显示装置用基板及其制造方法、显示装置的制作方法

专利名称：显示装置用基板及其制造方法、显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及显示装置用基板及其制造方法、显示装置。
背景技术：
在薄膜晶体管基板，按每个作为图像的最小单位的像素，例如设置有薄膜晶体管(Thin Film Transistor,以下，也称为“TFT”)作为开关元件。此外，一般在薄膜晶体管基板，用使用非晶硅的半导体层的薄膜晶体管作为各像素的开关元件，该像素是图像的最小单位。一般的底栅型TFT例如包括:设置在绝缘基板上的栅极电极；以覆盖栅极电极的方式设置的栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上以与栅极电极重叠的方式设置为岛状的半导体层；和在半导体层上以彼此相对的方式设置的源极电极和漏极电极。此外，在该底栅型TFT，沟道区域的上部被由SiO2等构成的层间绝缘膜覆盖，并且在该层间绝缘膜上形成像素电极而制造薄膜晶体管基板。而且，以与薄膜晶体管基板相对的方式设置对置基板，在薄膜晶体管基板与对置基板之间设置液晶层，由此制造液晶显示装置此处，在现有的TFT的结构中，由于半导体层位于栅极电极的上层，栅极电极作为遮光膜发挥作用，而在液晶显示装置，将背光源的光从薄膜晶体管基板一侧射向显示区域。因此，一旦从遮光膜以外的部分射入的光在对置基板等反射、从TFT的上侧向半导体层入射时，由于不存在遮光膜，因而光照射至由非晶硅形成的半导体层的沟道区域。因此，由于光激励，在TFT的断开(OFF)状态产生漏电流、产生非晶硅的光劣化，结果是存在TFT特性下降、液晶显示装置的显示品质下降的问题。因此，提案有用于避免这样的问题的薄膜晶体管基板。更具体而言，公开了如下的薄膜晶体管基板:在栅极配线与源极配线的交叉部附近设置有TFT、TFT与像素电极连接的薄膜晶体管基板，在TFT的沟道区域上，隔着绝缘层设置有遮光用的金属层(例如，参照专利文献I)。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开平10-186402号公报

发明内容
发明要解决的技术问题但是，在上述专利文献I中记载的薄膜晶体管基板中，由于遮光用的金属层由导电性的金属材料(形成源极电极和漏极电极的金属材料)形成，存在根据半导体层的沟道区域与金属层的距离，对TFT的特性产生负面影响的问题。更具体而言，例如在对栅极电极施加电压使TFT导通(ON)时，如果在沟道区域上存在导电性的金属层，则该金属层作为寄生电容发挥作用。而且，在沟道区域与金属层的距离近的情况下，例如在使栅极电压反转而使其断开(OFF)时，存在被带电的金属层的电荷所吸引，半导体层的沟道区域不迅速地从导通切换为断开，而对TFT的动作产生负面影响的问题。因此，本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于，提供对TFT的特性没有影响、能够有效地抑制对沟道区域的光照射的显示装置用基板及其制造方法、显示装置。解决技术问题的技术手段为了达到上述目的，本发明的第一显示装置用基板的特征在于，包括:绝缘基板；设置在绝缘基板上、具有沟道区域的半导体层；和设置在沟道区域的沟道保护层，沟道保护层由第一绝缘膜和第二绝缘膜交替地叠层而得的叠层膜形成，在设第一绝缘膜的折射率为Ra、第二绝缘膜的折射率为Rb的情况下，Rb/Ra彡1.3的关系成立。根据该结构，由第一绝缘膜和第二绝缘膜交替地叠层而得的叠层膜形成沟道保护层，此外，在设第一绝缘膜的折射率为Ra、第二绝缘膜的折射率为Rb的情况下，Rb/Ra ^ 1.3的关系成立。因此，在半导体层为薄膜晶体管的半导体层的情况下，能够有效地反射具有特定的波长的光(特别是导致薄膜晶体管的光劣化的600nm以下的短波长的光)，能够使得导致半导体层的劣化的特定波长的光不射入半导体层的沟道区域。其结果是，能够有效地抑制由对半导体层的沟道区域的光照射引起的薄膜晶体管的特性的下降。此外，由于沟道保护层由第一绝缘膜和第二绝缘膜叠层而得的叠层膜形成，与设置有由导电性的金属材料形成的遮光用的金属层的上述现有技术不同，能够使得沟道保护层不对薄膜晶体管的特性产生影响而有效地抑制对沟道区域的光照射。此外，在本实施方式中，由于沟道保护层由第一绝缘膜和第二绝缘膜叠层而得的叠层膜形成，例如能够在利用等离子体CVD法依次形成氮化硅膜和氧化硅膜，形成第一绝缘膜和第二绝缘膜叠层而得的叠层膜时，仅通过等离子体装置内的原料气体的替换来形成沟道保护层。因此，与由导电性的金属材料形成的遮光用的金属层不同，不需要金属膜的成膜和通过使用光掩模的光刻进行的图案化、对金属膜进行的湿蚀刻和抗蚀剂的剥离清洗等工序，能够减少工序数。其结果是，能够抑制制造成本的增加、抑制成品率的下降。在本发明的第一显示装置用基板，可以为:叠层膜的叠层数为5层以上。根据该结构，能够可靠地反射导致半导体层的劣化的特定波长的光。本发明的第二显示装置用基板包括:绝缘基板；设置在绝缘基板上、具有沟道区域的半导体层；和设置在沟道区域、由绝缘性材料形成的沟道保护层，在沟道保护层的与半导体层一侧相反一侧的表面，形成有包括凹部和凸部的微细的凹凸构造。根据该结构，在沟道保护层的与半导体层一侧相反一侧的表面，形成有包括凹部和凸部的微细的凹凸构造。因此，在半导体层为薄膜晶体管的半导体层的情况下，能够有效地反射具有特定的波长的光(特别是导致薄膜晶体管的光劣化的600nm以下的短波长的光)，能够使得导致半导体层的劣化的特定波长的光不射入半导体层的沟道区域。其结果是，能够有效地抑制由对半导体层的沟道区域的光照射引起的薄膜晶体管的特性的下降。此外，由于沟道保护层由绝缘性材料形成，所以与设置有由导电性的金属材料形成的遮光用的金属层的上述现有技术不同，能够使得沟道保护层不对薄膜晶体管的特性产生影响地有效抑制对沟道区域的光照射。在本发明的第二显示装置用基板， 其特征在于:凹凸构造的相邻的凸部间或相邻的凹部间的距离为380nm以下。根据该结构，在可见光区域(从360nm至760nm)，能够通过沟道保护层使光更广地反射。在本发明的第二显示装置用基板，其特征在于:凸部的高度或凹部的深度为760nm以上。根据该结构，在可见光区域(从360nm至760nm)，能够通过沟道保护层使光更广地反射。在本发明的显示装置用基板，可以为:半导体层为薄膜晶体管的半导体层。此外，在本发明的显示装置用基板，可以为:半导体层构成光传感器。此外，本发明的显示装置用基板具备能够不对薄膜晶体管或光传感器的特性产生影响地有效抑制对沟道区域的光照射的优异的特性。因此，本发明能够优选应用于包括显示装置用基板、与显示装置用基板相对配置的另一个显示装置用基板和设置在显示装置用基板与另一个显示装置用基板之间的显示介质层的显示装置。此外，本发明的显示装置能够适宜地应用于显示介质层为液晶层的显示装置。本发明的第一显示装置用基板的制造方法的特征在于，至少包括:在绝缘基板上形成具有沟道区域的半导体层的半导体层形成工序；沟道保护层形成工序，在沟道区域形成沟道保护层，该沟道保护层由第一绝缘膜和第二绝缘膜交替地叠层而得的叠层膜构成，在设第一绝缘膜的折射率为Ra、第二绝缘膜的折射率为Rb的情况下，Rb/Ra ^ 1.3的关系成立。

根据该结构，在半导体层的沟道区域形成沟道保护层，该沟道保护层由第一绝缘膜和第二绝缘膜交替地叠层而得的叠层膜构成，在设第一绝缘膜的折射率为Ra、第二绝缘膜的折射率为Rb的情况下Rb/Ra ^ 1.3的关系成立，因此，在半导体层为薄膜晶体管的半导体层的情况下，能够有效地反射具有特定的波长的光(特别是导致薄膜晶体管的光劣化的600nm以下的短波长的光)，能够使得导致半导体层的劣化的特定波长的光不射入半导体层的沟道区域。其结果是，能够提供能够有效地抑制由对半导体层的沟道区域的光照射引起的薄膜晶体管的特性的下降的显示装置用基板。此外，由于沟道保护层由第一绝缘膜和第二绝缘膜叠层而得的叠层膜形成，与设置有由导电性的金属材料形成的遮光用的金属层的上述现有技术不同，能够提供能够使得沟道保护层不对薄膜晶体管的特性产生影响地有效抑制对沟道区域的光照射的显示装置用基板。此外，在本实施方式中，由于沟道保护层由第一绝缘膜和第二绝缘膜叠层而得的叠层膜形成，例如能够在利用等离子体CVD法依次形成氮化硅膜和氧化硅膜、形成第一绝缘膜和第二绝缘膜叠层而得的叠层膜时，仅通过等离子体装置内的原料气体的替换来形成沟道保护层。因此，与由导电性的金属材料形成的遮光用的金属层不同，不需要金属膜的成膜和利用使用光掩模的光刻进行的图案化、对金属膜的湿蚀刻和抗蚀剂的剥离清洗等工序，能够减少工序数。其结果是，能够提供能够抑制制造成本的增加、抑制成品率的下降的显示装置用基板。本发明的第二显示装置用基板的制造方法的特征在于，至少包括:在绝缘基板上形成具有沟道区域的半导体层的半导体层形成工序；沟道保护层形成工序，在沟道区域形成沟道保护层，该沟道保护层由绝缘性材料形成，在该沟道保护层的与半导体层一侧相反一侧的表面，具有包括凹部和凸部的微细的凹凸构造。根据该结构，在半导体层的沟道区域形成在与半导体层一侧相反一侧的表面具有包括凹部和凸部的微细的凹凸构造的沟道保护层，因此，在半导体层为薄膜晶体管的半导体层的情况下，能够有效地反射具有特定的波长的光(特别是导致薄膜晶体管的光劣化的600nm以下的短波长的光)，能够使得导致半导体层的劣化的特定波长的光不射入半导体层的沟道区域。其结果是，能够提供能够有效地抑制由对半导体层的沟道区域的光照射引起的薄膜晶体管的特性的下降的显示装置用基板。此外，由于沟道保护层由绝缘性材料形成，与设置有由导电性的金属材料形成的遮光用的金属层的上述现有技术不同，能够提供能够使得沟道保护层不对薄膜晶体管的特性产生影响地有效抑制对沟道区域的光照射的显示装置用基板。发明的效果根据本发明，能够对TFT的特性不产生影响地有效抑制对沟道区域的光照射。


图1是表示具有本发明的第一实施方式的薄膜晶体管基板的液晶显示装置的截面图。图2是本发明的第一实施方式的薄膜晶体管基板的平面图。图3是将本发明的第一实施方式的薄膜晶体管基板的像素部和端子部放大表示的平面图。图4是沿着图3中的A-A线的薄膜晶体管基板的截面图。图5是用于说明本发明的第一实施方式的薄膜晶体管基板的沟道保护层的截面图。图6是表示叠层膜的第一绝缘膜和第二绝缘膜的叠层数为5层的情况下的P偏振光的波长与反射率的关系的图表。图7是用于说明本发明的第一实施方式的薄膜晶体管基板的沟道保护层的截面图。图8是表示叠层膜的第一绝缘膜和第二绝缘膜的叠层数为6层的情况下的P偏振光的波长与反射率的关系的图表。图9是用于说明本发明的第一实施方式的薄膜晶体管基板的沟道保护层的截面图。图10是表示叠层膜的第一绝缘膜和第二绝缘膜的叠层数为7层的情况下的P偏振光的波长与反射率的关系的图表。图11是用于说明本发明的第一实施方式的薄膜晶体管基板的沟道保护层的截面图。图12是表示叠层膜的第一绝缘膜和第二绝缘膜的叠层数为8层的情况下的P偏振光的波长与反射率的关系的图表。图13是用于说明本发明的第一实施方式的薄膜晶体管基板的沟道保护层的截面图。
图14是表示叠层膜的第一绝缘膜和第二绝缘膜的叠层数为10层的情况下的P偏振光的波长与反射率的关系的图表。图15是以截面表示本发明的第一实施方式的TFT和薄膜晶体管基板的制造工序的说明图。图16是以截面表示本发明的第一实施方式的对置基板的制造工序的说明图。图17是本发明的第二实施方式的薄膜晶体管基板的截面图。图18是用于说明本发明的第二实施方式的薄膜晶体管基板的沟道保护层的截面图。图19是用于说明本发明的第二实施方式的薄膜晶体管基板的沟道保护层的立体图。图20是用于说明使用纳米压印光刻形成本发明的第二实施方式的薄膜晶体管基板的沟道保护层的工序的截面图。图21是用于说明使用纳米压印光刻形成本发明的第二实施方式的薄膜晶体管基板的沟道保护层的工序的截面图。图22是用于说明使用纳米压印光刻形成本发明的第二实施方式的薄膜晶体管基板的沟道保护层的工序的截面图。图23是以截面表示本发明的第二实施方式的TFT和薄膜晶体管基板的制造工序的说明图。图24是本发明的第三实施方式的薄膜晶体管基板的截面图。
具体实施例方式(第一实施方式)以下，参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。另外，本发明并不限定于以下的实施方式。图1是表示具有本发明的第一实施方式的薄膜晶体管基板的液晶显示装置的截面图，图2是本发明的第一实施方式的薄膜晶体管基板的平面图。此外，图3是将本发明的第一实施方式的薄膜晶体管基板的像素部和端子部放大表示的平面图，图4是沿着图3中的A-A线的薄膜晶体管基板的截面图。此外，图5是用于说明本发明的第一实施方式的薄膜晶体管基板的沟道保护层的截面图。如图1所示，液晶显示装置50包括:以彼此相对的方式设置的作为显示装置用基板的薄膜晶体管基板20a和作为另一个显示装置用基板的对置基板30 ；以及设置在薄膜晶体管基板20a与对置基板30之间的作为显示介质层的液晶层40。此外，液晶显示装置50包括密封件35，该密封件35将薄膜晶体管基板20a与对置基板30相互粘接，并且，为了将液晶层40封入薄膜晶体管基板20a与对置基板30之间而设置为框状。此外，如图1所示，在液晶显示装置50，在密封件35的内侧的部分形成进行图像显示的显示区域D，在薄膜晶体管基板20a的从对置基板30突出的部分形成端子区域T。如图2、图3和图4所示，薄膜晶体管基板20a包括:绝缘基板IOa ;在显示区域D，在绝缘基板IOa上以相互平行地延伸的方式设置的多个扫描配线Ila;分别配置在各扫描配线Ila之间、相互平行地延伸的多个辅助电容配线Ilb ;和在与各扫描配线Ila正交的方向以相互平行地延伸的方式设置的多个信号配线16a。此外，薄膜晶体管基板20a包括:按各扫描配线Ila与各信号配线16a的每个交叉部分、即按各个像素分别设置的多个TFT5a ；以覆盖各TFT5a的方式设置的层间绝缘膜17 ;在层间绝缘膜17上呈矩阵状设置、与各TFT5a分别连接的多个像素电极19a ;和以覆盖各像素电极19a的方式设置的取向膜(未图示)。如图2和图3所示，扫描配线Ila被引出至端子区域T(参照图1)的栅极端子区域Tg，在该栅极端子区域Tg与栅极端子19b连接。如图3所示，经辅助电容主干线16c和中继配线lld，辅助电容配线Ilb与辅助电容端子19d连接。此处，辅助电容主干线16c经在栅极绝缘膜12形成的接触孔Ce与辅助电容配线Ilb连接，并且经在栅极绝缘膜12形成的接触孔Cd与中继配线Ild连接。如图2和图3所示，信号配线16a作为中继配线Ilc被引出至端子区域T(参照图1)的源极端子区域Ts，在该源极端子区域Ts，与源极端子19c连接。此处，如图3所示，信号配线16a经在栅极绝缘膜12形成的接触孔Cb与中继配线Ilc连接。TFT5a具有底栅构造，如图3和图4所示，包括设置在绝缘基板IOa上的栅极电极Ilaa,以覆盖栅极电极Ilaa的方式设置的栅极绝缘膜12和在栅极绝缘膜12上以与栅极电极Ilaa重叠的方式设置为岛状的具有沟道区域C的半导体层13a。此外，TFT5a包括以在半导体层13a上与栅极电极Ilaa重叠并且夹着沟道区域C彼此相对的方式设置的源极电极16aa和漏极电极16b。此处，在半导体层13a的沟道区域C上，设置有覆盖源极电极16aa和漏极电极16b ( BP TFT5a)的层间绝缘膜17。此外，如图3所示，栅极电极Ilaa是扫描配线Ila的向侧面突出的部分。此外，如图3所不,源极电极16aa是信号配线16a的向侧面突出的部分,如图4所不，由第一导电层14a和第二导电层15a的叠层膜构成。进一步，如图3和图4所示，漏极电极16b由第一导电层14b和第二导电层15b的叠层膜构成，经在层间绝缘膜17形成的接触孔Ca与像素电极19a连接。此外，多漏极电极16b通过隔着栅极绝缘膜12与辅助电容配线Ilb重叠而构成辅助电容。此外，半导体层13a例如能够使用铟镓锌氧化物(IGZO)等氧化物半导体、非晶硅。另外，在使用非晶硅的情况下包括下层的本征非晶硅层和其上层的掺杂有磷的n+非晶硅层，从源极电极16aa和漏极电极16b露出的本征非晶硅层构成沟道区域C。如后述的图16(c)所示，对置基板30包括绝缘基板IOb和彩色滤光片层，该彩色滤光片层具有在绝缘基板IOb上呈栅格状设置的黑矩阵21和在黑矩阵21的各栅格间分别设置的红色层、绿色层和蓝色层等着色层22。此外，对置基板30包括以覆盖该彩色滤光片层的方式设置的共用电极23、设置在共用电极23上的感光间隔物24和以覆盖共用电极23的方式设置的取向膜(未图示)。液晶层40例如由具有电光学特性的向列型液晶材料等构成。在上述结构的液晶显示装置50，在各像素，从栅极驱动器(未图示)经扫描配线Ila向栅极电极Ilaa输送栅极信号，在TFT5a成为导通状态时，从源极驱动器(未图示)经信号配线16a向源极电极16aa输送源极信号，经半导体层13a和漏极电极16b，向像素电极19a与入规定的电荷。此时，在薄膜晶体管基板20a的各像素电极19a与对置基板30的共用电极23之间产生电位差，向液晶层40即各像素的液晶电容和与该液晶电容并联连接的辅助电容施加规定的电压。而且，在液晶显示装置50，通过在各像素根据向液晶层40施加的电压的大小改变液晶层40的取向状态，调整液晶层40的光透射率，从而显示图像。此外，在本实施方式中，如图4所示，在半导体层13a的沟道区域C，设置有用于保护该沟道区域C的沟道保护层(蚀刻阻挡层)25。通过设置该沟道保护层25，能够在后述的源极漏极形成工序，在通过蚀刻进行图案化而形成源极电极16aa、漏极电极16b时，进行保护使得不蚀刻半导体层13a的沟道区域C。此外，在本实施方式中，特征在于:如图5所示，沟道保护层25由折射率比为1.3倍以上的不同的第一绝缘膜25a与第二绝缘膜25b交替地叠层而成的叠层膜形成。例如，在设第一绝缘膜25a的折射率为Ra、第二绝缘膜25b的折射率为Rb的情况下，Rb/Ra彡1.3的关系成立。此外，第一绝缘膜和第二绝缘膜25a、25b例如由氮化硅膜、氧化硅膜、氮化氧化硅膜等绝缘性材料形成。而且，在本实施方式中，通过这样的结构，能够利用沟道保护层25有效地反射具有特定的波长的光(特别是导致TFT5a的光劣化的600nm以下的短波长的光)，能够使得导致半导体层13a的劣化的特定波长的光不射入半导体层13a的沟道区域C。因此，能够有效地抑制由对半导体层13a 的沟道区域C的光照射引起的TFT特性的下降和液晶显示装置50的显示品质的下降。此外，由于沟道保护层25由第一绝缘膜和第二绝缘膜25a、25b叠层而成的叠层膜形成，与设置有由导电性的金属材料形成的遮光用的金属层的上述现有技术不同，能够使得沟道保护层25不对TFT5a的特性产生影响地有效抑制对沟道区域C的光照射。此外，在上述现有技术中，在形成金属层时，需要金属膜的成膜和通过使用具有规定的图案形状的掩模的光刻进行的抗蚀剂的图案化、对金属膜的湿蚀刻和抗蚀剂的剥离清洗等工序，工序数增加，因此存在制造工序增加并且成品率下降的问题。另一方面，在本实施方式中，由于沟道保护层25由第一绝缘膜和第二绝缘膜25a、25b叠层而成的叠层膜形成，例如能够在利用等离子体CVD法依次形成氮化硅膜、氧化硅膜，形成第一绝缘膜和第二绝缘膜25a、25b叠层而成的叠层膜时，仅通过等离子体装置内的原料气体的替换来形成沟道保护层25。因此，与由导电性的金属材料形成的遮光用的金属层不同，不需要金属膜的成膜和通过使用光掩模的光刻进行的图案化、对金属膜的湿蚀刻和抗蚀剂的剥离清洗等工序，能够减少工序数。其结果是，能够抑制制造成本的增加、抑制成品率的下降。另外，从可靠地反射导致半导体层13a的劣化的特定波长的光的观点出发，优选构成沟道保护层25的叠层膜的绝缘膜25a、25b的叠层数为5层以上，只要为5层以上，就没有特别限定。以下，对本特征进行详细说明。图6是表示叠层膜的第一绝缘膜和第二绝缘膜25a、25b的叠层数为5层的情况下的P偏振光的波长与反射率的关系的图表。
另外，在图6所示的关系中，作为第一绝缘膜25a，使用折射率Ra = 1.4、膜厚为60nm的氧化硅膜，作为第二绝缘膜25b，使用折射率Rb = 2、膜厚为60nm的氮化硅膜。此外，作为层间绝缘膜17，使用折射率=1.4、膜厚为265nm的氧化硅膜，作为液晶层40，使用折射率=I的向列型液晶材料，作为半导体层13a，使用折射率=2的铟镓锌氧化物(IGZO)。而且，对于沟道保护层25,使P偏振光从液晶层40的方向垂直入射,使所入射的P偏振光的波长在300nm 900nm的波长区域按每Inm变化,测定反射率。如图6所示，可知由第一绝缘膜和第二绝缘膜25a、25b形成的沟道保护层25在可见光区域(从360nm至760nm)广泛地反射光，特别是以约60 %的比例反射具有450nm的波长的P偏振光。此外，在图8表示作为沟道保护层25再追加I层第二绝缘膜25b而为6层结构的情况下(参照图7)的P偏振光的波长与反射率的关系。如图8所示，可知沟道保护层25在可见光区域(从360nm至760nm)广泛地反射光，特别是以约80%的比例反射具有400nm的波长的P偏振光。此外，在图10表示作为沟道保护层25再追加I层第一绝缘膜25a而为7层结构的情况下(参照图9)的P偏振光的波长与反射率的关系。如图10所示，可知沟道保护层25在可见光区域(从360nm至760nm)广泛地反射光，特别是以约80%的比例反射具有440nm的波长的P偏振光。此外，在图12表示作为沟道保护层25再追加I层第二绝缘膜25b而为8层结构的情况下(参照图11)的P偏振光的波长与反射率的关系。如图12所示，可知沟道保护层25在可见光区域(从360nm至760nm)广泛地反射光，特别是以约90%的比例反射具有400nm的波长的P偏振光。此外，在图14表示作为沟道保护层25再各追加I层第一绝缘膜25a和第二绝缘膜25b而为10层结构的情况下(参照图13)的P偏振光的波长与反射率的关系。如图14所示，可知沟道保护层25在可见光区域(从360nm至760nm)广泛地反射光，特别是以约95%的比例反射具有400nm的波长的P偏振光。根据以上说明可知，只要第一绝缘膜和第二绝缘膜25a、25b的叠层数为5层以上，就能够利用沟道保护层25有效地反射导致TFT5a的光劣化的600nm以下的短波长的光，可知第一绝缘膜和第二绝缘膜25a、25b的叠层数越多，光的反射效率就越高。接着，使用图15、图16对本实施方式的液晶显示装置50的制造方法的一个例子进行说明。图15是以截面表示TFT和薄膜晶体管基板的制造工序的说明图，图16是以截面表示对置基板的制造工序的说明图。另外，本实施方式的制造方法包括薄膜晶体管基板制作工序、对置基板制作工序和液晶注入工序。首先，对TFT和薄膜晶体管基板制作工序进行说明。<栅极电极形成工序>首先，在玻璃基板、硅基板、具有耐热性的塑料基板等绝缘基板IOa的整个基板，利用溅射法，形成例如钥膜(厚度150nm左右)等。之后，对该钥膜进行光刻、湿蚀刻和抗蚀剂的剥离清洗，由此，如图3、图15(a)所示那样形成扫描配线11a、栅极电极llaa、辅助电容配线Ilb和中继配线llc、lld。另外，在本实施方式中，作为构成栅极电极Ilaa的金属膜，例示了单层结构的钥膜，但是例如也可以使用铝膜、钨膜、钽膜、铬膜、钛膜、铜膜等金属膜，或者它们的合金膜或金属氮化物的膜，以50nm 300nm的厚度形成栅极电极llaa。此外，作为形成上述塑料基板的材料，能够使用例如聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚砜树脂、丙烯酸树脂和聚酰亚胺树脂。<半导体层形成工序>接着，在形成有扫描配线11a、栅极电极llaa、辅助电容配线Ilb和中继配线11c、Ild的整个基板，利用CVD法，形成例如氮化硅膜(厚度200nm 500nm左右)，如图15 (b)所示那样以覆盖栅极电极Ilaa和辅助电容配线Ilb的方式形成栅极绝缘膜12。另外，也可以采用以2层的叠层结构形成栅极绝缘膜12的结构。在这种情况下，除了上述的氮化硅膜(SiNx)以外，能够使用例如氧化硅膜(SiOx)、氧化氮化硅膜(SiOxNy，X > y)、氮化氧化硅膜(SiNxOy，X > y)等。此外，从防止来自绝缘基板IOa的杂质等的扩散的观点出发，优选使用氮化硅膜或氮化氧化硅膜作为下层侧的栅极绝缘膜，并且使用氧化硅膜或氧化氮化硅膜作为上层侧的栅极绝缘膜。例如，能够以SiH4和NH3作为反应气体形成膜厚IOOnm至200nm的氮化硅膜作为下层侧的栅极绝缘膜，并且，以N20、SiH4作为反应气体形成膜厚50nm至IOOnm的氧化硅膜作为上层侧的栅极绝缘膜。此外，从通过低的成膜温度形成栅极漏电流少的致密的栅极绝缘膜12的观点出发，优选使氩气体等稀有气体包含在反应气体中而混入绝缘膜中。之后，利用派射法，形成例如IGZO类的氧化物半导体膜(厚度30nm IOOnm左右)，之后对该氧化物半导体膜进行光刻、湿蚀刻和抗蚀剂的剥离清洗，由此，如图15(b)所示那样形成具有沟道区域的半导体层13a。〈沟道保护层形成工序〉接着，在形成有半导体层13a的整个基板，利用等离子体CVD法，例如依次形成氮化硅膜和氧化硅膜，形成图5所示的第一绝缘膜和第二绝缘膜25a、25b叠层而成的叠层膜，如图5(c)所示那样在半导体层13a的沟道区域C形成厚度50 150nm左右的用于保护该沟道区域C的沟道保护层25。此时，如上所述，沟道保护层25由第一绝缘膜和第二绝缘膜25a、25b叠层而成的叠层膜构成，因此能够仅通过等离子体装置内的原料气体的替换来形成沟道保护层25。此外，作为第一绝缘膜25a，例如形成折射率Ra = 1.4、膜厚为60nm的氧化硅膜，作为第二绝缘膜25b，例如形成折射率Rb = 2、膜压为60nm的氮化硅膜。〈源极漏极的形成工序〉接着，在形成有半导体层13a的整个基板，利用溅射法，依次形成钛膜(厚度30nm 150nm)和铜膜(厚度50nm 400nm左右)等。之后,对该铜膜进行光刻和湿蚀刻，并且对该钛膜进行干蚀刻和抗蚀剂的剥离清洗，由此，如图15(d)所示那样形成信号配线16a (参照图3)、源极电极16aa、漏极电极16b和辅助电容主干线16c (参照图3)，并且使半导体层13a的沟道区域C露出。S卩，在本工序中，在半导体层形成工序中形成的半导体层13a上，通过干蚀刻形成源极电极16aa和漏极电极16b,使半导体层13a的沟道区域C露出。另外，在本实施方式中，作为构成源极电极16aa和漏极电极16b的金属膜例示了叠层结构的钛膜和铜膜，但是也可以例如使用铝膜、钨膜、钽膜、铬膜等金属膜，或者它们的合金膜或金属氮化物的膜形成源极电极16aa和漏极电极16b。此外，作为蚀刻加工，使用上述的干蚀刻或湿蚀刻均可，但是在处理大面积基板的情况下，更优选使用干蚀刻。作为干蚀刻气体，能够使用CF4、NF3、SF6、CHF3等氟类气体、Cl2、BC13、SiCl4^CCl4等氯类气体、氧气等，还可以添加氦和/或氩等不活泼气体。〈层间绝缘膜形成工序〉接着，在形成有源极电极16aa和漏极电极16b的(即，形成有TFT5a的)整个基板，利用等离子体CVD法，例如形成氧化硅膜，如图15(e)所示形成厚度265nm左右的覆盖TFT5a的(即，覆盖半导体层13a、源极电极16aa和漏极电极16b的)层间绝缘膜17。〈开口部形成工序〉接着，对层间绝缘膜17进行曝光和显影，由此，如图15(f)所示那样在层间绝缘膜17形成达到漏极电极16b的接触孔Ca。〈像素电极形成工序〉接着，在形成有层间绝缘膜17的整个基板，利用溅射法，形成例如由铟锡氧化物构成的ITO膜(厚度50nm 200nm左右)等透明导电性。之后，对该透明导电膜进行光刻、湿蚀刻和抗蚀剂的剥离清洗，由此，如图4所示形成像素电极19a、栅极端子1%、源极端子19c和辅助电容端子19d(参照图3)。此时，如图4所示，像素电极19a以覆盖接触孔Ca的表面的方式形成于层间绝缘膜17的表面上。
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另外，就像素电极19a而言，在形成透射型的液晶显示装置50的情况下，能够使用含氧化钨的铟氧化物或铟锌氧化物、含氧化钛的铟氧化物或铟锡氧化物等。此外，除了上述铟锡氧化物(ITO)以外，还能够使用铟锌氧化物(IZO)、含有氧化硅的铟锡氧化物(ITSO)
坐寸O此外，在形成反射型的液晶显示装置50的情况下，能够采用如下结构:作为具有反射性的金属薄膜，使用包含钛、钨、镍、金、白金、银、铝、镁、钙、锂及它们的合金的导电膜，将该金属薄膜作为像素电极19a使用。能够如以上说明的那样制作图4所示的薄膜晶体管基板20a。〈对置基板制作工序〉首先，在玻璃基板等绝缘基板IOb的整个基板，利用旋涂法或狭缝式涂敷法，涂敷例如被着色为黑色的感光性树脂，之后，对该涂敷膜进行曝光和显影，由此，如图16(a)所示形成厚度1.0ym左右的黑矩阵21。接着，在形成有黑矩阵21的整个基板，利用旋涂法或狭缝式涂敷法，涂敷例如被着色为红色、绿色或蓝色的感光性树脂。之后，对该涂敷膜进行曝光和显影，由此，如图16(a)所示形成厚度2.0 μ m左右的所选择的颜色的着色层22 (例如，红色层)。然后，对其它两种颜色也重复同样的工序，形成厚度2.0 μ m左右的其它两种颜色的着色层22 (例如，绿色层和蓝色层)。进一步，在形成有上述各着色层22的基板上，利用溅射法，例如沉积ITO膜等透明导电膜，由此，如图16(b)所示形成厚度50nm 200nm左右的共用电极23。最后，在形成有共用电极23的整个基板，利用旋涂法或狭缝式涂敷法，涂敷感光性树脂，之后，对该涂敷膜进行曝光和显影，由此，如图16(c)所示形成厚度4μπι左右的感光间隔物24。通过以上操作，能够制作对置基板30。〈液晶注入工序〉首先，例如在上述薄膜晶体管基板制作工序中制作的薄膜晶体管基板20a和在上述对置基板制作工序中制作的对置基板30的各表面，利用印刷法涂敷聚酰亚胺的树脂膜，之后，对该涂敷膜进行烧制和摩擦处理，由此形成取向膜。接着，例如在形成有上述取向膜的对置基板30的表面，呈框状印刷由UV(ultraviolet:紫外线)固化和热固化并用型树脂等构成的密封件，之后向密封件46的内侧滴下液晶材料。进一步，在减压下将被滴下上述液晶材料的对置基板30与形成有上述取向膜的薄膜晶体管基板20a贴合，之后，将该贴合而成的贴合体放置于大气压，由此对该贴合体的表面和背面加压。

然后，对被上述贴合体夹持的密封件照射UV光，之后，通过将该贴合体加热使密封件固化。最后，例如通过切割将上述密封件固化后的贴合体分断，由此除去不需要的部分。由此，能够制造本实施方式的液晶显示面板50。根据以上说明的本实施方式，能够得到以下的效果。(I)在本实施方式中，由第一绝缘膜25a和第二绝缘膜25b交替地叠层而成的叠层膜形成沟道保护层25。此外，在设第一绝缘膜25a的折射率为Ra、第二绝缘膜25b的折射率为Rb的情况下，Rb/Ra彡1.3的关系成立。因此，能够通过沟道保护层25，有效地反射导致TFT5a的光劣化的600nm以下的短波长的光，能够使得导致半导体层13a的劣化的特定波长的光不射入半导体层13a的沟道区域C。其结果是，能够有效地抑制由对半导体层13a的沟道区域C的光照射引起的TFT特性的下降。(2)此外，由于沟道保护层25由第一绝缘膜和第二绝缘膜25a、25b叠层而成的叠层膜形成，与设置有由导电性的金属材料形成的遮光用的金属层的上述现有技术不同，能够使得沟道保护层25不对TFT5a的特性产生影响地有效抑制对沟道区域C的光照射。(3)此外，由于沟道保护层25由第一绝缘膜和第二绝缘膜25a、25b叠层而成的叠层膜形成，能够在形成第一绝缘膜和第二绝缘膜25a、25b叠层而成的叠层膜时，仅通过等离子体装置内的原料气体的替换来形成沟道保护层25。因此，能够减少工序数，能够抑制制造成本的增加、抑制成品率的下降。(4)在本实施方式中，将叠层膜的叠层数设定为5层以上。因此，能够可靠地反射导致半导体层13a的劣化的特定波长的光。(第二实施方式)接着，对本发明的第二实施方式进行说明。图17是本发明的第二实施方式的薄膜晶体管基板的截面图，图18是用于说明本发明的第二实施方式的薄膜晶体管基板的沟道保护层的截面图。此外，图19是用于说明本发明的第二实施方式的薄膜晶体管基板的沟道保护层的立体图。另外，在本实施方式中，对与上述第一实施方式相同的构成部分标注相同的附图标记，省略其说明。此外，对液晶显示装置的整体结构及其制造方法，因为与上述第一实施方式中的说明相同，所以此处省略其详细说明。在本实施方式中，如图17所示，具有如下特征:代替上述的沟道保护层25，设置有在表面具有微细的凹凸构造的沟道保护层33。更具体而言，如图17 图19所示，在沟道保护层33的与半导体层13a —侧相反的一侧的表面33a，形成有包括凹部34和凸部36的微细的凹凸构造32，凹部34和凸部36具有截面大致为矩形的形状。此外，沟道保护层33与上述沟道保护层25同样，例如由氮化硅膜、氧化硅膜、氮化氧化硅膜等绝缘性材料形成。另外，在本实施方式中，从通过沟道保护层33使光在可见光区域(从360nm至760nm)更广地反射的观点出发，在凹凸构造32，相邻的凸部36间(或相邻的凹部34间)的距离(即，间距)P被设定为可见光的半波长以下即380nm以下(即，P彡380nm)。此外，基于同样的观点，凸部36的高度(或凹部34的深度)H被设定为可见光区域的最大波长以上即760nm以上(即，H彡760nm)。而且，在本实施方式中，也为如下情形:由于上述凹部结构32的光的衍射作用，与上述第一实施方式的情况同样，能够有效地反射具有特定波长的光(特别是导致TFT5a的光劣化的760nm以下的可见光)。因此，能够使得导致半导体层13a的劣化的特定波长的光不射入半导体层13a的沟道区域C。因此，能够有效地抑制由对半导体层13a的沟道区域C的光照射引起的TFT特性的下降和液晶显示装置50的显示品质的下降。此外，由于沟道保护层33由绝缘性材料形成，与设置有由导电性的金属材料形成的遮光用的金属层的上述现有技术不同，能够使得沟道保护层33不对TFT5a的特性产生影响地有效抑制对沟道区域C的光照射。另外，沟道保护层33的凹凸构造32能够使用光刻或纳米压印光刻形成。此处，在使用纳米压印光刻形成沟道保护层33的凹凸构造32的情况下，首先，如图20所示，例如在使形成沟道保护层33的氮化硅膜45成膜之后，在氮化硅膜45上形成抗蚀剂46。接着，使形成有要转印至抗蚀剂46的凹凸形状的模具47向图20所示的箭头的方向移动，将模具47按压于抗蚀剂46，通过热或光使抗蚀剂46固化。然后，取下模具47，如图21所示，与模具47的凹凸形状对应地在抗蚀剂46形成有规定的掩模图案。接着，当以该抗蚀剂46为掩模，进行对氮化硅膜45的蚀刻时，抗蚀剂46的厚度越薄的部分越早完成抗蚀剂的蚀刻，作为结果，如图22所示，与抗蚀剂46的形状一致地氮化硅膜45的表面也被蚀刻，形成具有凹凸构造32的沟道保护层33。接着，参照图23对本实施方式的液晶显示装置50的制造方法的一个例子进行说明。图23是以截面表示本发明的第二实施方式的TFT和薄膜晶体管基板的制造工序的说明图。首先，在TFT和有源矩阵基板制作工序中，与在上述第一实施方式中说明的图15(a)、(b)同样，进行栅极电极形成工序和半导体层形成工序。〈沟道保护层形成工序〉接着，在形成有半导体层13a的整个基板，利用等离子体CVD法，例如形成氮化硅膜、氧化硅膜、氮化氧化硅膜等。之后，例如利用上述纳米压印光刻，如图23所示在沟道区域形成厚度50 IOOnm左右的在与半导体层13a —侧相反的一侧的表面33a具有包括凹部34和凸部36的微细的凹凸构造32的沟道保护层33。另外，也可以代替纳米压印光刻，通过进行以抗蚀剂为掩模的光刻和蚀刻来形成沟道保护层33。接着，与上述第一实施方式中说明的图15(d) (f)同样进行源极漏极形成工序、层间绝缘膜形成工序、开口部形成工序和像素电极形成工序，由此，能够制作图17所示的薄膜晶体管基板20a。进一步，通过进行在上述第一实施方式中说明的对置基板制作工序和液晶注入工序，能够制造本实施方式的液晶显示装置50。根据以上说明的本实施方式，能够得到以下的效果。(5)在本实施方式中，在沟道保护层33的与半导体层13a —侧相反的一侧的表面33a形成有包括凹部34和凸部36的微细的凹凸构造32。因此，能够通过沟道保护层33，有效地反射导致TFT5a的光劣化的760nm以下的可见光，能够使得导致半导体层13a的劣化的特定波长的光不射入半导体层13a的沟道区域C。因此，能够有效地抑制由对半导体层13a的沟道区域C的光照射引起的TFT特性的下降。(6)此外，由于沟道保护层33由绝缘材料形成，与设置有由导电性的金属材料形成的遮光用的金属层的上述现有技术不同，能够使得沟道保护层33不对TFT5a的特性产生影响地有效抑制对沟道区域C的光照射。(7)在本实施方式中，将凹凸构造32的相邻的凸部36间或相邻的凹部34间的距离设定为380nm以下。因此,在可见光区域(从360nm至760nm),能够通过沟道保护层33
使光反射得广。(8)在本实施方式中，将凸部36的高度或凹部34的深度设定为760nm以上。因此，在可见光区域(从360nm至760nm)，能够通过沟道保护层33使光反射得广。(第三实施方式)接着，对本发明的第三实施方式进行说明。图24是本发明的第三实施方式的薄膜晶体管基板的截面图。另外，在本实施方式中，对与上述第一实施方式相同的构成部分标注相同的附图标记，省略其说明。此外，对液晶显示装置的整体结构及其制造方法，因为与上述第一实施方式中进行的说明相同，所以此处省略其详细说明。此外，在本实施方式中，作为半导体元件，以作为光传感器的光电二极管为例进行说明，并且对具有光电二极管的显示装置用基板(薄膜晶体管基板)进行说明。本实施方式的薄膜晶体管基板60，在各个像素，不仅具备TFT (未图示)，而且具备图24所不的作为光传感器的光电二极管61。该光电二极管61，在各像素与TFT相邻地设置，由半导体层62构成。更具体而言，该光电二极管61是具有P型半导体层63、N型半导体层64和I (Intrinsic:本征)层65这3层的横型结构的PIN光电二极管，该P型半导体层63高浓度地掺杂有硼等杂质，该N型半导体层64高浓度地掺杂有磷等杂质，该I层65配置在P型半导体层63与N型半导体层64之间，是由本征半导体形成的高电阻率区域。此外，具备该光电二极管61的薄膜晶体管基板60是在绝缘基板IOa上依次叠层有基底覆盖膜75、半导体层62和绝缘膜66的结构的基板。更具体而言，如图24所示，薄膜晶体管基板60包括:在绝缘基板IOa的表面上形成的基底覆盖膜75 ;在基底覆盖膜75的表面上形成的半导体层62 ;和以覆盖半导体层62的方式在基底覆盖膜75的表面上形成的绝缘膜66。此外，薄膜晶体管基板60具有遮光膜67，该遮光膜67配置在半导体层62的下方，并且形成在绝缘基板IOa的表面上，基底覆盖膜75以覆盖遮光膜67的方式叠层在绝缘基板IOa上。此外，如图24所示，在绝缘膜66，形成有以使得半导体层62的P型半导体层63的一部分露出的方式形成的接触孔68和以使得半导体层62的N型半导体层64的一部分露出的方式形成的接触孔69。另外，这些接触孔68、69利用蚀刻同时形成，在这些接触孔68、69中的各个接触孔填充有导电性部件70。此外，如图24所示，在绝缘膜66的表面形成有阳极电极71和阴极电极72。而且，阳极电极71经接触孔68与半导体层62的P型半导体层63电连接，阴极电极72经接触孔69与半导体层62的N型半导体层64电连接。此外，该光电二极管61例如用于检测载置在上述对置基板30上的对象物(例如，纸、手指、笔等)的有无和浓淡(阴影的明暗)。更具体而言，例如当从设置在液晶显示装置50的背面侧的背光源照射的照射光被上述对象物反射，该反射光(例如，作为不可见光的红外光)向光电二极管61入射时,在光电二极管61流动与射入的反射光的强度对应的光漏电流，基于该光漏电流检测对象物的有无和浓淡。作为构成基底覆盖膜75的材料，能够列举例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等材料。另外，基底覆盖膜75也可以采用由这些材料构成的叠层结构。此外，基底覆盖膜75的厚度优选为50 300nm。半导体层62由多晶硅膜构成，构成半导体层62的多晶硅膜是通过向非晶硅膜等硅膜照射激光而多晶化得到的。另外，半导体层62的厚度优选为20 lOOnm。作为构成绝缘膜66的材料，并无特别限定，例如能够列举氧化硅(SiO2)或SiOF、SiOC等与氧化娃相比介电常数低的材料、四氮化三娃(Si3N4)等氮化娃(SiNx(X为正数))、氮氧化硅(SiNO)、二氧化钛(TiO2)、三氧化二铝(Al2O3)、五氧化二钽(Ta2O5)等氧化钽、二氧化铪(HfO2)、二氧化锆(ZrO2)等与氧化硅相比介电常数高的材料。另外，绝缘膜66既可以为单层结构，也可以为叠层结构。此外，绝缘膜66的厚度优选为30 150nm。作为构成导电性部件70的材料，优选具有高熔点的材料，例如优选使用钥(Mo)、钽(Ta)、钨(W)、钛(Ti)等高熔点金属或硅化钥等高熔点硅化物。遮光膜67用于防止光(来自背光源的照射光)向光电二极管61入射，使得仅被上述对象物反射的反射光向光电二极管61入射。作为构成遮光膜67的材料，并无特别限定，例如优选使用钥(Mo)、钽(Ta)、钨(W)、钛(Ti)等高熔点金属或以这些高熔点金属为主要成分的合金材料或化合物材料。另外，遮光膜67的厚度优选为50 300nm。而且，在本实施方式中，也与上述第一实施方式的情况相同，如图24所示，在半导体层62的沟道区域(即，I层65的表面上)设置有在上述第一实施方式中说明的沟道保护层25。因此，能够有效地反射具有特定的波长的光(特别是导致光电二极管61的光劣化的可见光(波长为380nm 750nm的光))，能够使得导致半导体层62的劣化的特定波长的光不射入半导体层62的I层65。根据以上说明的本实施方式，能够在上述的(3) ⑷的效果的基础上达到以下的效果。(9)在本实施方式中，由第一绝缘膜25a和第二绝缘膜25b交替地叠层而得到的叠层膜形成沟道保护层25。此外，在设第一绝缘膜25a的折射率为Ra、第二绝缘膜25b的折射率为Rb的情况下，Rb/Ra ^ 1.3的关系成立。因此，能够通过沟道保护层25，有效地反射导致光电二极管61的光劣化的可见光，能够使得导致半导体层62的劣化的特定波长的光不射入半导体层62的I层65。因此，能够有效地抑制由对半导体层62的I层65的光照射引起的光电二极管61的特性的下降。(10)此外，由于沟道保护层25由第一绝缘膜和第二绝缘膜25a、25b叠层而得的叠层膜形成，与设置有由导电性的金属材料形成的遮光用的金属层的上述现有技术不同，能够使得沟道保护层25不对光电二极管61的特性产生影响地有效抑制对I层65的光照射。另外，上述实施方式也可以如以下那样进行变更。在上述第三实施方式中，采用在第一实施方式中说明的设置沟道保护层25的结构，但是也可以采用设置在第二实施方式中说明的具有微细的凹凸构造32的沟道保护层33代替该沟道保护层25的结构。在这种情况下，也能够得到与上述(5) (8)的效果相同的效果。产业上的可利用性作为本发明的使用例，能 够列举显示装置用基板及其制造方法、显示装置。附图标记的说明5a薄膜晶体管IOa 绝缘基板Ilaa 栅极电极12 栅极绝缘层13a 半导体层16aa 源极电极16b 漏极电极17 层间绝缘膜19a 像素电极20a 薄膜晶体管基板(显示装置用基板)25沟道保护层25a 第一绝缘膜25b 第二绝缘膜30 对直基板(另个显不装直用基板)32 微细的凹凸构造33 沟道保护层33a 沟道保护层的与半导体层一侧相反的一侧的表面34 凹部36 凸部
40液晶层(显示介质层)50液晶显示装置60薄膜晶体管基板(显示装置用基板)61光电二极管62半导体层63P型半导体层64N型半导体层65I 层C沟道区域H凸部的高度或凹部的深度P凹凸构造的相邻的凸部间或相邻的凹部间的距离Ra第一绝缘膜的折射率Rb 第二绝缘膜的折射率
权利要求
1.一种显示装置用基板，其特征在于，包括: 绝缘基板； 设置在所述绝缘基板上、具有沟道区域的半导体层；和 设置在所述沟道区域的沟道保护层， 所述沟道保护层由第一绝缘膜和第二绝缘膜交替地叠层而得的叠层膜形成，在设所述第一绝缘膜的折射率为Ra、所述第二绝缘膜的折射率为Rb的情况下，Rb/Ra ^ 1.3的关系成立。
2.如权利要求1所述的显示装置用基板，其特征在于: 所述叠层膜的叠层数为5层以上。
3.—种显示装置用基板，其特征在于，包括: 绝缘基板； 设置在所述绝缘基板上、具有沟道区域的半导体层；和 设置在所述沟道区域、由绝缘性材料形成的沟道保护层， 在所述沟道保护层的与所述半导体层一侧相反的一侧的表面，形成有包括凹部和凸部的微细的凹凸构造。
4.如权利要求3所述的显示装置用基板，其特征在于: 所述凹凸构造的相邻的所述凸部间或相邻的所述凹部间的距离为380nm以下。
5.如权利要求3或4所述的显示装置用基板，其特征在于: 所述凸部的高度或所述凹部的深度为760nm以上。
6.如权利要求1 5中任一项所述的显示装置用基板，其特征在于: 所述半导体层为薄膜晶体管的半导体层。
7.如权利要求1 5中任一项所述的显示装置用基板，其特征在于: 所述半导体层构成光传感器。
8.一种显示装置，其特征在于，包括: 权利要求1 7中任一项所述的所述显示装置用基板； 与所述显示装置用基板相对配置的另一个显示装置用基板；和 设置在所述显示装置用基板与所述另一个显示装置用基板之间的显示介质层。
9.如权利要求8所述的显示装置，其特征在于: 所述显示介质层是液晶层。
10.一种显示装置用基板的制造方法，其特征在于，至少包括: 在绝缘基板上形成具有沟道区域的半导体层的半导体层形成工序；和沟道保护层形成工序，在所述沟道区域形成沟道保护层，该沟道保护层由第一绝缘膜和第二绝缘膜交替地叠层而得的叠层膜构成，在设所述第一绝缘膜的折射率为Ra、所述第二绝缘膜的折射率为Rb的情况下，Rb/Ra彡1.3的关系成立。
11.一种显示装置用基板的制造方法，其特征在于，至少包括: 在绝缘基板上形成具有沟道区域的半导体层的半导体层形成工序；和沟道保护层形成工序，在所述沟道区域形成沟道保护层，该沟道保护层由绝缘性材料形成，在该沟道保护层的与所述半导体层一侧相反的一侧的表面，具有包括凹部和凸部的微细的凹凸构造。
全文摘要
薄膜晶体管基板(20a)包括绝缘基板(10a)；设置在绝缘基板(10a)上、具有沟道区域(C)的半导体层(13a)；和设置在沟道区域(C)的沟道保护层(25)。沟道保护层(25)由第一绝缘膜和第二绝缘膜交替地叠层而得的叠层膜形成，在设第一绝缘膜的折射率为Ra、第二绝缘膜的折射率为Rb的情况下，Rb/Ra≥1.3的关系成立。
文档编号G02F1/1368GK103210494SQ20118005430
公开日2013年7月17日 申请日期2011年11月2日 优先权日2010年11月10日
发明者国吉督章 申请人:夏普株式会社