1.一种液晶基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一基板(10)，所述基板(10)上设有一层彩色滤光膜(11)，所述彩色滤光膜(11)包括数个红色色阻单元(111)、绿色色阻单元(112)、及蓝色色阻单元(113)，在所述彩色滤光膜(11)上涂布一层光刻胶材料，形成有机涂层(20)；
步骤2、提供一半色调光罩(50)，将所述半色调光罩(50)对应置于所述基板(10)上方，在所述基板(10)上划分出分别与所述数个红色、绿色、蓝色色阻单元(111、112、113)相对应的红色像素区、绿色像素区、蓝色像素区、及位于所述蓝色像素区与红色像素区、绿色像素区之间的像素间隔区；所述光罩(50)具有与所述红色、绿色像素区相对应的第一透光区(51)，及与所述蓝色像素区相对应的第二透光区(52)；
利用所述半色调光罩(50)对所述有机涂层(20)进行曝光，在所述有机涂层(20)上对应第一、第二透光区(51、52)分别形成第一、第二曝光区，其中，所述第二透光区(52)的透光率高于第一透光区(51)的透光率，从而使得第二曝光区的曝光程度高于第一曝光区的曝光程度；
步骤3、提供显影液，利用所述显影液对所述有机涂层(20)进行显影，由于第二曝光区的曝光程度高于第一曝光区的曝光程度，从而所述有机涂层(20)经显影后，所述有机涂层(20)上第二曝光区的高度高于所述第一曝光区的高度；
步骤4、对所述有机涂层(20)进行高温烘烤，使所述有机涂层(20)充分固化，形成有机绝缘平坦层。
2.如权利要求1所述的液晶基板的制作方法，其特征在于，所述步骤2中提供的半色调光罩(50)，所述第一透光区(51)与第二透光区(52)在对应所述像素间隔区的上方直接相连接。
3.如权利要求1所述的液晶基板的制作方法，其特征在于，所述步骤2中提供的半色调光罩(50)，在所述第一透光区(51)与第二透光区(52)之间还具有与所述像素间隔区相对应的第三透光区(53)，其中，所述第三透光区(53)的透光率高于第二透光区(52)的透光率，从而所述步骤2中，还包括在所述有机涂层(20)上对应第三透光区(53)形成第三曝光区，所述第三曝光区的曝光程度高于第二曝光区的曝光程度；所述步骤3中，所述有机涂层(20)经显影后，所述有机涂层(20)上第三曝光区的高度高于所述第二曝光区的高度。
4.如权利要求2所述的液晶基板的制作方法，其特征在于，所述第二透光区(52)的透光率比第一透光区(51)的透光率高5％-20％。
5.如权利要求3所述的液晶基板的制作方法，其特征在于，所述第二透光区(52)的透光率比第一透光区(51)的透光率高5％-20％；所述第三透光区(52)的透光率比所述第二透光区(51)的透光率高5％-20％。
6.如权利要求1所述的液晶基板的制作方法，其特征在于，所述步骤1中提供的基板(10)为TFT阵列基板，所述基板(10)包括衬底基板、及设于衬底基板与彩色滤光膜(11)之间的TFT阵列层。
7.如权利要求1所述的液晶基板的制作方法，其特征在于，所述步骤1中，所述光刻胶材料的黏度在3.0-5.0cp之间，固含量在15-25wt％之间；
所述步骤1还包括，在彩色滤光膜(11)上涂布一层光刻胶材料后，对彩色滤光膜(11)上的光刻胶材料依次进行真空干燥、及电热板加热，从而形成有机涂层(20)，所述有机涂层(20)的膜厚在1.0-5.0μm之间；
其中，对光刻胶材料进行电热板加热的加热温度范围在90-120℃之间，加热时间在80-150s之间。
8.如权利要求1所述的液晶基板的制作方法，其特征在于，所述步骤3中，显影液采用0.04wt％的TMAH溶液、2.38wt％的TMAH溶液、或0.04wt％的KOH溶液，显影时间在60-120s之间。
9.如权利要求1所述的液晶基板的制作方法，其特征在于，所述步骤4中，在220-240℃温度下对所述有机涂层(20)进行高温烘烤，高温烘烤时间为20-30min。
10.如权利要求1所述的液晶基板的制作方法，其特征在于，所述蓝色色阻单元(113)比所述红色色阻单元(111)、绿色色阻单元(112)高0.1-0.2μm；
所述步骤4中形成的有机绝缘平坦层，对应位于所述蓝色像素区上的高度比对应位于所述红色像素区、绿色像素区上的高度高0.1-0.2μm。