利用微机电系统制造集成电路的可重构掩模的方法和器件的制作方法

专利名称：利用微机电系统制造集成电路的可重构掩模的方法和器件的制作方法
技术领域：
本发明一般地涉及集成电路及其用于半导体器件制造的处理。更具体地，本发明提供了一种用于制造光刻掩模的方法和器件，所述光刻掩模用于集成电路的制造。已经将本发明应用于一个或者多个用于集成电路制造的掩模，这仅仅是为了示例。但是，应该认识到本发明具有更加广泛的可应用性。例如，本发明可以应用于晶片自身之上的光敏材料，或者其他需要曝光以对光敏材料进行图案化的衬底目标物。
背景技术：
集成电路或“IC”已经从制造在单个硅芯片上的少数的互连器件发展到数百万个器件。当前的IC所提供的性能和复杂度已远远超过了当初的想象。为了实现复杂度和电路密度(即，能够被制造到给定芯片面积上的器件的数量)的提高，对于每一代IC，最小器件线宽的尺寸(也被称为器件“几何”)变得越来越小。现在正在制造具有线宽小于四分之一微米的半导体器件。
不断增大的电路密度已不仅提高了电路的复杂度和性能，而且也为客户提供了更低成本的部件。传统的IC制造设备常常可能花费成百上千万，甚至十几亿美元。每一套制造设备具有一定的晶片生产量，每片晶片上将会有一定数量的IC。因此，通过制造越来越小的个体IC器件，在每一个晶片上可以制造更多的器件，这样就可以增加制造设备的产量。要使器件更小总是很有挑战性的，因为每一种用于IC制造的工艺都存在限制。那也就是说，一种给定的工艺通常只能加工到某一特定的线宽尺寸，于是不是工艺就是器件布局需要被改变。这样的限制的一个示例是以经济和高效的方式获得用于集成电路制造的掩模组的能力。
近年来利用芯片代工厂服务进行定制集成电路的制造得到了发展。无工厂化芯片公司通常设计定制的集成电路。这样的定制集成电路需要制造通常被称为“光罩(reticle)”的一组定制掩模。中国上海的名为中芯国际(SMIC)的芯片代工厂公司是进行代工厂服务的芯片公司的一个示例。虽然近年来无工厂化芯片公司和代工厂服务得到了增长，但是仍然存在很多的限制。例如，用于定制集成电路制造的掩模组常常是很昂贵的。就是说，它们可能要花费几十万美元，并可能花费较长的制造交付周期。此外，制造掩模的掩模制造工厂的数量是有限的，这也导致获取用于定制的集成电路的掩模组是困难的。在本说明书中，更具体地将在下文中描述这些和其他的限制。
从上面可以看出，用于处理半导体器件的改进技术是人们所需要的。

发明内容
根据本发明，提供了用于半导体的制造的方法的技术。更具体地，本发明提供了一种用于制造光刻掩模的方法和MEMS(微机电系统)器件，所述光刻掩模用于集成电路的制造。已经将本发明应用于一个或者多个用于集成电路制造的掩模，这仅仅是为了示例。但是，应该认识到本发明具有更加广泛的可应用性。例如，本发明可以应用于晶片自身之上的光敏材料，或者其他需要曝光以对光敏材料进行图案化的衬底目标物。
在具体的实施例中，本发明一种方法，所述方法用于利用镜器件阵列照射目标物，以对位于所述目标物之上的光敏材料进行选择性图案化。所述方法包括将利用泛光光束的电磁辐射施加到镜器件阵列上。所述镜器件中的每一个与待要曝光到所述光敏材料上的图案的像素相关联。所述方法还包括选择性地致动所述阵列上的一个或多个镜，以将光束中的相应部分偏转到所述光敏材料的相应部分上，来对所述目标物上的所述光敏材料的所述部分进行曝光。所述方法使一个或多个其他的镜保持在选定的位置，以使所述光敏材料的相应其他部分保持不被曝光。
优选地，所述方法包括检索出与图案相关联的一个或多个输出，其被存储在存储器中。在致动一个或者多个镜之前，所述方法从耦合到计算机上的存储器检索出电子文件。该文件包括与待要曝光到光敏材料上的图案相关联的信息。所述方法读取所述文件中的所述信息，并确定与所述待致动的选定的一个或多个镜相关联的输出。取决于实施例，可以有许多其他的变化、修改和替代。
在替换实施例中，所述方法在预定的时间段中调节所述镜的阵列和所述光敏材料之间的相对空间距离，以改变与所述镜中的至少一个相关联的相位。优选地，相对于所述目标物移动所述镜的阵列。
在另一个实施例中，本发明提供了一种装置，所述装置用于利用镜器件阵列照射目标物，以对位于所述目标物之上的光敏材料进行选择性图案化。所述装置包括镜器件阵列。所述镜器件阵列能够至少从第一状态致动到第二状态。优选地，所述镜器件中的每一个与待要曝光到所述光敏材料上的图案的像素相关联。所述装置还包括耦合到所述镜器件阵列的电磁辐射源。所述电磁辐射源适用于将利用泛光光束的电磁辐射施加到所述镜器件阵列。驱动器件被耦合到所述镜器件阵列。所述驱动器件适用于选择性致动所述阵列上的一个或多个镜，以将所述光束中的一部分偏转到所述光敏材料的一部分上，来对所述光敏材料的所述部分进行曝光。所述驱动器件还适用于使一个或多个其他的镜保持在选定的位置，以使所述光敏材料的另外的部分保持不被曝光。优选地，所述装置还具有耦合到所述驱动器件的存储器和处理器。
在替换实施例中，本发明包括一种方法，所述方法用于利用镜器件阵列照射目标物，以对位于所述目标物之上的光敏材料进行选择性图案化所述方法包括从镜器件阵列中的第一镜器件的表面反射具有第一波长的第一光束，并从所述镜器件阵列中的第二镜器件的表面反射具有第二波长的第二光束。以形成具有第三波长的合成光束的方式，合并所述第一光束和所述第二光束。所述第三波长比所述第一波长和所述第二波长都小。所述方法包括利用具有所述第三波长的所述合成光束对位于目标物之上的光敏材料的一部分进行曝光。
此外，本发明包括一种可作为选择的方法，所述方法用于照射目标物以对位于所述目标物之上的光敏材料进行选择性图案化。所述方法包括从第一镜器件的表面反射具有第一强度的第一光束，并从第二镜器件的表面反射具有第二强度的第二光束。所述方法以形成具有第三强度的合成光束的方式，合并所述第一光束和所述第二光束，其中与所述第一强度或者所述第二强度相比，所述第三强度更小或者更大。作为选择，所述方法在从镜表面反射所述光束之前将它们合并。所述方法利用具有所述第三强度的所述合成光束对位于目标物之上的光敏材料的一部分进行曝光。
较传统技术，通过本发明获得了的很多优点。例如，本技术提供一种使用依赖于传统技术的工艺的简单方法。在一些实施例中，本方法提供了每个晶片的按管芯计的更高的器件产率。此外，本方法提供了与传统工艺技术兼容而不用对传统设备和工艺进行实质修改的工艺。依据实施例，可以获得这些优点中的一个或多个。这些优点或其他优点将在本说明书全文中并且更具体地在下文中，进行更多的描述。
参考随后的详细描述和附图，本发明的各种另外的目的、特征和优点可以被更加充分地理解。


图1是根据本发明的实施例的MEMS(微机电系统)光学装置的简化的侧视图。
图2是根据本发明的实施例的MEMS阵列的简化顶视图。
图3是根据本发明的实施例的MEMS器件的简化的侧视图。
图4是包括根据本系统的实施例的MEMS装置的光学系统的简化侧视图。
图5是根据本发明的实施例的方法所印刷的图案的简化的顶视图。
图6是图示了根据本发明的实施例的光学图案化方法的简化的侧视图。
图7是图示了根据本发明的替换实施例的光学图案化方法的简化的侧视图。
图8是图示了根据本发明的替换实施例的光学图案化方法的简化的侧视图。
具体实施例方式
根据本发明，提供了包括用于半导体器件的制造的方法和所得到的结构的技术。更具体的，本发明提供用于制造集成电路的制造用光刻掩模的方法和器件。已经将本发明应用于一个或者多个用于集成电路制造的掩模，这仅仅是为了示例。但是，应该认识到本发明具有更加广泛的可应用性。例如，本发明可以应用于晶片自身之上的光敏材料，或者其他需要曝光以对光敏材料进行图案化的衬底目标物。
图1是根据本发明的实施例的MEMS光学照射装置100的简化的侧视图。此图仅作为示例，在这里其不应不适当地限制权利要求的范围。本领域的普通技术人员可以发现很多变化、修改和替代。如图所示，装置100正在利用镜器件115的阵列照射目标物105，以对位于目标物之上的光敏材料101进行选择性图案化。该目标物包括任何合适的器件，例如半导体晶片、玻璃衬底、复合材料等。该装置具有镜器件121、107、123的阵列。虽然以具体的几何构造图示了这些器件中的每一个，但是可以有其他的几何构造，例如正方形和椭圆形。镜器件中的每一个能够至少从第一状态121致动到第二状态107。第一状态121可以是开通状态，而第二状态107可以是关断状态。如图所示，第一状态使光敏材料101曝光。第二状态107使光敏材料不被曝光，并常常将光照反射到光敏材料的表面之外的区域。优选地，镜器件中的每一个与待曝光到光敏材料之上的图案的像素(例如，101)相关联。优选地，光敏材料是光刻胶材料，包括正性或者负性抗蚀剂。作为选择，根据镜器件的状态，特定区域103没有被曝光。
该装置还包括与镜器件阵列耦合的电磁辐射源113。电磁辐射源可以是具有适当的能量和波长的灯，但是也可以是其他的。电磁辐射源适用于将利用泛光光束(flood beam)的电磁辐射施加到镜器件阵列上。作为选择，依据实施例，所述源可以是脉冲的，或者泛光和脉冲的组合。如图所示，选定的镜器件被致动以照射光敏材料的选定区域109。当然，本领域的普通技术人员可以发现很多变化、修改和替代。
驱动器件(没有示出)被耦合到镜器件阵列。驱动器件适用于选择性地致动阵列中的一个或者多个镜，将光束中的一部分偏转到光敏材料中的一部分上，以使光敏材料的所述部分曝光。驱动器件还适用于使一个和多个其他的镜保持在选定的位置，以使光敏材料的另外一部分保持不被曝光。优选地，该装置还具有耦合到驱动器件的存储器和处理器。在本说明书中，更具体地在下文中将提供该装置的更多的细节。
图2是根据本发明的实施例的MEMS阵列的简化的顶视图200。此图仅作为示例，在这里其不应不适当地限制权利要求的范围。本领域的普通技术人员可以发现很多变化、修改和替代。如图所示，阵列201包括单个的镜元件。镜元件203中的每一个对应于一个像素元素。根据具体的实施例，这样的像素元素的组合对应于更大的图案。镜器件中的每一个定向具有预定尺寸(例如0.1微米，0.4微米)的光点直径的光束，所述光束限定图案的像素尺寸。在下面所描述的装置中实现了本列阵，但是本阵列也可以在其他的装置中实现。
图3是根据本发明的实施例的MEMS器件300的简化的侧视图。此图仅作为示例，在这里其不应不适当地限制权利要求的范围。本领域的普通技术人员可以发现很多变化、修改和替代。如图所示，MEMS器件300包括镜元件301，所述镜元件301由一对扭力杆311和303支撑。当镜元件被静电力拉拽时，扭力杆发生弹性变形。这样的静电力来自电极器件307和309的其中之一或者其中两者，所述电极器件307和309被设置在镜元件301的下方。每一个镜器件具有约数百(例如300，100)或者数千微米或更小的尺寸，但是所述尺寸取决于应用。这样的镜器件的其他示例可以在标题为Optical Deflection Device，发明人为Kurt E.Petersen，并被转让给IBM公司的美国专利No.4,317,611中找到，但是这不应是限制性的。
优选地，镜器件可以至少从第一状态致动到第二状态。第一状态对应于开通状态，而第二状态对应于关断状态。优选地，镜具有在预定限度附近的公差，但是不应发生偏移。镜也可以使用其他的驱动器件。取决于应用，这样的可作为选择的驱动器件包括压电驱动器件、静电驱动器件等。当然，本领域的普通技术人员可以发现很多变化、修改和替代。在本说明书中，更具体地在下文中，可以找到本发明的更多的细节。
图4是包括根据本发明实施例的装置的光学系统400的简化的侧视图。此图仅作为示例，在这里其不应不适当地限制权利要求的范围。本领域的普通技术人员可以发现很多变化、修改和替代。在本图中使用了与本文中的某些其他的图相似的参考数字。但是，这样的数字不是意于进行限制。如图所示，装置100正在利用镜器件115的阵列照射目标物105，以对位于目标物之上的光敏材料101进行选择性图案化。该目标物包括任何合适的器件，例如半导体晶片、玻璃衬底、复合部件、层叠结构等。如所提到的，该装置具有镜器件121、107、123的阵列。镜器件中的每一个能够至少从第一状态121致动到第二状态107。第一状态121可以是开通状态，而第二状态107可以是关断状态。如图所示，第一状态使光敏材料101曝光。第二状态107使光敏材料不被曝光，并常常将光照反射到光敏材料的表面之外的区域。优选地，镜器件中的每一个与待曝光到光敏材料之上的图案的像素(例如，101)相关联。优选地，光敏材料是光刻胶材料，包括正性或者负性抗蚀剂。作为选择，根据镜器件的状态，特定区域103没有被曝光。
此外，该装置还包括与镜器件阵列耦合的电磁辐射源113。电磁辐射源可以是具有准直光束的灯。所述的灯还可以是激光源。电磁辐射源适用于将利用泛光光束的电磁辐射施加到镜器件阵列上。作为选择，依据实施例，所述源可以是脉冲的，或者泛光和脉冲的组合。如图所示，选定的镜器件被致动以照射109光敏材料的选定区域。当然，本领域的普通技术人员可以发现很多变化、修改和替代。
如图3所示，驱动器件被耦合到镜器件阵列中的每一个镜器件。驱动器件适用于选择性地致动阵列中的一个或者多个镜，将光束中的一部分偏转到光敏材料中的一部分上，以使光敏材料的所述部分曝光。驱动器件还适用于使一个和多个其他的镜保持在选定的位置，以使光敏材料的另外一部分保持不被曝光。
本装置还包括耦合在阵列和目标物之间的光学透镜，所述透镜可以是单个透镜，或者是多个透镜。透镜还可以被独立应用于每一个纤维末端。透镜可以是缩影透镜，例如10∶1、5∶1、4∶1。取决于实施例，可以有许多其他的变化、修改和替代。优选地，该装置还可以具有耦合到驱动器件的存储器和处理器，其将在下面进行更详细地描述。
优选地，系统还可以包括耦合到接口407的计算装置401。该接口提供输出，以选择性地致动阵列中的镜器件。此外，该接口还可以包括来自阵列中的镜器件的输入。这样的输入可能包括控制信息等。此外，阵列中的镜器件包括接口405，所述接口405与计算机接口407耦合。计算装置包括显示设备、显示屏、机箱、键盘、扫描仪和鼠标。鼠标和键盘是代表性的“用户输入设备”。鼠标包括用于选择图形用户界面设备上的按钮的按键。用户输入设备的其他示例是触摸屏、光笔、跟踪球、数据手套(data glove)、麦克风等。在优选实施例中，计算机包括根据PentiumTM系列的计算机，运行Microsoft公司的WindowsTMNT或者XP操作系统。但是，本领域技术人员在不偏离本发明的范围的情况下，容易使该系统适用于其他的操作系统或者体系结构。该装置包括诸如磁盘驱动器、处理器、存储设备等之类的计算机部件。存储设备包括但不限于磁盘驱动器、磁带、固态存储器、磁泡存储器等。还可以包括另外的硬件，例如输入/输出(I/O)接口卡、其他的计算机或者另外的外围设备，所述接口卡用于将计算机装置连接到外部设备外存。
本领域普通技术人员可以容易地实现子系统和互联的其他的布置。系统存储器和固定的磁盘是用于存储计算机程序的有形介质的示例，其他类型的有形介质包括软盘、可移动硬盘、诸如CD-ROM和条形码之类的光存储介质、以及诸如闪存、只读存储器(ROM)和电池支持存储器之类的半导体存储器。虽然已经以具体的硬件特征对上述特征进行了说明，但是可以想到将存在许多变化、替代和修改。例如，硬件特征中的任何一种可以被进一步组合，或者甚至进行分离。这些特征还可以部分地通过软件或者硬件与软件的组合来实现。取决于应用，硬件和软件可以是被进一步集成的，或者进行了较低程度的集成。
图5是利用根据本发明的实施例的方法所印刷的图案503的简化的顶视图500。此图仅作为示例，在这里其不应不适当地限制权利要求的范围。本领域的普通技术人员可以发现很多变化、修改和替代。如图所示，图案503已经被印刷到背景501上，根据具体实施例所述背景501是不进行曝光的。图案由像素元素505组成，所述像素元素505与镜元件中的每一个相对应。取决于实施例，可以有存储在计算机装置中的存储器之中的其他图案。可以检索并处理这样的图案，其中对于每一个像素元素的输出被确定。
如下所述，可以简要地提供根据本发明实施例的方法1.提供例如半导体晶片的目标物，所述目标物具有上覆的一层光敏材料；2.从存储器选择文件，所述文件与待要印刷到目标物上的图案相关联；3.处理文件；4.根据文件确定输出；5.将利用泛光光束的电磁辐射施加到镜器件阵列上；6.根据输出选择性地致动阵列上的一个或多个镜，以将光束中的相应部分偏转到光敏材料的相应部分上，来对目标物上的光敏材料中的所述部分进行曝光；7.将一个或多个其他的镜保持在选定的位置，以使光敏材料中的相应的其他部分保持不被曝光。
8.显影光敏材料中的曝光(或未曝光)部分，以形成图案化膜；9.处理包含图案化膜的目标物；10.剥离图案化膜；以及11.按需要进行其他的步骤。
上述顺序的步骤提供了根据本发明实施例的方法。还可以提供许多其他可供选择的方法，其中在不背离这里的权利要求的范围的情况下，加入某些步骤，删去一个或多个步骤，或者一个或多个步骤按照不同的顺序进行。本方法使用MEMS器件选择性曝光用于曝光的光敏材料的一个或多个部分。在本说明书全文中，更具体地在下文中，可以找到本方法的更多的细节。
图6是示出了根据本发明的实施例的光学图案化方法600的简化的侧视图。此图仅作为示例，在这里其不应不适当地限制权利要求的范围。本领域的普通技术人员可以发现很多变化、修改和替代。如图所示，本方法开始于START(开始)，即步骤601。本方法提供例如半导体晶片、玻璃板的目标物(步骤603)，所述目标物具有上覆的一层光敏材料。本方法从存储器选择(步骤605)一个电子文件，所述文件与待要印刷到目标物上的图案相关联。电子文件可以是存储在存储器中的一个或者多个文件。
本方法利用至少一个微处理设备处理(步骤607)文件。优选地，本方法根据该文件确定选定的输出(步骤609)，以形成图案。本方法将输出提供给镜阵列中的选定器件。利用泛光光束的电磁辐射被照射(步骤611)到镜器件阵列上。本方法根据输出选择性地致动(步骤613)阵列上的一个或者多个镜，以将光束中的相应部分偏转到光敏材料的相应部分上。光敏材料中的这些部分在目标物上被曝光(步骤615)。
本方法将一个或多个其他的镜保持(步骤617)在选定的位置，以使光敏材料中的相应的其他部分保持不被曝光。本方法显影光敏材料中的曝光(或未曝光)部分以形成图案化膜，并处理包含图案化膜的目标物。最后，可以利用灰化或者剥离工艺将图案化膜剥离。当然，步骤的顺序取决于应用。
上述顺序的步骤提供了根据本发明实施例的方法。还可以提供许多其他可供选择的方法，其中在不背离这里的权利要求的范围的情况下，加入某些步骤，删去一个或多个步骤，或者一个或多个步骤按照不同的顺序进行。本方法使用MEMS器件选择性曝光用于曝光的光敏材料的一个或多个部分。在本说明书全文中，更具体地在下文中，可以找到本方法的更多的细节。
图7是示出了根据本发明的替换实施例的光学图案化方法的简化的侧视图。此图仅作为示例，在这里其不应不适当地限制权利要求的范围。本领域的普通技术人员可以发现很多变化、修改和替代。在本图中使用了与本文中的某些其他的图相似的参考数字。但是，这样的数字不是意于进行限制。如图所示，装置700正在利用镜器件阵列115照射目标物105，以对位于目标物之上的光敏材料101进行选择性图案化。该目标物包括任何合适的器件，例如半导体晶片、玻璃衬底等。优选地，根据来自镜器件的第一和第二光束之问的干涉，图案中的一个或多个变小(或者变大)。
如所提到的，该装置具有镜器件阵列。镜器件中的每一个能够至少从第一状态致动到第二状态。第一状态可以是开通状态，而第二状态可以是关断状态。如图所示，第一状态使光敏材料曝光。第二状态使光敏材料不被曝光，并常常将光照反射到光敏材料的表面之外的区域。优选地，镜器件中的每一个与待曝光到光敏材料之上的图案的像素相关联。优选地，光敏材料是光刻胶材料，包括正性和/或负性抗蚀剂。作为选择，根据镜器件的状态，某些特定区域没有被曝光。致动所述镜的其他方法将在下面进行更详细地描述。
如所提到的，图案来自于阵列中相应镜器件的至少第一和第二光束之间的干涉。如图所示，镜器件721将具有第一波长的第一光束从镜器件阵列之中的第一镜器件的表面向图案区域703反射。镜器件723将具有第二波长的第二光束从镜器件阵列之中的第二镜器件的表面也朝向图案区域反射。第一光束以形成具有第三波长的合成光束的方式与第二光束合并701。第三波长比第一波长和第二波长都小。合成光束对图案区域703中的部分光敏材料进行曝光。如图所示，第三波长比第一波长或第二波长小，并形成比第一光束或者第二光束所提供的更小的像素尺寸。该装置还包括镜器件727、725，所述镜器件727、725包含被反射光束。这样的光束被合并703，以曝光像素区域703。取决于应用，可以有许多替代、变化和修改。
在替代实施例中，该装置还合并光束，以对于给定的像素元素增大光束的强度。在此，第一镜器件将具有第一强度的第一光束从第一镜器件的表面向图案区域反射。第二镜器件将具有第二强度的第二光束从第二镜器件的表面向图案区域反射。本方法以形成具有第三强度的合成光束的方式合并第一光束与第二光束，与第一强度或者第二强度相比，所述第三强度或者更大或者更小。作为选择，在从镜的表面反射光束之前将所述光束合并。本方法利用具有第三强度的合成光束对位于目标物之上的光敏材料的图案部分进行曝光，所述第三强度可能大于或者小于任一光束的强度。取决于实施例，可以有许多其他的变化、修改和替代。
图8是实施了根据本发明的替换实施例的光学图案化方法的简化的侧视图。此图仅作为示例，在这里其不应不适当地限制权利要求的范围。本领域的普通技术人员可以发现很多变化、修改和替代。同样，在本图中使用了与本文中的某些其他的图相似的参考数字。但是，这样的数字不是意于进行限制。如图所示，装置800正在利用镜器件115的阵列照射目标物105，以对位于目标物之上的光敏材料101进行选择性图案化。优选地，根据利用目标物和镜器件之间的空间移动和光束输出的时间而选择性施加照射，图案中的一个或多个可以更小。
如所提到的，该装置具有镜器件121、107、123的阵列。镜器件中的每一个能够至少从第一状态121致动到第二状态107。第一状态121可以是开通状态，而第二状态107可以是关断状态。如图所示，第一状态使光敏材料101曝光。第二状态107使光敏材料不被曝光，并常常将光照反射到光敏材料的表面之外的区域。优选地，镜器件中的每一个与待曝光到光敏材料之上的图案的像素(例如，101)相关联。优选地，光敏材料是光刻胶材料，包括正性或者负性抗蚀剂。作为选择，根据镜器件的状态，特定区域103没有被曝光。
此外，该装置具有驱动机构，以改变目标物和镜器件之间的相对距离。驱动机构可将目标物致动到第二位置801，因其仅为示意图而没有按照比例图示。目标物可以在整个移动范围803内被致动，以改变目标物和镜器件之间的距离。在此，该移动调制了光束，导致其形成干涉图案，即相移。
还应当理解，这里所描述的示例和实施例只是为了说明的目的，本领域的普通技术人员可以根据上述示例和实施例对本发明进行各种修改和变化。这些修改和变化都在本申请的精神和范围内，并且也在所附权利要求的范围内。
权利要求
1.一种利用镜器件阵列照射目标物以对位于所述目标物之上的光敏材料进行选择性图案化的方法，所述方法包括将利用泛光光束的电磁辐射施加到一个镜器件阵列上，所述镜器件中的每一个与待要曝光到所述光敏材料上的图案的像素相关联；选择性地致动所述阵列上的一个或多个镜，以将光束中的相应部分偏转到所述光敏材料的相应部分上，来对所述目标物上的所述光敏材料的所述部分进行曝光；以及使一个或多个其他的镜保持在一个或多个选定的位置，以使所述光敏材料的相应其他部分保持不被曝光。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述保持的操作包括将所述一个或者多个镜偏转至所述选定的位置。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述选择性地致动所述阵列中的所述一个或多个镜的操作使所述光敏材料的选定部分曝光，以形成所述图案。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述选择性地致动的操作由静电力提供。
5.如权利要求1所述的方法，还包括在致动所述一个或多个镜之前，从计算机上的存储器检索出文件，所述文件包括与待要曝光到所述光敏材料上的所述图案相关联的信息；读取所述文件中的所述信息；以及确定与所述待致动的选定的一个或者多个镜相关联的输出。
6.如权利要求1所述的方法，其中，所述阵列中的所述镜器件形成任何两维图案的像素的完整集合。
7.如权利要求1所述的方法，其中在所述的施加电磁辐射的操作之前，提供所述选择性致动操作。
8.如权利要求1所述的方法，还包括致动所述目标物和所述镜阵列之间的一个光闸。
9.如权利要求1所述的方法，其中所述目标物是半导体晶片或者玻璃衬底。
10.如权利要求1所述的方法，其中所述镜中的每一个能够偏转具有0.1微米至0.4微米以及更小的光点直径的光束。
11.如权利要求1所述的方法，还包括在预定的时间段中调节所述镜的阵列和所述光敏材料之间的相对空间距离，以改变与所述镜中的至少一个相关联的相位。
12.一种利用镜器件阵列照射目标物以对位于所述目标物之上的光敏材料进行选择性图案化的装置，所述装置包括一个镜器件阵列，所述镜器件阵列能够至少从一个第一状态致动到一个第二状态，所述镜器件中的每一个与待要曝光到所述光敏材料上的图案的一个像素相关联；一个耦合到所述镜器件阵列的电磁辐射源，所述电磁辐射源适用于将利用泛光光束的电磁辐射施加到所述镜器件阵列；一个耦合到所述镜器件阵列的驱动器件，所述驱动器件适用于选择性致动所述阵列上的一个或多个镜，以将所述光束中的一部分偏转到所述光敏材料的一部分上，来对所述光敏材料的所述部分进行曝光，并且所述驱动器件还适用于使一个或多个其他的镜保持在选定的位置，以使所述光敏材料的另外的部分保持不被曝光。
13.如权利要求12所述的装置，其中所述驱动器件使用静电力来致动所述阵列中的所述一个或多个镜。
14.如权利要求12所述的装置，还包括耦合到所述驱动器件的一个存储器和一个处理器，所述存储器和所述处理器适用于从所述存储器检索出文件，所述文件包括与待要曝光到所述光敏材料上的所述图案相关联的信息，所述存储器和所述处理器适用于读取所述文件中的所述信息，所述存储器和所述处理器适用于确定所述待致动的选定的一个或者多个镜。
15.如权利要求12所述的装置，其中所述阵列中的所述镜器件形成与任何待要曝光到所述光敏材料上的图案相关联的像素的完整集合。
16.一种利用镜器件阵列照射目标物，以对位于所述目标物之上的光敏材料进行选择性图案化的方法，所述方法包括从一个镜器件阵列中的第一镜器件的表面反射具有第一波长的第一光束；从所述镜器件阵列中的第二镜器件的表面反射具有第二波长的第二光束；以形成具有第三波长的合成光束的方式，合并所述第一光束和所述第二光束，所述第三波长比所述第一波长和所述第二波长都小；以及利用具有所述第三波长的所述合成光束对位于目标物之上的光敏材料的一部分进行曝光。
17.如权利要求16所述的方法，其中所述合并操作导致所述第一光束和所述第二光束之间的相消干涉。
18.如权利要求16所述的方法，其中所述曝光部分与所述光敏材料上的图案的单个像素相关联。
19.如权利要求16所述的方法，还包括将泛光源施加到所述第一镜器件和所述第二镜器件上。
20.如权利要求16所述的方法，其中所述第一波长与所述第二波长相同。
21.一种用于照射目标物以对位于所述目标物之上的光敏材料进行选择性图案化的方法，所述方法包括从第一镜器件的表面反射具有第一强度的第一光束；从第二镜器件的表面反射具有第二强度的第二光束；以形成具有第三强度的合成光束的方式，合并所述第一光束和所述第二光束，其中与所述第一强度或者所述第二强度相比，所述第三强度更小或者更大；以及利用具有所述第三强度的所述合成光束对位于目标物之上的光敏材料的一部分进行曝光。
22.一种可重构的掩模，包括一个偏转器件的阵列，所述偏转器件中的每一个能够至少从第一状态致动到第二状态，所述偏转器件中的每一个与待要曝光到光敏材料上的图案的一个像素相关联；和一个耦合到所述偏转器件的阵列上的驱动器件，所述驱动器件适用于选择性致动所述阵列上的一个或多个镜，以将所述光束中的一部分偏转到所述光敏材料的一部分上，而使所述光敏材料的所述部分曝光，并且所述驱动器件还适用于使一个或多个其他的镜保持在一个选定的位置，以使所述光敏材料的另外的部分保持不被曝光。
全文摘要
本发明公开了一种利用镜器件阵列照射目标物以对位于目标物之上的光敏材料进行选择性图案化的方法。该方法包括将利用泛光光束的电磁辐射施加到镜器件阵列上。所述镜器件中的每一个与待要曝光到光敏材料上的图案的像素相关联。该方法还包括选择性地致动所述阵列上的一个或多个镜，以将光束中的相应部分偏转到光敏材料的相应部分上，来对目标物上的光敏材料的所述部分进行曝光。该方法使一个或多个其他的镜保持在选定的位置，以使所述光敏材料的相应其他部分保持不被曝光。优选地，曝光的部分和未曝光的部分形成被曝光到光敏材料上的图案。
文档编号G03F1/00GK1963672SQ20051011031
公开日2007年5月16日 申请日期2005年11月7日 优先权日2005年11月7日
发明者邱慈云 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司