专利名称：图案形成方法、半导体装置的制造方法及制造装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及用于形成在半导体晶片等基板上实施等离子体 蚀刻等蚀刻处理时所用的蚀刻掩模的图案形成方法、半导体装 置的制造方法及半导体装置的制造装置。
背景技术：
以往，在半导体装置等的制造工序中，在半导体晶片等基 板上实施等离子体蚀刻等蚀刻处理，形成微细的电路图案等。 这种蚀刻处理工序中，通过使用光致抗蚀剂的光刻工序来形成 掩模。
在这种光刻工序中，为了应对所形成的图案的微细化，开
发了各种技术。其中之 一 有所谓的双重图案化(double patterning )。该双重图案化通过进行2阶段的图案化，即，通过 涂布光致抗蚀剂进行曝光、显影而形成第l图案的第l光刻工序 和蚀刻工序来形成由非晶碳等硬掩模构成的第1图案、并在该第 l光刻工序后再次涂布光致抗蚀剂进行曝光、显影而形成第2图 案的第2光刻工序的2阶段的图案化，由此可形成比用l次图案化 形成的掩模更微细的间隔的掩模(例如参照专利文献l )。 专利文献l:美国专利第7064078号说明书
发明内容
发明要解决的问题
如上所述，在以往的双重图案化技术中，通过使用硬掩模， 可以进行2次光刻工序。因此，存在下述问题需要进行成为硬 掩模的非晶碳层等的成膜过程和该非晶碳层等的蚀刻过程，工
4序变得复杂，半导体装置的制造成本增大。
本发明是针对上述以往的情况而进行的，提供不需要硬掩 模就能够以高精度形成微细图案、并可以比以往简化工序和降 低制造半导体装置的成本的图案形成方法、半导体装置的制造 方法及半导体装置的制造装置。
用于解决问题的方法
技术方案1的发明为形成规定形状的图案的图案形成方法， 所述规定形状的图案成为蚀刻基板上的被蚀刻层的掩模，其特
征在于，具备以下工序将含有产酸剂的化学增幅型抗蚀剂进 行涂布、曝光、显影而形成第l图案的第l图案形成工序；使碱 性溶液或碱性气体与前述第l图案接触而向该第l图案赋予溶剂 耐性和显影液耐性的溶剂耐性和显影液耐性赋予工序；将含有 产酸剂的化学增幅型抗蚀剂进行涂布、曝光、显影而形成第2 图案的第2图案形成工序。
技术方案2的发明为技术方案1所述的图案形成方法，其特 征在于，前述溶剂耐性和显影液耐性赋予工序包括进行紫外线 照射的工序。
技术方案3的发明为技术方案1或2所述的图案形成方法，其 特征在于，在前述溶剂耐性和显影液耐性赋予工序与所述第2 图案形成工序之间具备加热工序。
技术方案4的发明为技术方案l ~ 3任一项所述的图案形成 方法，其特征在于，前述碱性溶液或石成性气体含有胺系材料。
技术方案5的发明为具有借助掩模蚀刻基板上被蚀刻层的 工序的半导体装置的制造方法，其特征在于，通过具备以下工 序的图案形成方法形成前述掩模将含有产酸剂的化学增幅型 抗蚀剂进行涂布、曝光、显影而形成第l图案的第l图案形成工 序；使碱性溶液或碱性气体与前述第l图案接触而向该第l图案赋予溶剂耐性和显影液耐性的溶剂耐性和显影液耐性赋予工
序；将含有产酸剂的化学增幅型抗蚀剂进行涂布、曝光、显影
而形成第2图案的第2图案形成工序。
技术方案6的发明为技术方案5所述的半导体装置的制造方 法，其特征在于，前述溶剂耐性和显影液耐性赋予工序包括进
行紫外线照射的工序。
技术方案7的发明为技术方案5或6所述的半导体装置的制 造方法，其特征在于，在前述溶剂耐性和显影液耐性赋予工序 与前述第2图案形成工序之间具备加热工序。
技术方案8的发明为技术方案5 ~ 7任一项所述的半导体装 置的制造方法，其特征在于，前述碱性溶液或碱性气体含有胺 系材料。
技术方案9的发明为形成用于蚀刻基板上的被蚀刻层的掩 模的半导体装置的制造装置，其特征在于，具备以下单元将 含有产酸剂的化学增幅型抗蚀剂进行涂布、曝光、显影而形成 第l图案的第l图案形成单元；使碱性溶液或碱性气体与前述第1 图案接触而向该第1图案赋予溶剂耐性和显影液耐性的溶剂耐 性和显影液耐性赋予单元；将含有产酸剂的化学增幅型抗蚀剂 进行涂布、曝光、显影而形成第2图案的第2图案形成单元。
发明效果
通过本发明可以提供不需要硬掩模就能够以高精度形成微 细图案、并可以比以往简化工序和降低制造半导体装置的成本 的图案形成方法、半导体装置的制造方法及半导体装置的制造 装置。
图l为用于说明本发明一实施方式的图案形成方法及半导体装置的制造方法的图。
图2为表示图l的方法工序的流程图。 图3为表示变形例的过程的流程图。
图4为表示本发明一实施方式的半导体装置的制造装置的
构成的模块图。
附图标记说明
101……基板、102……底层、103……聚硅层、104……硬 掩模层、105……BARC、 106……第1图案、107……具有溶剂 耐性和显影液耐性的第l图案、108……第2图案。
具体实施例方式
以下参照附图详细地_说明本发明的实施方式。 图l示意性地放大表示本发明实施方式的基板的一部分，示 出本实施方式的工序，图2为表示本实施方式工序的流程图。如 图l所示，在基板101上，从下侧开始按顺序形成有底层102、聚 硅层103、硬掩模层104、 BARC(防反射膜)105等层。
首先，如图l之(a)所示，进行第l图案形成工序在BARC (防反射膜)105上涂布含有产酸剂的化学增幅型抗蚀剂，进行 曝光、显影，从而形成被图案化为规定图案的第1图案106(图2 的步骤201 )。
接着，如图l之(b)所示，进行溶剂耐性和显影液耐性赋 予工序使碱性溶液或碱性气体与第1图案106接触而向该第1 图案106赋予溶剂耐性和显影液耐性，制成具有溶剂耐性和显影 液耐性的第1图案107(图2的步骤202)。该溶剂耐性和显影液耐 性赋予工序中，作为上述》咸性溶液或i成性气体，例如可以使用 胺系材料(例如NHs、 (C2H5)3N、 C6H12N4、 C6HnNHC6Hu等) 的溶液或气体等。如此，通过使碱性溶液或碱性气体与第l图案
7106接触，可以阻碍化学增幅型抗蚀剂的产酸剂的作用，即便实 施后述的第2图案形成工序，也可以防止第1图案106溶解于溶剂 或显影液中。再者，具有溶剂耐性和显影液耐性的第1图案107 可以设置成至少覆盖第1图案106表面部分，还可以使整个图案 为具有溶剂耐性和显影液耐性的第1图案107。
再者，在溶剂耐性和显影液耐性赋予工序中，还可以将与 上述碱性溶液或碱性气体接触和紫外线照射组合使用。紫外线 照射是用于从化学增幅型抗蚀剂的产酸剂中产生酸的，因此通 过利用碱性溶液或碱性气体中和所产生的酸，可以强化第1图案 106的溶剂耐性和显影液耐性。与碱性溶液或;威性气体接触的同 时进行该紫外线照射，或者在与碱性溶液或碱性气体的接触之 后进行该紫外线照射。
接着，如图l之(c)所示，进行第2图案形成工序再次在 表面上涂布含有产酸剂的化学增幅型抗蚀剂，进行曝光、显影， 从而在第1图案106(具有溶剂耐性和显影液耐性的第1图案107 ) 之间形成被图案化为规定图案的第2图案108 (图2的步骤203 )。
通过上述工序，完成成为蚀刻掩模的图案。然后，将该图 案作为掩模，如图l之(d)所示，首先蚀刻BARC (防反射膜) 105,之后将转印有上述图案的硬掩模层104作为掩模，进行聚 硅层103的蚀刻。
如上所述，在本实施方式的图案形成方法中，通过进行向 第l图案106赋予溶剂耐性和显影液耐性的溶剂耐性和显影液耐 性赋予工序，可以防止在进行第2图案形成工序时第1图案106 溶解于溶剂或显影液中，可以在不使用硬掩模的情况下利用双 重图案化形成图案。由此，不需要以往的硬掩模层的成膜过程 和蚀刻过程，可以简化工序和降低制造半导体装置的成本。
实际上使用氨蒸汽进行上述溶剂耐性和显影液耐性赋予工序，确认了溶剂耐性和显影液耐性赋予的效果。结果，在实施
利用氨(NH3)蒸汽的溶剂耐性和显影液耐性赋予工序的第l图案(线与间隔之比为l: l的、线宽70nm的图案)中，无论是浸渍于溶剂(PGMEA (聚乙二醇单曱醚乙酸酯))60秒钟、还是浸渍于显影液(TMAH (四甲基氢氧化铵))60秒钟，均不会溶解，可以保持图案形状。与此相对，未实施溶剂耐性和显影液耐性赋予工序时，浸渍于溶剂(PGMEA)60秒钟时图案会溶解，浸渍于显影液(TMAH) 60秒钟时图案也会溶解。
另外，使用三乙胺((C2H5)3N)蒸汽，通过2种化学增幅型抗蚀剂(抗蚀剂A和抗蚀剂B)确认了溶剂耐性和显影液耐性赋予效果。结果，对于抗蚀剂A而言，实施了利用三乙胺((C2H5)3N)蒸汽的溶剂耐性和显影液耐性赋予工序的第l图案(线与间隔之比为1: l的、线宽70nm的图案)中，无论是浸渍于溶剂(PGMEA )60秒钟、还是浸渍于显影液(TMAH) 60秒钟，均不会溶解，可以保持图案形状。与此相对，未实施溶剂耐性和显影液耐性赋予工序时，浸渍于溶剂(PGMEA) 60秒钟时图案会溶解，浸渍于显影液(TMAH) 60秒钟时图案也会溶解。
另外，对于抗蚀剂B而言，实施了利用三乙胺((C2H5)3N)蒸汽的溶剂耐性和显影液耐性赋予工序的第l图案(线与间隔之比为l: 2的、线宽55nm的图案)中，组合使用三乙胺蒸汽和紫外线照射时，无论是浸渍于溶剂(PGMEA)60秒钟、还是浸渍于显影液(TMAH) 60秒钟，均不会溶解，可以保持图案形状。与此相对，未实施溶剂耐性和显影液耐性赋予工序时，或者仅进行紫外线照射时，浸渍于溶剂(PGMEA) 60秒钟时图案会溶解，浸渍于显影液(TMAH) 60秒钟时图案也会溶解。
如上所述，可以确认溶剂耐性和显影液耐性f武予工序所带来的效果。这里，在实施上述溶剂耐性和显影液耐性赋予工序时，当过量地供给碱性成分时，对于在第2图案形成工序中涂布的含有产酸剂的化学增幅型抗蚀剂，该碱性成分有可能造成不良影响。因此，如图3所示，如果在溶剂耐性和显影液耐性赋予工序202与第2图案形成工序203之间实施加热工序202b、除去过量的碱性成分，则可以防止过量的碱性成分对第2图案形成工序的含有产酸剂的化学增幅型抗蚀剂产生不良影响。
图4表示用于进行上述图案形成方法的半导体装置的制造装置的构成。如该图所示，半导体装置的制造装置300具备第1图案形成部301、溶剂耐性和显影液耐性赋予部302以及第2图案形成部303。这些各部通过用于搬送半导体晶片等基板的基板搬送路310连接。
第1图案形成部301用于形成前述第1图案106,具备涂布装置、曝光装置和显影装置等。溶剂耐性和显影液耐性赋予部302是进行前述溶剂耐性和显影液耐性赋予工序的，具备用于将基板浸渍于碱性溶液中或暴露于碱性气体中的装置、以及根据需要的紫外线照射装置等。第2图案形成部303是用于形成前述第2图案108的，具备涂布装置、曝光装置和显影装置等。通过如此构成的半导体装置的制造装置300，可以实行上述实施方式中的一系列工序。再者，第1图案形成部301和第2图案形成部303可以由兼具它们的l个图案形成部构成。另外，还可以根据需要设置用于进4亍上述加热工序的加热部。
以上说明了本发明的详细实施方式，但本发明并非限定于这些实施方式，当然可以进行各种变形。
权利要求
1. 一种图案形成方法，其特征在于，其为形成规定形状的图案的方法，该规定形状的图案成为蚀刻基板上的被蚀刻层的掩模，其具备以下工序将含有产酸剂的化学增幅型抗蚀剂进行涂布、曝光、显影而形成第1图案的第1图案形成工序；使碱性溶液或碱性气体与前述第1图案接触而向该第1图案赋予溶剂耐性和显影液耐性的溶剂耐性和显影液耐性赋予工序；将含有产酸剂的化学增幅型抗蚀剂进行涂布、曝光、显影而形成第2图案的第2图案形成工序。
2. 根据权利要求l所述的图案形成方法，其特征在于，前 述溶剂耐性和显影液耐性赋予工序包括进行紫外线照射的工 序。
3. 根据权利要求1或2所述的图案形成方法，其特征在于， 在前述溶剂耐性和显影液耐性赋予工序与前述第2图案形成工 序之间具备加热工序。
4. 根据权利要求l ~ 3任一项所述的图案形成方法，其特征 在于，前述石咸性溶液或石威性气体含有胺系材泮牛。
5. —种半导体装置的制造方法，其特征在于，所述半导体 装置的制造方法具有借助掩模蚀刻基板上的被蚀刻层的工序， 其通过具备以下工序的图案形成方法来形成前述掩模将含有产酸剂的化学增幅型抗蚀剂进行涂布、曝光、显影而形成第l图案的第l图案形成工序；使碱性溶液或碱性气体与前述第l图案接触而向该第l图案 赋予溶剂耐性和显影液耐性的溶剂耐性和显影液耐性赋予工 序；将含有产酸剂的化学增幅型抗蚀剂进行涂布、曝光、显影而形成第2图案的第2图案形成工序。
6. 根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征 在于，前述溶剂耐性和显影液耐性赋予工序包括进行紫外线照 射的工序。
7. 根据权利要求5或6所述的半导体装置的制造方法，其特 征在于，在前述溶剂耐性和显影液耐性赋予工序与前述第2图案 形成工序之间具备加热工序。
8. 根据权利要求5 ~ 7任一项所述的半导体装置的制造方 法，其特征在于，前述碱性溶液或碱性气体含有胺系材料。
9. 一种半导体装置的制造装置，其特征在于，其为形成用 于蚀刻基板上的被蚀刻层的掩模的半导体装置的制造装置，其 具备以下单元将含有产酸剂的化学增幅型抗蚀剂进行涂布、曝光、显影 而形成第l图案的第l图案形成单元；使碱性溶液或碱性气体与前述第l图案接触而向该第l图案 赋予溶剂耐性和显影液耐性的溶剂耐性和显影液耐性赋予单 元；将含有产酸剂的化学增幅型抗蚀剂进行涂布、曝光、显影 而形成第2图案的第2图案形成单元。
全文摘要
本发明提供一种图案形成方法、半导体装置的制造方法及制造装置，其不需要硬掩模就能够以高精度形成微细图案，并可以比以往简化工序和降低制造半导体装置的成本。本发明为形成成为蚀刻掩模的规定形状的图案的方法，其具备以下工序使含有产酸剂的化学增幅型抗蚀剂进行图案化而形成第1图案(106)的工序；使碱性溶液或碱性气体与前述第1图案(106)接触而形成具有溶剂耐性和显影液耐性的第1图案(107)的工序；使含有产酸剂的化学增幅型抗蚀剂进行图案化而形成第2图案(108)的工序。
文档编号G03F7/40GK101510511SQ200910005640
公开日2009年8月19日 申请日期2009年2月2日 优先权日2008年2月15日
发明者志村悟 申请人:东京毅力科创株式会社