专利名称：：液晶显示装置阵列基板的制造方法
技术领域：
：本发明涉及一种液晶显示装置阵列基板的制造方法，特别涉及可降低源极和漏极短路、漏极走线断开发生率的阵列基板制造方法。
背景技术：
：目前液晶显示装置阵列基板的制造业中，采用半曝光技术的4层掩模板曝光的生产线上，采用一块漏极(Drain)和硅岛(Island)掩模板对基板进行曝光同时形成硅岛和薄膜晶体管的源极(Source)、漏极图案。该曝光方式采用狭缝掩模技术(GrayToneMask)对薄膜晶体管沟道处进行半曝光、显影后沟道处光刻胶(Photoresist,PR)残膜直接决定薄膜晶体管沟道的品质，所以不易控制的半曝光工艺也就成为决定薄膜晶体管品质的关键因素。也就是说，这种曝光方式虽然节约一层光掩模的时间和经济投入，但是存在难以控制的工程过程。如何控制好显影后沟道处残膜厚度是生产管控的重点，超出管控范围上限的在制量产品容易形成源极-漏极短路(S-DShort),超出管控范围下限的在制量产品容易沟道断开或半断开而造成K-Mura现象(显示不均的一种)，所以超出管控范围的在制量产品需要进行特别的处理一一漏极/硅岛-光刻胶(Drain/Island-Photoresist,简称D/I-PR)再加工处理。然而，由于D/1-PR作业的特殊性，一旦采用目前原有流程进行D/I-PR再加工，极易引发大量漏极(Drain)走线断开，直接导致对象批次产品不良高发。现有液晶显示装置阵列基板的制造方法如下源漏极金属膜'践射一一D/I-PR(当残膜厚度合格)一一第一次湿刻一一硅岛和光刻胶干刻一一第二次湿刻一一沟道干刻一一剥离光刻胶，从源漏极金属膜到D/I-PR工序间停止时间将被作为评价基板新鲜度的一项重要指标，停止时间越长，被认为新鲜度越差，其光刻胶与基板的密着性(密着性指能使光刻胶与基板牢固附着、密实而不龟裂的性能)也随之劣化，反之亦然。密着性不佳会导致湿刻过程中刻蚀液从光刻胶和基板间渗入，从而将有光刻胶覆盖本不应该刻蚀的漏极走线断开，形成漏极走线断开。再加工量产品由于基板新鲜度不够，基板与光刻胶的密着性极差，在湿刻过程中刻蚀液渗入到基板内，将漏极走线断开刻断。
发明内容本发明的主要目的在于提供一种液晶显示装置阵列基板的制造方法，通过该制造方法降低源极和漏极短路、漏极走线断开的发生率。为达到上述目的，本发明提供一种液晶显示装置阵列基板的制造方法，该液晶显示装置阵列基板包括一玻璃基板，依次形成于该玻璃基板上的栅极、绝缘层、源漏极金属膜、光刻胶，其中，该制造方法包括以下步骤对涂布光刻胶后的液晶显示装置阵列基板进行显影；对显影后的液晶显示装置阵列基板进行第一次湿刻；对第一次湿刻后的液晶显示装置阵列基板进行剥离光刻胶和D/I-PR再加工；D/I-PR再加工后进行硅岛和光刻胶的干刻；然后进行第二次湿刻；对第二次湿刻后的液晶显示装置阵列基板进行沟道干刻。本发明由于采用了上述的技术方案，使之与现有技术相比，具有以下的优点和积极效果本发明的液晶显示装置阵列基板的制造方法不增加再加工流程的工序，仅通过改变工序顺序，有效达到了降低再加工产品漏极走线断开发生率和源极-漏极短路的目的，从而在未增加产品作业时间和成本前提下提高了产品良率。图1为本发明液晶显示装置阵列基板的显影后示意图2为本发明液晶显示装置阵列基板的第一次湿刻后示意图3为本发明液晶显示装置阵列基板的D/I-PR再加工后示意图4为本发明液晶显示装置阵列基板的硅岛和光刻胶干刻后示意图5为本发明液晶显示装置阵列基板的第二次湿刻后示意图6为本发明液晶显示装置阵列基板的沟道干刻后示意图。具体实施例方式以下将结合附图对本发明液晶显示装置阵列基板的制造方法作进一步的详细描述。本发明液晶显示装置阵列基板的制造方法如下源漏极金属膜溅射一一D/I-PR(当残膜厚度超标)——第一次湿刻——剥离光刻胶——D/I-PR——硅岛和光刻胶干刻一一烘干后一一第二次湿刻一一沟道干刻一一剥离光刻胶。D/I-PR作业后某一批次产品的AFM(原子力显樣么镜)测试结果表明，该批次产品光刻胶残膜超规格上限，如果按照正常量产工序流程极易形成大规模的源极-漏极短路(S-DShort)。现在将该批次产品进行第一次湿刻，第一次湿刻后进行剥离光刻胶和D/I-PR再加工，然后跳过正常量产工序中的第一次湿刻而直接进入硅岛和光刻胶的干刻工序，接着在第二次湿刻前追加一次较高温度的烘干处理之后进行第二次湿刻和沟道干刻，最后将残留光刻胶剥离，完成整个DI工程的工艺流程。图1为本发明液晶显示装置阵列基板的显影后示意图，如图1所示，本发明的液晶显示装置阵列基板装置包括一玻璃基板1,形成于该玻璃基板1的栅极5、一绝缘层2，位于该绝缘层2上的源漏极金属膜3，一层光刻胶4形成于该源漏极金属膜3上。其中，绝缘层2为Si02、SiNx或Si0xNy材料之一或任意组合所构成的复合膜。利用原子力显微镜检测显影后的光刻胶残膜超规格上限，此时对如图1的液晶显示装置阵列基板进行第一次湿刻，结果如图2所示，位于未被光刻胶4覆盖的源漏极金属膜3被蚀刻掉；第一次湿刻后进行剥离光刻胶和D/1-PR再加工，如图3所示。然后跳过正常量产工序中的第一次湿刻而直接进入硅岛和光刻胶的干刻工序，如图4所示，位于源漏极金属膜3上的光刻胶形成一个凹洞；如图5所示，接着在第二次湿刻前追加一次较高温度的烘干处理之后进行第二次湿刻，位于凹洞内的层膜3被蚀刻掉；如图6所示，第二次湿刻后再进行沟道干刻，位于凹洞内的绝缘层2被蚀刻掉，最后将残留光刻胶剥离，从而完成整个漏极和硅岛(Drain/Island,D/I)工程的工艺流程。从表1中看出，与原有的液晶显示装置阵列基板的制造方法相比，本发明液晶显示装置阵列基板的制造方法降低了再加工可能带来的高漏极走线断开问题，也改善了残膜过高可能引起的大量源极-漏极短路不良。5表l<table>tableseeoriginaldocumentpage6</column></row><table>以上介绍的仅仅是基于本发明的较佳实施例，并不能以此来限定本发明的范围。任何对本发明的测量装置作本
技术领域：
内熟知的步骤的替换、组合、分立，以及对本发明实施步骤作本
技术领域：
内熟知的等同改变或替换均不超出本发明的揭露以及保护范围。权利要求1.一种液晶显示装置阵列基板的制造方法，该阵列基板包括一玻璃基板，依次形成于该玻璃基板上的栅极、绝缘层、源漏极金属膜、光刻胶，其特征在于，该制造方法包括以下步骤对涂布光刻胶后的液晶显示装置阵列基板进行显影；对显影后的阵列基板进行第一次湿刻；对第一次湿刻后的阵列基板进行剥离光刻胶和漏极/硅岛-光刻胶再加工；漏极/硅岛-光刻胶再加工后进行硅岛和光刻胶的干刻；然后进行第二次湿刻；对第二次湿刻后的阵列基板进行沟道干刻。2.如权利要求1所述的液晶显示装置阵列基板的制造方法，其特征在于，所述绝缘层为Si02、SiNx或Si0xNy材料之一或任意组合所构成的复合膜。3.如权利要求1所述的液晶显示装置阵列基板的制造方法，其特征在于，所述沟道干刻的步骤后将液晶显示装置阵列基板上剩下的光刻胶进行剥离。全文摘要本发明涉及一种液晶显示装置阵列基板的制造方法，该液晶显示装置阵列基板包括一玻璃基板，依次形成于该玻璃基板上的栅极、绝缘层、源漏极金属膜、光刻胶，该制造方法包括以下步骤对涂布光刻胶后的液晶显示装置阵列基板进行显影；对显影后的阵列基板进行第一次湿刻；对第一次湿刻后的阵列基板进行剥离光刻胶和D/I-PR再加工；D/I-PR再加工后进行硅岛和光刻胶的干刻；然后进行第二次湿刻；对第二次湿刻后的阵列基板进行沟道干刻。采用本发明的液晶显示装置阵列基板的制造方法可降低源极和漏极短路、漏极走线断开发生率。文档编号G02F1/13GK101424835SQ20071004757公开日2009年5月6日申请日期2007年10月30日优先权日2007年10月30日发明者朱棋锋申请人:上海广电Nec液晶显示器有限公司