晶片烘烤装置及带有该装置的自动显影的制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种应用于光刻工艺的晶片烘烤装置及带有该装置的自动显影机，可直接应用于自动显影机或上胶机。该晶片烤烤装置直接在烘烤室内安装了晶片冷却单元，从而在晶片做完硬烤处理后可马上进行冷却，使得晶片保持在预定温度（环境温度），可以有效防止温度差异导致的化学反应，提高图形均匀性。
【专利说明】晶片烘烤装置及带有该装置的自动显影机
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种晶片烘烤装置及带有该装置的自动显影机，其可应用于光刻工艺。
【背景技术】
[0002]在半导体器件制造中，经常采用光刻工艺对基板进行构图。光刻工艺一般包括在基板上涂敷光刻胶、对涂敷在基板上的光刻胶进行曝光图案、显影、蚀刻和光刻胶去除处理。由于温度会影响光刻胶厚度从而影响显影后的图案，因此在对涂敷在基板上的光刻胶进行曝光图案、烘烤后，需进行冷却工艺，使匀胶之后的晶圆保持在预定温度，以防止高温加速化学反应引起图形差异(pattern profile uniformity issue )。
[0003]在现有的自动显影机中，一般都是热盘(烘烤装置)和冷盘(冷却装置)独立于不同的处理室内，通过机械手臂进行芯片在各个处理室的传递。因此，芯片在光刻胶进行曝光图案、烘烤后，一般无法进行快速有效地冷却即被机械手臂传递至显影装置中进行显影，如此造成了图形差异现象。
【发明内容】
[0004]针对上述问题，本实用新型提出了一种带有冷却装置的晶片烘烤装置及带有该装置的自动显影机，其可应用于上胶机、自动显示机等光刻工艺设备中。
[0005]本实用新型解决技术的技术方案为:晶片烘烤装置，包括:烘烤室，具有用于放\取晶片的开口 ；热盘，安装于所述烘烤室内，用于放置晶片；冷却单元，安装于烘烤室内，用于冷却烘烤处理后的晶片。
[0006]优先的，所述开口可闭合。
[0007]优先的,所述冷却单元为气体吹扫元件。
[0008]在一些实施例中，该烘烤装置还包括一供气单元,与所述气体吹扫元件连接。所述用于冷却单元的气体为N2或空气其温度为室温(环境温度)，或低于室温。所述气体吹扫元件安装于所述烘烤室的侧壁或顶部。
[0009]在一些实施例中，在所述烘烤室外还设有一个抽气泵，与所述气体吹扫元件连接，用于抽排烘烤室内的气体。
[0010]进一步的，所述气体吹扫元件具有一个或多个吹扫口。对于小尺寸晶片(如2inch),—般只需一个吹扫口即可。对于较大尺寸晶片(如6 inch以上),一般可设计多个吹扫口，或直接将所述吹扫口设计为在吹扫气体时可转动，从而保证晶片整体的冷却效果。
[0011]优选的，所述晶片烘考装置还包括一控制单元，用于控制所述冷却单元:当晶片进行烘烤处理完毕马上进行冷却。
[0012]本实用新型至少具有以下有益效果:1)直接在烘烤室内安装冷却单元，在对晶片进行曝光后烘烤(PEB，Post Exposure Bake)完毕即对晶片进行快速冷却，使晶片保持在预定温度(环境温度)，防止高温加速化学反应引起过显影；2)提高生产效率。【专利附图】
【附图说明】
[0013]附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本实用新型的限制。此外，附图数据是描述概要，不是按比例绘制。
[0014]图1为实施例1之一种晶片烘烤装置的剖面图。
[0015]图2为实施例2之一种晶片烘烤装置的剖面图。
【具体实施方式】
[0016]下面各实施例公开了一种应用于光刻工艺的晶片烘烤装置，可直接应用于自动显影机或上胶机。该晶片烤烤装置直接在烘烤室内安装了晶片冷却单元，从而在晶片做完硬烤处理后可马上进行冷却，使得晶片保持在预定温度(环境温度)，可以有效防止高温加速化学反应引起过显影。
[0017]下面结合附图和实施例对本实用新型的【具体实施方式】进行详细说明。
[0018]实施例1
[0019]请参看附图1，一种晶片烘烤装置，包括烘烤室101，安装于烘烤室内的热盘102、气体吹扫单元103，安装于烘烤室外的供气单元104，及连接所述气体吹扫单元和供气单元的通气管道105。该烘烤装置用于烘烤晶片200。
[0020]具体的，烘烤室101具有开口，用于放、取晶片。热盘102安装置于烘烤室的内，晶片200放置于热盘的上方。气体吹扫单元103安装于烘烤室101的顶部，作为一个变形，亦可安装于烘烤室的侧壁。气体吹扫元件103具有一个或多个吹扫口(在本实施例中即显示为一个吹扫口)。对于小尺寸晶片(如2 inch)，一般只需一个吹扫口即可；对于较大尺寸晶片(如6 inch以上)，一般可设计多个吹扫口，或直接将所述吹扫口设计为在吹扫气体时可转动，从而保证晶片整体的冷却效果。供气单元104与气体吹扫单元103连接，供气单元104用于向气体吹扫单元103供应吹扫的气体，气体可以为氮气(N2)或者是空气，其温度可为室温(环境温度)，或稍低于室温亦可。在其他变形实施例中，所述晶片烘烤装置也可没有供气单元，直接将气体吹扫单元通过连接管连接到为其它半导体机台供应气体的管道上，通过其它半导体机台的气体供应单元为所述晶片冷却单元提供冷却用的气体。可在通气管道105处安装一个通气阀门106。
[0021]在本实施例中，将晶片烘烤装置于自动显影机中，以晶片在进行光刻胶曝光图案处理后进行的烘烤为例，其流程如下:使用机械传输装置将晶片放置于前述晶片烘烤装置的烘烤室内进行烘烤，烘烤完成后自动显影机的控制系统马上开启冷却单元，即气体吹扫单元向晶片吹扫气体进行冷却，冷却完毕后由机械传输装置取出晶片并转送到下一个处理装置中。在本实施例中，在对晶片进行曝光后烘烤(PEB，Post Exposure Bake)完毕即对晶片进行快速冷却，使晶片保持在预定温度(环境温度)，防止高温加速化学反应引起过显影。
[0022]实施例2
[0023]请参看附图2，本实施例在晶片烘烤装置的外面通气管道105连接一抽气驱动107(如抽气泵)，如此在完成烘烤处理后，可通过气体吹扫单元对烘烤室内进行抽气(将烘烤室内的胶味排出)。如此仅需在晶片的烘烤装置的外面通气管道设置一个切换开关，即可实现双重功能。
[0024]应当理解的是，上述具体实施方案为本发明的优选实施例，本发明的范围不限于该实施例，凡依本发明所做的任何变更，皆属本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.晶片烘烤装置，包括: 烘烤室，具有用于放\取晶片的开口； 热盘，安装于所述烘烤室内，用于放置晶片； 冷却单元，安装于所述烘烤室内，用于冷却烘烤处理后的晶片。
2.根据权利要求1所述的晶片烘烤装置，其特征在于:所述冷却单元为气体吹扫元件。
3.根据权利要求2所述的晶片烘烤装置，其特征在于:还包括一供气单元，与所述气体吹扫元件连接。
4.根据权利要求3所述的晶片烘烤装置，其特征在于:所述用于冷却单元的气体为N2或空气。
5.根据权利要求3所述的晶片烘烤装置，其特征在于:所述用于冷却单元的气体温度为室温，或低于室温。
6.根据权利要求2所述的晶片烘烤装置，其特征在于:所述气体吹扫元件安装于所述烘烤室的侧壁或顶部。
7.根据权利要求2所述的晶片烘烤装置，其特征在于:在烘烤室外还设有一个抽气泵，与所述气体吹扫元件连接，用于抽排烘烤室内的气体。
8.根据权利要求2所述的晶片烘烤装置，其特征在于:所述气体吹扫元件具有气体吹扫口，其在进行气体吹扫时可转动。
9.根据权利要求1所述的晶片烘烤装置，其特征在于:还包括一控制单元，用于控制所述冷却单元:当晶片进行烘烤处理完毕马上进行冷却。
10.自动显影机，其特征在于:其包含前述权利要求1、中任意一种晶片烘烤装置。
【文档编号】G03F7/40GK203551947SQ201320600277
【公开日】2014年4月16日 申请日期:2013年9月27日 优先权日:2013年9月27日
【发明者】张家豪, 徐翊翔, 黄照明, 黄钦泽 申请人:安徽三安光电有限公司