一种集成电路器件、电路板、显示面板、显示装置的制作方法

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种集成电路器件、电路板、显示面板、显示装置。

背景技术：

随着显示技术的快速发展，显示器能够实现的功能也越来越多，目前主要通过在显示器上设置具有不同功能的硅基集成电路器件来实现多种功能，如：在显示器上设置能够实现自动检测和自动控制功能的硅基传感器。

硅基集成电路器件的制作产业链主要有晶圆厂和封测厂，下面以硅基传感器为例进行介绍，硅基传感器是指基于硅基工艺制作的具有传感功能的集成电路器件。晶圆厂基于硅基工艺制作传感器芯片裸片，而封测厂负责将传感器芯片裸片加以封装，实现对传感器的机械支撑、环境保护或者电气连接。

在整个传感器产业链中，封装的成本占据传感器生产总成本的70％～80％，并且经过封装之后，传感器的体积有了较大的增加，以温度传感器为例，温度传感器芯片裸片的尺寸约为300微米(μm)～400μm，而经过封装之后的温度传感器的尺寸会大于1毫米(mm)。

综上所述，现有技术硅基集成电路器件所占空间较大，并且现有技术封装时的封装材料大部分采用非透明材料，将硅基集成电路器件设置在显示器上时，不仅会占据较大的空间，而且不利于实现智能化的透明显示。

技术实现要素：

本实用新型实施例提供了一种集成电路器件、电路板、显示面板、显示装置，用以降低集成电路器件的占用空间，且将集成电路器件设置在显示器上时，有利于实现智能化的透明显示。

本实用新型实施例提供的一种集成电路器件，包括基底、设置在所述基底上的若干连接部和集成电路芯片裸片；

所述集成电路芯片裸片包括若干连接点；其中：

各所述连接部与各所述连接点分别一一对应电连接。

由本实用新型实施例提供的集成电路器件，由于将集成电路芯片裸片设置在基底上，由集成电路芯片裸片包括的连接点与基底上设置的连接部直接实现电气连接，本实用新型实施例将无封装的集成电路芯片裸片直接集成到基底上，免除了现有技术的封装工艺，可以大大优化集成电路芯片裸片在基底上的占用空间；另外，将本实用新型实施例的集成电路器件放置在显示器上时，有利于实现智能化的透明显示。

较佳地，还包括设置在所述集成电路芯片裸片上方，覆盖所述基底的保护层。

较佳地，所述集成电路芯片裸片为传感器芯片裸片，或为运算电路芯片裸片，或为半导体电路芯片裸片。

本实用新型实施例还提供了一种电路板，该电路板包括上述的集成电路器件。

较佳地，所述电路板为柔性电路板，或为印制电路板。

本实用新型实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述的电路板。

本实用新型实施例还提供了一种显示面板，包括显示基板，在所述显示基板的至少一侧设置集成电路芯片裸片和若干连接部；

所述集成电路芯片裸片包括若干连接点；其中：

各所述连接部与各所述连接点分别一一对应电连接。

较佳地，还包括设置在所述集成电路芯片裸片上方，用于将所述集成电路芯片裸片与外界环境绝缘的保护层。

较佳地，所述显示基板为液晶显示面板的阵列基板，或为液晶显示面板的彩膜基板，或为有机发光显示面板的背板，或为有机发光显示面板的盖板。

较佳地，所述集成电路芯片裸片位于所述阵列基板的非显示区，或所述集成电路芯片裸片位于所述彩膜基板的非显示区，或所述集成电路芯片裸片位于所述背板的非显示区，或所述集成电路芯片裸片位于所述盖板的非显示区。

较佳地，所述集成电路芯片裸片位于所述阵列基板朝向所述彩膜基板的一侧；或，

所述集成电路芯片裸片位于所述阵列基板背向所述彩膜基板的一侧；或，

所述集成电路芯片裸片位于所述彩膜基板朝向所述阵列基板的一侧；或，

所述集成电路芯片裸片位于所述彩膜基板背向所述阵列基板的一侧；或，

所述集成电路芯片裸片位于所述背板朝向所述盖板的一侧；或，

所述集成电路芯片裸片位于所述背板背向所述盖板的一侧；或，

所述集成电路芯片裸片位于所述盖板朝向所述背板的一侧；或，

所述集成电路芯片裸片位于所述盖板背向所述背板的一侧。

本实用新型实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述的显示面板。

附图说明

图1为本实用新型实施例提供的一种集成电路器件的制作方法流程图；

图2为本实用新型实施例提供的一种集成电路器件的结构示意图；

图3为本实用新型实施例提供的一种液晶显示面板的结构示意图；

图4为本实用新型实施例提供的另一液晶显示面板的结构示意图；

图5为本实用新型实施例提供的又一液晶显示面板的结构示意图；

图6为本实用新型实施例提供的一种有机发光显示面板的结构示意。

具体实施方式

本实用新型实施例提供了一种集成电路器件、电路板、显示面板、显示装置，用以降低集成电路器件的占用空间，且将集成电路器件设置在显示器上时，有利于实现智能化的透明显示。

为了使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。

下面首先介绍一下本实用新型具体实施例提供的集成电路器件的制作方法。

如图1所示，本实用新型具体实施例提供的集成电路器件的制作方法，包括：

S101、提供一基底，在所述基底上制作若干连接部；

S102、采用微转印工艺将集成电路芯片裸片与硅晶片分离，所述集成电路芯片裸片包括若干连接点；

S103、采用微转印工艺将从所述硅晶片上分离的所述集成电路芯片裸片放置到制作有所述连接部的基底上，使得各所述连接部与各所述连接点分别一一对应电连接。

本实用新型具体实施例在硅晶片上制作集成电路芯片裸片的具体方法与现有技术相同，这里不再赘述。具体地，本实用新型具体实施例制作形成的集成电路芯片裸片可以为传感器芯片裸片，也可以为运算电路芯片裸片，还可以为半导体电路芯片裸片，当然，在实际生产过程中，还可以制作形成其它类型的集成电路芯片裸片。在实际生产过程中，本实用新型具体实施例的上述步骤S101和步骤S102先后顺序可以互换。

具体地，本实用新型具体实施例提供的基底可以为柔性基底，也可以为刚性基底，本实用新型具体实施例提供的基底可以为制作液晶显示面板的阵列基板时的衬底基板，也可以为在该衬底基板上制作有部分膜层后的基板；还可以为制作液晶显示面板的彩膜基板时的衬底基板，也可以为在该衬底基板上制作有部分膜层后的基板；还可以为制作有机发光显示面板的背板时的衬底基板，也可以为在该衬底基板上制作有部分膜层后的基板；还可以为制作有机发光显示面板的盖板时的衬底基板，也可以为在该衬底基板上制作有部分膜层后的基板。

具体地，本实用新型具体实施例在基底上制作若干连接部，包括：

在基底上沉积一层金属薄膜；

对金属薄膜进行构图工艺，形成若干连接部。

本实用新型具体实施例的构图工艺包括光刻胶的涂覆、曝光、显影、刻蚀，以及去除光刻胶的部分或全部过程。具体实施时，在金属薄膜上涂覆光刻胶，对光刻胶进行曝光、显影，显影后保留需要形成连接部位置处的光刻胶，去除其余部分的光刻胶；接着，对显影后的基板进行刻蚀，并去除剩余的光刻胶，形成若干连接部。本实用新型具体实施例形成连接部的位置根据实际生产的需要进行设定，如：可以设定为基板的边缘区域或中心区域。

优选地，本实用新型具体实施例制作形成的各连接部的位置与集成电路芯片裸片包括的各连接点的位置分别一一对应，这样，方便后续更好的将各连接点与各连接部分别一一对应电连接。

微转印工艺为现有技术中较先进的微装配技术，微转印工艺具体是使用弹性印模结合高精度运动控制打印头，有选择地拾取微型器件的大阵列，并将其放置到替换基板上。首先，在“源”晶圆上制作微型芯片，然后通过移除半导体电路下面的牺牲层获得“释放”；然后，一个微结构弹性印模(与“源”晶圆匹配)被用于拾取微型芯片，并将这些微型芯片放置在目标基板上。

具体地，本实用新型具体实施例首先采用微转印工艺将集成电路芯片裸片与硅晶片分离；然后，再采用微转印工艺将从硅晶片上分离的集成电路芯片裸片放置到基底上，实现各连接部与各连接点分别一一对应电连接。

优选地，本实用新型具体实施例通过微转印工艺中的剥离方法将集成电路芯片裸片与硅晶片分离，这样，能够将集成电路芯片裸片从硅晶片的表层剥离，有利于得到厚度非常小的集成电路芯片裸片。微转印工艺的具体工艺过程与现有技术相同，这里不再赘述。

具体地，本实用新型具体实施例在使得各连接部与各连接点分别一一对应电连接之后，还包括：制作一层覆盖基底的保护层。本实用新型具体实施例通过制作的保护层实现对集成电路芯片裸片的封装，在实际生产过程中，若需要在基底上放置多个集成电路芯片裸片，本实用新型具体实施例在将所有的集成电路芯片裸片放置在基底上之后，对所有的集成电路芯片裸片做一次一体的保护性封装。

本实用新型具体实施例借助于微转印技术，将硅基的集成电路芯片裸片由硅晶片上取下，然后直接放置在预先提供的基底上，由集成电路芯片裸片包括的连接点与基底上制作的连接部直接实现电气连接。本实用新型具体实施例将无封装的集成电路芯片裸片直接集成到基底上，免除了现有技术的封装工艺，可以大大优化集成电路芯片裸片在基底上的占用空间。

如图2所示，本实用新型具体实施例提供了一种集成电路器件，包括基底20、设置在基底20上的若干连接部23；以及从硅晶片上分离的包括有若干连接点22的集成电路芯片裸片21；其中：

各连接部23与各连接点22分别一一对应电连接。

具体地，本实用新型具体实施例中的集成电路芯片裸片为传感器芯片裸片，或为运算电路芯片裸片，或为半导体电路芯片裸片，为了对设置在基底20上的集成电路芯片裸片21进行保护，本实用新型具体实施例还包括设置在集成电路芯片裸片21上方，覆盖基底20的保护层(图中未示出)，关于保护层的具体设定将在后面进行介绍。

优选地，如图2所示，本实用新型具体实施例各连接部23的位置与各连接点22的位置分别一一对应。实际生产过程中，本实用新型具体实施例制作的连接部23包括连接块231和连接线232，连接块231与集成电路芯片裸片21包括的连接点22电连接，本实用新型具体实施例可以通过连接线232将连接点22引出，在实际生产需要的情况下，可以通过连接线232将连接点22与基底20上的其它电路元件电连接。

由于连接线232所占的面积相对于连接块231所占的面积小，而连接点22与连线块231能够更好的实现电连接，因此，本实用新型具体实施例将连接部23设置为连接块231和连接线232的形式，能够更好的实现连接点22与连接部23的电连接，并且能够节省连接部23在基底20上的布线空间。

本实用新型具体实施例将硅基的集成电路芯片裸片直接放置在基底上，由集成电路芯片裸片包括的连接点与基底上设置的连接部直接实现电气连接，本实用新型具体实施例将无封装的集成电路芯片裸片直接集成到基底上，免除了现有技术的封装工艺，可以大大优化集成电路芯片裸片在基底上的占用空间。

本实用新型具体实施例还提供了一种电路板，该电路板包括本实用新型具体实施例提供的上述集成电路器件。具体地，本实用新型具体实施例中的电路板为柔性电路板(Flexible Printed Circuit，FPC)，或为印制电路板(Printed Circuit Board，PCB)。与现有技术相比，本实用新型具体实施例集成电路器件在电路板上所占据的空间较小，且不需要现有技术的封装技术，降低了电路板的生产成本。

本实用新型具体实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括本实用新型具体实施例提供的上述电路板。

本实用新型具体实施例还提供了一种显示面板，包括显示基板，在显示基板的至少一侧设置集成电路芯片裸片和若干连接部；

集成电路芯片裸片包括若干连接点；其中：各连接部与各连接点分别一一对应电连接。

本实用新型具体实施例中的显示面板为液晶显示面板(Liquid Crystal Display，LCD)，或为有机发光显示面板(Organic Light Emitting Diode，OLED)；具体实施时，本实用新型具体实施例中的显示基板为液晶显示面板的阵列基板，或为液晶显示面板的彩膜基板，或为有机发光显示面板的背板，或为有机发光显示面板的盖板。

下面结合附图详细介绍本实用新型具体实施例中的集成电路芯片裸片与显示基板的位置关系，附图中各膜层厚度和区域大小、形状不反应各膜层的真实比例，目的只是示意说明本实用新型内容。

当本实用新型具体实施例中的显示面板为液晶显示面板时，如图3、图4和图5所示，本实用新型具体实施例中的液晶显示面板包括相对设置的阵列基板31和彩膜基板32，以及位于阵列基板31和彩膜基板32之间的液晶层33，阵列基板31包括设置在衬底基板310上的栅极313、栅极绝缘层314、半导体有源层315、源极316、漏极317和像素电极318；彩膜基板32包括设置在衬底基板310上的黑矩阵322和彩膜层321。

具体地，本实用新型具体实施例中的集成电路芯片裸片可以设置在阵列基板31上，也可以设置在彩膜基板32上，还可以同时设置在阵列基板31和彩膜基板32上。

具体地，本实用新型具体实施例的集成电路芯片裸片311设置在阵列基板31上，具体实施时，该集成电路芯片裸片311设置在阵列基板31包括的衬底基板310朝向彩膜基板32的一侧上，如图3所示；本实用新型具体实施例中的集成电路芯片裸片311还可以设置在阵列基板31包括的衬底基板310背向彩膜基板32的一侧上，如图4所示；当然，在实际生产过程中，还可以将集成电路芯片裸片311既设置在阵列基板31包括的衬底基板310背向彩膜基板32的一侧，又设置在阵列基板31包括的衬底基板310朝向彩膜基板32的一侧。

在实际生产过程中，如图3所示，将集成电路芯片裸片311设置在衬底基板310之后，利用阵列基板制作工艺中的透明材料，如：氮化硅(SiN)、聚酰亚胺(Polyimide，PI)、环氧树脂等材料，在集成电路芯片裸片311上制作一层将集成电路芯片裸片311与外界环境绝缘的保护层312，由于该保护层312采用透明材料，因此不影响液晶显示面板的透光性。之后，在保护层312上制作栅极313、栅极绝缘层314、半导体有源层315、源极316、漏极317和像素电极318，栅极313、栅极绝缘层314、半导体有源层315、源极316、漏极317和像素电极318的具体制作过程与现有技术相同，这里不再赘述。

在实际生产过程中，如图4所示，将集成电路芯片裸片311设置在衬底基板310之后，利用阵列基板制作工艺中的透明材料，如：氮化硅(SiN)、聚酰亚胺(Polyimide，PI)、环氧树脂等材料，在集成电路芯片裸片311上制作一层将集成电路芯片裸片311与外界环境绝缘的保护层312，由于该保护层312采用透明材料，因此不影响液晶显示面板的透光性。

具体实施时，本实用新型具体实施例可以先在衬底基板310背向彩膜基板32的一侧制作集成电路芯片裸片311和保护层312，然后再在衬底基板310朝向彩膜基板32的一侧制作栅极313、栅极绝缘层314、半导体有源层315、源极316、漏极317和像素电极318；也可以先在衬底基板310朝向彩膜基板32的一侧制作栅极313、栅极绝缘层314、半导体有源层315、源极316、漏极317和像素电极318，然后再在衬底基板310背向彩膜基板32的一侧制作集成电路芯片裸片311和保护层312。

本实用新型具体实施例在衬底基板310上制作集成电路芯片裸片的方法如图1所示，此时在衬底基板310上需要制作若干连接部。实际生产过程中，本实用新型具体实施例中的集成电路芯片裸片还可以制作在阵列基板包括的其它膜层的上方，如：可以制作在像素电极318的上方，此时可以在像素电极318上制作一层绝缘层，然后再在绝缘层上制作若干连接部。

本实用新型具体实施例的集成电路芯片裸片311还可以设置在彩膜基板32上，具体实施时，该集成电路芯片裸片311设置在彩膜基板32包括的衬底基板310朝向阵列基板31的一侧上，如图5所示；当然，也可以设置在彩膜基板32包括的衬底基板310背向阵列基板31的一侧上；还可以设置在彩膜基板32包括的其它膜层上，如可以设置在彩膜层321上。本实用新型具体实施例将集成电路芯片裸片311设置在彩膜基板32上的具体设置方式与设置在阵列基板31上的具体设置方式类似，这里不再赘述。

优选地，本实用新型具体实施例的集成电路芯片裸片位于阵列基板的非显示区，或集成电路芯片裸片位于彩膜基板的非显示区。在实际生产过程中，基于硅基的集成电路芯片裸片内部电气连接尺度较小，基本都在纳米级别，这样尺度的集成电路芯片裸片如果直接放在有几百微米像素分辨率的显示面板上，基本可以认为不影响透光，因此，本实用新型具体实施例除了可以将集成电路芯片裸片放置在显示面板的非显示区，还可以将其放置在显示面板的显示区。将集成电路芯片裸片设置在显示面板上后，除了能够降低集成电路芯片裸片的占用空间外，也有利于实现智能化的透明显示或双面显示。

当本实用新型具体实施例中的显示面板为有机发光显示面板时，如图6所示，本实用新型具体实施例中的有机发光显示面板包括背板64，以及与背板64相对设置的盖板61，背板64包括设置在基板65上的像素电路63、位于像素电路63上的发光器件62。

具体地，本实用新型具体实施例中的集成电路芯片裸片311可以设置在背板64上，也可以设置在盖板61上，还可以同时设置在盖板61和背板64上。优选地，将集成电路芯片裸片311设置在背板64的非显示区，或将集成电路芯片裸片311设置在盖板的非显示区。本实用新型具体实施例将集成电路芯片裸片311设置在背板64或盖板61上的具体设置方式与将其设置在阵列基板31上的设置方式类似，这里仅以图6中集成电路芯片裸片311设置在背板64包括的发光器件62上为例简单的介绍。

如图6所示，当将集成电路芯片裸片311设置在背板64包括的发光器件62上之后，可以不在集成电路芯片裸片311上设置保护层，直接在集成电路芯片裸片311上设置盖板61，此时盖板61能够起到保护层的作用。当然，在实际生产过程中，对于对外部环境隔绝性要求较高的集成电路器件，也可以在集成电路芯片裸片311上先制作一层保护层，然后在放置盖板61。对于底发射的有机发光显示面板，保护层除了可以选择氮化硅(SiN)、聚酰亚胺(Polyimide，PI)、环氧树脂等的透明材料外，还可以选择非透明的绝缘材料。

本实用新型具体实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括本实用新型具体实施例提供的上述显示面板，该显示装置可以为液晶面板、液晶显示器、液晶电视、OLED面板、OLED显示器、OLED电视或电子纸等显示装置。

综上所述，本实用新型具体实施例提供一种集成电路器件，包括基底、设置在所述基底上的若干连接部和集成电路芯片裸片；集成电路芯片裸片包括若干连接点；其中：各连接部与各连接点分别一一对应电连接。本实用新型具体实施例由于将从硅晶片上分离的硅基的集成电路芯片裸片直接放置在基底上，由集成电路芯片裸片包括的连接点与基底上设置的连接部直接实现电气连接，本实用新型实施例将无封装的集成电路芯片裸片直接集成到基底上，免除了现有技术的封装工艺，可以大大优化集成电路芯片裸片在基底上的占用空间；另外，将本实用新型实施例的集成电路器件放置在显示器上时，有利于实现智能化的透明显示。

显然，本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。