专利名称：一种掩膜板的制作方法
技术领域：
本实 用新型涉及显示技术领域，特别涉及一种掩膜板。
背景技术：
在显示技术领域，随着时代的发展和技术的进步，高像素密度ppi (Point PerInch,点每英寸)产品的需求愈加旺盛，这就意味着需要在阵列基板上制作具有更小尺寸的像素单元以满足需求。但是，由于目前显示领域中使用最多的曝光机的解析度一定，曝光机能够识别的掩膜板上的最小宽度与其解析度对应。传统的掩膜板中，只能通过布置曝光机能够识别宽度的不透光区域、以及曝光机能够识别宽度的透光区域，经过I: I等比例的曝光后得到mask上设计的图形中的线以及间隙。上述的线可以是数据线、栅线以及条形电极中的一种或者全部，而间隙可以是条形电极之间的间隙等。因此，阵列基板上的线和间隙的宽度完全受限于曝光机的解析度，而每ー个像素単元的最小尺寸又受限于像素単元内的线和间隙的宽度，因此，如果要生产更高像素密度的阵列基板，就不得不购买更高精度的曝光机以及配套产品，需要巨额的投入，而且造成了当前曝光机设备的浪费，极大地限制了高端产品的发展。所以，如何提供一种掩膜板，以能够在使用当前曝光机的前提下可以得到具有更高像素密度的产品，是本领域技术人员需要解决的技术问题。
实用新型内容本实用新型的第一个目的是提供一种用于曝光エ艺的掩膜板，使用该掩膜板可以得到宽度小于曝光机的解析度的线以及间隙，进而能够提高产品的像素密度。为达到上述目的，本实用新型提供以下技术方案一种用于曝光エ艺的掩膜板，包括透光村底，所述透光村底上具有至少ー个图案区域，至少ー个图案区域内具有半透光区和不透光区，半透光区与不透光区的宽度之和不小于曝光机的解析度，其中所述不透光区的宽度小于曝光机的解析度，所述不透光区的至少ー侧为半透光区；和/或，所述半透光区的宽度小于曝光机的解析度，所述半透光区的至少ー侧为不透光区。优选地，至少ー个所述图案区域内不透光区的宽度小于曝光机的解析度。优选地，所述不透光区的一侧为半透光区。优选地，所述不透光区的两侧为半透光区。优选地，至少ー个所述图案区域内半透光区的宽度小于曝光机的解析度。优选地，所述半透光区的一侧为不透光区。[0017]优选地，所述半透光区的两侧为不透光区。优选地，至少ー个图案区域内所述不透光区的宽度小于曝光机的解析度，且 所述半透光区的宽度小于曝光机的解析度。优选地，所述半透光区的两侧为不透光区，且两所述不透光区的另ー侧均为半透光区。本实用新型提供的用于曝光エ艺的掩膜板，包括透光村底，所述透光村底上具有至少ー个图案区域，至少ー个图案区域内具有半透光区和不透光区，半透光区与不透光区的宽度之和不小于曝光机的解析度，其中所述不透光区的宽度小于曝光机的解析度，所述不透光区的至少ー侧为半透光区；和/或，所述半透光区的宽度小于曝光机的解析度，所述半透光区的至少ー侧为不透光区。具有上述结构的掩膜板，当其至少ー个图案区域内不透光区的宽度小于曝光机的解析度时，虽然该图案区域中的不透光区的宽度小于曝光机的解析度，但是不透光区的至少ー侧为半透光区，不透光区与其至少ー侧的半透光区的宽度之和不小于曝光机的解析度，曝光机能够分辨出该图案区域并进行曝光；曝光过程中，该图案区域内的不透光区不会有光透过，相应基板上与该不透光区对应区域的光刻胶完全保留，而半透光区根据设定透过率会透过一部分光，此部分光照射于基板中与该半透光区相对应区域的光刻胶上，从而对此区域光刻胶进行不完全曝光，曝光エ艺之后进行灰化工艺，将已经曝光一部分的光刻胶灰化去除，而基板上与上述不透光区对应的区域内依旧保留一部分光刻胶进行保护，基板的表面的光刻胶就会形成宽度小于曝光机的解析度的防护线，然后进行刻蚀以及剥离等エ艺，将没有光刻胶保护的部分刻蚀掉，从而在基板上形成宽度较窄的线，进而可以减小像素尺寸，提高像素密度。同理，具有上述结构的掩膜板，当至少ー层图案区域内半透光区的宽度小于曝光机的解析度时，虽然该图案区域中的半透光区的宽度小于曝光机的解析度，但是该半透光区的至少ー侧为不透光区，半透光区与其至少ー侧的不透光区的宽度之和不小于曝光机的解析度，曝光机能够分辨出该图案区域并进行曝光；曝光过程中，该图案区域内的不透光区不会有光透过，相应基板上与该不透光区对应区域的光刻胶完全保留，而半透光区根据设定透过率会透过一部分光，此部分光照射于基板中与该半透光区相对应区域的光刻胶上，从而对此区域光刻胶进行不完全曝光，曝光エ艺之后进行灰化工艺，将已经曝光一部分的光刻胶灰化去除，而基板上与上述不透光区对应的区域内依旧保留一部分光刻胶进行保护，基板的表面的光刻胶就会形成宽度小于曝光机的解析度的缝隙，然后进行刻蚀以及剥离等エ艺，将没有光刻胶保护的部分刻蚀掉，从而在基板上形成宽度较窄的间隙，进而也可以减小像素尺寸，提高像素密度。当然，当至少ー个图案区域的不透光区以及半透光区的宽度同时小于曝光机的解析度时，经过相关步骤エ艺之后，基板上会形成宽度较窄的线和间隙，其原理与上述原理相同，这里不再赘述。因此，使用本实用新型提供的上述掩膜板可以在现有曝光机的基础上制作出宽度更窄的线，和/或，间隙，进而能够提高产品的像素密度。
图I为本实用新型提供的掩膜板的结构示意图；图2为本实用新型提供的掩膜板中至少ー个图案区域的第一种图案示意图；图3为本实用新型提供的掩膜板中至少ー个图案区域的第二种图案示意图；图4为本实用新型提供的掩膜板中至少ー个图案区域的第三种图案示意图；图5为本实用新型提供的掩膜板中至少ー个图案区域的第四种图案示意图；图6为本实用新型提供的掩膜板制作阵列基板的线以及间隙的原理示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。如图I所示，本实用新型提供的用于曝光エ艺的掩膜板，包括透光村底3，透光村底3上具有至少ー个图案区域D，如图I中虚线框所示，至少ー个图案区域D内具有半透光区2和不透光区I，半透光区2与不透光区I的宽度之和不小于曝光机的解析度，其中不透光区I的宽度小于曝光机的解析度，不透光区I的至少ー侧为半透光区2 ;和/或，半透光区2的宽度小于曝光机的解析度，半透光区2的至少ー侧为不透光区I。具有上述结构的掩膜板，当其至少ー个图案区域D内不透光区I的宽度小于曝光机的解析度时，虽然该图案区域D中的不透光区I的宽度小于曝光机的解析度，但是不透光区I的至少ー侧为半透光区2，不透光区I与其至少ー侧的半透光区2的宽度之和不小于曝光机的解析度，曝光机能够分辨出该图案区域D并进行曝光；曝光过程中，该图案区域D内的不透光区I不会有光透过，相应基板上与该不透光区I对应区域的光刻胶完全保留，而半透光区2根据设定透过率会透过一部分光，此部分光照射于基板中与该半透光区2相对应区域的光刻胶上，从而对此区域光刻胶进行不完全曝光，曝光エ艺之后进行灰化工艺，将已经曝光一部分的光刻胶灰化去除，而基板上与上述不透光区I对应的区域内依旧保留一部分光刻胶进行保护，基板的表面的光刻胶就会形成宽度小于曝光机的解析度的防护线，然后进行刻蚀以及剥离等エ艺，将没有光刻胶保护的部分刻蚀掉，从而在基板上形成宽度较窄的线，进而可以减小像素尺寸，提高像素密度。同理，具有上述结构的掩膜板，当至少ー层图案区域D内半透光区2的宽度小于曝光机的解析度时，虽然该图案区域D中的半透光区2的宽度小于曝光机的解析度，但是该半透光区2的至少ー侧为不透光区1，半透光区2与其至少ー侧的不透光区I的宽度之和不小于曝光机的解析度，曝光机能够分辨出该图案区域D并进行曝光；曝光过程中，该图案区域D内的不透光区I不会有光透过，相应基板上与该不透光区I对应区域的光刻胶完全保留，而半透光区2根据设定透过率会透过一部分光，此部分光照射于基板中与该半透光区2相对应区域的光刻胶上，从而对此区域光刻胶进行不完全曝光，曝光エ艺之后进行灰化工艺，将已经曝光一部分的光刻胶灰化去除，而基板上与上述不透光区I对应的区域内依旧保留一部分光刻胶进行保护，基板的表面的光刻胶就会形成宽度小于曝光机的解析度的缝隙，然后进行刻蚀以及剥离等エ艺，将没有光刻胶保护的部分刻蚀掉，从而在基板上形成宽度较窄的间隙，进而也可以减小像素尺寸，提高像素密度。当然，当至少ー个图案区域D的不透光区I以及半透光区2的宽度同时小于曝光机的解析度时，经过相关步骤エ艺之后，基板上会形成宽度较窄的线和间隙，其原理与上述原理相同，这里不再赘述。例如，目前使用的曝光机的解析度多为4μπι，曝光机能够识别的掩膜板中的最小宽度值为4 μ m，采用普通掩膜板进行曝光エ艺后，基板表面的光刻胶形成的防护线的宽度以及缝隙的宽度不会小于4 μ m,而采用本实用新型提供的掩膜板进行掩膜曝光吋，至少ー个图案区域具有的半透光区2与不透光区I的宽度之和不小于4 μ m,但是，由于不透光区I 的宽度小于4 μ m,和/或半透光区2的宽度小于4 μ m,因此，由上述技术方案中描述的原理可知，在通过曝光エ艺和灰化工艺之后，基板上的光刻胶，由宽度小于4 μ m的不透光区I得到的防护线的宽度小于4 μ m,由宽度小于4 μ m的半透光区2得到的缝隙的宽度小于4 μ m，因而，在经过刻蚀、剥离等エ艺之后，基板上可以形成更窄宽度的线，和/或，间隙。当然，上述原理同样适用于其他解析度的曝光机，这里不再一一赘述。因此，使用本实用新型提供的上述掩膜板可以在现有曝光机的基础上制作出宽度更窄的线，和/或，间隙，进而能够提高产品的像素密度。上述技术方案中提到的掩膜板的半透光区2以及不透光区I的设置结构可以有多种选择方式如优选的技术方案中，至少ー个图案区域D内不透光区I的宽度小于曝光机的解析度。这样，在进行半曝光以及灰化工艺之后，光刻胶可以形成宽度小于曝光机解析度的防护线，进而可以在基板上生成较窄的线，其原理以及过程这里不再赘述。当然，上述技术方案中提到的线可以包括每ー个像素单元内设置的多个条形电扱。上述技术方案中提到的线还可以包括其它结构，如数据线和栅线等，只要有益于提高基板中的像素密度即可，这里不再一一赘述。具体地，可以是不透光区I的一侧为半透光区2，如图3所示。当然，还可以是不透光区I的两侧均为半透光区2，如图2所示。优选的技术方案中，至少ー个图案区域D内半透光区2的宽度小于曝光机的解析度。这样，在进行半曝光以及灰化工艺之后，光刻胶可以形成宽度小于曝光机解析度的缝隙，进而可以在基板上生成较窄的间隙，其原理以及过程这里不再赘述。具体地，可以是半透光区2的一侧为不透光区I。当然，还可以是半透光区2的两侧均为不透光区1，如图4所示。优选的技术方案中，至少ー个图案区域D内上述不透光区I的宽度小于曝光机的解析度，且上述半透光区I的宽度小于曝光机的解析度。这样，在进行半曝光以及灰化工艺之后，光刻胶可以形成宽度小于曝光机解析度的防护线以及缝隙，进而可以在基板上生成较窄的线以及间隙，其原理以及过程这里不再赘述。具体地，上述半透光区2的两侧为不透光区I，且两个不透光区I的另ー侧均为半透光区2,如图5所示。综上所述，使用上述结构的掩膜板进行曝光的阵列基板的刻蚀エ艺如图6所示。在一块掩膜板中，掩膜板中的多个图案区域D中的不透光区I与半透光区2的设置方式可以只具有上述几种设置方式中的ー种，也可以同时具有上述几种设置方式中的两种或两种以上，可以根据具体需求而定。当然，上述技术方案中提到的半透光区2和不透光区I的设置方式还可以有其他具体方式，这里不再一一赘述。 显然，本领域的技术人员可以对本实用新型实施例进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。
权利要求1.一种用于曝光エ艺的掩膜板，包括透光村底，所述透光村底上具有至少ー个图案区域，其特征在于，至少ー个所述图案区域内具有半透光区和不透光区，半透光区与不透光区的宽度之和不小于曝光机的解析度，其中 所述不透光区的宽度小于曝光机的解析度，所述不透光区的至少ー侧为半透光区；和/或， 所述半透光区的宽度小于曝光机的解析度，所述半透光区的至少ー侧为不透光区。
2.根据权利要求I所述的掩膜板，其特征在于，至少ー个所述图案区域内不透光区的宽度小于曝光机的解析度。
3.根据权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述不透光区的一侧为半透光区。
4.根据权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述不透光区的两侧为半透光区。
5.根据权利要求I所述的掩膜板，其特征在于，至少ー个所述图案区域内半透光区的宽度小于曝光机的解析度。
6.根据权利要求5所述的掩膜板，其特征在于，所述半透光区的一侧为不透光区。
7.根据权利要求5所述的掩膜板，其特征在于，所述半透光区的两侧为不透光区。
8.根据权利要求I所述的掩膜板，其特征在于，至少一个图案区域内 所述不透光区的宽度小于曝光机的解析度，且 所述半透光区的宽度小于曝光机的解析度。
9.根据权利要求8所述的掩膜板，其特征在于，所述半透光区的两侧为不透光区，且两所述不透光区的另ー侧均为半透光区。
专利摘要本实用新型公开了一种用于曝光工艺的掩膜板，包括透光衬底，透光衬底上具有至少一个图案区域，至少一个图案区域内具有半透光区和不透光区，半透光区与不透光区的宽度之和不小于曝光机的解析度，其中不透光区的宽度小于曝光机的解析度，不透光区的至少一侧为半透光区；和/或，半透光区的宽度小于曝光机的解析度，半透光区的至少一侧为不透光区。本实用新型提供的掩膜板，通过半透光区实现对光刻胶的半曝光，经灰化去除经过半曝光的光刻胶后，基板上的光刻胶会形成宽度小于曝光机解析度的防护线，和/或，缝隙，然后再经过刻蚀剥离等工艺最终在基板中形成宽度较窄的线、和/或间隙，进而达到降低像素尺寸，提高像素密度的目的。
文档编号G03F1/32GK202631947SQ20122031375
公开日2012年12月26日 申请日期2012年6月28日 优先权日2012年6月28日
发明者李月 申请人:北京京东方光电科技有限公司