加宽型自支撑硅氧碳薄膜制备装置及制备方法
【专利摘要】加宽型自支撑硅氧碳薄膜制备装置及制备方法，涉及硅氧碳薄膜。制备装置设有支撑系统、纺膜系统、滚压成型系统和加热系统；支撑系统为纺膜系统和滚压成型系统提供支架和底座；纺膜系统设有顶杆、喷膜料筒和喷模板；滚压成型系统设有横向加宽器、纵向加宽器和卷绕器；加热系统设有出膜板、加热体、保温体、炉壁、玻璃窗、耐热手套、蝴蝶夹、把手、热电偶和控温器。以聚碳硅烷为先驱体，在惰性气体氛围中，先进行脱泡和熔融处理，再将得到的熔融聚碳硅烷从出膜口引入挤压成型装置，在惰性气氛保护及较高温度的环境中，经过多次滚筒滚压，获得具有较大宽度的聚碳硅烷原膜，原膜经氧化交联和高温裂解烧结，即得加宽型自支撑硅氧碳薄膜。
【专利说明】加宽型自支撑硅氧碳薄膜制备装置及制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种硅氧碳薄膜，尤其是涉及一种加宽型自支撑硅氧碳薄膜制备装置及制备方法。
【背景技术】
[0002]近年来，微电子作为新兴技术，凭借其强大的生命力而取得了日新月异的发展，由此带动了一大批新型材料的研宄与改良。其中，碳化硅(Sic)材料作为一种宽带隙的半导体材料，一直以来受到众多研宄者们的青睐。碳化硅材料具有击穿电场高、热导率大、介电常数小、电子迀移率高、热膨胀系数低、抗辐射能力强及化学稳定性好等优异的物理化学特性，在微机电系统、功率器件、发光二极管(LED)等领域中发挥重要作用。碳化硅薄膜机械强度高，却也存在着韧性差、延展性不好、制备困难等缺点。
[0003]目前制备碳化硅薄膜的主要方法有:物理气相沉积法(PVD)、化学气相沉积法(CVD)、电子回旋共振法(ECR)、液相外延法(LPE)、磁控溅射法(RMS)及分子束外延法(MBE)等。中国专利ZL 2014102738299公布了一种半导体材料碳化硅薄膜的制备工艺，其主要思路为先用Si颗粒对石墨片进行蒸镀，冷却后对石墨片进行磁控溅射，靶材为碳，溅射气体为Ar气，最后退火形成半导体碳化硅多晶薄膜。该方法解决了传统硅衬底与碳化硅之间存在较大的晶格失配和热膨胀失配的问题，但由于溅射过程中各个工艺参量无法精确控制，成膜的质量很难保证，且磁控溅射的成本较高；中国专利ZL 2014103175597提供了一种立方碳化硅薄膜的制备方法，利用单晶硅基板在真空条件下进行化学气相沉积，载流气为HMDS (六甲基二硅胺)，并加连续激光照射。该方法制备的立方碳化硅薄膜中相邻缺陷相遇时能够发生“自消亡”现象，从而有效降低了材料中的晶体缺陷率。但由于立方碳化硅薄膜为单晶膜，无法避免薄膜匹配性差、难以编织的问题，且成膜要求的环境比较严格，同时HMDS为有害气体。
[0004]先驱体转化法是陶瓷材料制备领域的一次重大变革，它以有机金属聚合物作为先驱体，经过不熔化处理和高温裂解，使之变成无机陶瓷材料。 申请人:在中国专利ZL2008100705331中公开将先驱体转化法与熔融纺膜法相结合制备连续SiC薄膜，它利用一种特殊的碳化硅薄膜成型装置，可制备得到薄膜厚度更小、表面更平整、致密均匀、连续的碳化硅薄膜，且该技术成产工艺简单、成本低。但利用该装置所制备的碳化硅薄膜宽度比较局限。此外，针对先驱体转化法的改进技术也层出不穷，例如，通过对先驱体进行改良和高聚物掺杂，可得到光学性质、电学性质等性质更加优异的碳化硅薄膜。由于在后续的氧化交联不熔化处理过程中引入氧，氧原子以一定配位数与硅、碳结合，薄膜最终形成碳化硅纳米晶体弥散在无定形硅氧碳及游离碳基体中的稳定结构，故以下将熔融纺膜法得到的碳化硅薄膜称为硅氧碳薄膜。
[0005]长期以来，利用先驱体转化法制备的硅氧碳薄膜都仅局限于细长纤维状或长径比较大的薄膜状，无法制备出可应用于大规模产业化生产的、具有较大宽度的硅氧碳薄膜材料。 申请人:在中国专利ZL 2008100705331中所提供的碳化硅薄膜成形装置能够制备长度逾百米的硅氧碳薄膜，但是宽度却仅为毫米级。原因是，直接利用先驱体转化法的实验装置进行纺膜时，若将喷丝孔的宽度增加，拉出的自由原膜会呈自然卷曲状，无法得到平整的表面，并且宽度越大，卷曲程度越明显。要获得加宽型的硅氧碳薄膜，就要结合其他制膜工艺，对硅氧碳薄膜成膜装置进行改进。
[0006]脆性物料纺膜工艺是先驱体转化法的关键技术之一，碳化硅薄膜弹性模量小、脆性大，因此，适用于高强度、高延展性的聚合物材料的制膜工艺根本无法在此使用。根据硅氧碳薄膜的结构特性，可借鉴陶瓷材料的成型方法，如:挤压成型、旋压成型、滚压成型、压制成型等。滚压成型与传统的磨削、切削工艺相比，它具有生产效率高、适合加工高强度工件等特点。滚压成型的加工原理为:利用若干对滚压头绕定轴旋转，将投放于滚压头间隙中的原料压制成片状或膜状，薄膜成型的厚度与表面粗糙度、滚压头之间的距离和滚压头本身的材料所决定。
[0007]目前国内还未见有将先驱体转化法、熔融纺膜法和滚压成型法相结合的制备加宽型自支撑连续硅氧碳薄膜的技术先例。
【发明内容】
[0008]本发明的目的旨在针对现有的制备硅氧碳薄膜成型装置的局限性，即无法制备出具有较大宽度的连续自支撑硅氧碳薄膜，提供一种加宽型自支撑硅氧碳薄膜制备装置。
[0009]本发明的另一目的旨在提供一种加宽型自支撑硅氧碳薄膜的制备方法。
[0010]所述加宽型自支撑硅氧碳薄膜制备装置设有支撑系统、纺膜系统、滚压成型系统和加热系统；支撑系统为纺膜系统和滚压成型系统提供支架和底座，支撑系统顶部固定有电机，电机上连有齿轮和丝杆，通过丝杆向下运动，可推动纺膜系统中的顶杆向下运动?’纺膜系统采用熔融纺膜法初步纺出具有一定厚度和宽度的硅氧碳薄膜，它主要包括顶杆、喷膜料筒和喷模板，顶杆上端与支撑系统中的丝杆相连，下端伸入喷膜料筒内，喷膜料筒底部设有喷膜板，并且喷模板上具有喷膜口；在喷膜口两侧固定有左右夹板，用于调控喷膜口的宽度；滚压成型系统包括横向加宽器、纵向加宽器和卷绕器；横向加宽器包括电机、变频器、齿轮、金属链条、滚筒、中心轴、螺帽、水平丝杆和竖直固定杆，每个滚筒的中心轴都固定在各自的水平丝杆上，所有水平丝杆末端固定于竖直固定杆，三个滚筒在竖直方向上垂直排列；中心轴两侧各有一个螺帽，可左右调节中心轴水平位置；齿轮与滚筒通过金属链条连接起来保持联动，且齿轮轴通过炉体壁上的耐热套环穿出炉壁与电机相连；纵向加宽器包括电机、变频器、齿轮、金属链条、滚筒、中心轴、螺帽、水平丝杆和竖直固定杆，滚筒分为两列，横向上并排的两个滚筒固定在同一条水平丝杆上，分别由转向相反的链条驱动，纵向上每列滚筒的转向一致；所有水平丝杆末端固定于竖直固定杆；卷绕器包括卷筒、电机、变频器、齿轮、金属链条、中心轴、螺帽、水平丝杆和竖直固定杆，电机通过齿轮带动卷筒转动，从而收集已成型的硅氧碳薄膜；加热系统包括出膜板、加热体、保温体、炉壁、玻璃窗、耐热手套、蝴蝶夹、把手、热电偶和控温器；炉壁顶与喷膜板通过螺丝互相锁紧；出膜板位于纵向加宽器下方、卷绕器上方，出膜板上有出膜口 ；炉壁上开有进气嘴和出气口，进气嘴用于充惰性保护气，出气口用于抽真空和排气；炉壁上装有耐热套环，可使齿轮轴穿过，连接炉体内外；三个带有控温器的热电偶分别放置于炉内的上、中、下部，用于监控炉内温度分布情况。
[0011]所述喷膜口纵剖面可呈倒梯形，即随着高度下降，喷膜宽度逐渐减小，在喷膜口出口处，喷膜口尺寸最好为lmmXlOmm。
[0012]所述滚筒的直径可为110mm，轴向长度可为250mm。滚筒直径最好为80mm，轴向长度最好为220mm。
[0013]所述电机为联动提供驱动力，且连接有变频器，可通过变频器调节电机转速。
[0014]所述卷筒转速可通过变频器调节，卷筒的直径可为150_。
[0015]所述玻璃窗可由透明隔热玻璃制成，嵌有耐热手套，用于伸入炉体操作；玻璃窗的尺寸最好为300mm X 200mm。
[0016]所述出膜板上的出膜口的尺寸可为0.5mmX5mm0
[0017]所述加宽型自支撑硅氧碳薄膜的制备方法，包括以下步骤:
[0018]1)对聚碳硅烷进行脱泡处理:采用的脱泡装置包括顶杆、上密封盖、喷膜板、喷膜料筒、下密封盖，将固体聚碳硅烷放入料筒内，装上顶杆、上密封盖、喷膜板和下密封盖，用螺丝锁紧，组装完后将脱泡装置放入真空炉内，设置温度为290?300°C，保温1.5?3h后，取出脱泡装置，卸下上密封盖、固定螺丝和下密封盖，即得纺膜系统，将纺膜系统与加热系统、滚压成型系统组装好，放置于支撑系统上，充氮气保护，然后开启高温炉，开启电机，支撑系统中丝杆向下运动，挤压聚碳硅烷自由原膜进入滚压成型系统；将聚碳硅烷自由原膜引入滚筒间隙中，开启滚压成型系统中所有电机，滚筒运转，聚碳硅烷自由原膜先经过横向加宽器，在滚筒之间沿“S”形路径被挤压碾宽；后进入纵向加宽器，在两列滚筒之间受挤压继续加宽，经碾压，在出膜口处得到较宽的连续聚碳硅烷自由原膜，再将原膜缠绕到卷筒上;
[0019]在步骤1)中，所述脱泡装置可采用中国专利ZL 2008100705331所述脱泡装置；所述将聚碳硅烷自由原膜引入滚筒间隙中可通过耐热手套将聚碳硅烷自由原膜引入滚筒间隙中；所述设置温度的程序最好用lOOmin将温度从室温升至260°C，再用20min升至290?300°C ο
[0020]2)打开炉体，将绕有聚碳硅烷自由原膜的卷筒从滚压成型装置中取出，放在石墨纸载样台上之后再一起放入高温炉中，进行交联处理后，保温，待冷却后取出；
[0021]在步骤2)中，所述交联处理可选择氧化交联或电子束辐照交联，氧化交联的步骤可为:把PCS原膜放在石墨纸载样台上，放入高温炉中，最好通入空气，空气流量最好为250?300ml/min，设置升温程序，最好以3°C /min从室温升到100°C，以0.30°C /min从100°C升到190?200°C，所述高温炉最好为高温快速升温管式炉；所述保温的时间可为2 ?3h0
[0022]3)把交联处理过的连续聚碳硅烷自由原膜放在石墨纸载样台上，再一同放入高温炉内，通入惰性气体，设置升温至1200?1300°C，进行烧结，再保温2?3h，待冷却后取出，即得加宽型自支撑硅氧碳薄膜。
[0023]在步骤3)中，所述高温炉最好为1600°C快速升温管式炉，所述惰性气体可采用氮气，惰性气体的流量可为250?300ml/min ;设置升温的程序最好为以5°C /min从室温升到250°C，2°C /min 升到 650°C，1°C /min 升到 850。。，1.5°C /min 升到 1000。。，再 1°C /min 升到 1200 ?1300。。。
[0024]本发明以聚碳硅烷为先驱体，在惰性气体氛围中，先进行脱泡和熔融处理，然后将得到的熔融聚碳硅烷从出膜口引入挤压成型装置，在惰性气氛保护及较高温度的环境中，经过多次滚筒滚压，获得具有较大宽度的聚碳硅烷原膜，原膜经氧化交联和高温裂解烧结，可得到加宽型自支撑硅氧碳薄膜。
[0025]本发明采用先驱体转化法与滚压成型装置制备硅氧碳薄膜，可得到具有较大宽度的、表面平整、缺陷较少的连续自支撑硅氧碳薄膜，具有工艺简单、操作简便、成本低、制膜速度快、可应用于大规模生产等优点，解决了硅氧碳薄膜目前存在的因使用宽度较小而无法应用于大规模产业化生产、应用领域受限的难题。
【专利附图】
【附图说明】
[0026]图1是本发明所述加宽型自支撑硅氧碳薄膜制备装置实施例的结构示意图。
[0027]图2是图1中滚压成型系统和加热系统的左视图。
[0028]在图1和图2中，各标记为:1是支撑系统，其中11是电机，12是齿轮，13是丝杆。2是纺膜系统，其中21是顶杆，22是喷膜料桶，23是固体聚碳硅烷，24是喷膜板，241?242是固定螺丝，243是喷膜口，244是夹板。3是加热系统，其中31是加热体，32是保温体，33是炉壁，331是把手，332,3321是玻璃窗，333,3331是耐热手套，334是耐热套环，335是蝴蝶夹336是进气嘴，337是出气口，34是控温器，35是热电偶，36是出膜板。4是滚压成型系统，其中41是横向加宽器，42是纵向加宽器，43是卷绕器，411、4111、417、4171、421、424、427,431 和 434 是齿轮，412 和 422 是滚筒，4112、4172、416、426 和 436 是金属链条，4113、4173、4211、4271、和 4311 是电机，4114、4174、4212、4272 和 4312 是变频器，423 和 433 是调节螺帽，425和435是中心轴，431是卷筒，44是水平丝杆，45是竖直固定杆。
[0029]图3是图1中出膜板的正视结构示意图。
[0030]图4是图1中出膜板的俯视结构示意图。
[0031]图5是图1中横向加宽器的局部放大图(正视和俯视)。
[0032]在图3?5中，各标记为:361?364为固定螺丝，365为出膜口，412为滚筒，413为调节螺帽，414为齿轮，415为中心轴。
【具体实施方式】
[0033]下面结合附图对本发明的结构和工作原理作详细说明。
[0034]1)取PCS先驱体10g，通过调节喷膜口下方的左右夹板，固定好喷膜口的尺寸，然后将PCS进行脱泡处理:所用的脱泡装置最好为中国专利ZL 2008100705331所述结构:将固体聚碳硅烷放入脱泡装置的料筒内，装上顶杆21、上密封盖(图中未画出，参考专利ZL2008100705331，下同)、垫片和下密封盖，用四个螺丝锁紧。组装完后将盛有固体聚碳硅烷的脱泡装置放入真空炉内，设置升温的程序为lOOmin温度从室温升至260°C，再20min升至290?300°C，然后在该温度下保温3h。取出脱泡装置，卸下上密封盖、固定螺丝和下密封盖，即为本专利所述纺膜系统2。将加热系统3和滚压成型系统4放置于纺膜系统2下方，用螺丝241和242将纺膜系统的喷膜板24和加热系统的炉壁固定锁紧，喷膜口 243与加热系统联通。将纺膜系统2、加热系统3、滚压成型系统4共同放置于支撑系统1上，组装好后，通过进气口 336充入氮气保护，开启高温炉，开启电机11，丝杆向下挤压，由喷膜口 243开始挤出聚碳硅烷自由原膜，进入滚压成型装置4，操作人员通过玻璃窗332上的耐热手套333将熔融的聚碳硅烷自由原膜引入横向加宽器41中。开启电机4113、4173、4211、4271和4311，滚筒开始运转。聚碳硅烷自由原膜在横向加宽器41的三个滚筒412之间沿“S”形路径被挤压碾宽；后凭借自身重力进入纵向加宽器42，在两列滚筒422之间受挤压继续加宽。实际操作时，可依据具体生产需要，调节水平丝杆44上的调节螺帽413、423，可控制滚筒间距；调节变频器4114、4174、4212和4272，可控制滚筒运转的转速，从而可控制所碾压原膜的宽度和厚度；经多次碾压后，在出膜口 365处即可得到具有一定宽度和厚度的均匀的连续聚碳硅烷自由原膜，随后通过耐热手套3331将原膜牵引缠绕到卷绕器43上，调整变速器4312，可控制卷筒432的运转速度，使连续聚碳硅烷自由原膜均匀缠绕在卷筒上。
[0035]2)将碾压好的连续聚碳硅烷进行氧化交联处理:把具有一定宽度和厚度的连续聚碳硅烷自由原膜自滚压成型装置中取出后，放在石墨纸载样台上，再放入高温快速升温管式炉中，通入空气，空气流量为280ml/min，升温的程序为以3°C /min从室温升到100°C，再以0.30 °C /min从100°C升到200 °C，后保温3h，冷却后取出。
[0036]3)将交联处理后的连续聚碳硅烷进行烧结:把经过交联处理过的连续聚碳硅烷自由原膜放在石墨纸载样台上，再放入1600°C快速升温管式炉内，通入氮气保护，氮气的流量设置为280ml/min ;设置升温的程序为以5°C /min从室温升到250°C，2°C /min升到650。。，1°C /min 升到 850。。，1.5°C /min 升到 1000。。，再 1°C /min 升到 1300。。;保温 3h，冷却后取出，即得具有一定宽度和厚度的连续加宽型自支撑硅氧碳薄膜。
【权利要求】
1.加宽型自支撑硅氧碳薄膜制备装置，其特征在于设有支撑系统、纺膜系统、滚压成型系统和加热系统； 支撑系统为纺膜系统和滚压成型系统提供支架和底座，支撑系统顶部固定有电机，电机上连有齿轮和丝杆，通过丝杆向下运动，推动纺膜系统中的顶杆向下运动； 纺膜系统设有顶杆、喷膜料筒和喷模板，顶杆上端与支撑系统中的丝杆相连，顶杆下端伸入喷膜料筒内，喷膜料筒底部设有喷膜板，喷模板上设有喷膜口，在喷膜口两侧固定有左夹板和右夹板，左夹板和右夹板用于调控喷膜口的宽度； 滚压成型系统设有横向加宽器、纵向加宽器和卷绕器；横向加宽器设有电机、变频器、齿轮、金属链条、滚筒、中心轴、螺帽、水平丝杆和竖直固定杆，每个滚筒的中心轴都固定在各自的水平丝杆上，所有水平丝杆末端固定于竖直固定杆，三个滚筒在竖直方向上垂直排列；中心轴两侧各有一个螺帽，用于左右调节中心轴水平位置；齿轮与滚筒通过金属链条连接保持联动，齿轮轴通过炉体壁上的耐热套环穿出炉壁与电机相连；纵向加宽器设有电机、变频器、齿轮、金属链条、滚筒、中心轴、螺帽、水平丝杆和竖直固定杆，滚筒分为两列，横向上并排的两个滚筒固定在同一条水平丝杆上，分别由转向相反的链条驱动，纵向上每列滚筒的转向一致；所有水平丝杆末端固定于竖直固定杆；卷绕器设有卷筒、电机、变频器、齿轮、金属链条、中心轴、螺帽、水平丝杆和竖直固定杆，电机通过齿轮带动卷筒转动，用于收集已成型的硅氧碳薄膜； 加热系统设有出膜板、加热体、保温体、炉壁、玻璃窗、耐热手套、蝴蝶夹、把手、热电偶和控温器；炉壁顶与喷膜板通过螺丝互相锁紧；出膜板位于纵向加宽器下方、卷绕器上方，出膜板上设有出膜口 ；炉壁上开有进气嘴和出气口，进气嘴用于充入惰性气体，出气口用于抽真空和排气；炉壁上装有耐热套环，用于齿轮轴穿过并连接炉体内外；三个带有控温器的热电偶分别放置于炉内的上、中、下部，用于监控炉内温度分布情况。
2.如权利要求1所述加宽型自支撑硅氧碳薄膜制备装置，其特征在于所述喷膜口纵剖面呈倒梯形，即随着高度下降，喷膜宽度逐渐减小，在喷膜口出口处，喷膜口尺寸最好为ImmX 1mm0
3.如权利要求1所述加宽型自支撑硅氧碳薄膜制备装置，其特征在于所述滚筒的直径为110mm，轴向长度为250mm ;滚筒直径最好为80mm，轴向长度最好为220mm。
4.如权利要求1所述加宽型自支撑硅氧碳薄膜制备装置，其特征在于所述电机为联动提供驱动力，且连接有变频器，通过变频器调节电机转速；所述卷筒转速通过变频器调节，卷筒的直径可为150_。
5.如权利要求1所述加宽型自支撑硅氧碳薄膜制备装置，其特征在于所述玻璃窗可由透明隔热玻璃制成，嵌有耐热手套，用于伸入炉体操作；玻璃窗的尺寸最好为300mm X 200mm。
6.如权利要求1所述加宽型自支撑硅氧碳薄膜制备装置，其特征在于所述出膜板上的出膜口的尺寸可为0.5_X5mm。
7.加宽型自支撑硅氧碳薄膜的制备方法，其特征在于采用如权利要求1所述加宽型自支撑硅氧碳薄膜制备装置，包括以下步骤: I)对聚碳硅烷进行脱泡处理:采用的脱泡装置包括顶杆、上密封盖、喷膜板、喷膜料筒、下密封盖，将固体聚碳硅烷放入料筒内，装上顶杆、上密封盖、喷膜板和下密封盖，用螺丝锁紧，组装完后将脱泡装置放入真空炉内，设置温度为290?300°C，保温1.5?3h后，取出脱泡装置，卸下上密封盖、固定螺丝和下密封盖，即得纺膜系统，将纺膜系统与加热系统、滚压成型系统组装好，放置于支撑系统上，充氮气保护，然后开启高温炉，开启电机，支撑系统中丝杆向下运动，挤压聚碳硅烷自由原膜进入滚压成型系统；将聚碳硅烷自由原膜引入滚筒间隙中，开启滚压成型系统中所有电机，滚筒运转，聚碳硅烷自由原膜先经过横向加宽器，在滚筒之间沿“S”形路径被挤压碾宽；后进入纵向加宽器，在两列滚筒之间受挤压继续加宽，经碾压，在出膜口处得到较宽的连续聚碳硅烷自由原膜，再将原膜缠绕到卷筒上； 2)打开炉体，将绕有聚碳硅烷自由原膜的卷筒从滚压成型装置中取出，放在石墨纸载样台上之后再一起放入高温炉中，进行交联处理后，保温，待冷却后取出； 3)把交联处理过的连续聚碳硅烷自由原膜放在石墨纸载样台上，再一同放入高温炉内，通入惰性气体，设置升温至1200?1300°C，进行烧结，再保温2?3h，待冷却后取出，即得加宽型自支撑硅氧碳薄膜。
8.如权利要求7所述加宽型自支撑硅氧碳薄膜的制备方法，其特征在于在步骤I)中，所述将聚碳硅烷自由原膜引入滚筒间隙中是通过耐热手套将聚碳硅烷自由原膜引入滚筒间隙中；所述设置温度的程序最好用10min将温度从室温升至260°C，再用20min升至290 ?300。。。
9.如权利要求7所述加宽型自支撑硅氧碳薄膜的制备方法，其特征在于在步骤2)中，所述交联处理采用氧化交联或电子束辐照交联，氧化交联的步骤可为JEPCS原膜放在石墨纸载样台上，放入高温炉中，最好通入空气，空气流量最好为250?300ml/min，设置升温程序，最好以3°C /min从室温升到100 °C，以0.30 °C /min从100°C升到190?200°C，所述高温炉最好为高温快速升温管式炉；所述保温的时间可为2?3h。
10.如权利要求7所述加宽型自支撑硅氧碳薄膜的制备方法，其特征在于在步骤3)中，所述高温炉为1600°C快速升温管式炉，所述惰性气体可采用氮气，惰性气体的流量可为250?300ml/min ;设置升温的程序最好为以5°C /min从室温升到250°C，2°C /min升到650°C, TC /min 升到 850。。，1.5°C /min 升到 1000。。，再 1°C /min 升到 1200 ?1300。。。
【文档编号】C04B35/622GK104496481SQ201510003182
【公开日】2015年4月8日 申请日期:2015年1月6日 优先权日:2015年1月6日
【发明者】姚荣迁, 徐潇慧, 林清云, 闫静怡, 冯祖德 申请人:厦门大学