异常放电的原因。此外，也会使第二添加元素所产生的防止结晶效果产生差异，而成为ITO中第二添加元素浓度低的区域发生结晶的原因。因此，微粉碎以使得原料粉的粒径以平均粒径(D50)计为Iym以下、优选为 0. 6μπι以下的方式进行为佳。实际上，向混合粉加水，制成固形物为40 60重量％的浆料，用直径为Imm的氧化锆珠进行1. 5 3. 0小时左右的微粉碎。接着，进行混合粉的造粒。其目的在于提高原料粉的流动性，使得加压成型时的填充状况充分良好。起粘合剂作用的PVA (聚乙烯醇)以相对于每Ikg浆料为100 200cc的比例混合，并以造粒机入口温度200 250°C、出口温度100 150°C、圆盘转速8000 IOOOOrpm的条件进行造粒。接着，进行加压成型。将造粒粉填充于规定尺寸的模具中，以面压力700 900kgf/cm2得到成型体。若面压力为700kgf/cm2以下，则无法得到足够密度的成型体，另外也无需使面压力为900kgf/cm2以上，这会浪费成本、能源，在生产上不优选。最后进行烧结。烧结温度为1450 1600°C，保持时间为4 10小时，升温速度为 4 6°C /分钟，降温以炉冷来进行。若烧结温度低于1450°C，则烧结体的密度无法充分提高，若超过1600°C会导致炉加热器寿命减损。若保持时间低于4小时，则原料粉间的反应无法充分进行，烧结体的密度无法充分提高，若烧结时间超过10小时，则由于反应充分进行， 这会造成不必要的能源与时间耗费，在生产上不优选。升温速度若低于4°C /分钟，则在到达规定温度之前会耗费不必要的时间，若升温速度高于6°C /分钟，则炉内的温度分布无法均勻上升，会产生温度不均。以此方式所得的烧结体的密度以相对密度计为98 100%，例如约99. 9%，体电阻为0. 1 3. OmQcm,例如为约0. 13m Ω cm左右。毈射靶的制造方法以下对溅射靶的制造方法进行说明。可通过对以上述制造条件所得的氧化物烧结体的外围进行外圆磨削、对其表面侧进行平面磨削，来加工成厚度为4 6mm左右、直径与溅射装置相适应的尺寸，并以铟系合金等作为接合金属来贴合至铜制支持板，得到溅射靶。以下对溅射成膜方法进行说明。本发明的透明导电膜可如下得到使用本发明的溅射靶，将氩气气压设定为 0. 4 0. 8Pa，将靶与基板的间隔设定为50 110mm，以玻璃等作为基板，在不加热的状态下，例如对靶尺寸为8英寸的情形以溅射功率200 900W进行溅射成膜。溅射方式优选直流磁控溅射。若基板间隔少于50mm，则到达基板的靶构成元素的粒子的动能过大，对基板所造成的损害大，膜电阻率会增加，同时膜有部分结晶的可能性。另一方面，若靶与基板的间隔比IlOmm长，则到达基板的靶构成元素的粒子的动能过小，无法形成致密的膜，电阻率会变高。氩气气压、溅射功率的适当范围也基于同样的理由采用如上公开的范围。此外，即便是基板温度，若进行加热则膜容易结晶。因此，通过适当选择这些溅射条件，可使所得的膜为非晶质的。膜的特性评价方法以下对膜的特性评价方法进行说明。以上述方式所得的透明导电膜的结晶性的判定，能以下述方式来确认对膜的X 射线衍射测定(XRD测定)是否会出现显示结晶性膜的峰、以及以草酸对膜的蚀刻是否会产生显示结晶性膜的蚀刻残渣。即，当通过X射线衍射测定未出现起因于ITO结晶的特有峰、 不存在蚀刻残渣时，可判定该膜为无定形。利用草酸对膜的蚀刻方法，可采用例如将草酸二水合物(COOH)2 ·2Η20与纯水以草酸纯水=5 95的重量比率混合所得的液体作为蚀刻液，置入液温保持在40°C的恒温槽中，并搅拌带有膜的基板来进行。
此外，膜的电阻率可通过霍尔测定来求出。膜的退火方法以下对膜的退火方法进行说明。为了使得以上述方式所得的非晶质膜结晶，可于例如氮气气氛中，以比非晶质膜的结晶温度高的温度即160 250°C (随添加元素的种类会有若干差异)进行30 60分钟的退火。优选的非晶质膜可于200°C以下结晶。膜结晶可从XRD测定的峰强度变得极强、 或是草酸对膜进行蚀刻时蚀刻速度比非晶质膜低约2位数来确认。此外，结晶的膜，可充分利用锡达成电子释放效果，且可增加载流子浓度与迁移率两者，虽随添加元素浓度而有若干差异，可实现小于4. 5X 10_4Ω cm、优选可实现 4. 0X10_4Qcm以下的、更优选可实现3. 5X IO"4 Ω cm以下的低电阻率。(实施例)以下通过实施例对本发明进行更详细的说明，但本发明不限定于此。S卩，在本申请发明的技术思想范围内的变更或其它实施方式全部包含于本发明中。(实施例1)将原料的氧化铟(In2O3)粉末、氧化锡(SnO2)粉末与氧化锗(GeO2)粉末以原子数比化Sn Ge = 89. 91 9. 99 0. 1的方式秤量，在大气气氛中通过高速混合机以每分钟3000转来进行3分钟的混合。接着，向混合粉加水而制成固形物为50%的浆料，用直径Imm的氧化锆珠进行2小时的微粉碎，使得混合后的平均粒径(D50)为0.6μπι以下。然后，将PVA(聚乙烯醇)以相对于每Ikg浆料为125cc的比例混合，并以造粒机入口温度220°C、出口温度120°C、圆盘转速9000rpm的条件进行造粒。进一步地，向可形成8英寸靶直径的规定尺寸的模具填充造粒粉，以面压力 780kgf/cm2进行加压得到成型体。并进行下述烧结将成型体以升温速度5°C /分钟升温至1540°C，在1540°C保持5小时后，降温通过炉冷进行。对以上述条件所得的氧化物烧结体的外周进行外圆磨削、对其表面侧进行平面磨削，做成厚度5mm左右、直径8英寸，并以铟作为接合金属来贴合至铜制支持板，得到溅射靶。将上述溅射靶安装于canon-anelva公司制造的型号SPF-313H的溅射装置，将氩气气压设定于0. 5Pa、靶与基板的间隔设定为80mm、以无碱玻璃作为基板，在基板不加热的状态下，将溅射功率设定为785W，以成膜时间22秒进行直流磁控溅射成膜，得到膜厚约 550人的透明膜。对上述膜进行XRD测定，结果未发现显示结晶性的峰，故膜为非晶质的。此外，将以草酸纯水=5 95的重量比率混合所得的液体作为蚀刻液，对膜进行蚀刻，结果未发现蚀刻残渣。将上述非晶质膜在氮气气氛中、130 250°C的各温度、以10°C间隔进行60分钟退火，并对退火后的膜进行XRD测定与电阻率测定。XRD测定结果，峰强度逐渐变大，自某温度起峰强度急速变大，之后稳定。此外，膜的电阻率伴随退火温度的增加而逐渐降低，自某温度起膜电阻率急速变小，之后稳定。退火前后膜均维持透明性。此两者的温度大致一致，将在峰强度与电阻率急速变化后开始稳定的温度视为膜的结晶温度。
该膜的结晶温度为170°C，结晶后的膜电阻率为0.25mQcm。这些结果示于表1。 此外，在波长550nm下的透过率为90 %。[表1]
比例(原子%)电阻率 CmQ cm)温
权利要求
1.氧化物烧结体，其以氧化铟为主成分，含有锡作为第一添加元素，并含有选自锗、镍、 锰和铝中的1种以上作为第二添加元素，第一添加元素锡的含量相对于铟和锡的合计量为 2 15原子％，第二添加元素的总含量相对于铟、锡和第二添加元素的合计量为0. 1 2原子％。
2.氧化物烧结体，其以氧化铟为主成分，含有锡作为第一添加元素，含有选自锗、镍、锰和铝中的1种以上作为第二添加元素，并含有选自镁和钙中的1种以上作为第三添加元素， 第一添加元素锡的含量相对于铟与锡的合计量为2 15原子％，第二添加元素与第三元素的总含量相对于铟、锡、第二添加元素和第三添加元素的合计量为0. 1 2原子％。
3.非晶质膜的制造方法，其使用权利要求1或2所述的氧化物烧结体作为溅射靶来进行溅射。
4.非晶质膜，其具有与权利要求1或2所述的氧化物烧结体相同的组成。
5.结晶质膜的制造方法，其将权利要求4所述的非晶质膜在160 250°C的温度进行退火，使非晶质膜结晶。
6.结晶质膜，其具有与权利要求1或2所述的氧化物烧结体相同的组成。
7.如权利要求6所述的结晶质膜，其电阻率小于4.5 X ΙΟ"4 Ω cm。
全文摘要
本发明提供一种溅射靶，可适用于在基板不加热状态下溅射时无须添加水便能进行成膜、通过低温退火容易结晶、且结晶后可显现低电阻率的非晶质透明导电膜的制造。本发明的氧化物烧结体以氧化铟为主成分，并含有锡作为第一添加元素，含有选自锗、镍、锰和铝中的1种以上作为第二添加元素，第一添加元素锡的含量相对于铟与锡的合计量为2～15原子％，第二添加元素的总含量相对于铟、锡和第二添加元素的合计量为0.1～2原子％。
文档编号C04B35/00GK102171160SQ20098013765
公开日2011年8月31日 申请日期2009年9月18日 优先权日2008年9月25日
发明者生泽正克, 矢作政隆 申请人:Jx日矿日石金属株式会社