有机发光显示装置、显示器及减少漏电流的方法
【专利摘要】本发明公开了一种有机发光显示装置、显示器及减少漏电流的方法。该显示器包括多个所述装置，该装置包括多个子像素电路单元，每个子像素电路单元连接有第一TFT，第一TFT的栅极连接GATE线，第一电极连接子像素电路单元，每个有机发光显示装置包括一个第二TFT，所述第二TFT的栅极连接GATE线，第二TFT的第一电极与各第一TFT的第二电极连接，第二TFT的第二电极连接电压V0。本发明通过在像素电路与电压V0之间配置TFT，减少了像素电路的漏电流。同时，本发明中除第一TFT外，其它级TFT均是由属于同一像素的各子像素共用，从而大大减少了TFT的数量，也就减少了TFT所占用的像素面积，可以更好地提升PPI，适应高PPI产品的需求，实现更高分辨率的显示，提升了显示器的品质。
【专利说明】有机发光显示装置、显示器及减少漏电流的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及有机发光显示器领域，具体地说，涉及有机发光显示装置、显示器及减少漏电流的方法。
【背景技术】
[0002]有机发光显示器件(OLED)是主动发光器件。相比现在的主流平板显示技术薄膜晶体管液晶显示器(TFT -1XD )，OLED具有高对比度、广视角、低功耗、体积更薄等优点，有望成为继LCD之后的下一代平板显示技术，是目前平板显示技术中受到关注最多的技术之一 O
[0003]随着消费者对显示屏品质要求的逐渐提高，PPI (pixels per inch)逐渐升高是未来的显示器发展的主要方向，对有源矩阵有机发光显示器(AMOLED)而言，PPI的升高就意味着像素面积的减少，而在工艺条件和电路确定的情况下，减少的像素面积非常有限。
[0004]为了减少像素电路的漏电流，需要在像素电路上设置TFT (薄膜晶体管)。现有技术中，有机发光显示器件每个像素包括多个子像素，每个子像素均连接有两个TFT (双栅结构)或三个以上的TFT (多栅结构)。如图1所示是一种双栅结构的有机发光显示器件。每个像素11由多个子像素12、13、14构成，其中每个子像素的第一 TFT Mn、M12、M13的栅极接GATE线(栅极驱动线)，源极接相应子像素的像素电路，而漏极分别接第二 TFT M21、M22、M23的源极；第二 TFT M21,M22,M23的栅极接GATE线，源极均连接到电压V0。这种结构中的TFT会占用很大像素面积，使得像素面积难以做得更小，影响PPI的提升。如果是多栅结构，而会存在更多地TFT，对提升PPI的影响更明显。
【发明内容】
[0005]本发明要解决的技术问题是提供一种有机发光显示装置、显示器及减少漏电流的方法，在实现减少有机发光显示像素漏电流的同时，可以尽量减少TFT所占用的像素面积，以更好地提升PPI，适应高PPI产品的需求。
[0006]为了解决上述技术问题，本发明提供了一种有机发光显示装置，包括多个子像素电路单元，每个子像素电路单元连接有第一薄膜晶体管TFT，第一 TFT的栅极连接GATE线，第一 TFT的第一电极连接子像素电路单元，每个有机发光显示装置还包括一个第二 TFT，所述第二 TFT的栅极连接GATE线，第二 TFT的第一电极与各第一 TFT的第二电极连接，第二TFT的第二电极连接电压W。
[0007]进一步地，在所述第二 TFT的第二电极与所述电压VO之间还连接有第三TFT，所述第三TFT的栅极连接GATE线，第三TFT的第一电极连接第二 TFT的第二电极，第三TFT的第二电极连接电压VO。
[0008]进一步地，在所述第二 TFT的第二电极与所述电压VO之间还连接有第三TFT至第N TFT,所述第三TFT至第N TFT的栅极均连接GATE线，所述第三TFT的第一电极连接第二TFT的第二电极，第N TFT的第一电极连接第N-1 TFT的第二电极，最后一级TFT的第二电极接电压V0，其中，N为大于3的自然数。
[0009]进一步地，所述TFT为P型TFT或N型TFT。
[0010]本发明还提供一种包含有上述有机发光显示装置的有机发光显示器。
[0011]本发明还提供一种减少有机发光显示装置漏电流的方法，所述有机发光显示装置包括多个子像素电路单元，该方法包括:
为每个子像素电路单元配置一个第一薄膜晶体管TFT，所述第一 TFT的栅极连接GATE线，第一电极连接子像素电路单元；
为每个有机发光显示装置配置一个第二 TFT，所述第二 TFT的栅极连接GATE线，第二TFT的第一电极与各第一 TFT的第二电极连接，第二 TFT的第二电极连接电压VO。
[0012]进一步地，还包括:为每个有机发光显示装置配置一个第三TFT，所述第三TFT连接于所述第二 TFT与电压VO之间，其中，所述第三TFT的栅极连接GATE线，第三TFT的第一电极连接第二 TFT的第二电极，第三TFT的第二电极连接电压VO。
[0013]进一步地，还包括:为每个有机发光显示装置配置第三TFT至第N TFT，所述第三TFT至第N TFT连接于所述第二 TFT与电压VO之间，所述第三TFT至第N TFT的栅极均连接GATE线，所述第三TFT的第一电极连接第二 TFT的第二电极；第N TFT的第一电极连接第N-1 TFT的第二电极，最后一级TFT的第二电极接电压V0，其中，N为大于3的自然数。
[0014]进一步地，所述TFT为P型TFT或N型TFT。
[0015]本发明通过在像素电路单元与电压VO之间配置TFT，减少了像素电路的漏电流。同时，本发明中除第一 TFT外，其它级TFT均是由属于同一像素装置的各子像素共用，从而大大减少了 TFT的数量，也就减少了 TFT所占用的像素面积，可以更好地提升PPI，适应高PPI产品的需求，实现更高分辨率的显示，提升了显示器的品质。
【专利附图】
【附图说明】
[0016]图1是现有技术中双栅结构的有机发光显示装置局部电路图。
[0017]图2是本发明的一双栅结构的有机发光显示装置实施例的局部电路图。
[0018]图3是本发明的一多栅结构的有机发光显示装置实施例的局部电路图。
【具体实施方式】
[0019]下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，以使本领域的技术人员可以更好的理解本发明并能予以实施，但所举实施例不作为对本发明的限定。
[0020]首先说明的是，本发明中所述第一电极和第二电极，分别是指TFT中除栅极外的另外两个极。
[0021]如图2所示，本发明的一双栅结构的有机发光显示装置实施例的局部电路图，在本实施例中，每个有机发光显示装置21包括多个子像素电路单元22、23、24，本实施例中有三个子像素电路单元，分别为R、G、B子像素。每个子像素电路单元分别连接有第一薄膜晶体管TFT Mn、M12、M13，各第一 TFT M11, M12, M13的栅极连接GATE线，第一电极(本实施例中为源极)连接子像素电路单元，每个有机发光显示装置21还包括一个第二 TFT M2，第二 TFT M2的栅极连接GATE线，第二 TFT M2的第一电极(本实施例中为源极)与各第一 TFT的第二电极(本实施例中为漏极)连接，第二 TFT M2的第二电极(本实施例中为漏极)连接电压VO。本发明中，第二 TFT构成共用模块25，也即属于同一个显示装置的各子像素电路单元共用一个第二 TFT，从而大大减少了 TFT的数量，也就减少了对像素面积的占用，进而允许像素可以做得更为密集，也即提高了 PPI。且实验表明，本发明极大地减少了 TFT的数量，但是减少漏电流的效果并不会明显降低。
[0022]如图3所示实施例，每个有机发光显示装置31包括多个子像素电路单元32、33、34，而其在图2所示实施例基础上，又增加了第三TFT，第三TFT连接于第二 TFT的第二电极(本实施例中为漏极)与电压VO之间，第三TFT的栅极连接GATE线，第二 TFT的第一电极(本实施例中为源极)连接第二 TFT的第二电极(本实施例中为漏极)，第二 TFT的第二电极(本实施例中为漏极)连接电压V0。而在其它实施例中，可以增加更多的TFT。如果共有N级(N为大于3的自然数)用于减少漏电流的TFT，则第一 TFT、第二 TFT的电路结构与图2所示实施例基本相同，不同的是第二 TFT的第二电极(本实施例中为漏极)接第三TFT的第一电极(本实施例中为源极)，其后每一级TFT的第二电极(本实施例中为漏极)接下一级TFT的源级，即第N TFT Mn的第一电极(本实施例中为源极)连接第N-1 TFT M1^1的第二电极(本实施例中为漏极)，而最后一级TFT的第二电极(本实施例中为漏极)接电压V0。第一TFT至第N TFT的栅极均连接GATE线。在本实施例中，第二 TFT至第N TFT构成了共用模块35，各子像素电路单元共用同一个共用模块35来减少漏电流，在进一步减少漏电流的同时，也减少了 TFT的数量，提高了 PPI。
[0023]本发明的有机发光显示器，由多个有机发光显示装置构成，而每个多个有机发光显示装置均采用上述多个有机发光显示装置实现，使得本发明的有机发光显示器每个像素可以占用更小的面积，从而提高显示器的PPI，实现更高分辨率的显示，提升了显示器的品质。
[0024]本发明的减少有机发光显示装置漏电流的方法，该有机发光显示装置包括多个子像素电路单元，该方法包括:
为每个子像素电路单元配置一个第一薄膜晶体管TFT，所述第一 TFT的栅极连接GATE线，第一电极(本实施例中为源极)连接子像素电路单元；
为每个有机发光显示装置配置一个第二 TFT，所述第二 TFT的栅极连接GATE线，第二TFT的第一电极(本实施例中为源极)与各第一 TFT的第二电极(本实施例中为漏极)连接，第二 TFT的第二电极(本实施例中为漏极)连接电压VO。
[0025]该方法还可以包括:为每个有机发光显示装置配置一个第三TFT，所述第三TFT连接于所述第二 TFT与电压VO之间，其中，所述第三TFT的栅极连接GATE线，第三TFT的第一电极(本实施例中为源极)连接第二 TFT的第二电极(本实施例中为漏极)，第三TFT的第二电极(本实施例中为漏极)连接电压VO。
[0026]该方法还可以进一步包括:为每个有机发光显示像素配置第三TFT至第N TFT，所述第三TFT至第N TFT连接于所述第二 TFT与电压VO之间，所述第三TFT至第N TFT的栅极均连接GATE线，所述第三TFT的第一电极(本实施例中为源极)连接第二 TFT的第二电极(本实施例中为漏极)；第N TFT的第一电极(本实施例中为源极)连接第N-1 TFT的第二电极(本实施例中为漏极)，最后一级TFT的第二电极(本实施例中为漏极)接电压V0，其中，N为大于3的自然数。
[0027]通过上述方法，为每个有机发光显示装置配置一个第二 TFT，并可同时配置第三至第N TFT，利用第二 TFT至第N TFT来减少有机发光显示装置的漏电流。同时，由于属于每个有机发光显示装置的各子像素电路单元共用同一组减少漏电流的TFT，从而使有机发光显示器每个像素可以占用更小的面积，从而提高显示器的PPI，实现更高分辨率的显示，提升了显示器的品质。
[0028]本发明中，TFT可以是P型TFT，也可以是N型TFT。
[0029]以上所述实施例仅是为充分说明本发明而所举的较佳的实施例，TFT类型不限于PTFT或者NTFT，本发明的保护范围不限于此。本【技术领域】的技术人员在本发明基础上所作的等同替代或变换，均在本发明的保护范围之内。本发明的保护范围以权利要求书为准。
【权利要求】
1.一种有机发光显示装置，包括多个子像素电路单元，每个子像素电路单元连接有第一薄膜晶体管TFT，第一 TFT的栅极连接GATE线，第一 TFT的第一电极连接子像素电路单元，其特征在于，每个有机发光显示装置还包括一个第二 TFT，所述第二 TFT的栅极连接GATE线，第二 TFT的第一电极与各第一 TFT的第二电极连接，第二 TFT的第二电极连接电压VO0
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，在所述第二TFT的第二电极与所述电压VO之间还连接有第三TFT，所述第三TFT的栅极连接GATE线，第三TFT的第一电极连接第二 TFT的第二电极，第三TFT的第二电极连接电压VO。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，在所述第二TFT的第二电极与所述电压VO之间还连接有第三TFT至第N TFT,所述第三TFT至第N TFT的栅极均连接GATE线，所述第三TFT的第一电极连接第二 TFT的第二电极，第N TFT的第一电极连接第N-1 TFT的第二电极，最后一级TFT的第二电极接电压V0，其中，N为大于3的自然数。
4.根据权利要求1、2或3所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述TFT为P型TFT或N型TFT。
5.—种包含有权利要求1?4任意一项所述有机发光显不装置的有机发光显不器。
6.一种减少有机发光显示装置漏电流的方法，所述有机发光显示装置包括多个子像素电路单元，其特征在于，该方法包括: 为每个子像素电路单元配置一个第一薄膜晶体管TFT，所述第一 TFT的栅极连接GATE线，第一电极连接子像素电路单元； 为每个有机发光显示装置配置一个第二 TFT，所述第二 TFT的栅极连接GATE线，第二TFT的第一电极与各第一 TFT的第二电极连接，第二 TFT的第二电极连接电压VO。
7.根据权利要求6所述的减少有机发光显示装置漏电流的方法，其特征在于，还包括: 为每个有机发光显示装置配置一个第三TFT，所述第三TFT连接于所述第二 TFT与电压VO之间，其中，所述第三TFT的栅极连接GATE线，第三TFT的第一电极连接第二 TFT的第二电极，第三TFT的第二电极连接电压VO。
8.根据权利要求6所述的减少有机发光显示装置漏电流的方法，其特征在于，还包括: 为每个有机发光显示装置配置第三TFT至第N TFT，所述第三TFT至第N TFT连接于所述第二 TFT与电压VO之间，所述第三TFT至第N TFT的栅极均连接GATE线，所述第三TFT的第一电极连接第二 TFT的第二电极；第N TFT的第一电极连接第N-1 TFT的第二电极，最后一级TFT的第二电极接电压V0，其中，N为大于3的自然数。
9.根据权利要求6、7或8所述的减少有机发光显示装置漏电流的方法，其特征在于，所述TFT为P型TFT或N型TFT。
【文档编号】G09G3/32GK104424880SQ201310366069
【公开日】2015年3月18日 申请日期:2013年8月21日 优先权日:2013年8月21日
【发明者】胡思明, 邱勇, 黄秀颀, 高孝裕, 永井肇 申请人:昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司, 昆山国显光电有限公司