专利名称：用于半导体装置的粘合剂片及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种用于半导体装置的粘合剂片及其制造方法。更具体地，本发明涉及一种用于半导体装置的粘合剂片及其制造方法，其中离型元件具有未切割部分厚度与离型元件总厚度的预定比例、切割部分之间的预定距离、以及40N/15mm或更大的剪切强度， 从而保持卷形稳定性。
背景技术：
在将半导体晶圆切割成单个芯片的工艺中，芯片贴附膜贴附到晶圆的背面。芯片贴附膜可具有双层结构，其中切割膜与接合膜组合用作晶圆贴附的接合层。已知有将具有这种双层结构的粘合剂片预切成构成半导体装置的晶圆形状的方法。预切工艺是对应于晶圆形状预切接合膜，并从接合膜而非与晶圆接合部分去除树脂层的工艺。在预切工艺中，将接合膜对应于晶圆形状预切，并与压敏粘合剂膜接合，再进行预切工艺。然而，如果在预切工艺中刀片深深地穿入粘合剂片中，则粘合剂片会被用于保持卷形而施加的卷绕张力损坏。相反，如果施加弱卷绕张力以防止这种损坏，粘合剂片具有较低卷的卷绕性能，导致卷形稳定性的问题。此外，在预切工艺中，尽管在粘合剂片的形状稳定性方面，切割部分的深度至关重要，然而难以在制造工艺中测定深度，且该深度可根据因刀片的磨损刀口的位置而不一致。
发明内容
本发明的一个方面提供一种用于半导体装置的粘合剂片，所述粘合剂片包括依次堆叠的离型元件、接合层、压敏粘合剂层和基膜。所述离型元件包括从所述接合层的横侧沿着所述接合层的外围形成的第一切割部分，和沿着所述压敏粘合剂层和所述基膜的外围形成的第二切割部分。所述第一切割部分和所述第二切割部分厚度各自可小于所述离型元件的厚度，且所述离型元件可具有40N/15mm至90N/15mm范围内的剪切强度。在一个实施方式中，从所述离型元件除去所述第一切割部分或所述第二切割部分产生的未切割部分厚度可为所述离型元件厚度的20%至80%。在一个实施方式中，从所述离型元件除去所述第二切割部分产生的未切割部分厚度与从所述离型元件除去所述第一切割部分产生的未切割部分厚度之比可大于1。在一个实施方式中，所述未切割部分厚度可为所述离型元件总厚度的30%至 70%，且所述离型元件可具有40N/15mm至90N/15mm的剪切强度。在一个实施方式中，所述第一切割部分和所述第二切割部分之间的距离可为IOmm 至 30mm。本发明另一个方面提供了一种用于半导体装置的粘合剂片的制造方法，所述用于半导体装置的粘合剂片包括依次堆叠的离型元件、接合层、压敏粘合剂层和基膜，所述方法包括
在所述离型元件上堆积所述接合层；从所述接合层接触所述离型元件的面的相反面将第一预切刀片置于所述离型元件中并将所述接合层切成第一平面形状来形成第一切割部分；去除具有第一平面形状部分之外的所述接合层；在所述接合层上堆积压敏粘合剂片，使得所述压敏粘合剂层和所述基膜堆叠，同时相互接触；以及从所述基膜接触所述压敏粘合剂层的面的相反面将第二预切刀片置于所述离型元件中并将所述压敏粘合剂片切成第二平面形状来形成第二切割部分；其中所述第一切割部分和所述第二切割部分各自具有比所述离型元件小的厚度， 且所述离型元件厚度除去所述第二切割部分厚度得到的未切割部分厚度与所述离型元件厚度除去所述第一切割部分厚度得到的未切割部分厚度之比大于1。
由以下结合附图的详细说明，本发明的以上和其它方面、特征和优点将变得明显， 其中图1示出了根据本发明一个实施方式的用于半导体装置的粘合剂片的实例；且图2示出了根据本发明一个实施方式的用于半导体装置的粘合剂片的制造方法实例。
具体实施例方式本发明的各方面提供一种用于半导体装置的粘合剂片，所述粘合剂片包括依次堆叠的离型元件、接合层、压敏粘合剂层和基膜；其中所述离型元件包括从所述接合层的横侧沿着所述接合层的外围形成的第一切割部分，和沿着所述压敏粘合剂层和所述基膜的外围形成的第二切割部分；所述第一切割部分和所述第二切割部分的各自厚度可小于所述离型元件的厚度，且所述离型元件可具有40N/15mm或更大的剪切强度。在上述用于半导体装置的粘合剂片中，离型元件、接合层、压敏粘合剂层和基膜依次堆叠。具体地，包括离型元件和接合层的接合片堆积在包括压敏粘合剂层和基膜的压敏粘合剂片上，使得接合层和压敏粘合剂层相互接触，从而构成具有堆叠结构的半导体装置用粘合剂片。文中，“接合层可部分堆叠在离型元件上”是指接合层只堆叠在离型元件整个表面的一部分上。离型元件不仅包括与接合层接触的部分，还包括第一切割部分和第二切割部分。接合层可部分形成在离型元件上，从而在剥离离型元件后具有与接合层将贴附的接合目标的平面形状相对应的平面形状。接合目标可例如为半导体晶圆。当接合层具有与半导体晶圆的平面形状对应的平面形状时，可有利于切割半导体晶圆的工艺。接合层可具有圆形形状。在此情况下，接合层可具有220mm至320mm的直径，但不限于此。压敏粘合剂层和基膜依次堆叠在接合层上并布置成充分覆盖接合层。具体地，当接合层具有圆形形状时，压敏粘合剂层和基膜可具有直径长于接合层直径的圆形形状。例如，具有圆形形状的压敏粘合剂层和基膜可具有为接合层直径的1. 10至1. 30倍的直径，但不限于此。文中，“相对于离型元件可部分形成压敏粘合剂层和基膜”是指压敏粘合剂层和基膜只形成在离型元件整个表面的一部分上。离型元件包括除压敏粘合剂层和基膜以外的第二切割部分。离型元件形成有第一切割部分。第一切割部分是指通过将第一预切刀片置于包括离型元件和接合层的片中而在离型元件上形成的部分。第一切割部分具有将包括离型元件和接合层的片厚度除去第一预切刀片形成的深度得到的厚度。该第一切割部分由接合层的横侧沿着接合层外围形成。从离型元件除去第一切割部分产生的未切割部分厚度可为离型元件厚度的20 %至80 %，优选20 %至70 %。第一切割部分厚度可小于离型元件的厚度。离型元件还形成有第二切割部分。第二切割部分是指形成第一切割部分后，通过将第二预切刀片置于包括离型元件、接合层、压敏粘合剂层和基膜的片中而在离型元件上形成的部分。第二切割部分具有将离型元件、接合层、压敏粘合剂层和基膜形成的片厚度除去第二预切刀片形成的深度得到的厚度。该第二切割部分以距离第一切割部分例如IOmm 至30mm的预定距离形成。该第二切割部分沿着压敏粘合剂层和基膜的外围形成。从离型元件除去第二切割部分产生的未切割部分厚度可为离型元件厚度的20%至80%，优选30% 至80%。第二切割部分厚度可小于离型元件的厚度。未切割部分厚度可用任何方法测定。例如，用电子显微镜测定间隔为30°的12个位置的厚度来进行横截面的观察，并计算平均值为厚度。未切割部分厚度可为离型元件厚度的20%至80%。在此范围内，当施加卷绕张力时，粘合剂片不会被损坏，并具有优异的卷的卷绕性能，产生优异的卷形稳定性。此外，当用于半导体晶圆的粘合剂片形成为刺针形状(pricker shape)时，剩余的粘合剂能易于去除。具体地，从离型元件除去第一部分产生的未切割部分厚度可为离型元件厚度的 20%至70%，且从离型元件除去第二切割部分产生的未切割部分厚度可为离型元件厚度的 30%至 80%。从离型元件除去第二切割部分产生的未切割部分厚度与从离型元件除去第一部分产生的未切割部分厚度之比可大于1。具体地，该比例可为1. 01至3。在粘合剂片中，离型元件可具有40N/15mm至90N/15mm范围内的剪切强度。剪切强度可通过用hstron 3343以50mm/min的速度对样品进行拉伸测试。此时，样品具有15mm 宽度和50mm长度，并由具有第一和第二刀片的布置位置的离型元件制备。在预切工艺中，由于使用电子显微镜，所以难以测定切割部分的深度。此外，切割部分的深度可因预切刀片的磨损程度而不一致。在本发明的实施方式中，粘合剂片的卷形稳定性和破损可能性(brakeage possibility)首先通过判定由初始制造的粘合剂片获得的离型元件的剪切强度为40N/15mm或更高来确定。基于该判定，可成功制造用于半导体装置的粘合剂片。离型元件第一切割部分和第二切割部分之间的距离可为IOmm至30mm。在此范围内，可防止半导体晶圆的切割和扩展工艺中粘合剂片的卷曲现象，并能获得拾取工艺中的优异性能。上述粘合剂片可形成为卷形。可通过向成功制造的粘合剂片施加卷绕张力来形成卷形。图1示出了根据本发明实施方式的用于半导体装置的粘合剂片的实例。粘合剂片包括依次堆叠的离型元件1、接合层2、压敏粘合剂层3和基膜4。若将离型元件1的厚度称为D，从离型元件1除去第一切割部分7或第二切割部分8产生的未切割部分厚度称为L，则L/D可为0. 2至0. 8。具体地，若将从离型元件1除去第一切割部分7产生的未切割部分厚度称为Li，从离型元件1除去第二切割部分8产生的未切割部分厚度为L2，则L1/D可为0. 2至0. 7，且L2/D可为0. 3至0. 8。对于厚度Ll和L2，L2/L1可大于1。第一切割部分7和第二切割部分8之间的距离m可为IOmm至30mm。以下将详细说明根据本实施方式的粘合剂片的各个组分。当使用半导体装置用粘合剂片时，离型元件用作承载膜。离型元件的实例可包括， 但不限于聚烯烃膜，如聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚甲基戊烯(PMP)膜和聚乙酸乙烯酯(PVC)膜； 和聚酯膜，如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜。离型元件可具有适宜范围的厚度，例如30μπι至60μπι。接合层可对压敏粘合剂层具有粘附性。然而，UV照射使得该粘附性降低，从而在切片工艺后能从压敏粘合剂膜剥离接合层。接合层可形成为热固性组合物的膜状，并对打磨后的晶圆背面具有优异的粘附性。接合层可包括具有成膜性的丙烯酸共聚物、热固性树脂和固化剂。丙烯酸共聚物的实例可包括为丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯与丙烯腈的共聚物的丙烯酸橡胶。热固性树脂的实例可包括环氧树脂、丙烯酸树脂、硅酮树脂、酚醛树脂、热固性聚酰亚胺树脂、聚氨酯树脂、三聚氰胺树脂、脲醛树脂等。具体地，可使用环氧树脂，因为它可提供具有优异的耐热性、可加工性和可靠性的粘合剂片。通过固化可具有粘附性的任何环氧树脂均可用作上述环氧树脂。然而，由于环氧树脂需要包括用于固化反应的至少两种官能团，可使用双酚A环氧树脂、酚醛清漆环氧树脂或甲酚醛清漆环氧树脂。常用于制造粘合剂片的任何固化剂均可用作上述固化剂。上述固化剂可包括，但不限于酚醛环氧树脂。酚醛环氧树脂的实例每个分子中可包括至少两个酚羟基，并在吸湿时高度耐电解腐蚀。具体地，上述酚醛环氧树脂可包括双酚Α、双酚F和双酚S树脂、酚醛环氧树脂、双酚A酚醛清漆树脂、甲酚醛清漆树脂、二甲酚树脂和联苯树脂。接合层可进一步包括能固化环氧树脂的固化促进剂。固化促进剂的实例可包括咪唑、胺、膦或硼固化促进剂。这些固化促进剂的具体实例对本领域技术人员是已知的。此外，接合层可包括硅烷偶联剂以提高对晶圆的粘附性。上述硅烷偶联剂可单独使用或以至少两种的混合物使用。硅烷偶联剂可为，但不限于选自由环氧硅烷、巯基硅烷、氨基硅烷、乙烯基三氯硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、2-氨基乙基-3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷和 3-脲基丙基三乙氧基硅烷组成的组中的至少一种。此外，接合层可进一步包括有机或无机填料。无机填料的实例包括金属性组分，如金、银、铜和镍粉，以及非金属性组分，如氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、碳酸镁、硅酸钙、硅酸镁、氧化钙、氧化镁、氧化铝、氮化铝、二氧化硅、氮化硼、二氧化钛、玻璃、铁氧体、陶瓷等。有机填料的实例包括碳、橡胶类填料、聚合物类填料等。接合层可具有适宜范围的厚度，例如20μπι至60μπι。接合层可通过能提供均勻涂层厚度的任何涂布方法形成。例如，可使用直接涂布法，或者可将接合层涂布至离型膜，干燥，然后通过转印工艺转移至离型元件。尽管可使用能提供均勻涂层厚度的任何涂布方法，通常可使用棒涂、凹版涂布、逗号涂布(comma coating)、逆转辊涂布、涂布器涂布、喷涂和浸涂。压敏粘合剂层可对接合层具有粘附性。在此情况下，当切割半导体晶圆时，固定半导体晶圆，有利于切割。压敏粘合剂层可对接合层具有粘附性。然而，UV照射使得该粘附性降低，从而在切片工艺后能从压敏粘合剂层剥离接合层。压敏粘合剂层可包括可光固化和带粘性的丙烯酸接合剂、光引发剂和热固化剂。带粘性的丙烯酸接合剂可通过使作为主要单体的呈现出粘附性的丙烯酸单体与功能性丙烯酸单体在聚合引发剂的存在下聚合来制备。具体地，将丙烯酸单体、功能性丙烯酸单体和聚合引发剂聚合成带粘性的丙烯酸多元醇接合剂。丙烯酸单体用于提供具有粘附性的压敏粘合剂层。丙烯酸单体可包括，但不限于 C4至C20丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯。例如，丙烯酸单体可为选自由丙烯酸-2-乙基己酯、甲基丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸异辛酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸异丁酯和甲基丙烯酸十八烷酯组成的组中的至少一种。上述功能性丙烯酸单体可为选自由具有羟基的丙烯酸单体、具有环氧基的丙烯酸单体和具有羟基的反应性单体组成的组中的至少一种。具体地，可使用具有羟基的丙烯酸单体和具有环氧基的丙烯酸单体的混合物。具有羟基丙烯酸单体可包括，但不限于含羟基的C4至C20丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯或其他化合物。例如，具有羟基的丙烯酸单体可为选自由甲基丙烯酸羟甲酯、甲基丙烯酸-2-羟乙酯、丙烯酸-2-羟乙酯、丙烯酸-4-羟丁酯和甲基丙烯酸羟丙酯组成的组中的至少一种。具有环氧基的丙烯酸单体可包括，但不限于含环氧基的C4至C20丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯或其他化合物。例如，可使用丙烯酸缩水甘油醚酯或甲基丙烯酸缩水甘油醚酯。具有羟基的反应性单体可包括C20或更多碳原子的单体，这些单体可单独使用或以它们的混合物使用。例如，可使用丙烯酸月桂酯、甲基丙烯酸月桂酯、甲基丙烯酸硬脂酰酯、丙烯酸十六烷酯、丙烯酸十八烷酯或甲基丙烯酸十八烷酯。聚合引发剂的实例可包括偶氮二化合物(azobis compounds)，例如偶氮二异丁腈，和自由基引发剂，如包括过氧化苯甲酰的有机过氧化物，但不限于此。此时，可进一步使用催化剂和阻聚剂。上述聚合可在80°C至120°C下进行1至70小时，优选5至15小时，但不限于此。对于光引发剂，可使用任何公知的光引发剂。光引发剂的实例可包括苯甲酮类，如苯甲酮、4，4’ - 二甲氨基苯甲酮、4，4’ - 二乙氨基苯甲酮和4，4’ - 二氯苯甲酮；苯乙酮类， 如苯乙酮和二乙氧基苯乙酮；以及蒽醌类，如2-乙基蒽醌和叔丁基蒽醌，它们可单独使用或以至少两种的混合物使用。
对于热固化剂，可使用异氰酸酯类热固化剂。异氰酸酯类热固化剂可为选自由2， 4-三氯乙烯二异氰酸酯、2，6_三氯乙烯二异氰酸酯、氢化三氯乙烯二异氰酸酯、1，3_ 二甲苯二异氰酸酯、1，4- 二甲苯二异氰酸酯、二苯基甲烷_4，4- 二异氰酸酯、1，3- 二异氰酸根合甲基环己烷(l，3-bisisocyanatomethyl cyclohexane)、四甲基二甲苯二异氰酸酯、1，5-萘二异氰酸酯、2，2，4_三甲基六亚甲基二异氰酸酯、2，4，4_三甲基六亚甲基二异氰酸酯、三氯乙烯二异氰酸酯和三羟甲基丙烷的加合物、二甲苯二异氰酸酯和三羟甲基丙烷的加合物、三苯基甲烷三异氰酸酯和亚甲基双三异氰酸酯(methylenebistriisocyanate)组成的组中的至少一种。压敏粘合剂层可用任何涂布方法形成，例如与用于在离型元件上涂布接合层的方法相同的方法。压敏粘合剂层可具有适宜范围内的厚度，例如10 μ m至20 μ m。基膜通常可包括，但不限于聚烯烃膜，如聚乙烯、聚丙烯、乙烯/丙烯共聚物、聚 1- 丁烯、乙烯/乙酸乙烯酯共聚物、聚乙烯/苯乙烯-丁二烯橡胶共混物、聚氯乙烯膜等。 此外，基膜可包括聚合物，如聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯和聚(甲基丙烯酸甲酯)；和热塑性弹性体，如聚氨酯和聚酰胺-多元醇共聚物；以及它们的混合物。基膜可具有适宜范围内的厚度，例如10 μ m至20 μ m。本发明的各方面提供一种制备用于半导体装置的粘合剂片的方法，该用于半导体装置的粘合剂片包括依次堆叠的离型元件、接合层、压敏粘合剂层和基膜。上述方法包括在离型元件上堆积接合层；通过从接合层接触离型元件的面的相反面将第一预切刀片置于离型元件中并将接合层切成第一平面形状来形成第一切割部分；去除不包括第一平面形状的接合层；在接合层上堆积包括压敏粘合剂片和基膜的片，使得压敏粘合剂层与接合层接触；以及通过从基膜接触压敏粘合剂层的面的相反面将第二预切刀片置于离型元件中并将包括压敏粘合剂片和基膜的片切成第二平面形状来形成第二切割部分。第一切割部分和第二切割部分厚度可分别小于离型元件的厚度。从离型元件除去所述第二切割部分产生的未切割部分厚度与从离型元件除去第一切割部分产生的未切割部分厚度之比可大于1。离型元件、接合层、压敏粘合剂层和基膜如上所述。图2示出了根据本发明一个实施方式的用于半导体装置的粘合剂片的制备方法实例。在离型元件1上堆积接合层2。从接合层2接触离型元件1的面的相反面将第一预切刀片5置于离型元件1中以将接合层2切成第一平面形状，从而形成第一切割部分7。通常可使用至少两把第一预切刀片以形成第一切割部分。当使用两把第一预切刀片时，基于第一平面形状调节刀片之间距离。剥离离型元件1之后，第一平面形状可对应于接合层贴附的接合目标的平面形状。接合目标可例如为半导体晶圆。从离型元件1除去第一切割部分7产生的未切割部分厚度可为离型元件1的厚度的20%至80%，优选20%至70%。去除不包括第一平面形状的接合层。通过部分剥离初始去除部分，然后用卷绕辊分别去除被剥离部分的产品来实现这种去除。
将包括压敏粘合剂片3和基膜4的片堆积在接合层2上，使得压敏粘合剂层3与接合层2接触。从基膜4接触压敏粘合剂层3的面的相反面将第二预切刀片6置于离型元件1中以将包括压敏粘合剂片3和基膜4的片切成第二平面形状，从而形成第二切割部分8。通常可使用至少两把第二预切刀片以形成第二切割部分。当使用两把第二预切刀片时，基于第二平面形状调节刀片之间距离。第二平面形状可具有充分覆盖用于加工半导体晶圆的环形框架的球形形状。从离型元件除去第二切割部分产生的未切割部分厚度可为离型元件厚度的20%至80%，优选30%至80%。此时，调节第二切割部分厚度，使得从离型元件除去所述第二切割部分产生的未切割部分厚度与从离型元件除去第一切割部分产生的未切割部分厚度之比可大于1。第一切割部分和第二切割部分之间的距离可为IOmm至30mm。由以下实施例和对比例将更好地理解本发明。提供这些实施例仅用于说明，并不是要限制本发明的范围，本发明的范围由所附权利要求书限定。在此将省略对本领域技术人员明显的细节的说明。制备例1 接合片的制备将69重量份的丙烯酸橡胶接合剂SG-P3 (17%, Nagase Chemtex)、13重量份的环氧树脂 EPPN-501H(81%，Nippon Kayaku)、7 重量份的酚类固化剂 HF_IM(50%，Meiwa) U 重量份的硅烷偶联剂KBM-403(100%，Shinetsu)、0. 5重量份的固化促进剂TPP-K (100%， Hokko)和9. 5重量份的填料R-972 (Degussa)与30重量份的甲基乙基酮混合，从而制得接合层组合物。用凹版涂布将该接合层组合物涂布至50μπι厚的薄PET基膜(TS-002，Toyobo Co.，Ltd.)，并干燥至20 μ m厚度。将所得产品与PET保护基膜(TS-002, Toyobo Co.，Ltd.) 层叠，从而制得接合片。制备例2 压敏粘合剂片的制备将51重量份的含乙烯基的丙烯酸接合剂SR-09184IU43. 5%，Samhwa Paint Industrial Co.，Ltd.)、0· 5 重量份的光引发剂 Darocur 1173 (Ciba Chemical)和 1. 5 重量份的异氰酸酯热固化剂AK-75 (Aekyung Chemical Co.，Ltd.)分散在47重量份的甲基乙基酮中，从而制得用于压敏粘合剂层的粘合组合物。将该粘合组合物涂布至薄PET基膜 (TS-002, Toyobo Co.，Ltd.)至10 μ m厚并干燥。将所得产品与IOOym厚的聚丙烯基膜 (JSR)层叠，从而制得压敏粘合剂片。实施例1至3 用于半导体装置的粘合剂片的制备从实施例1接合片制造中去除PET保护基膜(TS-002，Toyobo Co.，Ltd.)。然后，用第一预切刀片Φ 235mm将该接合片预切成圆形形状，这是第一预切工艺，从而形成第一切割部分，使得从离型膜除去第一切割部分产生的未切割部分的深度为表1中列出的深度。将接合层贴附至卷绕辊并去除具有圆形形状的部分。从实施例2制造的压敏粘合剂片去除PET膜，并将压敏粘合剂片堆积在接合片上。然后，用第二预切刀片φ 270mm预切该压敏粘合剂片，这是第二预切工艺，从而形成第二切割部分，使得从离型膜除去第二切割部分产生的未切割部分的深度为表1中列出的深度。因此，制得用于半导体装置的粘合剂片。成功地将用于半导体装置的粘合剂片制成卷形。在该卷形中，调节卷绕张力，从而保持形状稳定性。
对比例1和2 用于半导体装置的粘合剂片的制备以与实施例1至3相同的方法制造用于半导体装置的压敏粘合剂片，不同之处在于如表1中列出的改变离型元件的厚度和离型元件未切割部分的深度。测试用于半导体装置的粘合剂片的性能评价评价实施例和对比例中制造的用于半导体装置的粘合剂片的性能，且结果示于表 1中。<评价方法>(1)离型元件未切割部分的深度通过用电子显微镜观察横截面求间隔为30°的12个点的厚度平均值来得到从离型元件出去第一切割部分和第二切割部分的未切割部分的深度。(2)离型元件的剪切强度制备包括与各个用于半导体装置的粘合剂片的离型元件具有相同深度的未切割部分的15mmX 50mm离型元件样品，并用hstron 3343以50mm/min的速度对样品进行拉伸测试，从而测定剪切强度(N/15mm)。(3)粘合剂片的卷形稳定性将各个粘合剂片的300个切段卷绕之后，通过绷紧核来判定卷形片的变形。稳定的卷形表示为0，轻微不稳定的卷形表示为△，且不稳定倾斜的卷形表示为X。(4)粘合剂片的破损当如表1所列改变卷绕张力时，片破损表示为0，且片不破损表示为X。(5)不良剥离(faulty peeling)第一预切工艺之后，除具有圆形形状的部分之外的接合层的去除，例如具有圆形形状的部分的接合层部分去除表示为0，且只有多余的接合层去除表示为X。表权利要求
1.一种用于半导体装置的粘合剂片，包括依次堆叠的离型元件、接合层、压敏粘合剂层和基膜，其中所述离型元件包括从所述接合层的横侧沿着所述接合层的外围形成的第一切割部分，和沿着所述压敏粘合剂层和所述基膜的外围形成的第二切割部分，所述第一切割部分和所述第二切割部分的各自厚度小于所述离型元件的厚度，所述离型元件具有40N/15mm至90N/15mm范围内的剪切强度。
2.根据权利要求1所述的粘合剂片，其中所述离型元件厚度除去所述第一切割部分厚度或所述第二切割部分厚度得到的未切割部分厚度为所述离型元件厚度的20%至80%。
3.根据权利要求1所述的粘合剂片，其中所述离型元件厚度除去所述第二切割部分厚度得到的未切割部分厚度与所述离型元件厚度除去所述第一切割部分厚度得到的未切割部分厚度之比例大于1。
4.根据权利要求1所述的粘合剂片，其中未切割部分厚度为所述离型元件厚度的30% 至70%，且所述离型元件具有40N/15mm至90N/15mm的剪切强度。
5.根据权利要求1所述的粘合剂片，其中所述离型元件厚度除去所述第一切割部分厚度得到的未切割部分厚度为所述离型元件厚度的20%至70%，且所述离型元件厚度除去所述第二切割部分厚度得到的未切割部分厚度为所述离型元件厚度的30%至80%。
6.根据权利要求3所述的粘合剂片，其中所述比例在1.01至3的范围内。
7.根据权利要求1所述的粘合剂片，其中所述第一切割部分和所述第二切割部分之间的距离为IOmm至30mm。
8.根据权利要求1所述的粘合剂片，其中所述接合层具有直径为220mm至320mm的圆形形状，且所述压敏粘合剂层和所述基膜具有直径为所述接合层直径的1. 10倍至1. 30倍的圆形形状。
9.根据权利要求1所述的粘合剂片，其中所述用于半导体装置的粘合剂片具有卷形。
10.一种用于半导体装置的粘合剂片的制造方法，所述用于半导体装置的粘合剂片包括依次堆叠的离型元件、接合层、压敏粘合剂层和基膜，所述方法包括在所述离型元件上堆积所述接合层；从所述接合层接触所述离型元件的面的相反面将第一预切刀片置于所述离型元件中并将所述接合层切成第一平面形状来形成第一切割部分；去除具有第一平面形状部分之外的所述接合层；在所述接合层上堆积压敏粘合剂片，使得所述压敏粘合剂层和所述基膜堆叠，同时相互接触；以及从所述基膜接触所述压敏粘合剂层的面的相反面将第二预切刀片置于所述离型元件中并将所述压敏粘合剂片切成第二平面形状来形成第二切割部分；其中所述第一切割部分和所述第二切割部分各自具有比所述离型元件小的厚度，且所述离型元件厚度除去所述第二切割部分厚度得到的未切割部分厚度与所述离型元件厚度除去所述第一切割部分厚度得到的未切割部分厚度之比大于1。
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述离型元件厚度除去所述第一切割部分厚度或所述第二切割部分厚度得到的未切割部分厚度为所述离型元件厚度的20%至80%，且所述第一切割部分和所述第二切割部分之间的距离为IOmm至30mm。
12.根据权利要求10所述的方法，其中所述离型元件厚度除去所述第一切割部分厚度得到的未切割部分厚度为所述离型元件厚度的20%至70%，且所述离型元件厚度除去所述第二切割部分厚度得到的未切割部分厚度为所述离型元件厚度的30%至80%。
全文摘要
本发明公开了一种用于半导体装置的粘合剂片和制造所述粘合剂片的方法。在所述粘合剂片中，离型元件具有未切割部分厚度和整个离型元件厚度的预定比例，切割部分之间的预定距离和40N/15mm至90N/15mm的剪切强度，从而防止片的破损并保持卷形稳定性。
文档编号B32B27/08GK102543811SQ2011102964
公开日2012年7月4日 申请日期2011年9月27日 优先权日2010年12月13日
发明者卓种活, 宋基态, 金志浩, 黃珉珪 申请人:第一毛织株式会社