用于制造柔性显示器的方法和设备的制作方法

专利名称：用于制造柔性显示器的方法和设备的制作方法
用于制造柔性显示器的方法和设备 技术领域本公开涉及用于制造柔性显示装置的方法和设备。
背景技术：
在较广泛使用类型的平板显示装置中，液晶显示器(LCD)和有机发光 装置(OLED)是普遍的。LCD通常包括两个面板和位于这两个面板之间的液晶材料层。每个面板 包括场发生电极，场发生电极包括像素电极和共电极。LCD通过用电极控制 穿过面板的光的偏振来形成图像。即，对场发生电极施加电压以在液晶层上 感生出电场，感生的电场控制液晶层分子的排列，从而控制入射光的偏振， 以显示图像。OLED通常包括空穴注入电极(阳极)、电子注入电极(阴极)和形成在 这两个电极之间的有机发射层。OLED是通过使从阳极注入的空穴和从阴极 注入的电子在有机发射层中复合并消失来发光的自发射显示装置。这些显示装置通常采用重且易碎的玻璃基底，因此，这些显示装置在便 携性和提供大屏幕显示器方面存在限制。为了克服玻璃基底的限制，已经开 发了采用重量较轻、耐冲击并且柔性的塑料基底的显示装置。然而，因为对塑料基底施加热时塑料基底容易弯曲或延伸，所以难以在 塑料基底上形成薄膜图案例如电极和信号线。为了努力克服这个缺点，引入 了下面这种方法，在该方法中，将塑料基底结合到玻璃支撑构件上，在结合 有玻璃支撑构件的塑料基底上形成薄膜图案，然后将塑料基底与玻璃支撑构 件分离。在该方法中，利用粘合剂将塑料基底结合到玻璃支撑构件上。然而， 当采用粘合剂将塑料基底结合到玻璃支撑构件上时，粘合剂会容易损坏塑料 基底。因此，需要用于制造能够使其柔性基底经历多个制造工艺的同时防止柔 性基底弯曲、延伸或损坏的柔性显示装置的方法和设备。
根据这里描述的本发明的示例性实施例，提供了用于制造柔性显示装置 的方法和设备，所述方法和设备在制造柔性显示装置期间防止柔性显示装置 的柔性基底发生弯曲或损坏。在一个示例性实施例中， 一种用于制造柔性显示装置的设备包括支撑构 件主体、支架、真空通路和喷嘴。所述支架设置在所述支撑构件主体的表面 上并且包括多个沟槽，用于安放柔性母基底。所述真空通路穿透所述支撑构 件主体以与所述沟槽连通，每个真空通路具有与所述支撑构件主体的外部连 通的一端。所述喷嘴将所述真空通路与外部连通。示例性设备还可以包括塞子，所述塞子可旋转地附于喷嘴的入口处， 以选择性地执行打开和关闭操作；导向件，用于支持所述支撑构件主体；连 接件，连接到外部真空源，所述外部真空源可附于所述喷嘴并且与所述喷嘴 可分离。所述连接件可以滑动地设置在所述导向件上，用于滑动地附于所述 喷嘴和与所述喷嘴分离。所述设备还可以包括多个固定销，用来将所述支撑构件主体固定在所述 导向件上。每个沟槽的横截面可以具有V形形状。所述沟槽可以设置为格子 形状。所述支撑构件主体可以包含铝。在另一示例性实施例中， 一种用于制造柔性显示装置的方法包括对柔性 母基底的一侧施加静电力。由于静电而带电的柔性母基底安放在支撑构件上 并且通过真空方式附于所述支撑构件。在所述柔性母基底上形成薄膜图案。 在所述柔性母基底附于所述支撑构件的同时，穿透所述支撑构件的真空通路 可以连接到外部真空源，可以通过所述真空源在所述真空通路中产生真空。 ^接着，所述真空源可以与所述支撑构件分离。所述柔性母基底可以包含塑料。所述柔性母基底可以包括有机层、形成 在所述有机层的两侧上的下涂层、形成在所述下涂层上的阻挡层和形成在所 述阻挡层上的硬涂层。所述有机层可以为从由下列物质组成的组中选择的一 种，所述物质包括聚乙烯醚邻苯二曱酸酯、聚萘二酸乙二醇酯、聚碳酸酯、 多芳基化合物、聚醚酰亚胺、聚醚砜、聚酰亚胺和聚丙烯酸酯。所述下涂层 和所述硬涂层可以包含丙烯酰基树脂。所述阻挡层可以包含Si02或者A1203。 所述支撑构件可以包含铝。所述薄膜图案可以包括非晶硅薄膜晶体管(TFT)。 所述薄膜图案可以包括有机TFT。
从下面对本发明的一些示例性实施例的详细描述进行考虑，具体地讲， 如果结合附图考虑，则可以获得对本发明的新颖方法和设备的上述和许多其 它特征及优点的更好地理解，其中，相同的标号用来表示在本发明的一幅图 或多幅图中示出的相同的元件。


图1是用于制造根据本发明的柔性显示装置的设备的示例性实施例的局部透4见图；图2是沿着从图1中截取的截面II-II的线观察的图1的示例性设备的剖视图；图3至图6是示出制造根据本发明的柔性显示装置所包括的顺序工艺的 剖^L图；图7是才艮据本发明的LCD的示例性实施例的示出LCD的一个像素区的 局部俯视平面图；图8A和图8B分别是沿着从图7中截取的截面Vffla-VIDa和Vinb-WIb的线观 察的图7的示例性LCD的剖视图；图9、图11、图13和图15是示出根据本发明的制造图7至图8B中的 LCD的下面板的示例性方法的顺序阶段的局部俯视平面图；图IOA和图IOB分别是沿着从图9中截取的截面Xa-Xa和Xb-Xb的线 观察的图9的下面^1的剖^L图；图12A和图12B分别是沿着从图11中截取的截面XEa-Xna和XIIb-Xnb的 线观察的图11的下面板的剖视图；图14A和图14B分别是沿着从图13中截耳又的截面XIVa-XIVa和 XIVb-XIVb的线观察的图13的下面板的剖^L图；图16A和图16B分别是沿着从图15中截取的截面XVIa-XVIa和 XVIb-XVIb的线观察的图15中的下面板的剖视图；图17A至图17D是示出用于制造根据本发明的柔性显示装置的上面板的 方法的示例性实施例的顺序步骤的剖视图。
具体实施方式
图1是用于制造根据本发明的柔性显示装置的设备的示例性实施例的局 部透视图，图2是沿着从图1中截取的截面II-II的线观察的图1的示例性设 备的剖^L图。参照图1，示例性设备包括支撑构件主体50;导向件(guide) 60,用 于支持支撑构件主体50;连接件70，将支撑构件主体50连接到外部真空源 80。支撑构件主体50通过在显示装置的工艺期间以基本平面的状态支持柔 性母基底10 (在图1和图2中未示出)来防止柔性母基底10在该工艺期间 弯曲。因此，支撑构件主体50的尺寸大于柔性母基底10的尺寸，并且支撑 构件主体50的尺寸大得足以能够充分地支持柔性母基底10。在一个有利的 示例性实施例中，支撑构件主体50由铝形成。如图1和图2中所示，支架51设置在支撑构件主体50的上表面上。柔 性母基底10 (在图1和图2中未示出)直接安放在支架51的上表面上，因 此，支架51具有与柔性母基底10的长度和宽度对应的长度和宽度。多个沟槽52形成在支架51中。沟槽52设置为格子形状，每个沟槽52 的横截面为V形。如下面更详细地描述，柔性母基底10包括由从下列物质组成的组中选择 的至少一种材料形成的有机层，所述物质为聚乙烯醚邻苯二曱酸酯(polyethylene ether phthalate )、聚萘二酉吏乙二西享酉旨(polyethylene naphthalate )、 聚碳酸酯、多芳基化合物、聚醚酰亚胺、聚醚石风、聚酰亚胺或者聚丙烯酸酯。 柔性母基底10还可以包括顺序形成在有机层的两侧上的由丙烯酰基树脂(acryl-based resin)形成的下涂层、由SiCb或A1203形成的阻挡层和由丙烯 酰基树脂形成的硬涂层。这些层防止柔性母基底IO在显示器的制造期间被物 理损坏和化学损坏。如图2中所示，真空通路53形成在支撑构件主体50内部，完全穿透支 撑构件主体50。真空通路53与沟槽52物理连通。如图1和图2中所示，每 个真空通路53的一端形成与支撑构件主体50的外部连通的喷嘴(nipple )54。 每个喷嘴54包括塞子55，塞子55可旋转地设置在喷嘴54中，从而通过旋 转塞子55选择性地关闭与喷嘴54有关的真空通路53。导向件60用来固定支撑构件主体50和连接件70的相对竖直的位置。具 体地讲，导向件60包括第一平面区域(A)和设置得比第一平面区域(A) 低的第二平面区域(B)。支撑构件主体50设置在导向件60的第一平面区域 (A)上，连接件70设置在导向件60的第二平面区域(B)上。多个固定销62设置在导向件60的第一平面区域(A)上，以防止在导向件60上支撑构件主体50移动。连接件70包括多个腿状件71,固定在导向件60的第二平面区域(B)上；本体72,设置在腿状件71上；多个连接管73，从本体72向支撑构件主体50延伸。本体72可滑动地附于腿状件71上。连接管73的数量等于喷嘴54的数 量，每个连接管73具有与支撑构件主体50的喷嘴54的形状对应的形状。可 以通过在腿状件71上将本体72向着喷嘴54滑动来将连接管73附于喷嘴54, 并且可以通过在腿状件71上将本体72远离喷嘴54滑动来将连接管73与喷 嘴54分离。如上所述，由于导向件60包括分别设置成不同高度的第一平面区域A 和第二平面区域B,所以支撑构件主体50的每个喷嘴54的各自的位置可以 与位于连接件70的一端的相应的连接管73的位置匹配。真空源80 (例如， 压缩机)连接到连接件70的另 一端。下面参照图3至图6来详细描述示例性设备的操作，其中，图3至图6 是示出在根据本发明的柔性显示装置的制造过程中包括的顺序工艺的剖视 图。参照图3，利用静电发生器90对柔性母基底10 (例如，塑料母基底)的 一侧施加静电力。接着，将被静电充电的柔性母基底IO放置在支撑构件主体 50的支架51上，此后，支架51设置在该设备的导向件60上。当柔性母基 底10被放置在适当的位置时，接收静电力的那侧与支撑构件主体50的支架 51接触。如图5中所示，接着，与真空源80连接的连接件70的本体72沿着图4 中的箭头方向向着支撑构件主体50滑动，使得对应的连接管73和喷嘴54彼 此接合并连接，向上旋转喷嘴54的入口处的塞子55,从而打开塞子55。结 果，支撑构件主体50的真空通路53通过连接件70与真空源80处于流体连 通状态。接着，启动真空源80，从而在真空通路53和与真空通路53连接的沟槽 52中产生真空，从而将柔性母基底10稳固地向下吸到支撑构件主体50的支 架51上。
接着，如图5中所示，连接件70的本体72脱离支撑构件主体50，使得 对应的连接管73和喷嘴54彼此分开，向下旋转喷嘴54的入口处的塞子55， 从而关闭塞子55。此后，真空通路53和沟槽52中余留的真空足以维持将支 撑构件主体50保持在柔性母基底10上。最后，如图6中所示，将支撑构件主体50与导向件60分开，在柔性母 基底IO上形成薄膜图案15。在这个过程中，由于柔性母基底IO通过支撑构 件主体50中余留的真空稳固地固定到支撑构件主体50，所以柔性母基底10 不会弯曲或延伸。另外，由于在支撑构件主体50和柔性母基底IO之间不使 用粘合剂，所以不会发生由于使用粘合剂而引起的基底10的劣化。应该注意到，在支撑构件主体50的真空通路53和沟槽52中产生真空之 后，真空源80与支撑构件主体50连接不是必需的，所以可以对独立于真空 源80的柔性显示装置执行后续工艺例如，上述在柔性母基底10上形成薄膜 图案15的工艺。另外，由于如上所述在对柔性母基底IO施加静电力之后将 柔性母基底10真空附于支撑构件主体50，所以柔性母基底10和支撑构件主 体50之间的粘附力进一步增加。在形成薄膜图案15之后，将柔性母基底10与支撑构件主体50分开，通 过将分开的柔性母基底10与另一个其上形成有薄膜图案的柔性基底(未示 出)组装在一起来制造柔性显示装置。在后面的描述中，通过示例的方式描述采用柔性母基底的LCD显示器。 然而，应该理解，这里描述的柔性母基底IO也可以用作LED、 OLED或者其 它类型显示器中的基底。图7是才艮据本发明的LCD的示例性实施例的示出LCD的一个像素区的 局部俯视平面图，图8A和图8B分别是沿着从图7中截取的截面VDIa-Wla和 WIb-Vinb的线观察的图7的示例性LCD的剖视图。参照图7至图8B,示例性LCD包括下面板100、面对下面板100的上 面板200和位于两个面》反之间的液晶层3。下面板100包括形成在柔性基底110上的多条栅极线121和多条存储电 极线131。栅极线121传输栅极信号，并且在图7中，栅极线121基本上在水平方 向上延伸。每条栅极线121包括向下突出的多个栅电极124和用于连接到其 它层或者外部驱动电路的宽端部129。用于产生栅极信号的栅极驱动电路(未
示出)可以安装在附于基底110的柔性印刷电路膜(未示出)上、可以直接安装在基底110上或者可以与基底110集成。在栅极驱动电路与基底110集 成的情况下，栅极线121可以延伸为与栅极驱动电路直接连接。存储电极线131接收选择电压。每条存储电极线131包括基本与栅极线 121平行延伸的支线和从支线分出的多对存储电极133a和133b。每条存储电 极线131设置在两条相邻的栅极线121之间，支线更靠近两条栅极线121中 的下面的那条栅极线。每个存储电极133a和133b包括自由端和连接到支线 的固定端。存储电极133b的固定端比存储电极133b的中间部分宽，自由端 被分为直线部分和弯曲部分。除了描述和示出的示例性实施例的形状和布置 之外，存储电极线131可以具有各种其它形状和布置。栅极线121和存储电极线131可以由铝系金属(例如，铝(Al)或铝合 金)、银系金属(例如，银(Ag)或银合金)、铜系金属(例如，铜(Cu)或 铜合金)、钼系金属(例如，钼(Mo)或钼合金)、铬(Cr)、钽(Ta)和钛 (Ti)制成。栅极线121和存储电极线131也可以具有包括物理性质彼此不 同的两个导电层(未示出)的多层结构。例如，导电层中的一个可以包含低 电阻率的金属，例如，铝系金属、银系金属或者铜系金属，以降低信号延迟 或者电压降。另一导电层可以由不同材料制成，具体地讲，可以由与氧化铟 锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)结合时具有优良的物理、化学和电接触特性的 材料制成。例如，另一导电层可以由钼系金属、铬、钛或者钽制成。这种多 层结构的良好的示例包括铬下层和铝(合金)上层、铝(合金)下层和钼(合 金)上层。然而，栅极线121和存储电极线131还可以由除了上述这些材料 之外的各种其它金属和导电材料制成。栅极线121和存储电极线131的侧表面相对于基底110的表面倾斜，期 望的是，栅极线121和存储电极线131的侧表面以从大约30。至大约80°的角 度倾斜。在栅极线121和存储电极线131上形成由氮化硅SiNx或者氧化硅SiOx 制成的栅极绝缘层140。在栅极绝缘层140上形成由氢化非晶硅a-Si、多晶硅或者有机半导体制 成的多个半导体带151。半导体带151基本上在图7中的竖直方向上延伸， 每个半导体带151包括向4册电极124突出的多个突出部分154。在栅极线121 和存储电极线131周围，半导体带151的相应的宽度加宽，从而大范围地覆盖栅极线121和存储电极线131。在半导体带151上形成多个欧姆接触带和欧姆接触岛(欧姆接触件)161 和165。欧姆接触件161和165可以由如下材料例如，具有n-型杂质(高浓 度掺杂的磷)的n+氢化非晶硅和硅化物制成。欧姆接触带161包括多个突出 部分163。与欧姆接触岛165成对对应的每个突出部分163设置在对应一个 半导体带151的突出部分154上。如图8A中所示，半导体带151和154、欧姆接触件161、 163和165的 侧表面也相对于基底110以从大约30°到大约80。的角度倾斜。在欧姆接触件161、 163和165以及栅极绝缘层140上形成多条数据线 171和多个漏电极175。数据线171传输数据信号并且在图7中基本上在竖直方向上延伸，从而 与栅极线121基本上正交交叉。每条数据线171与存储电极线131交叉，并 且在相邻的成组的存储电极133a和133b之间延伸。每条数据线171包括向 着栅电极124延伸的多个源电极173和用于连接到另一层或者外部驱动电路 的加宽端部179。用于产生数据信号的数据驱动电路(未示出)可以安装在 柔性印刷电路膜(未示出)上并且附于基底110上、可以直接安装在基底110 上或者可以与基底110集成。在数据驱动电路与基底110集成的情况下，数 据线171可以延伸为直接与数据驱动电路连接。漏电极175与数据线171分开，以栅电极124为中心面向源电极173。 每个漏电极175包括宽端部和相对的棒形端部。宽端部与存储电极线131的 支线叠置，棒形端部具有三侧被弯曲为J形的相邻源电极173围绕的部分。一个栅电极124、 一个源电极173和一个漏电极175与半导体带151的 一个突出部分154—起形成薄膜晶体管(TFT)，薄膜晶体管的沟道形成在源 电极173和漏电极175之间的突出部分154中。如果半导体带151是有机半 导体，则该薄膜晶体管被称作有机薄膜晶体管。期望的是，数据线171和漏电极175由难熔金属例如钼、铬、钽和钛或 者它们相应的合金制成，或者如上所述数据线171和漏电极175具有包括难 熔金属层和低电阻率导电层的多层结构(未示出)。这种多层结构的示例包括 双层结构和三层结构，其中，双层结构包括铬或钼(或合金)的下层和铝(或 合金)的上层，三层结构包括钼(或合金)的下层、铝(或合金)的中间层 和钼(或合金)的上层。然而，数据线171和漏电极175可以由除了上述材 料之外的各种其它金属或者导体制成。数据线171和漏电极175的侧面也相对于基底110的上表面倾斜，优选 地，以从大约30°至大约80。的角度倾斜。欧姆接触件161、 163和165仅设置在半导体带151和154上面以及数据 线171和漏电极175下面，用来减小这些元件之间的对应的接触电阻。半导 体带151的宽度通常小于数据线171的宽度。如上所述，半导体带151的宽 度在栅极线121附近增加，从而使表面轮廓平滑并且防止数据线171短路。 半导体带151和154包括由于未被数据线171和漏电极175覆盖而暴露的部 分例如，位于源电才及173和漏电才及175之间的部分。如图8A中所示，在数据线171、漏电极175及半导体带151和154的暴 露部分上形成钝化层180。钝化层180可以由无机绝缘体或者有机绝缘体制 成，并且可以具有平坦的上表面。无机绝缘体可以包含例如氮化硅或者氧化 硅。有机绝缘体可以具有感光性，期望的是，有机绝缘体的介电常数为大约 4.0。然而，在可选实施例中，4屯化层180可以具有由下无才几层和上有机层形 成的双层结构，使得钝化层不会对半导体带151和154的暴露部分产生不利 影响并且仍显示出优良的绝缘特性。如图7和图8A中所示，在钝化层180中形成多个接触孔182和185,以 暴露数据线171的端部179和漏电极175。在钝化层180和栅极绝缘层140 中形成多个接触孔形成多个接触孔181,用来暴露栅极线121的端部129; 形成多个接触孔183a,用来暴露存储电极133b的固定端的选4^部分；形成多 个接触孔183b，用来暴露存储电极133b的自由端的直部分。如图7中所示，在钝化层180上形成多个像素电极191、多个桥部83、 多个接触辅助件81和82。像素电极191通过对应的接触孔185物理连接并 且电连接到对应的漏电才及175 ，每个像素电极191 乂人对应的漏电极175接收 相应的数据电压。在像素电极191接收数据电压之后，像素电极191与上面 板200的接收共电压的共电极一起感生出电场，从而控制位于两个电极之间 的液晶层(未示出)中的分子的方向。穿过液晶层的光的偏振根据液晶分子 的方向发生变化。另外，叠置的像素电极191和共电极形成电容器，即，液 晶电容器，操作该液晶电容器，从而在薄膜晶体管截止之后维持施加到像素 电极的电压。如图7中所示，像素电极191与存储电极133a、 133b和存储电极线131
叠置。像素电极191和与像素电极191电连接的漏电极175与存储电极线131 叠置，从而形成另一个电容器，该电容器被称作存储电容器。存储电容器提 高液晶电容器的维持像素电极电压的性能。接触辅助件81和82通过接触孔181和182连接到栅极线121的端部129 和数据线171的端部179。接触辅助件81和82增加栅极线121的端部129 和数据线171的端部179与外部装置之间的粘附性，并且还用来保护端部129 和179。桥部83与4册才及线121交叉，并且通过位于栅才及线121的相对侧的接触孔 183a和183b连接到存储电极线131的暴露部分和存储电极133b的自由端的 暴露的端部，其中，栅极线121位于接触孔183a和183b之间。包括存储电 极133a和133b的存储电极线131可以用桥部83来》务复4册极线121、数据线 171或者薄膜晶体管的缺陷。如图8A中所示，示例性显示器的上面板200包括形成在柔性基底210 上的光阻挡构件220。光阻挡构件220有时被称作黑矩阵并且限定面向像素 电极191的多个开口 。光阻挡构件220阻挡相邻像素电极191之间的光泄漏。在基底210上设置多个滤色器230,每个滤色器230设置在光阻挡构件 220的对应开口中。滤色器230沿着像素电极191在竖直方向上延伸，从而 形成带状。每个滤色器230可以表现一种原色例如，红色、绿色或蓝色。在滤色器230和光阻挡构件220上形成保护体250。保护体250可以由 绝缘材料制成，用来保护滤色器230,防止滤色器230被暴露，并且在基底 上提供平坦的表面。在保护体250上形成共电4及270。优选地，共电才及270由透明导体例如 ITO或者IZO制成。在显示面板100和200的内侧上形成取向层(未示出)，以使液晶层3 的分子取向，在显示面板100和200的外侧上形成至少一个偏振器(未示出)。下面是参照图9至图16B和图7至图8B对根据本发明的用于制造图7 至图8B中的下面板100的方法的示例性实施例的描述。图9、图11、图13和图15是示出制造图7至图8B中的LCD的下面板 的示例性方法的顺序阶段的局部俯视平面图；图IOA和图IOB分别是沿着从 图9中截取的截面Xa-Xa和Xb-Xb的线观察的面板的剖视图；图12A和图12B分别是沿着从图ii中截取的截面xna-xna和xnb-xnb的线观察的面板的剖
视图；图14A和图14B分别是沿着从图13中截取的截面X IVa-X IVa和 XIVb-XIVb的线观察的面板的剖视图；图16A和图16B分别是沿着从图15 中截取的截面X Via- X Via和X VIb- X VIb的线观察的面板的剖视图。参照图9至图10B,柔性基底110附于支撑构件主体50上。接着，通过 溅射在基底IIO上顺序堆叠金属层，然后执行光刻，从而形成具有栅电极124 和端部129的多条4册极线121和具有存储电极133a和133b的多条存储电极 线131。参照图11至图12B,在基底上顺序堆叠栅极绝缘层140、本征非晶硅层 和非本征非晶硅层。接着，通过将上面的两个层图案化来在基底上形成多个 线性的杂质半导体164和其上具有突出部分154的多个线性本征半导体151。参照图13至图14B，通过'践射堆叠金属层，通过光刻形成具有源电极 173和端部179的多条数据线171和多个漏电极175。然后，通过去除杂质半导体164的没有被数据线171和漏电极175覆盖 的暴露部分来完整地形成其上具有突出部分163的多个欧姆接触带161和多 个欧姆接触岛165，并且同时暴露本征半导体151的突出部分154。在这个工 艺过程中，期望的是，连续执行氧等离子体处理，以使本征半导体151的暴 露部分的表面稳定。参照图15至图16B,通过化学气相沉积在基底上堆叠无机绝缘体，或者 可选地，在基底上涂覆感光有机绝缘体，从而形成钝化层180。然后，选择 性地蚀刻钝化层180和栅极绝缘层140，从而形成接触孔181、 182、 183a、 183b和185。最后，参照图7至图8B,通过溅射在基底上堆叠ITO层或者IZO层， 执行光刻，从而形成多个像素电极191和多个接触辅助件81和82。另外， 还可以在基底上形成取向层(未示出)。接下来是参照图17A至图17D对根据本发明的图7至图8B中的LCD 的上面板200的制造方法的示例性实施例的描述。参照图17A,柔性基底210通过上述的真空方式附于支撑构件主体50 上。然后，在柔性基底210上堆叠具有优良光阻挡特性的材料，用掩模执行 光刻工艺，以将堆叠的材料图案化，从而形成光阻挡构件220。如图17B中所示，在柔性基底210上涂覆感光组份，从而形成显示三种 颜色的多个滤色器230。 接着，如图17C中所示，在滤色器上形成保护体250;如图17D中所示， 在保护体250上堆叠共电极270。在形成共电极270之后，将下面板100组装到上面板200。接着，在下 面板100和上面板200之间注入液晶材料。可选地，可以在组装下面板100 和上面板200之前注入液晶。最后，从支撑构件主体50去除下面板100和上面板200。接着根据待制 造的显示装置的尺寸切割并分开与上面板200组装在一起的下面板100。在图3至图6中的示例性方法中，薄膜图案15可以包括含有有机半导体 的有机薄膜晶体管。示例性方法不仅可以用于制造LCD,也可以用于制造 OLED。根据这里公开的示例性方法和设备，在一个真空附着工艺中将柔性基底 附于支撑构件，此后，在独立于用来产生最初的真空附着的真空源的由此制 造柔性显示装置的整个工艺中防止柔性基底弯曲。现在，本领域技术人员应该清楚，在不脱离本发明的精神和范围的情况 下，可以对本发明的方法和设备进行许多修改、替换和改变。据此，本发明 的范围不应该限于这里示出和描述的具体实施例的范围，因为这些实施例仅 是本发明的示例，而且相反，本发明的范围应该完全与权利要求及其功能等 同物的范围等同。
权利要求
1、 一种用于制造柔性显示装置的设备，所述设备包括 支撑构件主体；支架，设置在所述支撑构件主体的表面上，所述支架包括多个沟槽并安 放柔性母基底；真空通路，形成在所述支撑构件主体中，并且与所述沟槽以流体连通， 每个真空通路具有与所述支撑构件主体的外部连通的端部； 喷嘴，设置在每个真空通路的与外部连通的端部中。
2、 根据权利要求1所述的设备，还包括塞子，每个塞子可旋转地设置在 对应喷嘴的入口处，并且操作所述塞子以响应所述塞子的旋转来选择性地打 开和关闭所述喷嘴。
3、 根据权利要求1所述的设备，还包括用于支持所述支撑构件主体的导 向件。
4、 根据权利要求3所述的设备，还包括连接件，所述连接件连接到外部 真空源并且选择性地可附于所述喷嘴和与所述喷嘴可分离。
5、 根据权利要求4所述的设备，其中，所述连接件可滑动地设置在所述 导向件上，用于滑动地附于所述喷嘴和与所述喷嘴分离。
6、 根据权利要求3所述的设备，还包括多个固定销，用于固定所述支撑 构件主体，防止所述支撑构件主体在所述导向件上运动。
7、 根据权利要求1所述的设备，其中，每个沟槽具有V形横截面。
8、 根据权利要求1所述的设备，其中，所述沟槽设置为格子形状。
9、 根据权利要求1所述的设备，其中，所述支撑构件主体包含铝。
10、 一种用于制造柔性显示装置的方法，所述方法包括以下步骤 对柔性母基底的一侧施加静电力； 将所述柔性母基底安放在支撑构件上； 通过真空方式将所述柔性母基底附于所述支撑构件； 在所述柔性母基底上形成薄膜图案。
11、 根据权利要求IO所述的方法，其中，将所述柔性母基底附于所述支 撑构件的步骤包括将穿透所述支撑构件的真空通路连接到外部真空源； 利用所述真空源在所述真空通路中产生真空； 将所述真空源与所述支撑构件分开。
12、 根据权利要求IO所述的方法，其中，所述柔性母基底包含塑料。
13、 根据权利要求IO所述的方法，其中，所述柔性母基底包括 有机层；下涂层，形成在所述有机层的两侧上； 阻挡层，形成在所述下涂层上； 硬涂层，形成在所述阻挡层上。
14、 根据权利要求13所述的方法，其中，所述有机层包含从由下列物质 组成的组中选择的至少一种，所述物质包括聚乙烯醚邻苯二曱酸酯、聚萘 二酸乙二醇酯、聚碳酸酯、多芳基化合物、聚醚酰亚胺、聚醚砜、聚酰亚胺 或聚丙烯酸酯。
15、 根据权利要求14所述的方法，其中，所述下涂层和所述硬涂层包含 丙烯酰基树脂。
16、 根据权利要求14所述的方法，其中，所述阻挡层包含Si02或者A1203。
17、 根据权利要求IO所述的方法，其中，所述支撑构件包含铝。
18、 根据权利要求IO所述的方法，其中，所述薄膜图案包括非晶硅薄膜 晶体管。
19、 根据权利要求IO所述的方法，其中，所述薄膜图案包括有机薄膜晶 体管。
全文摘要
本发明公开了一种用于制造柔性显示装置的方法和设备。用于制造柔性显示装置的方法和设备包括支撑构件主体、支架、真空通路和具有塞子的喷嘴。支架设置在支撑构件主体的表面，并且包括多个沟槽。柔性母基底安放在支架上。真空通路穿透支撑构件主体，从而与沟槽连通。每个真空通路的一端通过一个喷嘴与支撑构件主体的外部连通，并且可附于外部真空源并且与外部真空源可分离。该方法和设备能够使待处理的柔性母基底不弯曲或者延伸并且没有因使用粘合剂引起劣化。
文档编号G02F1/13GK101144928SQ20071014783
公开日2008年3月19日 申请日期2007年8月30日 优先权日2006年9月12日
发明者洪旺秀 申请人:三星电子株式会社