专利名称：带有数据信号锁存电路的液体喷射装置的制作方法
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带有数据信号锁存电路的液体喷射装置
背景技术：
作为液体喷射系统的 一个实施例的喷墨打印系统，可包括打印头、 为打印头提供液墨的墨源和控制打印头的电子控制器。作为液体喷射装 置的一个实施例的打印头通过多个孔口或喷嘴喷射墨滴。墨向着诸如纸 张的打印介质喷射以在打印介质上打印图像。喷嘴通常以一个或多个阵 列安置，使得在打印头和打印介质相对彼此移动时，适当排序的从喷嘴 的墨喷射引起将字符或其它图像在打印介质上打印。
在一个典型的热喷墨打印系统中，打印头通过快速加热位于蒸发室 中的小容量墨来通过喷嘴喷射墨滴。墨利用诸如在本文中称为发射电阻 器的薄膜电阻器的小电加热器加热。加热墨使墨蒸发并通过喷嘴喷射。
为喷射 一 滴墨，控制打印头的电子控制器激活来自位于打印头的外 部的电源的电流。电流通过选定的发射电阻器以加热在相应选定的蒸发 室中的墨，通过相应的喷嘴喷射墨。已知的液滴生成器包括发射电阻器、 相应的蒸发室和相应的喷嘴。
随着喷墨打印头的演进，在打印头中的液滴生成器的数目增加，以 改进打印速度和/或质量。每个打印头中的液滴生成器的数目的增加导 致了打印头芯片上所需的输入衬垫的数目相应增加，以便为增加数目的 发射电阻器供能。在一种类型的打印头中，每个发射电阻器耦接到相应 的输入衬垫以供电为发射电阻器提供能量。当发射电阻器的数量增加 时，每一个发射电阻器有一个输入衬垫就变得不切实际。
在具有基元(primitive)的另一种类型的打印头中，每个输入衬 垫的液滴生成器的数目显著增加。单个输电线为一个基元中所有的发射 电阻器供电。每个发射电阻器与输电线和相应的场效应晶体管(FET) 的漏-源路径串联耦接。基元中的每个场效应晶体管的栅极与多个基元 共享的可单独供能的地址引线耦接。
制造商通过减少输入衬垫的数目和/或增加打印头芯片上的液滴生 成器的数目来持续增加每个输入衬垫的液滴生成器的数目。带有更少输 入衬垫的打印头一般比有较多输入衬垫的打印头的成本低。另外，带有 更多液滴生成器的打印头一般以更高的质量和/或更快的打印速度打印。
因为这些和其它的原因，有对本发明的需要。
发明内容
本发明的一个方面提供了一种液体喷射装置，包括第一发射线、第 二发射线、数据线、锁存电路、第一液滴生成器和第二液滴生成器。第 一发射线适于传导包括第一能量脉沖的第一能量信号，第二发射线适于 传导包括第二能量脉冲的第二能量信号。数据线适于传导表示图像的数 据信号，锁存电路配置为基于至少一个时钟信号锁存数据信号以便提供 锁存的数据信号。第一液滴生成器配置为响应笫一能量信号来基于锁存 的数据信号喷射液体，第二液滴生成器配置为响应第二能量信号来基于 锁存的数据信号喷射液体。
参考下面的附图以更好地理解本发明的实施例。图中的组成部分不 一定相互之间成比例。相同的附图标记指相应的类似部件。 图1示出了喷墨印刷系统的一个实施例。
图2是说明打印头芯片的一个实施例的一部分的图。
图3是说明在打印头芯片的一个实施例中的沿供墨槽而设的液滴生
成器的布局的图。
图4是说明在打印头芯片的一个实施例中采用的发射单元的一个实
施例的图。
图5是说明喷墨打印头发射单元阵列的 一 个实施例的示意图。
图6是说明预充电发射单元的一个实施例的示意图。
图7是说明喷墨打印头发射单元阵列的一个实施例的示意图。
图8是说明发射单元阵列的一个实施例的操作的时序图。
图9是说明配置为锁存数据的预充电发射单元的一个实施例的示意图。
图10是说明两倍数据速率发射单元电路的 一 个实施例的示意图。 图11是说明两倍数据速率发射单元电路的一个实施例的操作的时 序图。
图12是说明预充电发射单元的一个实施例的示意图。
图13是说明采用图12的预充电发射单元的两倍数据速率发射单元
5电路的 一 个实施例的操作的时序图。
图14是说明双通过晶体管预充电发射单元的一个实施例的示意图。 图15是说明采用图12的预充电发射单元和图14的双通过晶体管
预充电发射单元的两倍数据速率发射单元电路的一个实施例的操作的
时序图。
具体实施例方式
在下面的详细说明中，对附图做了引述，附图构成说明书的一部分， 在说明书中以说明发明可实施的具体实施例的方式进行说明。在这方 面，方向性的术语，例如"顶部"、"底部"、"前面"、"后面"、 "领先的"、"尾随的"等，是参考被说明的图的方向来使用的。因为 本发明的实施例的部件可置于多个不同的方向上，所以，定向性的术语 是用于说明性的而不是限制性的。可以理解，可以实施其它的实施例、 也可以进行结构或逻辑的改变而不脱离本发明的范围。因此，下面的详 细说明不应当认为是限制性的，本发明的范围由所附的权利要来定义。
图1示出了喷墨打印系统20的一个实施例。喷墨打印系统20构成 了液体喷射系统的一个实施例，该液体喷射系统包括诸如喷墨打印头组 件22的液体喷射装置，和诸如墨供应组件24的液体供应组件。喷墨打 印系统20还包括安装组件26、介质传输组件28和电子控制器30。至 少一个电源32为喷墨打印系统20的各个电部件提供电源。
在一个实施例中，喷墨打印头组件22包括至少一个打印头或打印 头芯片40,该打印头或打印头芯片40通过多个孔口或喷嘴34向打印介 质36喷射墨滴，以便在打印介质36上打印。打印头40是液体喷射装 置的一个实施例。打印介质36可以是任何类型的合适的页片材料，例 如纸、制卡片的纸料、透明片、聚酯薄膜、织物等。 一般来说，喷嘴34 是以一个或多个列或阵列等排列，使得，当打印头组件22和打印介质 36相对于彼此移动时，适当排序的从喷嘴34的墨喷射使字符、符号和/ 或其它图形或图像在打印介质36上打印。虽然下面的说明是指从打印 头组件22喷射墨，但应理解，可以从打印头组件22喷射包括透明液体 的其它液体、液体或可流动材泮+。
作为液体供应组件的一个实施例的墨供应组件24为打印头组件22 提供墨，并包括储存墨的储墨器38。这样，墨从储墨器38流到喷墨打 印头组件22。墨供应组件24和喷墨打印头组件22可以形成单向墨传送系统或循环墨传送系统。在单向墨传送系统中，几乎所有供给喷墨打印
头组件22的墨在打印期间消耗掉。在循环墨传送系统中，供给打印头 组件22的墨只有一部分在打印期间消耗掉。因此，打印期间未消耗的 墨返回墨供应组件24。
在一个实施例中，喷墨打印头组件22和墨供应组件24 —并置于墨 盒或笔中。该墨盒或笔是液体喷射装置的一个实施例。在另一实施例中， 墨供应组件24与喷墨打印头组件22是分开的，并通过诸如供应管(未 示出)的接口连接为喷墨打印头组件22供墨。在任一实施例中，墨供 应组件24的储墨器38可以被去除、被替换、和/或被再装填。在一个 实施例中，喷墨打印头组件22和墨供应组件24—并置于墨盒中，储墨 器38包括位于墨盒中的本地储墨器，可能还包括位置与墨盒分开的较 大的储墨器。这样，分开的、更大的储墨器可以填充本地储墨器。相应 地，分开的、更大的储墨器和/或本地储墨器可以被去除、被替换、和/ 或被再装填。
安装组件26相对于介质传输组件28定位喷墨打印头组件22,介质 传输组件28相对于喷墨打印头组件22定位打印介质36。因此，在喷墨 打印头组件22和打印介质36之间的区域中邻近喷嘴34限定了打印区 37。在一个实施例中，喷墨打印头组件22是扫描型打印头组件。这样， 安装组件26包括用于相对于介质传输组件28移动喷墨打印头组件22 以扫描打印介质36的托架(未示出)。在另一实施例中，喷墨打印头 组件22是非扫描型打印头组件。这样，安装组件26将喷墨打印头组件 22固定在相对于介质传输组件28预定义的位置。因此，介质传输组件 28相对于喷墨打印头组件22定位打印介质36。
电子控制器或打印机控制器30通常包括处理器、固件、其它电子 产品或其任意的组合，以与喷墨打印头组件22、安装组件26和介质传 输组件28联系并控制它们。电子控制器30接收从诸如计算机的主机系 统来的数据39,并通常包括内存来暂时储存数据39。 一般地，数据39 沿电子、红外线、光、或其它信息传输路径传送给喷墨打印系统20。数 据39表示例如要打印的文献和/或文件。这样，数据39形成喷墨打印 系统20的打印作业，并包括一个或多个打印作业命令和/或命令参数。
在一个实施例中，电子控制器30控制喷墨打印头组件22从喷嘴34 喷射墨滴。这样，电子控制器30定义了形成字符、符号和/或其它在打 印介质36上的图形或图像的喷射墨滴的图样。喷射的墨滴的图样取决于打印作业命令和/或命令参数。
在一个实施例中，喷墨打印头组件22包括一个打印头40。在另一 实施例中，喷墨打印头组件22是宽阵列或多打印头的打印头组件。在 一个宽阵列实施例中，喷墨打印头组件22包括承载器，该承载器承载 打印头芯片40,提供打印头芯片40和电子控制器30之间的电联系，并 提供打印头芯片40和墨供应组件24之间的液体联系。
图2是说明打印头芯片40的一个实施例的一部分的图。打印头芯 片40包括打印或液体喷射元件42的阵列。打印元件42在基片44上形 成，在该基片中形成有供墨槽46。这样，供墨槽46为打印元件42提供 液墨供应。供墨槽46是液体供应源的一个实施例。液体供应源的其它 实施例包括但不限于为各相应的蒸发室供应的各相应的单独的供墨孔 和多个较短的供墨沟，每一个供墨沟为对应的液体喷射元件的组供应。 薄膜结构48有在其中形成的供墨通道54,该供墨通道54与在基片44 中形成的供墨槽46连通。孔口层50有正面50a和在正面50a上形成的 喷嘴口 34。孔口层50也有在其中形成的喷嘴室或蒸发室56,它与喷嘴 口 34和薄膜结构48的供墨通道54连通。发射电阻器52置于蒸发室56 中，引线58将发射电阻器52与控制施加电流通过选定的发射电阻器的 电路电耦接。这里提及的液滴生成器60包括发射电阻器52、喷嘴室或 蒸发室56和喷嘴口 34。
在打印过程中，墨从供墨槽46通过供墨通道54流至蒸发室56。喷 嘴口 34与发射电阻器52操作上关联，使得一旦给发射电阻器52供能， 在蒸发室56中的墨滴就通过喷嘴口 34 (例如，基本上垂直于发射电阻 器52的平面)向打印介质36喷射。
打印头芯片40的实施样例包括热打印头、压电打印头、静电打印 头或任何本领域已知的能够集成到多层结构中的其它类型的液体喷射 装置。基片44例如由硅、玻璃、陶瓷或稳定的聚合物形成，薄膜结构 48形成为包括一个或多个二氧化硅、碳化硅、氮化硅、钽、多晶硅玻璃 或其它适合的材料的钝化或绝缘层。薄膜结构48也包括定义发射电阻 器52和引线58的至少一个导电层。导电层制造为例如包括铝、金、钽、 钽-铝或其它金属或金属合金。在一个实施例中，如下面详细说明的那 样，发射单元电路是在诸如基片44和薄膜结构48的基片和薄膜层中实 施。
在一个实施例中，孔口层50包括感光环氧树脂，例如，麻省牛顿市(Newton, MA)的微化(Micro-Chem )公司销售的称为SU8的环氧树 脂。用SU8或其它聚合物制备孔口层50的典范技术在美国专利号 6162589中有详尽的说明，这里将其作为引用引入。在一个实施例中， 孔口层50由两个称为阻隔层(例如干膜光阻阻隔层)的独立的层和在 阻隔层上形成的一个金属孔口层(例如镍、铜、铁/镍合金、4巴、金或 铑层)构成。然而，可以采用其它适当的材料来形成孔口层50。
图3是说明在打印头芯片40的一个实施例中沿供墨槽46而设的液 滴生成器60的图。供墨槽46包括相对的供墨槽的边46a和46b。液滴 生成器60沿每一个相对的供墨槽的边46a和46b设置。总共n个液滴 生成器60沿供墨槽46而设，有m个液滴生成器60位于供墨槽的边46a 上，有n-m个液滴生成器60位于供墨槽的边46b上。在一个实施例中， n等于沿供墨槽46而设的200个液滴生成器60， m等于沿每一个相对的 供墨槽的边46a和46b而设的100个液滴生成器60。在其它的实施例中， 能够沿供墨槽46设置任何适当数目的液滴生成器60。
供墨槽46为沿供墨槽46设置的n个液滴生成器60中的每一个提 供墨。n个液滴生成器60中的每一个都包括发射电阻器52 、蒸发室56 和喷嘴34。 n个蒸发室56中的每一个通过至少一个供墨通道54与供墨 槽46液体地耦接。液滴生成器60中的发射电阻器52以受控制的顺序 供能，以从蒸发室56喷射液体通过喷嘴34,在打印介质36上打印图 像。
图4是说明在打印头芯片40的一个实施例中采用的发射单元70的 一个实施例的图。发射单元70包括发射电阻器52、电阻器驱动开关72 和存储电路74。发射电阻器52是液滴生成器60的一部分。驱动开关 72和存储电路74是控制电流施加通过发射电阻器52的电路的一部分。 在薄膜结构48中和基片44上形成发射单元70。
在一个实施例中，发射电阻器52是薄膜电阻器，驱动开关72是场 效应晶体管(FET)。发射电阻器52与发射线76和驱动开关72的漏-源路径电耦接。驱动开关72的漏-源路径也与参考线78电耦接，该参 考线78与诸如地的参考电压耦接。驱动开关72的栅极与控制驱动开关 72的状态的存储电路74电耦接。
存储电路74与数据线(DATA) 80和使能线(ENABLE) 82电耦接。 数据线80接收表示图像的一部分的数据信号，使能线82接收使能信号， 以控制存储电路74的操作。存储电路74被使能信号使能时，存储一位数据。存储的数据位的逻辑电平设置驱动开关72的状态(例如，关或 闭，导通或不导通)。使能信号可以包括一个或多个选择信号和一个或 多个地址信号。
发射线(FIRE) 76接收包括能量脉冲的能量信号，并为发射电阻器 52提供能量脉沖。在一个实施例中，能量脉冲由电子控制器30提供， 具有定时的起始时间和定时的持续期间，产生了定时的结束时间，来提 供适量的能量来加热和蒸发液滴生成器60的蒸发室56中的液体。如果 驱动开关72是导通(传导)，能量脉沖就加热发射电阻器52,加热并 从液滴生成器60喷射液体。如果驱动开关72断开(不传导)，能量脉 冲就不加热发射电阻器52,液体保持在液滴生成器60中。
图5是说明喷墨打印头发射单元阵列100的一个实施例的示意图。 发射单元阵列100包括排列为n个发射组102a-102n的多个发射单元 70。在一个实施例中，发射单元70排列为6个发射组102a-102n。在其 它的实施例中，发射单元70可排列为任何合适数目的发射组 102a-102n，例如4个或更多个发射组102a-102n。
阵列100中的发射单元70示意性地排列成L行ra列。发射单元70 的L行与接收使能信号的使能线路(ENABLE) 104电耦接。发射单元70 的每一行(这里称为发射单元70的行子组或子组)与一组子组使能线 106a-106L电耦接。子组使能线106a-106L接收使能发射单元70的相应 子组的子组使能信号SG1、 SG2、 ...SGL。
m列分别与接收数据信号Dl、 D2. . . Dm的m个数据线108a-108m电 耦接。m列中的每一个包括n个发射组102a-102n中的每一个中的发射 单元70,发射单元70的每一列(这里称为数据线组或数据组)电耦接 到数据线108a-108m中的一个。换句话说，数据线108a-l08m中的每一 个与一列中的每一个发射单元70电耦接，该列包括在发射组102a-102n 的每一个中的发射单元70。例如，数据线108a与最左方的列中的发射 单元70的每一个电耦接，该列包括在发射组102a-102n的每一个中的 发射单元70。数据线108b与相邻的列中的发射单元70的每一个电耦接， 如此类推，直到并包括数据线108m,该数据线108m与最右方的列中的 发射单元70的每一个电耦接，该列包括在发射组102a-102n的每一个 中的发射单元70。
在一个实施例中，阵列100浮皮布置成六个发射组102a-102n,六个 发射组102a-102n的每一个包括13个子组和8个数据线组。在其它的实施例中，阵列100可安排成任何合适数目的发射组102a-102n和任何 合适数目的子组和数据线组。在任一实施例中，发射组102a-102n不限 于有相同数目的子组和数据线组。相反，发射组102a-102n的每一个与 任何其它发射组102a-102n相比，可以有不同数目的子组和/或数据线 组。此外，每个子组与任何其它子组相比，可以有不同数目的发射单元 70,每个数据线组与任何其它数据线组相比，可以有不同数目的发射单 元70。
在每一个发射组102a-102n中的发射单元70与发射线110a-110n 中的一个电耦接。在发射组102a中，每一个发射单元70与接收发射信 号或能量信号FIRE1的发射线110a电耦接。在发射组102b中，每一个 发射单元70与接收发射信号或能量信号FIRE2的发射线110b电耦接， 如此类推，直到并包括发射组102n，其中每一个发射单元70与接收发 射信号或能量信号FIREn的发射线11 On电耦接。此外，发射组102a-l 02n 的每一个中的发射单元70的每一个与连到地的公共参考线112电耦接。
在操作中，在子组使能线106a-106L上提供子组使能信号SGl、 SG2、 ... SGL来使能发射单元70的一个子组。被使能的发射单元70存 储在数据线108a-108m上提供的数据信号Dl、 D2. . . Dm。数据信号Dl、 02...Dm存储在被使能的发射单元70的存储电路74中。存储的数据信 号Dl、 D2...Dm的每一个设定了在被使能的发射单元70中的一个之中 的驱动开关72的状态。驱动开关72基于存储的数据信号值而设定为导 通或不导通。
在选定的驱动开关72的状态祐:设定后，在与包括选定的发射单元 70的子组的发射组102a-102n对应的发射线11 Oa-11 On上提供能量信号 FIRE1到FIREn。该能量信号FIRE1到FIREn包括能量脉冲。在选定的 发射线110a-110n上提供能量脉冲，为具有导通驱动开关72的发射单 元70中的发射电阻器52供能。被供能的发射电阻器52加热并在打印 介质36上喷射墨，来打印数据信号Dl、 D2...Dm所表示的图像。在打 印结束之前，使能发射单元70的子组、在纟皮使能的子组中存储数据信 号D1、 D2.,.Dm、以及提供能量信号FIRE1到FIREn来为被使能的子组 中的发射电阻器52供能的过程持续进行。
在一个实施例中，当能量信号FIRE1到FIREn提供给选定的发射组 102a-102n时，子组4吏能信号SG1、 SG2、 ... SGL改变以选择和^f吏能不 同发射组102a-102n中的另一个子组。新使能的子组存储在数据线108a-108m上提供的数据信号D1、D2... Dm，并且能量信号FIRE1到FIREn 在发射线110a-110n中的一个上提供，为新使能的发射单元70中的发 射电阻器52供能。在任何一个时候，只有发射单元70的一个子组被子 组使能信号SG1、 SG2、 ... SGL使能来存储在数据线108a-108m上提供 的数据信号D1、 D2...Dm。在这方面，在数据线108a-108m上的数据信 号Dl、 D2. . . Dra是时分复用数据信号。另外，当能量信号FIRE1到FIREn 提供给选定的发射组102a-102n时，在选定的发射组102a-102n中只有 一个子组包括设置为导通的驱动开关72。然而，提供给不同发射组 102a-102n的能量信号FIREl到FIREn可以并且的确是重叠的。
图6是说明预充电发射单元120的一个实施例的示意图。预充电发 射单元120包括电耦接到发射电阻器52的驱动开关172。在一个实施例 中，驱动开关172是包括漏-源路径的场效应晶体管，漏-源路径一端与 发射电阻器52的一末端电耦接，另一端与参考线122电耦接。参考线 122是与诸如地的参考电压连在一起。发射电阻器52的另一末端与接收 包括能量脉沖的发射信号或能量信号FIRE的发射线124电耦接。如果 驱动开关172接通(导通)，能量脉冲就为发射电阻器52供能。
驱动开关172的栅极形成存储节点电容126,该存储节点电容126 作为存储器元件来起作用，按照预充电晶体管128和选择晶体管130的 顺序激活而存储数据。存储节点电容126以虚线示出，因为它是驱动开 关172的一部分。可替换地，可以将与驱动开关172分离的电容器作为 存储元件使用。
预充电晶体管128的漏-源路径和栅极电耦接到接收预充电信号的 预充电线(PRECHARGE) 132。驱动开关172的栅极与预充电晶体管128 的漏-源路径和选择晶体管130的漏-源路径电耦接。选择晶体管130的 栅极与接收选择信号的选择线(SELECT) 134电耦接。预充电信号是一 种脉冲式充电控制信号。另一种类型的脉冲式充电控制信号是一种在放 电的发射单元的实施例中采用的放电信号。
数据晶体管136、第一地址晶体管138和第二地址晶体管140包括 并行电耦接的漏-源路径。数据晶体管136、第一地址晶体管138和第二 地址晶体管140的并行组合在选择晶体管130的漏-源路径和参考线122 之间电耦接。包括与数据晶体管136、第一地址晶体管138和第二地址 晶体管140的并行结合耦接的选择晶体管130的串行电路跨驱动开关 172的节点电容126电耦接。数据晶体管136的栅极与接收数据信号~DATA的数据线142电耦接。第一地址晶体管138的栅极与接收地址信 号~ ADDRESS1的第一地址线144电耦接，第二地址晶体管"0的栅极与 接收地址信号~ ADDRESS2的第二地址线146电耦接。数据信号~ DATA 和地址信号~ ADDRESS1、 ~ ADDRESS2在低(在信号名称的开始处标示有 波形符~ )时是激活的。节点电容126、预充电晶体管128、选择晶体 管130、数据晶体管136和地址晶体管138、 140组成存储单元。
在操作中，节点电容126是通过在预充电线132上提供高幅度的电 压脉冲而通过预充电晶体管128预充电的。在一个实施例中，在预充电 线132上的高幅度的电压脉冲后，在数据线14、2上提供数据信号 DATA 以设置数据晶体管136的状态，在地址线144 ^口 146上提供地址信号~ ADDRESS1、 ~ADDRESS2以设置第一地址晶体管138和第二地址晶体管 140的状态。在选择线134上提供高幅度电压脉沖以打开选择晶体管 130,如果数据晶体管136、笫一地址晶体管138和/或第二地址晶体管 140导通，节点电容126就放电。可替代地，如果数据晶体管136、第 一地址晶体管138和第二地址晶体管140都断开，节点电容126就维持 充电。
如果两个地址信号~ ADDRESS1、 ~ ADDRESS2都^氐，预充电发射单元 120就是被寻址的发射单元；如果数据信号-DATA是高，节点电容126 就放电，如果数据信号 DATA为低，节点电容126就保持充电。如果地 址信号 ADDRESS1和 ADDRESS2中的至少一个为高，预充电发射单元 120就不是被寻址的发射单元；不管数据信号 DATA电压幅度如何，节 点电容126都放电。第一地址晶体管136和第二地址晶体管138构成地 址解码器，如果预充电发射单元120被寻址，数据晶体管136就控制在 节点电容126上的电压幅度。
图7是说明喷墨打印头发射单元阵列200的一个实施例的示意图。 发射单元阵列200包括安排成6个发射组202a-202f的多个预充电发射 单元120。每一个发射组202a-202f中的预充电发射单元120示意性安 排成13行、8列。阵列200中的发射组202a-202f和预充电发射单元 120示意性安排为78行、8列。
八列预充电发射单元120分别与接收数据信号~D1、 ~D2... ~D8的 8条数据线208a-208h电耦接。8列(这里称为数据线组或数据组)中 的每一个包括在六个发射组202a-202f中的每一个之中的预充电发射单 元120。每一列预充电发射单元120中的发射单元120中的每一个与数据线208a-208h中的一个电耦接。数据线组中的所有预充电发射单元 120与同一数据线208a-208h电耦接，该同一数据线208a-208h与该列 中的预充电发射单元120的数据晶体管136的栅极电耦接。在一个实施 例中，数据信号 D1、 ~D2、 ... ~D8的每一个表示图像的一部分。还 有，在一个实施例中，数据线208a-208h中的每一个通过相应的接口数 据衬垫与外部控制电路电耦接。
数据线208a与在最左列的预充电发射单元120中的每一个电耦接， 包括在每一个发射组202a-202f中的预充电发射单元。数据线208b与 相邻列的预充电发射单元120中的每一个电耦接，如此类推，直到和包 括数据线208h,该数据线208h与在最右列的预充电发射单元120中的 每一个电耦接，包括在每一个发射组202a-202f中的预充电发射单元 120。
78行的预充电发射单元120分别与接收地址信号~ Al、 ~ A2、 ... ~A7的地址线206a-206g电耦接。 一行的预充电发射单元120 (这里称为行子组或预充电发射单元120的子组)中的每一个预充电发 射单元120与地址线206a-206g中的两个电耦接。行子组中的所有预充 电发射单元120与相同的两个地址线206a-206g电耦接。
发射组202a-202f的子组;波标识为在发射组1 ( FG1 ) 202a中的子 组SGI-1到SG1-13、在发射组2 ( FG2 ) 202b中的子组SG2-1到SG2-13、... 直到并包括在发射组6 (FG6 ) 202f中的子组SG6-1到SG6-13。在其它 一些实施例中，每个发射组202a-202f可包括任何合适数目的子组，例 如14个或更多的子组。
每个子组的预充电发射单元120与两个地址线206a-206g电耦接。 对应于一子组的两个地址线206a-206g与该子组中所有预充电发射单元 120的第一和第二地址晶体管138和140电耦接。一个地址线206a-206g 与第一和第二地址晶体管138和140中的一个的栅极电耦接，另一个地 址线206a-206g与笫一和第二地址晶体管138和140中的另一个的栅极 电耦接。地址线206a-206g接收地址信号-Al、 ~A2...~A7,按如下 所示为阵列200的子组提供地址信号-Al、 ~A2 ... ~A7:行子组地址信号行子组
~A1, ~A2SGl-l， SG2-1...SG6-1
~A1， ~A3SG1-2, SG2-2...SG6-2
~A1,~ A4SGI-3， SG2-3...SG6-3
~A1, ~A5SG1-4, SG2-4...SG6-4
~ Al,~ A6SGI-5, SG2-5...SG6-5
~A1, ~A7SGI-6, SG2-6...SG6-6
~A2, ~A3SGI-7, SG2-7...SG6-7
~A2, ~A4SGI-8, SG2-8...SG6-8
~A2, ~A5SGI-9， SG2-9…SG6-9
~ A2,~ A6SGl-lO， SG2-10...SG6-10
~A2, ~A7SG卜ll， SG2-11...SG6-11
~A3, ~A4SGI-12, SG2-12...SG6-12
~A3, ~A5SGH3， SG2-13…SG6-13
在其它的实施例中，以任何合适的地址线206a-206g与子组的耦接 将地址线206a-206g电耦接到阵列200的子组，以提供任何合适的从行 子组地址信号到行子组的映射。
预充电发射单元120的子组通过在地址线206a-206g上提供地址信 号-Al、 ~A2 ... ~A7来寻址。在一个实施例中，地址线206a-206g 与在打印头芯片40上提供的一个或多个地址生成器电耦接。在其它的 实施例中，地址线206a-206g通过接口衬垫与外部控制电路电耦接。
预充电线210a-210f接收预充电信号PREl、 PRE2 ... PRE6，为相 应的发射组202a-202f提供预充电信号PREl、 PRE2 ... PRE6。预充电 线210a与FG1 202a中的所有预充电发射单元120电耦接。预充电线210b 与FG2 202b中的所有预充电发射单元120电耦接，如此继续，直至并 包括预充电线210f,该预充电线210f与FG6 202f中的所有预充电发射 单元12G电耦接。每个预充电线210a-210f与在相应的发射组202a-202f 中的所有预充电晶体管128的栅极和漏-源路径电耦接， 一个发射组 202a-202f的所有预充电发射单元120只与一个预充电线210a-210f电 耦接。因此，发射组202a-202f中的所有预充电发射单元120的节点电 容126通过为相应的预充电线210a-210f提供相应的预充电信号PREl、PRE2 ... PRE6来充电。在一个实施例中，预充电线210a-210f的每一 个通过相应的接口衬垫与外部控制电路电耦接。
选择线212a-212f接收选择信号SEL1、 SEL2 ... SEL6，并为相应 的发射组202a-202f ^是供选择信号SEL1、 SEL2 ... SEL6。选择线212a 与FG1 202a中的所有预充电发射单元120电耦接。选择线212b与FG2 202b中的所有预充电发射单元120电耦接，如此类推，直至并包括选 择线212f,该选择线212f与FG6 202f中的所有预充电发射单元120电 耦接。选择线212a-212f的每一个与相应的发射组202a-202f中的所有 选择晶体管130的栅极电耦接， 一个发射组202a-202f的所有预充电发 射单元120只与一个选择线212a-212f电耦接。在一个实施例中，选择 线212a-212f的每一个通过相应的接口衬垫与外部控制电路电耦接。还 有，在一个实施例中， 一些预充电线210a-21 Of和一些选择线212a-212f 电耦接在一起共用接口衬垫。
发射线214a-214f接收发射信号或能量信号FIRE1、 FIRE2 ... FIRE6,并为相应的发射组202a-202f提供能量信号FIREl、 FIRE2 ... FIRE6。发射线214a与FG1 202a中的所有预充电发射单元120电耦接。 发射线214b与FG2 202b中的所有预充电发射单元120电耦接，如此类 推，直至并包括发射线214f,该发射线214f与FG6 202f中的所有预充 电发射单元120电耦接。发射线214a-214f的每一个与相应的发射组 202a-202f中的所有发射电阻器52电耦接， 一个发射组202a-202f中的 所有预充电发射单元120只与一个发射线214a-214f电耦接。发射线 214a-214f通过合适的接口衬垫与外部供应电路电耦接。阵列200的所 有预充电发射单元120与参考线216电耦接，该参考线216与诸如地的 参考电压连接。因此，在预充电发射单元120的一个行子组中的预充电 发射单元120与相同的地址线206a-206g、预充电线210a-210f、选择 线212a-212f和发射线214a-214f电耦接。
在操作中，在一个实施例中，选择发射组202a-202f来连续发射。 在FG2 202b之前选择FGl 202a，在FG3之前选择FG2 202b,依次类推， 直到FG6 202f。在FG6 202f之后，发射组循环以FG1 202a重新开始。
地址信号-Al、 ~A2... ~ A7循环通过13 4于子组地址，然后再重 复行子组地址。在通过发射组202a-202f的每次循环期间，在地址线 206a-206g上提供的地址信号~ Al、 ~ A2 . . . -A7设置到一个行子组 地址。对通过发射组202a-202f的一次循环，地址信号-Al、 ~ A2 . . . ~
16A7在每个发射组202a-202f中选择一个行子组。对通过发射组 202a-202f的下一循环，改变地址信号 A1、 ~ A2 .. . ~ A7以选择在 每个发射组202a-202f中的另一个行子组。该操作持续进行，直到地址 信号 A1、 ~A2 ... ~ A7选择发射组202a-202f中的最后行子组。在 最后行子组之后，地址信号 A1、 ~A2 ... -A7选择第一行子组再次 开始地址循环。
在操作的另一方面，通过在一个发射组202a-202f的预充电线 210a-210f上提供预充电信号PREl、 PRE2 ... PRE6,操作发射组 202a-202f中的该一个。预充电信号PREl、 PRE2 ... PRE6定义了预充 电时间间隔或期间，在该l殳时间内，在该一个发射组202a-202f中的每 一个驱动开关172上的节点电容126被充电到高电压幅度，以对该一个 发射组202a-202f预充电。
在地址线206a-206g上提供地址信号 A1、 ~ A2 . ,. ~A7,以便 在每一个发射组202a-202f中寻址一个行子组，包括在预充电的发射组 202a-202f中的一个行子组。在数据线208a-208h上提供数据信号~ Dl、 ~D2...~D8,来为所有发射组202a-202f提供数据，包括在预充 电发射组202a-202f中寻址的行子组。
接着，在预充电发射组202a-202f的选择线212a-212f上提供选择 信号SELl、 SEL2 ... SEL6以选择预充电发射组202a-202f。选择信号 SELl、 SEL2 ... SEL6定义了对这样的预充电发射单元120中每一个驱 动开关172上的节点电容126进行放电的放电时间间隔，所述的预充电 发射单元120或者不在所选择的发射组202a-202f中的被寻址的行子组 中，或者在选择的发射组202a-202f中被寻址并且接收高电平的数据信 号 DK ~D2... ~D8。在这样的预充电发射单元120中节点电容126 不放电，所述预充电发射单元120在选定的发射组202a-202f中被寻址 并接收低电平的数据信号 D1、 ~D2... ~D8。在节点电容126上的高 电压幅度将驱动开关172开通(导通)。
在选定的发射组202a-202f中的驱动开关172祐 没为导通或不导通 之后，在选定的发射组202a-202f的发射线214a-214f上提供能量脉冲 或电压脉冲。具有导通驱动开关172的预充电发射单元120传导电流通 过发射电阻器52,加热墨并从相应的液滴生成器60中喷墨。
随着发射组202a-202f依次操作，将一个发射组202a-202f的选择 信号SELl、SEL2... SEL6用作下一发射组202a-202f的预充电信号PRE1 、PRE2 . . . PRE6。一个发射组202a-202f的预充电信号PRE1、PRE2 ... PRE6先于该一个发射组202a-202f的选择信号SEL1、 SEL2 . . . SEL6和 能量信号FIRE1、 FIRE2…FIRE6。在预充电信号PRE1、 PRE2 ... PRE6 之后，数据信号 D1 、 ~D2... D8被时分复用，并储存在由选择信 号SEL1、 SEL2 ... SEL6寻址的该一个发射组202a-202f的行子组中。 选定的发射组202a-202f的选择信号SEL1、 SEL2 . . . SEL6也是下一个 发射组202a-202f的预充电信号PRE1、 PRE2 ... PRE6。在选定的发射 组202a-202f的选择信号SEL1、 SEL2 . . . SEL6完成之后，提供下一发 射组202a-202f的选择信号SEL1、 SEL2 ... SEL6。当包括能量脉冲的 能量信号FIRE1、 FIRE2... FIRE6提供给选定的发射组202a-202f时， 在选定的子组中的预充电发射单元120基于存储的数据信号 D1、 ~ D2… -D8发射或加热墨。
图8是说明发射单元阵列200的一个实施例的操作的时序图。在根 据在300标示的数据信号 D1、 ~D2... ~D8为预充电发射单元120供 能后，选定发射组202a-202f。如302所示，对每个行子组地址和发射 组202a-202f组合，在300处标示的数据信号~ Dl、 ~ D2. . . ~ D8 4艮据 需要改变。在地址线206a-206g上提供在304处的地址信号-Al、 ~ A2 ... ~ A7以从发射组202a-202f中的每一个中寻址一个行子组。对 遍历发射组202a-202f的一个循环，在304处的地址信号-Al、 ~ A2... A7;故设置成一个在306处标示的地址。在循环完成后，在304 处的地址信号 A1、 ~A2 ... ~A7在308处改变，以便从发射组 202a-202f中的每一个中寻址不同的4亍子组。在304处的地址信号~ Al、 ~ A2 . . . ~ A7递增遍历4亍子组，以用连续的顺序/人1到13再回到 1寻址行子组。在其它的实施例中，可以设置在304处的地址信号~ Al、 ~A2 ... ~ A7来以任何合适的顺序寻址行子组。
在遍历发射组202a-202f的一个循环中，与FG6 202f耦接的选择 线212f和与FGl 202a耦接的预充电线210a接收包括SEL6/PRE1信号 脉沖310的SEL6/PRE1信号309。在一个实施例中，选择线212f和预 充电线210a电耦接在一起接收相同的信号。在另一实施例中，选择线 212f和预充电线210a没有电耦接在一起，但接收类似的信号。
在预充电线210a上的在310的SEL6/PRE1信号脉冲对FGl 202a中 的所有发射单元120预充电。将FGl 202a中的预充电发射单元120的 每一个的节点电容126充电到高电压幅度。在一个行子组SG1-K(在311处标示)中的预充电发射单元120的节点电容126在312预充电到高电 压幅度。在306的行子组地址选择子组SG1-K，为包括该地址选取的行 子组SG1-K的所有发射组202a-202f的所有预充电发射单元120中的数 据晶体管136提供在314的数据信号集。
FG1 202a的选择线212a和FG2 202b的预充电线210b接收包括 SEL1/PRE2信号脉冲316的SEL1/PRE2信号315。在选择线212a上的 SEL1/PRE2信号脉冲316开通FG1 202a中的每一个预充电发射单元120 中的选择晶体管130。对FG1 202a中的不在地址选中的行子组SGI-K的 每个预充电发射单元120,节点电容126放电。如318所示，在地址选 中的行子组SG1-K中，314处的数据被存储在行子组SG1-K中的驱动开 关172的节点电容126中，来将驱动开关开通(导通)或断开(不导通)。
在预充电线210b上的在316的SEL1/PRE2信号脉沖对FG2 202b中 的所有发射单元120预充电。将FG2 202b中的预充电发射单元120的 每一个的节点电容126充电到高电压幅度。在一个行子组SG2-K(在319 标示)中的预充电发射单元120的节点电容126在320预充电到高电压 幅度。在306的行子組地址选取子组SG2-K,在328的数据信号集提供 给包括地址选取的行子组SG2-K的所有发射组202a-202f的所有预充电 发射单元120中的数据晶体管136。
发射线214a接收包括在322的能量脉冲的能量信号FIRE1 (在323 标示)来为在FG1 202a中有导通驱动开关172的预充电发射单元120 中的发射电阻器52供能。当SEL1/PRE2信号脉冲316为高并且在非导 通驱动开关172上的节点电容126正^f皮积极拉低的同时，FIRE1能量脉 冲322变高，这在324的能量信号FIRE1 323上有标示。在节点电容126 正被积极拉低时将能量脉沖322切换为高避免了节点电容126在能量脉 冲322变高时被无意中通过驱动开关172充电。SEL1/PRE2信号315变 低，能量脉冲322提供给FG1 202a预定时间以加热墨并通过对应于导 通的预充电发射单元120的喷嘴34喷射墨。
用于FG2 202b的选择线212b和用于FG3 202c的预充电线21 Oc接 收包括SEL2/PRE3信号脉冲326的SEL2/PRE3信号325。在SEL1/PRE2 信号脉冲316变低而能量脉沖322为高时，在选择线212b上的 SEL2/PRE3信号脉冲326开通在FG2 202b的每一个预充电发射单元120 的选择晶体管130。对FG2 202b中的不在地址选中的行子组SG2-K的所 有预充电发射单元120,节点电容126放电。如330所示，用于子组SG2-K的数据信号集328存储在子组SG2-K的预充电发射单元120中来将驱动 开关172开通(导通)或断开(不导通)。在预充电线210c上的SEL2/PRE3 信号脉沖预充电FG3 202c的所有预充电发射单元120。
发射线214b接收包括能量脉冲332的能量信号FIRE2(在331标 示)，为在FG2 202b中的具有导通驱动开关172的预充电发射单元120 中的发射电阻器52供电。在334示出，当SEL2/PRE3信号脉沖326为 高时，FIRE2能量脉冲332升高。SEL2/PRE3信号脉沖326变低，FIRE2 能量脉沖332保持为高以加热和从相应的液滴生成器60喷射墨。
在SEL2/PRE3信号脉冲326变低之后而能量脉沖332为高时，提供 SEL3/PRE4信号以选择FG3 202c并预充电FG4 202d。预充电、选择和 提供包括能量脉冲的能量信号的过程继续进行，一直到并包括FG6 202f。
在预充电线210f上的SEL5/PRE6信号脉冲预充电FG6 上的所 有发射单元120。将FG6 202f的预充电发射单元的每一个的节点电 容126充电到高电压幅度。将在339所示的一个行子组SG6-K中的预充 电发射单元120的节点电容126在341预充电到高电压幅度。在306的 行子组地址选择子组SG6-K,将数据信号集338提供给在包括地址选定 的行子组SG6-K的所有发射组202a-202f的所有预充电发射单元120中 的数据晶体管136。
用于FG6 202f的选^奪线212f和用于FG1 202a的预充电线21 Oa在 336接收第二 SEL6/PRE1信号脉冲。在选择线上的第二 SEW/PRE1 信号脉冲336开通在FG6 202f的每个预充电发射单元中的选择晶 体管130。对FG6 202f中的不在地址选中的行子组SG6-K中的所有预充 电发射单元120,节点电容126放电。在地址选中的行子组SG"K中， 数据338在340存储在每一个驱动开关172的节点电容126中以开通或 断开驱动开关。
在预充电线210a上的SEL6/PRE1信号将FG1 202a的所有发射单元 120 (包括在342标示的行子组SGI-K中的发射单元120)中的节点电容 126预充电到高电压幅度。在地址信号-Al、 ~A2 ... ~A7 3(M选择行 子组SG1-K、 SG2-K等等，直到子组SG6-K的同时，FG1 202a中的发射 单元120预充电。
发射线214f接收包括在344的能量脉冲的在343标示的能量信号 FIRE6，来为FG6 202f中具有导通驱动开关172的预充电发射单元120 的发射电阻器52供能。当SEL6/PRE1信号脉沖336为高，且非导通驱动开关172上的节点电容126正被积极拉低(在346标示)时，能量脉 冲344变高。在将节点电容126积极拉低的同时将能量脉沖3"切换为 高，防止了在能量脉冲344变高时节点电容126无意中通过驱动开关172 充电。SEL6/PRE1信号脉冲336变低，能量脉冲344保持为高一段预定 时间以加热墨并通过对应于导通的预充电发射单元120的喷嘴34喷墨。在SEL6/PRE1信号脉冲336变低之后而能量脉沖344为高时，在308 改变地址信号 A1、 ~A2... ~ A7以选择另一组子组SG1-K+1、 SG2-K+1 等等直到SG6-K+1。用于FG 1 202a的选择线212a和用于FG2 202b的 预充电线210b接收SEL1/PRE2信号脉沖(在348标示)。在选择线212a 上的SEL1/PRE2信号脉冲348开通在FG1 202a的每个预充电发射单元 120中的选择晶体管130。对FG1 202a中的不在地址选中的子组SGI-K+l 中的每个预充电发射单元120，节点电容126放电。用于行子组SG1-K+1 的数据信号集350存储在子组SG1-K+l的预充电发射单元120中来将驱 动开关172导通或断开。在预充电线210b上的SEL1/PRE2信号脉冲348 对FG2 202b中的所有发射单元120预充电。发射线214a接收能量脉沖352为FG1 202a的具有导通驱动开关172 的预充电发射单元120的发射电阻器52供能。在348的SEL1/PRE2信 号脉沖为高时，能量脉沖352变高。SEL1/PRE2信号脉沖3"变低，能 量脉冲352维持高以加热并从相应的液滴生成器60喷墨。这一过程将 持续到打印结束。图9是说明配置为锁存数据的预充电发射单元15 G的 一 个实施例的 示意图。在一个实施例中，预充电发射单元150是当前发射组的一部分， 而当前发射组是喷墨打印头发射单元阵列的一部分。喷墨打印头发射单 元阵列包括多个发射组。预充电发射单元150与图6的预充电发射单元120相似，包括驱动 开关172、发射电阻器52和预充电发射单元120的存储单元。预充电发 射单元150的与预充电发射单元120的部件一致的部件与预充电发射单 元12G的部件的数字相同，像在图6的说明中说明的那样电耦接在一起 以及耦接到信号线，区别在于，数据晶体管136的栅极与接收锁存数据 信号 LDATAIN的锁存数据线156电耦接，而不是与接收数据信号-DATA的数据线142耦接。此外，与预充电发射单元120—致的预充电发 射单元150的部件像在图6的说明中说明的那样起作用和操作。预充电发射单元150包括数据锁存晶体管152,该数据锁存晶体管包括在数据线154和锁存数据线156之间电耦接的漏-源路径。数据线 154接收数据信号~ DATA,数据锁存晶体管152将数据锁存到预充电发 射单元150以提供锁存数据信号 LDATAIN。在信号名称的开始处有波 形符(~ )标示的数据信号 DATAIN和锁存数据信号 LDATAIN在低电 平时是活性的。数据锁存晶体管152的栅极与接收当前发射组的预充电 信号的预充电线(PRECHARGE) 132电耦接。在另一实施例中，数据锁存晶体管152的栅极不与当前发射组的预 充电线132电耦接。相反，数据锁存晶体管152的栅极与例如另一发射 组的预充电线的提供脉沖信号的不同的信号线电耦接。在一个实施例中，数据锁存晶体管152是最小尺寸的晶体管，以便 在预充电信号从高电压幅度转换到低电压幅度时，使在锁存数据线156 和数据锁存晶体管152的栅到源节点之间的电荷共享最小化。电荷共享 减少了高电压幅度的锁存数据。还有，在一个实施例中，当预充电信号 是低电压幅度并且最小尺寸的晶体管使这个电容保持为低时，数据锁存 晶体管152的漏极决定在数据线154上看到的电容。数据锁存晶体管152通过高幅度的预充电信号，将来自数据线154 的数据传至锁存数据线156和锁存数据存储节点电容158。当预充电信 号从高幅度向低幅度转换时，该数据锁存在锁存数据线154和锁存数据 存储节点电容158上。该锁存数据存储节点电容158以虚线示出，因为 它是数据晶体管136的一部分。可替换地，可以使用与数据晶体管136 分离的电容器来存储锁存的数据。锁存数据存储节点电容158足够大，以致当预充电信号从高幅度转 换为低幅度时，它基本上保持在高幅度。还有，锁存数据存储节点电容 158足够大，以致在通过发射信号FIRE提供能量脉冲并且在选择信号 SELECT中提供高的电压脉冲时，该锁存数据存储节点电容基本上保持低 幅度。此外，数据晶体管136足够小，使得当驱动开关172的栅极放电 时，在锁存数据存储节点电容158上保持低幅度，数据晶体管136又足 够大，使得在发射信号FIRE中的能量脉冲的开始之前将驱动开关172 的才册纟及完全放电。在一个实施例中，多个预充电发射单元使用相同的数据，共享相同 的数据锁存晶体管152和在156的锁存数据信号~LDATAIN。在156的 锁存数据信号-LDATAIN锁存一次，被该多个预充电发射单元所使用。 这增加了在任何单个锁存数据线15 6上的电容，使得它少经受切换问题，并降低通过数据线154驱动的总电容。在操作中，数据线154接收数据信号-DATAIN,通过在预充电线132 上提供高幅度的电压脉冲，通过数据锁存晶体管152将该数据信号~ DATAIN传送到锁存数据线156和锁存数据存储节点电容158。还有，存 储节点电容126是利用在预充电线132上的高幅度电压脉冲、通过预充 电晶体管128预充电的。当预充电线132上的电压脉沖从高电压幅度转 变到低电压幅度时，断开数据锁存晶体管152来提供锁存数据信号~ LDATAIN。当预充电信号处于高电压幅度时提供要锁存到预充电发射单 元150中的数据，并保持到预充电信号转换为低电压幅度之后。相反， 在选择信号处于高电压幅度时，提供要锁存到图6的预充电发射单元 120中的数据。在另一实施例中，数据锁存晶体管152的栅极不与当前发射组的预 充电线132电耦接。取而代之的是，数据锁存晶体管152的栅极与另一 发射组的预充电线电耦接。数据线154接收数据信号 MTAIN,并通过 在该另一发射组的预充电线上提供高幅度电压脉冲、通过数据锁存晶体 管152传送到锁存数据线156和锁存数据存储节点电容158。在该另一 发射组的预充电线上的电压脉冲从高电压幅度转变到低电压幅度时，数 据锁存晶体管152断开，.以提供锁存数据信号 LDATAIN。存储节点电 容126通过预充电线132上的高幅度电压脉沖通过预充电晶体管128预 充电。在该另一发射组的预充电线上的电压脉沖从高电压幅度转变到低 电压幅度之后，在预充电线132上的高电压脉沖发生。在一个实施例中，当前发射组的第 一预充电发射单元的诸如数据锁 存晶体管152的数据锁存晶体管的栅极与不同于当前发射组的第 一发射 组的第一预充电线电耦接。还有，当前发射组的第二预充电发射单元的 诸如数据锁存晶体管152的数据锁存晶体管的栅极与不同于第一发射组 和当前发射组的第二发射组的笫二预充电线电耦接。数据线154在第一 和第二发射组的预充电信号是高电压幅度时提供数据。通过当前发射组 的预充电信号和选择信号使用锁存到第一和第二预充电发射单元中的 数据。在一个实施例中，数据线154没有与喷墨打印头发射单元阵列中 的每个发射组电耦4妾。在预充电发射单元150的一个实施例中，在预充电线132上的高幅 度电压脉冲之后，在地址线144和146上提供地址信号~ ADDRESS1和~ ADDRESS2来设置第一地址晶体管138和第二地址晶体管140的状态。在23选择线(SELECT) 134上提供高电压幅度脉冲开通选择晶体管130,如 果数据晶体管136、第一地址晶体管138和/或笫二地址晶体管W0开通， 存储节点电容126就放电。可替换地，如果数据晶体管136、笫一地址 晶体管138和第二地址晶体管14Q都断开，存储节点电容U6就保持充 电。如果两个地址信号 ADDRESS1和 ADDRESS2都^氐，预充电发射单 元150就是被寻址的发射单元，如果锁存数据信号-LDATAIN为高，存 储节点电容126就放电，或者如果锁存数据信号 LDATAIN为低，存储 节点电容126就保持充电。如果至少有一个地址信号~ ADDRESS1和~ ADDRESS2为高，预充电发射单元150就不是被寻址的发射单元，不管锁 存数据信号 LDATAIN的电压幅度如何，存储节点电容126都放电。第 一和第二地址晶体管136和138构成地址解码器，如果预充电发射单元 150被寻址，数据晶体管136就控制存储节点电容126上的电压幅度。图10是说明两倍数据速率发射单元电路400的一个实施例的示意 图。两倍数据速率发射单元电路400在预充电信号中的每个高电压脉冲 下，锁存来自每一个数据线的两个数据位。因此，不增加发射频率或输 入衬垫的数目就能够为两倍数目的发射电阻器供能。通过例如增加打印:用相同数目的液;离生成器而降低输5入衬垫的数目、:能^多提高每个i入衬垫的墨滴发生器的数目。有更多液滴生成器的打印头通常以更高的质 量和/或更快的打印速度打印。还有，具有较少的输入衬垫的打印头一 般比具有更多的输入衬垫的打印头成本更低。两倍数据速率发射单元电路40G包括诸如发射组402的多个发射组 和一个时钟锁存电路404。发射组402包括配置为锁存数据的多个预充 电发射单元150和诸如行子组406的多个行子组。行子组406包括预充 电发射单元150a-150m。发射组402中的每个预充电发射单元150与预充电线408电耦接以 接收预充电信号PRECHARGE,与选择线410电耦接以接收选择信号 SELECT,与发射线412电耦接以接收发射信号FIRE。行子组406中的每 个预充电发射单元150a-150m与第一地址线414电耦接以接收第一地址 信号 ADDRESS1，与第二地址线416电耦接以接收第二地址信号~ ADDRESS2。预充电发射单元150接收信号并如图9的说明中那样来操作。时钟锁存电路404包括时钟锁存晶体管418a-418n。每个时钟锁存晶体管418a-418n的栅极与时钟线420电耦接以接收数据时钟信号 DCLK。每个时钟锁存晶体管418a-418n的漏-源路径与数据线422a-422n 中的一个电耦接以接收在422所示的数据信号 D1到 Dn中的一个。 每个时钟锁存晶体管418a-418n的漏-源路径的另 一侧通过相应的时钟 数据线424a-424n，与发射组402和两倍数据速率发射单元电路400中 的所有其它发射组中的预充电发射单元150电耦接。让一个数据线组中 的所有的预充电发射单元15G与时钟锁存晶体管418a-418n中的一个电 耦接确保了在时钟化的数据线424a-424n上有足够的电容，以确保时钟 化数据信号 DC1到~DCn共享的电荷足够小，以致当预充电信号转换 为低电压幅度和在420的数据时钟信号DCLK转换为低电压幅度时，足 以在锁存于预充电发射单元150中的数据中维持最低程度的高电压幅 度。在其它的实施例中，每一个时钟锁存晶体管418a-418n和相应的时 钟数据线424a-424n可以分割成多个晶体管和多个数据线。在一个实施 例中，与时钟锁存晶体管418a-418n中的一个对应的多个晶体管中的一 个和与时钟数据线424a-424n中的一个对应的多个数据线中的一个与在 液体通道的一侧上的发射组的喷嘴耦接。与时钟锁存晶体管418a-418n 中的同 一个对应的多个晶体管中的另 一个和与时钟数据线424a-424n中 的同 一个对应的多个数据线中的另 一个与在液体通道的另 一侧上的发 射组的喷嘴耦接。在一个实施例中，每个喷嘴可以通过多个数据线中的 单独的 一 个与多个晶体管中的单独的 一 个耦接。时钟锁存晶体管418a包括在一端与数据线422a电耦接以接收数据 信号-Dl的漏-源路径。时钟锁存晶体管418a的漏-源路径的另一端在 424a与预充电发射单元150a和所有与预充电发射单元150a同列或同数 据线组的预充电发射单元150电耦接，包括发射组402中的预充电发射 单元150和两倍数据速率发射单元电路400中的其它发射组。时钟锁存 晶体管418a的漏-源路径与数据线154和在相应的数据线组中的每一个 预充电发射单元150中的数据锁存晶体管152的漏-源路径电耦接。时 钟锁存晶体管418a在422a接收数据信号~D1,并在422a为包括预充 电发射单元150a的数据线组提供时钟化数据信号~DC1。数据线422a也与预充电发射单元150b和所有与预充电发射单元 150b同列或同数据线组的预充电发射单元150电耦接，包括发射组402150。数据线422a与数据线154和在相应的数据线组中的每一个预充电 发射单元15G中的数据锁存晶体管152的漏-源路径电耦接。包括预充 电发射单元15 0b的数据线组在422a接收数据信号~ Dl。时钟锁存晶体管418b包括在一端与数据线422b电耦接以接收数据 信号~ D2的漏-源路径。时钟锁存晶体管418b的漏-源路径的另一端在 424b与预充电发射单元150c和与预充电发射单元UOc同列或同数据线 组的所有的预充电发射单元150电耦接，包括在发射组402和在两倍数 据速率发射单元电路400中的其它发射组中的预充电发射单元150。时 钟锁存晶体管418b的漏-源路径与数据线154和在相应的数据线组中的 每一个预充电发射单元150中的数据锁存晶体管152的漏-源路径电耦 接。时钟锁存晶体管418b在422b接收数据信号 D2，并在424b为包 括预充电发射单元150c的数据线组提供时钟化数据信号~ DC2。数据线422b还与预充电发射单元150d和与预充电发射单元150d 同列或同数据线组的所有的预充电发射单元150电耦接，包括在发射组 402和在两倍数据速率发射单元电路400中的其它发射组中的预充电发 射单元150。数据线422b与数据线154和在相应的数据线组中的每一个 预充电发射单元150中的数据锁存晶体管152的漏-源路径电耦接。包 括预充电发射单元150d的数据线组在422b接收数据信号~ D2。时钟锁存电路404中的其余的时钟锁存晶体管418同样与两倍数据 速率发射单元电路400中的预充电发射单元150电耦接，直至并包括时 钟锁存晶体管418n,该时钟锁存晶体管418n包括在一端与数据线422n 电耦接以接收数据信号~ Dn的漏-源路径。时钟锁存晶体管418n的漏-源路径的另一端在424n与预充电发射单元150m-l和与预充电发射单元 150m-l同列或同数据线组的所有的预充电发射单元150电耦接，包括 在发射组402和在两倍数据速率发射单元电路400中的其它发射组中的 预充电发射单元150。时钟锁存晶体管418n的漏-源路径与数据线154 和在相应的数据线组中的每一个预充电发射单元150中的数据锁存晶体 管152的漏-源路径电耦接。时钟锁存晶体管418n在"卩n接收数据信 号~ Dn,并在424n为包括预充电发射单元150m_l的数据线组提供时钟 化数据信号~ DCn。数据线422n也与预充电发射单元150m和与预充电发射单元150m 同列或同数据线组的所有的预充电发射单元15G电耦接，包括在发射组 402和在两倍数据速率发射单元电路400中的其它发射组中的预充电发射单元150。数据线422n与数据线154和在相应的数据线组中的每一个 预充电发射单元15G中的数据锁存晶体管152的漏-源路径电耦接。包 括预充电发射单元150m的数据线组在422n接收数据信号~Dn。数据线422a-422n的每一个通过这样的预充电发射单元150中的凄史 据锁存晶体管152对锁存数据线节点充电，所述预充电发射单元150在 接收高电压幅度预充电信号的发射组中。此外，每一个数据线422a-422n 在数据时钟信号CLK中的每一个高电压脉冲下对时钟化数据线 424a-424n充电，并通过这样的预充电发射单元150中的数据锁存晶体 管152对所连接的锁存数据线节点充电，所述预充电发射单元150在接 收高电压幅度预充电信号的发射组中。通过数据线422a-422n充电的数 据节点具有比非两倍数据速率发射单元电路的栅极电容大一些的电容。在本实施例中，大体上一半的预充电发射单元150耦接以接收时钟 化数据信号~DC1到~DCn,大体上一半的预充电发射单元150耦接以接 收数据信号 D1到~Dn。还有，在行子组中的每隔一个的预充电发射单 元150电耦接以接收时钟化数据信号~ DC1到~ DCn，其它的耦接以接收 数据信号-DCl到 Dn。在其它的实施例中，可以耦接任何适当百分比 的预充电发射单元150以接收时钟化数据信号~ DC1到~ DCn，可以耦接 任何适当百分比以接收数据信号~D1到 Dn。在其它的实施例中，可以 耦接预充电发射单元150以任何合适的顺序或模式或根本没有顺序地接 收时钟化数据信号~ DC1到~ DCn和数据信号~ Dl到~ Dn。每一个数据信号~ DC1到~ Dn在预充电信号PRECHARGE的高电压脉 冲的前半部分期间包括第 一数据位，在高电压脉沖的后半部分期间包括 第二数据位。还有，时钟信号DCLK在预充电信号PRECHARGE中的高电 压脉冲的前半部分期间包括高电压脉冲。在操作中，预充电信号PRECHARGE和时钟信号DCLK转变到高电压 幅度，数据信号 D1到 Dn中的每一个包括第一数据位，该第一数据 位在时钟信号DCLK的高电压脉沖期间提供给相应的时钟锁存晶体管 418a-418n。时钟锁存晶体管418a-418n将第一数据位传递给预充电发 射单元150a、 150c等直到150m-l的相应的数据线组。当时钟信号DCLK 中的高电压脉冲转变到低电压幅度时，时钟锁存晶体管418a-418n锁存 第一数据位以提供时钟化数据信号~ DC1到~ DCn。也为预充电发射单元 150b、 150d等直至150m的相应的数据线组提供第一数据位。接着，每一个数据信号 D1到-Dn包括第二数据位，该第二数据27位在预充电信号PRECHARGE中的高电压脉沖的后半部分期间提供给相应 的时钟锁存晶体管418a-418n和预充电发射单元15 Ob、 150d等直至15 0m 的相应的数据线组。时钟锁存晶体管418a-418n通过低电压幅度的时钟 信号CLK断开，防止第二数据位传递到预充电发射单元150a、 150c等 直到150m-l的相应的数据线组。时钟化数据信号~ DC1到~ DCn和数据信号~ Dl到~ Dn中的第二数 据位由两倍数据速率发射单元电路400中的相应的数据线组中的所有预 充电发射单元150接收。在发射组402,时钟化数据信号 DC1到~DCn 和数据信号 D1到 Dn中的第二数据位由预充电发射单元150中的数 据线154接收，通过数据锁存晶体管152和预充电信号PRECHARGE的高 电压幅度脉沖传递给锁存数据线156和锁存数据存储节点电容158。还 有，在发射组402,利用预充电信号PRECHARGE中的高电压幅度脉冲， 通过预充电晶体管128对存储节点电容126预充电。接着，在发射组402 中，数据锁存晶体管152断开以锁存时钟化数据信号 DC1到-DCn和 数据信号~ Dl到~ Dn中的第二数据位，以在预充电信号PRECHARGE转 变到低电压幅度时提供锁存数据信号~ LDATAIN。在预充电发射单元150的一个实施例中，在预充电信号PRECHARGE 的高电压幅度脉冲转变到低电压幅度时，提供地址信号~ ADDRESS1和~ ADDRESS2以选择行子组406,在选才奪信号SELECT中提供高电压幅度月永 冲以开通选择晶体管130。在行子组406中，如果锁存数据信号~ LDATAIN为高，存储节点电容126就放电，如果锁存数据信号~ LDATAIN 为低，存储节点电容126就保持充电。在没有被寻址的行子组中，不管 锁存数据信号~ LDATAIN的电压幅度如何，存储节点电容126都放电。 在发射信号FIRE中提供能量脉冲，以便为与行子组406中的导通驱动 开关172耦接的发射电阻器52供能。在一个实施例中，通过在第 一数据位中时钟化和在另 一发射组中对 发射单元150预充电，对两倍数据速率发射单元电路40Q中的预充电发 射单元150的供能继续。时钟化数据信号和第二数据位通过预充电信号 的下降沿被锁存到预充电发射单元150，提供地址信号来选择行子组。 提供选择信号中的高电压幅度脉冲信号和发射信号中的能量脉冲，以便 激励其它发射组中的导通的预充电发射单元150。这一进程持续到喷射 -液体完成为止。在其它的实施例中，发射单元电路可包括诸如时钟锁存电路404的任何合适数量的时钟锁存电路，以在预充电信号PRECHARGE的每一个高 电压脉冲锁存诸如3或4个或更多个数据位的合适数目的数据位。例如， 发射单元电路可以包括第二时钟锁存电路，该第二时钟锁存电路通过第 二数据时钟在第三数据位中时钟化，并且在预充电信号PRECHARGE从高 电压幅度转到低电压幅度时，发射单元电路锁存第一、第二和第三数据 位，使得发射单元电路是三数据速率发射单元电路。图ll是说明图10的两倍数据速率发射单元电路400的一个实施例 的操作的时序图。两倍数据速率发射单元电路400包括第一发射组FG1、 第二发射组FG2、第三发射组FG3和其它发射组直至发射组FGn。两倍 数据速率发射单元电路400接收预充电/选择信号SO、 Sl、 S2及其它预 充电/选择信号直至Sn。预充电/选择信号SO-Sn被用作两倍数据速率发 射单元电路400中的预充电信号和/或选择信号。第一发射组FG1接收在500的信号SO作为预充电信号，接收在502 的信号Sl作为选择信号。第二发射组FG2接收在502的信号Sl作为预 充电信号，接收在504的信号S2作为选择信号。第三发射组FG3接收 在504的信号S2作为预充电信号，接收信号S3 (未示出)作为选择信 号等等，直到接收信号Sn-l (未示出)作为预充电信号和信号Sn (未示 出)作为选择信号的发射组FGn。时钟锁存电路404接收在506的数据时钟信号DCLK,接收在508的 数据信号~ Dl到~ Dn，提供在510的时钟化数据信号~ DC1到~ DCn。 发射组FG1到FGn锁存在508的数据信号~ Dl到~ Dn和在510的时钟 化数据信号~ DC1到~ DCn,以提供用于开通驱动开关172来为选择的发 射电阻器52供能的锁存时钟化数据信号和锁存数据信号。每个发射组 接收到发射信号，所述发射信号包括为选定的发射电阻器52供能的能 量脉冲。在一个实施例中，能量脉冲基本上向着发射组的选择信号中的 高电压脉冲的中部或尾部开始，以便为发射组中的选定的发射电阻器52 供能。第一发射组FG1锁存在508的数据信号~D1到~Dn和在510的时 钟化数据信号~ DC1到~ DCn,以便提供在512的锁存的第一发射组时钟 化数据信号FG1C和在514的锁存的第一发射组数据信号FG1D。第二发 射组FG2锁存在508的数据信号~ Dl到~ Dn和在510的时钟化数据信 号~ DC1到~ DCn,以便提供在516的锁存的第二发射组时钟化数据信号 FG2C和在518的锁存的笫二发射组数据信号FG2D。第三发射组FG3锁存在508的数据信号~ Dl到~ Dn和在510的时钟化数据信号~ DC1到~ DCn，以便提供在520的锁存的第三发射组时钟化数据信号FG3C和在522 的锁存的第三发射组数据信号FG3D。其它发射组与发射组FG1到FG3类 似，也锁存在508的数据信号~D1到 Dn和在510的时钟化数据信号~ DC1到~ DCn,以便提供锁存时钟化数据信号和锁存数据信号。首先，在500的信号SO在第一发射组FG1的预充电信号中提供了 在524的高电压脉冲，在524的高电压脉冲的前半部分期间，在506的 数据时钟信号DCLK提供了在526的高电压脉冲。时钟锁存电路404接 收在526的高电压脉冲，传递在508的数据信号~D1到~Dn,以提供在 510的时钟化数据信号~ DC1到~ DCn。在位于524的高电压脉冲的前半部分，位于508的数据信号 D1 到-Dn包括在528的第一发射组时钟化数据信号1C,该第一发射组时 钟化数据信号1C通过时钟锁存电路404来提供在510的时钟化数据信 号 DC1到~DCn中的在530的第一发射组时钟化数据信号1C。还有， 在530的第一发射组时钟化数据信号1C通过第一发射组FG1的预充电 发射单元150中的数据锁存晶体管152,来提供在512的锁存的第一发 射组时钟化数据信号FG1C中的在532的第一发射组时钟化数据信号1C。 当高电压脉沖526转变到低的逻辑电平时，在530的第一发射组时钟化 数据信号1C被作为在510的时钟化数据信号 DC1 DCn锁存。在528 的第一发射组时钟化数据信号1C必须保持到高电压脉冲526转变到低 于晶体管的阈值之后。在位于524的高电压脉冲的后半部分，在508的数据信号~D1到~ Dn包括在5 34的第一发射组数据信号1D。在534的第一发射组数据信 号1D通过连到数据线422的第一发射组FG1的预充电发射单元150中 的数据锁存晶体管152,来提供在514的锁存的第一发射组数据信号 FG1D中的在536的第一发射组数据信号1D。当高电压脉沖524转变到 低的逻辑电平时，在532的笫一发射组时钟化数据信号1C和在536的 第一发射组数据信号1D被锁存到第一发射组FG1中的预充电发射单元 150中。在534的第一发射组数据信号1D必须保持到高电压脉沖524转 变到低于晶体管的阈值之后。提供地址信号来选择行子组，在502的信号Sl提供了在第一发射 组FG1的选择信号和第二发射组FG2的预充电信号中的在538的高电压 脉冲。在538的高电压脉冲开通在第一发射组FG1的预充电发射单元150中的选择晶体管130。在寻址的行子组中，如果在512的锁存的第一发 射组数据FG1C和在514的FG1D为高，存储节点电容126就放电，或者 如果在512的锁存的第一发射组数据FG1C和在514的FG1D为低，存储 节点电容126就保持充电。在未寻址的行子组中，无论在512的锁存的 第一发射组数据FG1C和在514的FG1D的电压幅度是高是低，存储节点 电容126都放电。在第一发射组发射信号中提供了能量脉冲，以便为与 寻址的行子组中的导通驱动开关172耦接的发射电阻器52供能。在位于538的高电压脉冲的前半部分，在506的数据时钟信号DCLK 提供了在540的高电压脉冲。时钟锁存电路404接收在540的高电压脉 冲，传递在508的数据信号~ Dl到~ Dn,以便提供在510的时钟化数据 信号~ DC1到~ DCn。在位于538的高电压脉沖的前半部分，位于508的数据信号 D1 到~Dn包括在542的第二发射组时钟化数据信号2C,该第二发射组时 钟化数据信号2C通过时钟锁存电路404,来提供在510的时钟化数据信 号 DC1到~DCn中的在544的第二发射组时钟化数据信号2C。还有， 在544的第二发射组时钟化数据信号2C通过第二发射组FG2的预充电 发射单元150中的数据锁存晶体管152,来提供在516的锁存的第二发 射组时钟化数据信号FG2C中的在546的第二发射组时钟化数据信号2C。 当高电压脉冲540转变到低的逻辑电平时，在544的第二发射组时钟化 数据信号2C被作为在510的时钟化数据信号~ DC1到~ DCn锁存。在542的第二发射组时钟化数据信号2c必须保持到高电压脉冲540转变到低于晶体管的阈值之后。在位于538的高电压脉沖的后半部分，在508的数据信号~D1到~ Dn包括在548的第二发射组数据信号2D。在548的第二发射组数据信 号2D通过连到数据线422的第二发射组FG2的预充电发射单元150中 的数据锁存晶体管152,来提供在518的锁存的第二发射组数据信号 FG2D中的在550的第二发射组数据信号2D。当高电压脉冲538转变到 低的逻辑电平时，在546的第二发射组时钟化数据信号2C和在550的 第二发射组数据信号2D被锁存到第二发射组FG2中的预充电发射单元 150中。在548的第二发射组数据信号2D必须保持到高电压脉冲538转 变到低于晶体管的阈值之后。提供地址信号来选择行子组，在504的信号S2提供了在第二发射 组FG2的选择信号和第三发射组FG3的预充电信号中的在552的高电压脉冲。在552的高电压脉冲开通在第二发射组FG2的预充电发射单元150 中的选择晶体管130。在被寻址的行子组中，如果在516的锁存的第二 发射组数据FG2C和在518的FG2D为高，存储节点电容126就放电，或 者如果在516的锁存的第二发射组数据FG2C和在518的FG2D为低，存 储节点电容126就保持充电。在未寻址的行子组中，无论在516的锁存 的第二发射组数据FG2C和在518的FG2D的电压幅度是高是低，存储节 点电容126都放电。在第二发射组发射信号中提供了能量脉冲，以便为 与寻址的行子组中的导通驱动开关172耦接的发射电阻器52供能。在位于552的高电压脉冲的前半部分，在506的数据时钟信号DCLK 提供了在554的高电压脉冲。时钟锁存电路404接收在554的高电压脉 冲，传递在508的数据信号~ Dl到~ Dn,以便提供在510的时钟化数据 信号 DC1到~DCn。在位于552的高电压脉冲的前半部分，位于508的数据信号 D1 到~Dn包括在556的第三发射组时钟化数据信号3C,该笫三发射组时 钟化数据信号3C通过时钟锁存电路404来提供在510的时钟化数据信 号 DC1到~DCn中的在558的第三发射组时钟化舉据信号3C。还有， 在558的第三发射组时钟化数据信号3C通过第三发射组FG3的预充电 发射单元150中的数据锁存晶体管152,来提供在520的锁存的第三发 射组时钟化数据信号FG3C中的在560的第三发射组时钟化数据信号3C。 当高电压脉冲554转变到低的逻辑电平时，在558的第三发射组时钟化 数据信号3C被作为在510的时钟化数据信号~ DC1到~ DCn锁存。在556 的第三发射组时钟化数据信号3C必须保持到高电压脉冲554转变到低 于晶体管的阈值之后。在位于552的高电压脉沖的后半部分，在508的数据信号~D1到~ Dn包括在562的第三发射组数据信号3D。在562的第三发射组数据信 号3D通过连到数据线422的第三发射组FG3的预充电发射单元150中 的数据锁存晶体管152,来提供在522的锁存的第三发射组数据信号 FG3D中的在564的第三发射组数据信号3D。当高电压脉冲552转变到 低的逻辑电平时，在560的第三发射组时钟化数据信号3C和在564的 第三发射组数据信号3D被锁存到笫三发射组FG3中的预充电发射单元 150中。在562的第三发射组数据信号3D必须保持到高电压脉冲552转 变到低于晶体管的阈值之后。这个过程持续进行到且包括接收信号Sn-1作为预充电信号和接收32信号Sn作为选择信号的发射组FGn。然后该过程从第一发射组FG1开始 重新进行，直到喷射液体结束为止。图12是说明可用于多数据速率发射单元电路的预充电发射单元 160的一个实施例的示意图。预充电发射单元160与图6的预充电发射 单元120类似，包括驱动开关172、发射电阻器52和预充电发射单元 120的存储单元。预充电发射单元160的与预充电发射单元120的部件 对应的部件有与预充电发射单元120的部件相同的数字，如图6所述那 样电耦接在一起耦接到信号线，区别是数据晶体管136的栅极电耦接到 接收锁存数据信号~LDATAIN的锁存数据线166,而不是耦接到接收数 据信号~ DATA的数据线142。此外，预充电发射单元160的与预充电发 射单元120的部件对应的部件如图6的说明中那样起作用和操作。预充电发射单元160包括数据锁存晶体管162，该数据锁存晶体管 162包括在数据线164和数据锁存线166之间电耦接的漏-源路径。数 据线164接收数据信号~ DATAIN，数据锁存晶体管162将数据锁存到预 充电发射单元160以提供锁存数据信号-LDATAIN。数据信号~ DATAIN 和锁存的数据信号 LDATAIN在低时是活性的，以在信号名的前面的波 形符(~ )标示。数据锁存晶体管162的栅极电耦接到接收数据选择信 号DATASEL的数据选择线170。在一个实施例中，数据锁存晶体管162是最小尺寸的晶体管，以便 在数据选择信号从高电压幅度转换到低电压幅度时，使在锁存数据线 166和数据锁存晶体管162的栅-源节点之间的电荷共享最小化。电荷共 享减少了高电压幅度的锁存数据。还有，在一个实施例中，当数据选择 信号是低电压幅度并且最小尺寸的晶体管使这个电容保持为低时，数据 锁存晶体管162的漏极决定在数据线164上看到的电容。数据锁存晶体管162通过高幅度的数据选择信号，将来自数据线 164的数据传至锁存数据线166和锁存数据存储节点电容168。当数据 选择信号从高电压幅度向低电压幅度转换时，该数据锁存在锁存数据线 164和锁存数据存储节点电容168中。该锁存数据存储节点电容168以 虚线示出，因为它是数据晶体管136的一部分。可替换地，可以使用与 数据晶体管136分离的电容器来存储锁存的数据。锁存数据存储节点电容168足够大，以致当数据选择信号从高幅度 转换为低幅度时，它基本上保持在高幅度。还有，锁存数据存储节点电 容168足够大，以致在通过发射信号FIRE提供能量脉冲、在选择信号SELECT中提供高的电压脉冲并且在预充电信号PRECHARGE中提供高的 电压脉沖时，该锁存数据存储节点电容基本上保持低幅度。此外，数据 晶体管136足够小，使得当驱动开关172的栅极放电时，在锁存数据存 储节点电容168上保持低幅度，数据晶体管136又足够大，使得能够在 发射信号FIRE中的能量脉沖开始之前将驱动开关172的栅极完全放电。在使用预充电发射单元160的两倍数据速率发射单元电路的一个实 施例中，每一个数据选择线170与预充电线、第一时钟或第二时钟电耦 接。在一些发射组中，第一时钟与一些预充电发射单元160的数据选择 线170电耦接，发射组预充电线与其他预充电发射单元160中的数据选 择线170电耦接。在其它发射组中，第二时钟与一些预充电发射单元160 中的数据选择线170电耦接，发射组预充电线与其他预充电发射单元 160中的数据选择线170电耦接。第一时钟在与第一时钟耦接的发射组 的预充电信号中的每一个高电压脉冲的前半部分包括高电压脉冲。笫二 时钟在与第二时钟耦接的发射组的预充电信号中的每一个高电压脉冲 的前半部分包括高电压脉沖。因此，在一些发射组中，第一时钟和预充 电信号在预充电信号的每个高电压脉沖期间锁存两个数据位，在其它发 射组中，第二时钟和预充电信号在预充电信号的每一个高电压脉冲期间 锁存两个数据位。在使用预充电发射单元16G的多数据速率发射单元电 路的其它实施例中，可以在在预充电信号的高电压脉沖期间使用任何合 适数目的时钟信号锁存例如三个或更多数据位的多个数据位。在使用预充电发射单元160的多数据速率发射单元电路中， 一些数 据线每次对一个发射组中的锁存数据线节点充电，其中每个发射组接收 该发射组的预充电信号中的高电压幅度。其它数据线对多个发射组中的 锁存的数据线节点充电，其中多个发射组接收在时钟信号中的高电压脉 冲。在预充电发射单元160的操作中，数据线164接收数据信号 DATAIN,通过在数据选择线170上提供高电压脉沖，通过数据锁存晶体 管162将该数据信号~ DATAIN传送到锁存数据线166和锁存数据存储节 点电容168。存储节点电容126是利用在预充电线132上的高电压脉沖、 通过预充电晶体管128预充电的。当数据选择线170上的电压脉沖从高 电压幅度转变到低电压幅度时，断开数据锁存晶体管162，以提供锁存 的数据信号 LDATAIN。在数据选择信号处于高电压幅度的同时提供要 锁存到预充电发射单元160中的数据，并保持到数据选择信号转换为低电压幅度后为止。数据选择信号中的高电压脉冲在预充电信号中的高电 压脉冲期间产生，或者它是预充电信号中的高电压脉冲。与此不同的是，在选择信号处于高电压幅度时，提供要锁存到图6的预充电发射单元 120中的数据。在预充电发射单元160的 一个实施例中，在数据选择线170上的高 电压脉冲之后，在地址线144和146上提供地址信号~ ADDRESS1和~ ADDRESS2来设定第一地址晶体管138和第二地址晶体管140的状态。在 选择线134上提供高电压幅度脉沖以开通选择晶体管130，如果数据晶 体管136、第一地址晶体管138和/或笫二地址晶体管140开通，存储节 点电容126就放电。可替换地，如果数据晶体管136、第一地址晶体管 138和第二地址晶体管140都断开，存储节点电容126就保持充电。如果两个地址信号~ ADDRESS1和 ADDRESS2都低，预充电发射单 元160就是被寻址的发射单元，如果锁存数据信号 LDATAIN为高，存 储节点电容126就放电，或者如果锁存数据信号-LDATAIN为低，存储 节点电容126就保持充电。如果至少有一个地址信号 ADDRESS1和~ ADDRESS2为高，预充电发射单元160就不是被寻址的发射单元，不管锁 存数据信号 LDATAIN的电压幅度如何，存储节点电容126都放电。第 一和笫二地址晶体管136和138构成地址解码器，如果预充电发射单元 160被寻址，数据晶体管136就控制存储节点电容126上的电压幅度。图13是说明采用预充电发射单元160的两倍数据速率发射单元电 路的一个实施例的操作的时序图。每一个数据选择线170电耦接到预充 电线、第一数据时钟或第二数据时钟。两倍数据速率发射单元电路包括 第一发射组FG1、第二发射组FG2、第三发射组FG3和其它发射组直至 发射组FGn。两倍数据速率发射单元电路接收预充电/选择信号SO、 Sl、 S2和其它预充电/选择信号直至Sn。该预充电/选择信号SO-Sn被用作 两倍数据速率发射单元电路的预充电信号和/或选择信号。第一发射组FG1接收在600的信号SO作为预充电信号，接收在602 的信号Sl作为选择信号。第二发射组FG2接收在602的信号Sl作为预 充电信号，接收在604的信号S2作为选择信号。第三发射组FG3接收 在604的信号S2作为预充电信号，接收信号S3 (未示出)作为选择信 号等等，直到接收信号Sn-l(未示出)作为预充电信号和信号Sn (未示 出)作为选择信号的发射组FGn。两倍数据速率发射单元电路通过第一数据时钟接收在606的第一数过第二数据时钟接收在608的第二数据时钟信号 DCLK2。第一数据时钟与诸如第一发射组FG1和第三发射组FG3的奇数 编号的发射组中的大约一半的预充电发射单元160的数据选择线170电 耦接。每一发射组的预充电线与奇数编号的发射组中的大约另 一半的预 充电发射单元160的数据选择线170电耦接。第二数据时钟与诸如第二 发射组FG2和第四发射组FG4的偶数编号的发射组中的大约一半的预充 电发射单元160的数据选择线170电耦接，每一发射组的预充电线与偶 数编号的发射组中的大约另一半的预充电发射单元160的数据选择线 170电耦接。在606的第一数据时钟信号DCLK1在与第一数据时钟耦接的发射组 的预充电信号中的每一高电压脉冲的前半部分包括高电压脉冲，在608 的第二数据时钟信号DCLK2在与第二数据时钟耦接的发射组的预充电信 号中的每一高电压脉冲的前半部分包括高电压脉沖。数据线提供在610 的数据信号-D1到~Dn,其中每一个数据线在预充电信号中的高电压脉 冲的前半部分期间提供在610的数据信号 D1到 Dn中的一个和第一 数据位，在预充电信号中的高电压脉冲的后半部分期间提供第二数据 位。每个数据线与所有发射组中的预充电发射单元160电耦接。还有， 每个数据线与具有与第一或第二数据时钟耦接的数据选择线170的发射 组中的预充电发射单元160电耦接，并与具有与发射组的预充电线耦接 的数据选择线170的发射组中的预充电发射单元160电耦接。在奇数编号的发射组中，在606的第一数据时钟信号DCLK1和预充 电信号在预充电信号的每个高电压脉冲期间锁存两个数据位。在偶数编 号的发射组中，在608的第二数据时钟信号DCLK2和预充电信号在预充 电信号的每一个高电压脉冲期间锁存两个数据位。在使用预充电发射单 元160的多数据速率发射单元电路的其它实施例中，可以使用任何合适 数目的数据时钟信号来在预充电信号的高电压脉沖期间锁存例如三个 或更多数据位的多个数据位。发射组FG1到FGn锁存在610的数据信号~ Dl到~ Dn，以提供用于 开通驱动开关172来为选定的发射电阻器52供能的锁存时钟化数据信 号和锁存预充电数据信号。每个发射组接收包括为选定的发射电阻器52 供能的能量脉冲的发射信号。在一个实施例中，能量脉冲基本上是朝着 发射组的选择信号中的高电压脉冲的中间或尾部开始，来为发射组中的 选定的发射电阻器52供能。第一发射组FG1锁存在610的数据信号~D1到~Dn，以提供在612 的锁存的第一发射组时钟化数据信号FGIC和在614的锁存的第一发射 组预充电数据信号FG1P。第二发射组FG2锁存在610的数据信号 D1 到~Dn,以提供在616的锁存的第二发射组时钟化数据信号FG2C和在 618的锁存的第二发射组预充电数据信号FG2P。第三发射组FG3锁存在 610的数据信号~D1到~Dn，以提供在620的锁存的第三发射组时钟化 数据信号FG3C和在622的锁存的第三发射组预充电数据信号FG3P。其 它的发射组也锁存在610的数据信号~ Dl到~ Dn,以提供与发射组FG1 到FG3类似的锁存时钟化数据信号和锁存预充电数据信号。首先，在600的信号SO在第一发射组FG1的预充电信号中提供了 在624的高电压脉沖。在位于624的高电压脉沖的前半部分，在606的 第一数据时钟信号DCLK1提供了在626的高电压脉冲。在610的数据信 号~ Dl到~ Dn包括在628的第一发射组时钟化数据信号1C,它们传过 第一发射组FG1中与第一数据时钟耦接的数据锁存晶体管162,来提供 在612的锁存的第一发射组时钟化数据信号FGIC中的在630的第一发 射组时钟化数据信号1C。在630的第一发射组时钟化数据信号IC在高 电压脉冲626转到低逻辑电平时被锁存。在628的第一发射组时钟化数 据信号1C必须保持到高电压脉沖626转变到低于晶体管的阈值之后。在位于624的高电压脉冲的后半部分期间，在610的数据信号~D1 到~Dn包括在632的第一发射组预充电数据信号1P。在632的第一发 射组预充电数据信号IP通过耦接到第一发射组FG1的预充电线的数据 锁存晶体管162,来提供在614的锁存的笫一发射组预充电数据信号 FGIP中的在634的第一发射组预充电数据信号1P。当高电压脉沖624 转变到低的逻辑电平时，在634的笫一发射组预充电数据信号IP被锁 存到第一发射组FG1中的预充电发射单元160中。在632的第一发射组 预充电数据信号IP必须保持到高电压脉沖624转变到低于晶体管的阈 值之后。提供地址信号来选择行子组，在602的信号SI提供了在第一发射 组FG1的选择信号中的在636的高电压脉沖和第二发射组FG2的预充电 信号。在636的高电压脉冲开通在笫一发射组FG1的预充电发射单元160 中的选择晶体管130。在被寻址的行子组中，如果在612的锁存的第一 发射组数据FGIC和在614的FGIP为高，存储节点电容126就放电，或 者如果在612的锁存的第一发射组数据FGIC和在614的FGIP为低，存37储节点电容126就保持充电。在未被寻址的行子组中，无论在612的锁 存的第一发射组数据FG1C和在614的FG1P的电压幅度是高是低，存储 节点电容126都放电。在第一发射组发射信号中提供了能量脉冲，以便 为与寻址的行子组中的导通驱动开关172耦接的发射电阻器52供能。在位于636的高电压脉冲的前半部分，在608的第二数据时钟信号 DCLK2提供在638的高电压脉冲。在610的数据信号~D1到~ Dn包括在 640的第二发射组时钟化数据信号2C，它们通过第二发射组FG2中与第 二数据时钟耦接的数据锁存晶体管162，来提供在616的锁存的第二发 射组时钟化数据信号FG2C中的在642的第二发射组时钟化数据信号2C。 当高电压脉冲638转变到低的逻辑电平时，在642的第二发射组时钟化 数据信号2C被锁存。在640的第二发射组时钟化数据信号2C必须保持 到高电压脉冲638转变到低于晶体管的阈值之后。在位于636的高电压脉冲的后半部分，在610的数据信号 D1到~ Dn包括在644的第二发射组数据信号2P。在644的第二发射组预充电 数据信号2P通过与第二发射组FG2的预充电线耦接的数据锁存晶体管 162，来提供在618的锁存的第二发射组预充电数据信号FG2P中的在646 的第二发射组预充电数据信号2P。当高电压脉冲636转变到低的逻辑电 平时，在646的第二发射组预充电数据信号2P被锁存到第二发射组FG2 中的预充电发射单元160中。在644的第二发射组预充电数据信号2P 必须保持到高电压脉冲636转变到低于晶体管的阈值之后。提供地址信号来选择行子组，在604的信号S2在第二发射组FG2 的选择信号和第三发射组FG3的预充电信号中提供了在648的高电压脉 冲。在648的高电压脉沖开通了在第二发射组FG2的预充电发射单元160 中的选择晶体管130。在寻址的行子组中，如果在616的锁存的第二发 射组数据FG2C和在618的FG2P为高，存储节点电容126就放电，或者 如果在616的锁存的第二发射组数据FG2C和在618的FG2P为低，存储 节点电容126就保持充电。在未寻址的行子组中，无论在616的锁存的 第二发射组数据FG2C和在618的FG2P的电压幅度是高是低，存储节点 电容126都放电。在第二发射组发射信号中提供了能量脉冲，以便为与 寻址的行子组中的导通驱动开关172耦接的发射电阻器52供能。在位于648的高电压脉沖的前半部分，位于606的第一数据时钟信 号DCLK1提供了在650的高电压脉冲。在610的数据信号~ Dl到~ Dn 包括在652的笫三发射组时钟化数据信号3C,该第三发射组时钟化数据信号3C通过第三发射组FG3中与第一数据时钟耦接的数据锁存晶体管 162,来提供在620的锁存的第三发射组时钟化数据信号FG3C中的在654 的第三发射组时钟化数据信号3C。当高电压脉冲650转变到低的逻辑电 平时，在654的第三发射组时钟化数据信号3C被锁存。在652的第三 发射组时钟化数据信号3C必须保持到高电压脉冲650转变到低于晶体 管的阈值之后。在位于648的高电压脉冲的后半部分，在610的数据信号 D1到~ Dn包括在656的第三发射组预充电数据信号3P。在6"的第三发射组 预充电数据信号3P通过与第三发射组FG3的预充电线耦接的数据锁存 晶体管162，来提供在622的锁存的第三发射组预充电数据信号FG3P中 的在658的第三发射组预充电数据信号3P。当高电压脉沖648转变到低 的逻辑电平时，在658的第三发射组预充电数据信号3P被锁存到第三 发射组FG3中的预充电发射单元160中。在656的第三发射组预充电数 据信号3P必须保持到高电压脉冲648转变到低于晶体管的阈值之后。这个过程持续进行到且包括接收信号Sn-l作为预充电信号和接收 信号Sn作为选择信号的发射组FGn。然后该过程从第一发射组FG1开始 重新进行，直到喷射液体结束为止。图14是说明双通过晶体管预充电发射单元180的一个实施例的示 意图。该预充电发射单元180可与图12的预充电发射单元160 —起用 于多数据速率发射单元电路。在只使用图12的预充电发射单元160的 多数据传输速率发射单元电路的一个实施例中， 一些数据线对与接收在 数据时钟信号中的高电压脉沖的数据锁存晶体管162耦接的锁存数据线 节点充电，包括接收该数据时钟信号的所有发射组中的锁存数据节点。 在这些多数据速率发射单元电路中，双通过晶体管预充电发射单元180 可用于替代接收数据时钟信号的预充电发射单元160。双通过晶体管预 充电发射单元180降低了数据线电容，使得，数据线只对正在接收发射 组的预充电信号中的高电压脉沖的那一个发射组中的锁存数据线节点 充电。预充电发射单元180与图6的预充电发射单元120类似，包括驱动 开关172、发射电阻器52和预充电发射单元120的存储单元。预充电发 射单元180的与预充电发射单元120的部件一致的部件具有与预充电发 射单元120的部件相同的数字，像在图6的说明中说明的那样电耦接在 一起耦接到信号线，区别在于，数据晶体管136的栅极与接收锁存数据信号 LDATAIN的锁存数据线182电耦接，而不是与接收数据信号~ DATA的数据线142耦接。此外，与预充电发射单元120中的部件一致的 预充电发射单元180的部件像在图6的说明中说明的那样起作用和操作。预充电发射单元180包括时钟化数据锁存晶体管184和预充电通过 晶体管186。时钟化数据锁存晶体管184包括在预充电通过晶体管186 的漏-源路径和锁存数据线182之间电耦接的漏-源路径。预充电通过晶 体管186的漏-源路径在时钟化数据锁存晶体管184的漏-源路径和数据 线188之间电耦接。时钟化数据锁存晶体管184的栅极与接收数据时钟 信号DCLK的数据时钟线190电耦接，预充电通过晶体管186的栅极与 接收预充电信号PRECHARGE的预充电线132电耦接。在190的数据时钟 信号DCLK在预充电信号PRECHARGE的高电压脉冲期间包括高电压脉冲。 数据线188接收数据信号~ DATAIN,时钟化数据锁存晶体管184将数据 锁存到预充电发射单元180,以提供锁存的数据信号 LDATAIN。在信号 名的前面有波形符(~ )标示的数据信号 DATAIN和锁存的数据信号 LDATAIN在低电平时是活性的。数据线188接收数据信号~ DATAIN,预充电通过晶体管186通过预 充电信号中的高电压脉冲将数据从数据线188传至时钟化锁存晶体管 184。时钟化锁存晶体管184通过在数据时钟信号中的高电压脉冲将数 据传至锁存数据线182和锁存数据存储节点电容192。在数据时钟信号 中的高电压脉冲发生在预充电信号的高电压脉冲期间。当数据时钟信号从高电压转到低电压幅度时，数据锁存到锁存数据 线182和锁存数据存储节点电容192。该锁存数据存储节点电容192以 虚线示出，因为它是数据晶体管136的一部分。可替换地，可以使用与 数据晶体管136分离的电容器来存储锁存数据。锁存数据存储节点电容192足够大，以致当数据时钟信号从高电平 转换为低电平时，它基本上保持在高电平。还有，锁存数据存储节点电 容192足够大，以致在通过发射信号FIRE提供能量脉冲、在选择信号 SELECT中提供高的电压脉沖并且在预充电信号PRECHARGE中提供高的 电压脉冲时，该锁存数据存储节点电容192基本上保持低电平。此外， 数据晶体管136足够小，使得当驱动开关172的栅极放电时，在锁存数 据存储节点电容192上保持低电平，数据晶体管136又足够大，使得在 发射信号FIRE中的能量脉冲开始之前将驱动开关172的栅极完全放电。在使用预充电发射单元160和双通过晶体管预充电发射单元180的 两倍数据速率发射单元电路的一个实施例中，每个发射组包括大约一半 的预充电发射单元160和大约一半的双通过晶体管预充电发射单元 180。发射组中的所有预充电发射单元160的数据选择线170与该发射 组的预充电线电耦接。还有，发射组中的所有预充电发射单元180的预 充电通过晶体管186与该发射组的预充电线电耦接。第一时钟与一些发 射组中的预充电发射单元180的所有的数据时钟线190电耦接，第二时 钟与其它发射组中的预充电发射单元180的所有数据时钟线190电耦 接。第一时钟在与第一时钟耦接的发射组的预充电信号的每一个高电压 脉冲的前半部分包括高电压脉冲。第二时钟在与第二时钟耦接的发射组 的预充电信号的每一个高电压脉沖的前半部分包括高电压脉冲。这样， 在一些发射组中，第一时钟和预充电信号在预充电信号的每个高电压脉 沖期间锁存两个数据位，在其它发射组中，第二时钟和预充电信号在预 充电信号的每个高电压脉沖期间锁存两个数据位。在使用预充电发射单 元160和双通过晶体管预充电发射单元160的这个多倍数据速率发射单 元电路中，数据线对接收高电压幅度预充电信号的发射组的锁存数据线 节点充电。
在预充电发射单元180的操作中，数据线188接收数据信号~ DATAIN并通过在预充电信号中提供高电压脉沖、通过预充电通过晶体管 186传送到时钟化数据锁存晶体管184。时钟化数据锁存晶体管184通 过在数据时钟信号中的高电压脉冲将数据传给锁存数据线182和锁存数 据存储节点电容192。在数据时钟信号中的高电压脉冲在预充电信号的 高电压脉冲期间发生。
存储节点电容126利用预充电信号中的高电压脉冲通过预充电晶体 管128预充电。时钟化数据锁存晶体管184是断开的，以便在数据时钟 信号中的高电压脉沖从高电压幅度转为低电压幅度时提供锁存的数据
信号~ LDATAIN。在数据时钟信号处于高电压幅度的同时提供锁存到预 充电发射单元180的数据，并维持到数据时钟信号转至低电压幅度之后， 这发生在预充电信号的高电压脉沖期间。相反，在选择信号为高电压幅 度时提供要锁存到图6的预充电发射单元120中的数据。
在预充电发射单元180的一个实施例中，在数据时钟信号中的高电 压脉冲之后，在地址线144和146上提供地址信号~ ADDRESS1和~ ADDRESS2来设定第一地址晶体管138和笫二地址晶体管140的状态。在选择线134上提供高电压脉冲来开通选择晶体管130,如果数据晶体管 136、第一地址晶体管138和/或第二地址晶体管140是开通的，存储节 点电容126就放电。可替换地，如果数据晶体管136、第一地址晶体管 138和第二地址晶体管140都是断开的，存储节点电容126就保持充电。
如果两个地址信号 ADDRESS1和-ADDRESS2都为低，预充电发射 单元180就是被寻址的发射单元，如果锁存数据信号 LDATAIN为高， 存储节点电容126就放电，或者如果锁存数据信号~LDATAIN为低，存 储节点电容126就保持充电。如果至少有一个地址信号~ ADDRESS1和~ ADDRESS2为高，预充电发射单元180就不是被寻址的发射单元，不管锁 存数据信号 LDATAIN的电压幅度如何，存储节点电容126都放电。第 一和第二地址晶体管136和138构成地址解码器，如果预充电发射单元 180被寻址，数据晶体管136就控制存储节点电容126上的电压幅度。
图15是是说明使用预充电发射单元160和双通过晶体管预充电发 射单元180的两倍数据速率发射单元电路的一个实施例的操作的时序 图。该两倍数据速率发射单元电路包括多个发射组，每个发射组包括大 约一半的预充电发射单元160和大约一半的双通过晶体管预充电发射单 元180。
两倍数据速率发射单元电路包括第一发射组FG1 、第二发射组FG2、 第三发射组FG3和其它发射组直至发射组FGn。两倍数据速率发射单元 电路信号接收预充电/选择信号SO、 Sl、 S2和其它预充电/选择信号直 至Sn。第一发射组FG 1接收在700的信号SO作为预充电信号，接收在 702的信号Sl作为选择信号。第二发射组FG2接收在702的信号Sl作 为预充电信号，接收在704的信号S2作为选择信号。第三发射组FG3 接收在704的信号S2作为预充电信号，接收信号S3 (未示出)作为选 择信号等等，直到接收信号Sn-1 (未示出)作为预充电信号和信号Sn(未 示出)作为选择信号的发射组FGn。
两倍数据速率发射单元电路通过第一数据时钟接收在706的第一数 据时钟信号DCLK1，通过第二数据时钟接收在708的第二数据时钟信号 DCLK2。第一数据时钟与诸如第一发射组FG1和第三发射组FG3的奇数 编号的发射组中的预充电发射单元180的全部数据时钟线190电耦接。 第二数据时钟与诸如第二发射组FG2和第四发射组FG4的偶数编号的发 射组中的预充电发射单元180的全部数据时钟线190电耦接。 一个发射 组中的所有预充电发射单元160的数据选择线170与该发射组的预充电线电耦接。另外， 一个发射组中的所有预充电发射单元180的预充电通 过晶体管186与该发射组的预充电线电耦接。
在706的第一数据时钟信号DCLK1在与第一数据时钟耦接的发射组 的预充电信号中的每一高电压脉沖的前半部分包括高电压脉沖，在708 的第二数据时钟信号DCLK2在与第二数据时钟耦接的发射组的预充电信 号中的每一高电压脉沖的前半部分包括高电压脉沖。数据线提供在710 的数据信号~D1到~Dn，其中每一个数据线在预充电信号中的高电压脉 沖的前半部分期间提供在710的数据信号-Dl到~Dn中的一个和第一 数据位，在预充电信号中的高电压脉冲的后半部分期间提供第二数据 位。每个数据线与发射组FG1到FGn的每一个中的预充电发射单元160 和双通过晶体管预充电发射单元180电耦接。
在奇数编号的发射组中，在706的第一数据时钟信号DCLK1和预充 电信号在预充电信号的每个高电压脉冲期间锁存两个数据位。在偶数编 号的发射组中，在708的第二数据时钟信号DCLK2和预充电信号在预充 电信号的每一个高电压脉冲期间锁存两个数据位。在使用预充电发射单 元160和双通过晶体管预充电发射单元180的多倍数据速率发射单元电 路的其它实施例中，可以使用任何合适数目的数据时钟信号来在预充电 信号的高电压脉沖的期间锁存例如三个或更多数据位的多个数据位。
发射组FG1到FGn锁存在710的数据信号~ Dl到~ Dn以提供用于 开通驱动开关172来为选定的发射电阻器52供能的锁存时钟化数据信 号和锁存预充电数据信号。每个发射组接收包括为选定的发射电阻器52 供能的能量脉冲的发射信号。在一个实施例中，能量脉沖基本上是朝着 发射组的选择信号中的高电压脉冲的中间或尾部开始，来为发射组中的 选定的发射电阻器52供能。
第一发射组FG1锁存在710的数据信号~ Dl到~ Dn以提供在712 的锁存的第一发射组时钟化数据信号FG1C和在714的锁存的第一发射 组预充电数据信号FG1P。第二发射组FG2锁存在710的数据信号 D1 到~ Dn以提供在716的锁存的第二发射组时钟化数据信号FG2C和在718 的锁存的第二发射组预充电数据信号FG2P。第三发射组FG3锁存在710 的数据信号 D1到-Dn以提供在720的锁存的第三发射组时钟化数据 信号FG3C和在722的锁存的笫三发射组预充电数据信号FG3P。其它的 发射组也锁存在710的数据信号 D1到~Dn，以提供与发射组FG1到 FG3类似的锁存时钟化数据信号和锁存预充电数据信号。
43在700的信号SO在第一发射组FG1的预充电信号中提供了在724 的高电压脉冲。在位于724的高电压脉冲的前半部分，在706的第一数 据时钟信号DCLK1提供了在726的高电压脉沖。在710的数据信号~ Dl 到~Dn包括在728的第一发射组时钟化数据信号1C,它们传过与第一 发射组FG1的预充电线耦接的预充电通过晶体管186和第一发射组FG1 中与第一数据时钟耦接的时钟化数据锁存晶体管184,来提供在712的 锁存的第一发射组时钟化数据信号FG1C中的在730的第一发射组时钟 化数据信号1C。在730的第一发射组时钟化数据信号1C在高电压脉冲 726转到低逻辑电平时被锁存。在728的第一发射组时钟化数据信号1C 必须保持到高电压脉沖726转变到低于晶体管的阈值之后。
在位于724的高电压脉沖的后半部分期间，在710的数据信号~D1 到~Dn包括在732的第一发射组预充电数据信号1P。在732的第一发 射组预充电数据信号IP通过与第一发射组FG1的预充电线耦接的数据 锁存晶体管162,来提供在714的锁存的笫一发射组预充电数据信号 FG1P中的在734的第一发射组预充电数据信号1P。当高电压脉冲724 转变到低的逻辑电平时，在734的第一发射组预充电数据信号IP被锁 存到第一发射组FG1中的预充电发射单元160中。在732的第一发射组 预充电数据信号IP必须保持到高电压脉冲724转变到低于晶体管的阈 值之后。
提供地址信号来选择行子组，在702的信号Sl提供了在第一发射 组FG1的选择信号和第二发射组FG2的预充电信号中的在736的高电压 脉冲。在736的高电压脉沖开通在第一发射组FG1的预充电发射单元160 中的选择晶体管130和在预充电发射单元180中的选择晶体管130。在 被寻址的行子组中，如果在712的锁存的第一发射組数据FG1C和在714 的FG1P为高，存储节点电容126就放电，或者如果在712的锁存的第 一发射组数据FG1C和在714的FG1P为低，存储节点电容126就保持充 电。在未寻址的行子组中，无论在712的锁存的第一发射组数据FG1C 和在714的FG1P的电压幅度是高是低，存储节点电容126都放电。在 第 一发射组发射信号中提供了能量脉冲，以便为与寻址的行子组中的导 通驱动开关172耦接的发射电阻器52供能。
在位于736的高电压脉冲的前半部分，在708的第二数据时钟信号 DCLK2提供在738的高电压脉冲。在710的数据信号~ Dl到~ Dn包括在 740的第二发射组时钟化数据信号2C,它们通过与第二发射组FG2的预充电线耦接的预充电通过晶体管186和第二发射组FG2中与第二数据时 钟耦接的时钟化数据锁存晶体管184，来提供在716的锁存的第二发射 组时钟化数据信号FG2C中的在742的笫二发射组时钟化数据信号2C。 当高电压脉冲738转变到低的逻辑电平时，在742的第二发射组时钟化 数据信号2C被锁存。在740的第二发射组时钟化数据信号2C必须保持 到高电压脉冲7 3 8转变到低于晶体管的阈值之后。
在位于736的高电压脉冲的后半部分，在710的数据信号-D1到~ Dn包括在744的第二发射组预充电数据信号2P。在744的笫二发射组 预充电数据信号2P通过与第二发射组FG2的预充电线耦接的数据锁存 晶体管162,来提供在718的锁存的第二发射组预充电数据信号FG2P中 的在746的第二发射组数据信号2P。当高电压脉冲736转变到低的逻辑 电平时，在746的第二发射组预充电数据信号2P被锁存到第二发射组 FG2中的预充电发射单元16G中。在744的第二发射组预充电数据信号 2P必须保持到高电压脉冲736转变到低于晶体管的阈值之后。
提供地址信号来选择行子组，在704的信号S2在第二发射组FG2 的选择信号和第三发射组FG3的预充电信号中提供了在7"的高电压脉 冲。在748的高电压脉冲开通了在第二发射组FG2的预充电发射单元160 中的选择晶体管130和在笫二发射组FG2的预充电发射单元180中的选 择晶体管130。在被寻址的行子组中，如果在716的锁存的第二发射组 数据FG2C和在718的FG2P为高，存储节点电容126就放电，或者如果 在716的锁存的第二发射组数据FG2C和在718的FG2P为低，存储节点 电容126就保持充电。在未寻址的行子组中，无论在716的锁存的第二 发射组数据FG2C和在718的FG2P的电压幅度是高是低，存储节点电容 126都放电。在第一发射组发射信号中提供了能量脉冲，以便为与寻址 的行子组中的导通驱动开关172耦接的发射电阻器52供能。
在位于748的高电压脉冲的前半部分，位于706的第一数据时钟信 号DCLK1提供了在750的高电压脉沖。这开通了奇数编号的发射组中的 时钟化数据锁存晶体管184,包括第一发射组FG1中的时钟化数据锁存 晶体管184。当第一发射组FG1的时钟化数据锁存晶体管184开通时， 在712的锁存的第一发射组时钟化数据信号FG1C中的数据在752变为 不确定。
在710的数据信号 D1到-Dn包括在754的第三发射组时钟化数 据信号3C，该第三发射组时钟化数据信号3C通过与笫三发射组FG3的预充电线耦接的预充电通过晶体管186和第三发射组FG3中与第一数据 时钟耦接的时钟化数据锁存晶体管184,来提供在720的锁存的第三发 射组时钟化数据信号FG3C中的在756的第三发射组时钟化数据信号3C。 当高电压脉冲750转变到低的逻辑电平时，在756的第三发射组时钟化 数据信号3C被锁存。在754的第三发射组时钟化数据信号3C必须保持 到高电压脉冲7 5 0转变到低于晶体管的阈值之后。
在位于748的高电压脉冲的后半部分，在710的数据信号~D1到~ Dn包括在758的第三发射组预充电数据信号3P。在758的第三发射组 预充电数据信号3P通过与第三发射组FG3的预充电线耦接的数据锁存 晶体管162,来提供在722的锁存的第三发射组预充电数据信号FG3P中 的在760的第三发射组预充电数据信号3P。当高电压脉沖748转变到低 的逻辑电平时，在760的第三发射组预充电数据信号3P被锁存到第三 发射组FG3中的预充电发射单元160中。在758的第三发射组预充电数 据信号3P必须保持到高电压脉冲748转变到低于晶体管的阈值之后。
在信号S3 (未示出)中的高电压脉冲的前半部分期间，在708的第 二数据时钟信号DCLK2提供了高电压脉冲(在762标示)。这开通了偶 数编号的发射组中的时钟化数据锁存晶体管184,包括第二发射组FG2 中的时钟化数据锁存晶体管184。当在第二发射组FG2中的时钟化数据 锁存晶体管184导通时，在716的锁存的第二发射组时钟化数据信号 FG2C中的数据在764变得不确定。这一进程继续进行，直至并包括接收 信号Sn-1作为预充电信号和接收信号Sn作为选择信号的发射组FGn。 然后，这一进程从第一发射组FG1开始重复进行，直到喷射液体完成为 止。
虽然本文图示和说明了具体的实施例，本领域的技术人员将理解， 可以用各种替换和/或等同的实现来替代所示和所说明的具体实施例而 不偏离本发明的范围。本申请旨在涵盖这里讨论的具体实施例的任何的 修改或变动。因此，意在将本发明仅由权利要求及其等同物来限制。
权利要求
1.一种液体喷射装置(22/40)，包括第一发射线(110a-110n/214a-214f)，适于传导包括第一能量脉冲的第一能量信号；第二发射线(110a-110n/214a-214f)，适于传导包括第二能量脉冲的第二能量信号；数据线(108a-108m/208a-208h)，适于传导表示图像的数据信号；锁存电路(152，404/162/184，186)，配置为基于至少一个时钟信号锁存所述数据信号，以提供锁存的数据信号；第一液滴生成器(60)，配置为响应第一能量信号来基于锁存的数据信号喷射液体；和第二液滴生成器(60)，配置为响应第二能量信号来基于锁存的数据信号喷射液体。
2. 如权利要求1所述的液体喷射装置，其中第一能量脉冲中的一 个包括开始时间和结束时间，第二能量脉冲中的一个在所述开始时间和 所述结束时间之间启动。
3. 如权利要求1所述的液体喷射装置，其中第一发射线与第二发 射线电绝缘。
4. 一种液体喷射装置(22/40 ),包括发射线(124),适于传导包括能量脉冲的能量信号；多个发射单元，其中该多个发射单元中的每一个发射单元 (150/160/180)包括发射电阻器(52);驱动开关(172),配置为使发射电阻器能够响应能量信号； 第一数据开关(152/162/184 ),配置为接收表示图像的数据信号并锁存该数据信号以提供锁存的数据信号；和第二数据开关(136),配置为接收锁存的数据信号，并基于锁存的数据信号控制驱动开关来使发射电阻器能够响应能量信号并加热要喷射的液体。
5. 如权利要求4所述的液体喷射装置，包括 数据线(422 ),适于传导数据线数据信号；和 笫三数据开关(418a-418n),配置为接收数据线数据信号并锁存数据线数据信号以提供时钟化数据信号，其中该多个发射单元中的每一 个发射单元接收数据线数据信号和时钟化数据信号中之一作为第一数 据开关接收的数据信号，该多个发射单元中的笫一部分接收数据线数据 信号作为在第一数据开关处的数据信号，该多个发射单元中的第二部分 接收时钟化数据信号作为在笫 一数据开关处的数据信号。
6. 如权利要求4所述的液体喷射装置，其中该多个发射单元包括 第 一组发射单元，其中第 一数据开关配置为通过时钟信号锁存数据信号；和第二组发射单元，其中第一数据开关配置为通过预充电信号锁存数 据信号。
7. 如权利要求6所述的液体喷射装置，其中第一组发射单元中的 发射单元的每一个包括第三数据开关(186),配置为基于预充电信号将数据信号传递给 第一数据开关。
8. —种操作液体喷射装置(22/40 )的方法，包括 通过第一发射线(110a-110n/214a-2Mf )传导包括第一能量脉冲的第一能量信号；通过第二发射线(110a-110n/214a-)传导包括第二能量脉冲的第二能量信号；通过数据线(108-108m/208a-208h)传导表示图像的数据信号；基于至少一个时钟信号锁存数据信号，以提供锁存的数据信号；响应第一能量信号来基于锁存的数据信号喷射液体；和响应第二能量信号来基于锁存的数据信号喷射液体。
9. 如权利要求8所述的方法，其中锁存数据信号包括 通过第一时钟信号锁存数据信号，以提供第一时钟化数据信号；以及通过脉冲的充电控制信号锁存数据信号和第一时钟化数据信号，以 提供锁存的数据信号。
10. 如权利要求8所述的方法，包括基于脉冲的充电控制信号，通过传递开关(186)传递数据信号。
全文摘要
一种液体喷射装置(22/40)，包括第一发射线(110a-110n/214a-214f)、第二发射线(110a-110n/214a-214f)、数据线(108a-108m/208a-208h)、锁存电路(152，404/162/184，186)、第一液滴生成器(60)和第二液滴生成器(60)。第一发射线适于传导包括第一能量脉冲的第一能量信号，第二发射线适于传导包括第二能量脉冲的第二能量信号。数据线适于传导表示图像的数据信号，锁存电路配置为基于至少一个时钟信号锁存数据信号以提供锁存的数据信号。第一液滴生成器配置为响应第一能量信号来基于锁存的数据信号喷射液体，第二液滴生成器配置为响应第二能量信号来基于锁存的数据信号喷射液体。
文档编号B41J2/05GK101600574SQ200680056896
公开日2009年12月9日 申请日期2006年11月30日 优先权日2006年11月30日
发明者J·P·阿克斯特尔, T·本贾明 申请人:惠普开发有限公司