用于对SRAM存储器应用误差校正的集成电路器件及方法与流程

无

背景技术：

静态随机存取存储器(SRAM)利用晶体管来在存储器阵列中保持数据位。为了保持数据位，向SRAM施加电压。传统上，精确保持数据位并补偿SRAM漏泄所需的最小电压量被称作数据保持电压(DRV)。在低功率器件中，给定SRAM漏泄所需的DRV可能会明显增加该器件的总功耗。

技术实现要素：

根据本发明的实施例，公开了一种集成电路(IC)器件。在该实施例中，IC器件包括SRAM模块、耦合至该SRAM模块的包装器逻辑、情境源以及耦合至该情境源并耦合至该包装器逻辑的ECC配置文件控制器，该ECC配置文件控制器被配置成响应于从该情境源接收到的情境信息来选择ECC配置文件以供该包装器逻辑使用。

在另一实施例中，该情境源被配置成检测过程温度状况，并且该ECC配置文件控制器被配置成响应于所检测到的过程温度状况来选择ECC配置文件。

在另一实施例中，该情境源被配置成检测数据保持时间，并且该ECC配置文件控制器被配置成响应于所检测到的数据保持时间来选择ECC配置文件。

在另一实施例中，该情境源被配置成确定延迟和处理量要求，并且该ECC配置文件控制器被配置成响应于所确定的延迟和处理量要求来选择ECC配置文件。

在另一实施例中，情境源被配置成基于在IC器件上运行的应用程序的误差灵敏度水平来确定误差灵敏度水平，并且ECC配置文件控制器被配置成响应于所确定的误差灵敏度水平来选择ECC配置文件。

在另一实施例中，情境源的输出由用户手动配置。

在另一实施例中，ECC解码器被另外耦合至在SRAM模块中的误差图，并且ECC解码器可以向该误差图回写解码信息。

在另一实施例中，SRAM模块被耦合至包装器逻辑，使得该SRAM模块可以使该包装器逻辑从数据流选择性旁路。

在另一实施例中，包装器逻辑被耦合至SRAM模块，使得该SRAM模块可以独立于该包装器逻辑操作。

在另一实施例中，公开了一种用于向IC器件中的SRAM存储器应用误差校正的方法。在该实施例中，该方法包括获得情境信息、基于该情境信息选择ECC配置文件、根据所选择的ECC配置文件调度ECC编码并根据所选择的ECC配置文件调度ECC解码。

在另一实施例中，情境信息包括过程温度，并且ECC配置文件基于该过程温度来选择。

在另一实施例中，情境信息包括在SRAM模块内的数据保持时间，并且ECC配置文件基于在该SRAM模块内的数据保持时间来选择。

在另一实施例中，情境信息包括应用程序的延迟和处理量要求，并且ECC配置文件基于该应用程序的延迟和处理量要求来选择。

在另一实施例中，其中，情境信息包括多个允许的奇偶校验位和待用的ECC算法，并且ECC配置文件基于所允许的奇偶校验位的数量和待用的ECC算法来选择。

在另一实施例中，情境信息包括关于该应用程序的误差灵敏度的信息，并且ECC配置文件基于该应用程序的误差灵敏度来选择。

在另一实施例中，情境信息从在IC器件内的情境源接收。

在另一实施例中，公开了一种IC器件。在该实施例中，该IC器件包括：SRAM模块，所述SRAM模块包括至少一个晶体管；耦合至所述SRAM模块的包装器逻辑，所述包装器逻辑包括：耦合至所述SRAM模块的误差校正码(ECC)编码器，其中，所述ECC编码器被配置成：根据给定所选择的误差校正模式的ECC类型来编码输入数据；以及向所述SRAM模块输出所述所编码的输入数据；耦合至所述SRAM模块的ECC解码器，其中，所述ECC解码器被配置成：解码从所述SRAM模块接收的输出数据；输出所述所解码的输出数据；并且向所述SRAM模块回写解码信息；耦合至所述ECC解码器的误差控制器，所述误差控制器被配置成根据给定所选择的误差校正模式的所述ECC类型来控制所述ECC解码器；以及耦合至所述误差控制器和所述ECC编码器的中央控制器，其中，所述中央控制器被配置成控制在所述包装器和所述SRAM模块的元件之间的操作；被配置成输出情境信息的情境源；以及耦合在所述包装器逻辑和所述情境源之间的ECC配置文件控制器，所述ECC配置文件控制器被配置成基于来自所述情境源的所述情境信息选择ECC配置文件以由所述ECC编码器和解码器使用。

在另一实施例中，情境源被配置成检测过程温度状况、数据保持时间、延迟和处理量要求以及在IC器件上运行的应用程序的误差灵敏度水平中的至少一项。

在另一实施例中，ECC解码器另外耦合至在SRAM模块中的误差图，并且ECC解码器可以向该误差图回写解码信息。

在另一实施例中，ECC编码器另外耦合至在SRAM模块中的奇偶校验单元，其中，该ECC编码器可以存储与输入数据的存储器字对应的误差校正码。

通过以下结合附图的详细描述，本发明的实施例的其它方面和优点将变得显而易见。

附图说明

图1示出了SRAM模块的配置。

图2绘出了在SRAM模块中的单元的电路图。

图3绘出了根据本发明的实施例的IC器件，该IC器件包括处理器、接口、SRAM模块和包装器逻辑。

图4为在DRV范围内测量的存储数据的误码率(BER)的曲线图。

图5A绘出了IC器件的实施例，该IC器件包括SRAM模块、包装器逻辑、ECC配置文件控制器和情境源。

图5B示出了在操作中的图5A的SRAM模块和包装器逻辑。

图6绘出了ECC配置文件控制器的实施例。

图7示出了在ECC配置文件基于情境信息被调适时性能变化的例子。

图8为根据本发明的实施例的用于向IC器件中的SRAM存储器应用误差校正的方法的过程流程图。

在整个说明书中，可以使用类似的附图标记来表示类似的要素。

具体实施方式

应容易理解，如本文中大体描述且在附图中示出的实施例的部件可以用各种各样不同的配置来布置和设计。因此，如图中所表示的各种实施例的以下更详细描述并非意图限制本公开的范围，而仅仅是表示各种实施例。虽然在附图中呈现了实施例的各个方面，但是除非特别说明，否则附图未必按比例绘制。

在不脱离本发明精神或基本特性的情况下，可以其它特定形式实施本发明。所描述的实施例应视为在所有方面均仅为说明性而非限制性的。因此，本发明的范围由所附权利要求书而不是由此具体实施方式来指示。在权利要求书的等效性的含义和范围内的所有变化均涵盖在权利要求书的范围内。

贯穿本说明书对特征、优点或类似语言的引用并不暗示可通过本发明实现的所有特征和优点应在或在本发明的任何单一实施例中。相反，涉及特征和优点的语言应理解成意指结合实施例描述的特定特征、优点或特性包括在本发明的至少一个实施例中。因此，贯穿本说明书对特征和优点的论述以及类似语言可(但未必)涉及同一实施例。

此外，本发明的所描述的特征、优点和特性可以用任何合适方式在一或多个实施例中组合。相关领域的技术人员应认识到，鉴于本文中的描述，本发明可在无特定实施例的特定特征或优点中的一或多个特征或优点的情况下实施。在其它情况下，可在某些实施例中辨识可能不是存在于本发明的所有实施例中的额外特征和优点。

贯穿本说明书对“一个实施例”、“一实施例”或类似语言的引用意味着结合所指示实施例描述的特定特征、结构或特性包括在本发明的至少一个实施例中。因此，贯穿本说明书的短语“在一个实施例中”、“在实施例中”和类似语言可以(但未必)全部指的是同一个实施例。

图1示出了SRAM模块100的配置。该SRAM模块包括控制电路102、电荷源104(“预充电/EQ”)、存储器阵列106、行解码器108、列多路复用器110和感测放大器112。该控制电路被配置成确定数据是否正被写入至该存储器阵列或从该存储器阵列读出。在实施例中，该存储器阵列为六晶体管SRAM单元的阵列。为了从该存储器阵列中的单元读出或写入至该单元，该电荷源对每个单元内的一或多个位线预充电。该行解码器用于选择待写入的单元并且结合该列多路复用器从选择单元读出存储数据。不同于DRAM，只要保持可供存储器阵列使用的充足电力，存储在SRAM模块的每个单元中的数据可以被维持而无需有规律地刷新该数据。在实施例中，足以在SRAM中维持数据的最小电力被称作数据保持电压(DRV)。

图2绘出在SRAM模块中的单元200的电路图。在该单元内的存储电荷的操作中，晶体管M₁-M₆可以被断开或闭合。只要提供给SRAM模块的电源电压保持在DRV之上，存储在SRAM模块的单元内的电荷就可以可靠地维持。如果电源电压下降到低于DRV，则SRAM模块内的电荷可改变并且存储在该SRAM模块的单元内的电荷可能变为不可靠的。因此，SRAM模块在数据保持模式期间的电力需求很大程度上由DRV确定。在实施例中，DRV受漏泄(从晶体管内的充电电容器损失能量)影响，如由虚线箭头202所指示，该漏泄可能形成大的电力需求，并因此需要高的DRV。低于DRV的电压可以被施加至SRAM存储器，但是这样做增大了存储电荷(以及由存储电荷表示的数据)变为不可靠的可能性。

为了利用低于DRV的电源电压，可以对从SRAM模块读出的数据应用误差校正。然而，“现成的”SRAM模块设计(通常被称为“存储器IP”)往往购自第三方并且按原样合并到IC器件中。这些“现成的”SRAM模块设计并不按惯例包括误差校正功能并且不易于改动以支持此额外功能。图3绘出了根据本发明的实施例的IC器件310，该IC器件310包括处理器302、接口304、SRAM模块300和包装器逻辑308。在实施例中，该IC器件为具有ARM处理器和串行接口的微控制器，该串行接口可为例如I2C接口，虽然包括无线接口的其它接口也是可能的。在实施例中，该接口具有三个主输入端(例如，地址、数据输入和模式)并被耦合至处理器，并且该处理器被耦合至SRAM模块和耦合至包装器逻辑。在实施例中，SRAM模块可以被配置成包括该SRAM模块内的包装器逻辑的功能。在实施例中，在数据有待于被存储在SRAM模块中时，地址、模式信号(例如，动态模式或待用模式或应使用的ECC类型)以及数据(例如，为单值或为个别值)由该接口接收、被传送给处理器且接着被传送给包装器逻辑和/或SRAM模块。在实施例中，多个SRAM模块可以与单一包装器逻辑相关联。响应于该模式信号，该系统以适当方式配置包装器逻辑和/或SRAM模块并执行数据编码，并向该SRAM模块传送该数据以在该地址存储，根据由模式信号所指示的模式，该数据可被编码或未编码。在数据需要被访问时，SRAM模块将该数据从该SRAM模块传送至包装器逻辑并且该包装器逻辑解码该数据(如果需要)、执行误差校正(如果可能)并且向接口输出该数据以供在该IC器件的外部进一步使用(例如，由使用SRAM模块进行数据存储的应用程序使用)。在另一实施例中，地址、模式信号和数据可以来源于IC器件内并且向处理器传送，而非首先由该接口接收，并且该数据可以被输出至该IC器件内的另一部件而非输出至该接口。因此，通过使用包装器逻辑，误差校正可以被应用至“现成的”存储器IP的SRAM模块中的数据。在实施例中，包装器逻辑和SRAM模块彼此独立操作。因此，包装器逻辑可以被从数据流旁路(例如，通过断开或闭合开关以经由替代电路系统绕着该包装器逻辑路由信号)并且SRAM模块可以被写入或读出而无需利用该包装器逻辑。例如，数据可以被存储在SRAM模块中并且从该SRAM模块访问而无需向包装器逻辑供电。

向从SRAM模块读出的数据应用误差校正允许使用较低的DRV，而仍然保持数据完整性。图4为在DRV范围内测量的存储数据的误码率(BER)的曲线图400。该曲线图指示在未使用误差校正时的曲线402、在使用误差校正时的曲线404以及阈值BER 306，数据必须保持在该阈值BER 306下以便为可靠的。如该曲线图所指示，在未使用误差校正时，DRV必须保持比使用误差校正时更高以将BER保持在阈值之上。因此，通过利用误差校正，可以降低DRV并且将需要向SRAM模块施加较小的电压以在SRAM单元中维持可靠电荷。

然而，使用误差校正码通常对读/写请求的性能产生不利影响，并且代码越复杂(并因此校正误差越有效)，影响就越大。例如，各种误差校正码在延迟(例如，读/写请求所需的时间)和代码的复杂程度之间具有如下面的表1所建议的折衷：

*+符号指示从低(+)到高(++++)的量值程度

表1

根据表1，误差校正码越复杂(并因此校正误差越有效)，该误差校正码对性能(例如，读/写请求)的影响就越大。具体地说，表1包括误差校正性能列、代码块大小列、编码器/解码器复杂度列和编码器/解码器延迟列。误差校正性能列指示ECC类型校正代码中的误差的能力(例如，更好的性能允许更多的误差被校正)，代码块大小列指示执行ECC类型所需的代码块的大小，编码器/解码器复杂度列指示ECC类型的复杂度(例如，通过ECC类型执行的操控的复杂度)，并且该编码器/解码器延迟列指示由ECC类型所引起的延迟(例如，由于使用ECC类型，在处理量中引入多少延迟)。

另外，误差校正的模式可以另外影响性能。例如，在下面的表2中鉴别出的模式可以对性能(例如，处理量或延迟)有不同程度的影响。

*+符号指示无(0)处理量/延迟到良好的(++++)处理量/延迟程度

表2

ECC类型可以与误差校正模式以及其它配置配对以形成ECC配置文件。例如，给定上述的表1和表2，第一ECC配置文件可使汉明式ECC与模式2a配对，或第二ECC配置文件可被配置成不结合模式1使用任何ECC类型。在结合SRAM模块利用ECC的常规IC器件中，ECC配置文件被固定并用于存储在SRAM模块中的所有数据。然而，所有数据对误差灵敏度和处理量的需求并不是相同的。

根据本发明的实施例，公开了一种集成电路(IC)器件。在该实施例中，IC器件包括SRAM模块、耦合至该SRAM模块的包装器逻辑、情境源与耦合至该情境源和该包装器逻辑的ECC配置文件控制器。ECC配置文件控制器被配置成响应于从情境源接收的情境信息选择ECC配置文件以供包装器逻辑使用。在实施例中，情境源向ECC配置文件控制器输出情境信息(例如，传感器读数或用户定义策略)，并且ECC配置文件控制器基于该情境信息选择待使用的ECC配置文件(例如，使用涡轮码式ECC的模式3b)。在实施例中，该情境信息包括例如应用程序正生成读/写请求或可以使用多少奇偶校验位等的信息，并且该情境信息被用于在操作IC器件期间(例如，在数据被读出/写入时)实时调适该ECC配置文件。通常，不使用较新或较复杂的ECC代码(例如，涡轮码或LDPC码)，因为较新或较复杂的ECC代码对处理量产生不利影响。然而，因为ECC配置文件可以基于情境信息实时调适，所以较新或较复杂的ECC可以在最适合该情形时使用，但不需要用于所有读/写请求。因此，在选择情况中使用较新或较复杂的ECC时，可以保持较高的平均处理量。

图5A绘出了IC器件510的实施例，该IC器件510包括SRAM模块500、包装器逻辑508、ECC配置文件控制器528和情境源526。在实施例中，该IC器件另外包括接口和处理器(未示出)，并且该ECC配置文件控制器和情境源可以至少部分通过该处理器实施。在图5A的实施例中，包装器逻辑包括ECC编码器512、ECC解码器514、误差控制器516和中央控制器518。在实施例中，ECC编码器、ECC解码器、误差控制器和中央控制器通过IC器件的执行单元内的基于简单标准逻辑的设计块(例如，算术逻辑单元(ALU)或可编程处理器)来实施。在实施例中，SRAM模块包括存储器阵列506，并且可选地可以另外包括奇偶校验单元520、内置式自测试(BIST)模块522和误差图524。在实施例中，ECC编码器被耦合至SRAM模块(例如，存储器阵列)，SRAM模块被另外连接至ECC解码器，并且ECC解码器被另外耦合至误差控制器。中央控制器被耦合至ECC编码器、误差控制器和SRAM模块并且控制该ECC编码器、该误差控制器和该SRAM模块。情境源被连接至ECC配置文件控制器，并且ECC配置文件控制器被另外连接至中央控制器。在实施例中，ECC配置文件控制器包括如图6所示的部件。

图6绘出了ECC配置文件控制器的实施例。ECC配置文件控制器包括情境信息解译器602、ECC配置文件选择逻辑604和ECC配置文件数据库606。在实施例中，情境信息解译器被配置成从情境源接收情境信息并使用ECC配置文件选择逻辑来处理该信息，以从ECC配置文件数据库选择对应于经过处理的情境信息的ECC配置文件。在实施例中，ECC配置文件数据库包括输出至中央控制器以用于实施的编码调度和其它配置设置(例如，ECC类型和校正模式)。

图5B示出了在操作中的图5A的SRAM模块500和包装器逻辑508。在实施例中，情境源526输出与例如利用SRAM模块的应用程序的操作或IC器件510的状态(例如，温度)有关的情境信息。在实施例中，情境源可为被配置成输出供ECC配置文件控制器使用的情境信息的硬件和/或软件部件。情境信息可包括例如过程温度状况、数据保持时间、延迟和处理量要求、应用程序的误差灵敏度、SRAM模块中用于奇偶校验位的空间的可用性和SRAM模块的质量(例如，该SRAM模块能够在多大程度上存储数据且无讹误)等信息。在实施例中，情境信息可以通过定位在情境源内或外部的传感器或通过由用户手动定义的系统策略来确定。例如，如果情境源配备有指示与该情境源相关联的系统可以以更快速度操作的温度传感器、过程传感器和电压源传感器，则ECC可以被选择以利用该更快速度。另选地，如果情境源指示应利用更慢的速度，则ECC可被简化或旁路。在实施例中，传感器可以经由环形振荡器来实施。在另一实施例中，用户策略可以通过手动用户配置或通过自适应学习来实施(例如，音频处理需要更快运行，因此系统学习对于音频处理使ECC旁路)。情境源向ECC配置文件控制器传送情境信息，响应于所接收到的情境信息，ECC配置文件控制器确定ECC配置文件(例如，要使用的ECC类型、ECC编码调度、ECC解码调度和执行ECC迭代的次数)并向中央控制器518传送该确定以用于实施(例如，ECC编码器和ECC解码器的调度)。在实施例中，ECC解码器和/或ECC编码器的调度(如通过中央控制器确定)另外涉及误差控制器，该误差控制器被配置成提供关于ECC过程的另外信息至中央控制器。例如，误差控制器可以被配置成在执行ECC时传送哪些位需要校正。如果特定位需要定期校正，则该位可被标记为有缺陷的以防止将来使用该位。

通过使用被配置成用于情境感知的ECC调适的SRAM模块和包装器逻辑，可以减小误差校正(以及使用ECC编码和解码数据)对处理量的影响。图7示出了根据基于情境信息所选择的ECC配置文件调度ECC编码和调度ECC解码的例子。在该例子中，该系统通过在若干ECC配置文件之间转换并按需要调度ECC编码和ECC解码以实施该转换来调适。图7标记有上面在表2中描述的误差校正模式和如在下面的表3中描述的转换类型：

表3

在图7中，系统通过对应于模式3a 702以及用于编码和解码存储器数据的简单ECC类型(例如，汉明码或萧氏码)的第一ECC配置文件开始。根据第一ECC配置文件，ECC编码器被调度以编码被写入SRAM模块的数据，并且ECC解码器被调度以解码从SRAM模块读出的数据。因为使用了简单的ECC类型，所以降低了处理量，但是不如使用更复杂的ECC类型那么明显。然后，例如，情境源输出SRAM模块将由音频应用程序使用以存储音频数据的情境信息。该音频应用程序相比于低电源电压(需要使用ECC)更偏好高处理量，因此，ECC配置文件控制器选择对应于模式1 706的第二ECC配置文件，在该模式中，不具有ECC并且中央控制器引发转换“Φ”704，致使系统转换至第二ECC配置文件，在该第二ECC配置文件中，包装器逻辑被旁路。在ECC编码被暂时中止时，根据第二ECC配置文件，可以实现高处理量。在实施例中，转换“Φ”为快速转换，在该转换中，ECC编码和ECC解码的调度禁用ECC编码和ECC解码，并因此，该转换只简单禁用ECC编码器和ECC解码器(例如，使该包装器旁路)。接下来，情境源输出SRAM模块将用于存储控制信号数据并将进入待用模式的情境信息。在待用模式中，数据流被暂停(因此处理量为无关的)并且使用低电源电压，这使得更可能出现误码。因此，在进入待用模式之前，数据应被ECC编码并且降低电源电压。响应于情境信息，ECC配置文件控制器选择对应于模式4b710的第三ECC配置文件(带有低电源电压的模式，在该模式中，ECC编码器和ECC解码器被禁用)并且中央控制器引发转换“σ”708，从而致使系统转换至第三ECC配置文件。在实施例中，转换“σ”为慢速转换，因为ECC编码应被调度以应用于存储在SRAM模块中的数据，但是能够使用低电源电压的折衷值得该慢速转换。在模式4b中，低电源电压被应用以在SRAM模块中保持数据，但是不执行ECC编码或解码。在实施例中，在情境源输出指示良好的过程状况(例如，低辐射水平或恒定温度)的情境信息的情况下或在带有低误差灵敏度的数据被存储在SRAM模块中时，利用模式4b。接下来，该情境源输出情境信息，该情境信息指示SRAM模块将由音频应用程序使用以存储音频数据，并因此，ECC配置文件控制器再次选择对应于不具有ECC的模式1并引发转换“Ω”712的第二ECC配置文件，从而致使系统转换至该第二ECC配置文件。在实施例中，转换“Ω”也为慢速转换，因为ECC解码必须被调度以对存储在SRAM模块中的数据执行，以校正在SRAM模块处于待用模式时可能出现的误差。接下来，情境源输出指示带有低误差灵敏度的应用程序将使用SRAM模块来存储数据的信息。在实施例中，非常低电源电压可以与具有低误差灵敏度的应用程序一起使用，因为如果数据中出现误差，则该出现对该应用程序的操作的影响将极小。因此，ECC配置文件控制器选择对应于模式4a 716的第四ECC配置文件，在该模式中，使用低电源电压并且包装器逻辑被旁路，并且中央控制器引发转换“η”714，从而致使系统转换至第四ECC配置文件。在实施例中，转换“η”为慢速转换(由于必须类似于转换“σ”被调度的ECC编码)。在模式4a中，非常低的电源电压(例如，比在模式4b中施加的电源电压更低的电源电压)被施加以在SRAM模块中保持数据。最后，情境源输出信息，该信息指示应用程序将要使用SRAM模块来存储音频数据，并且ECC配置文件控制器再次选择第二ECC配置文件并且中央控制器引发转换“α”718，从而致使系统返回到对应于不具有ECC的模式1的第二ECC配置文件。在实施例中，转换“α”为类似于转换“Ω”的慢速转换，因为ECC解码必须被调度以校正在SRAM模块处于模式4a时可能出现的误差。

图8为根据本发明的实施例的用于向IC器件中的SRAM存储器应用误差校正的方法的过程流程图。在框802，获得情境信息。在实施例中，获得情境信息包括处理信息并且从情境源向ECC配置文件控制器输出结果，该信息关于例如利用SRAM模块的应用程序的操作(例如，该应用程序为利用SRAM模块来存储音频数据的音频应用程序)或IC器件的状态(例如，该IC器件的温度)。在实施例中，情境信息可以被情境源经由例如温度传感器或辐射传感器检测，或该情境信息可以由用户提供(例如，数据必须被保持在SRAM模块中的用户所确定的时间，或处理量要求)。在框804，选择ECC配置文件。在实施例中，ECC配置文件由ECC配置文件控制器基于从情境源向该ECC配置文件控制器传送的情境信息来选择。例如，如果情境信息指示音频应用程序将使用SRAM模块，则可选择带有高处理量的配置文件。在框806，ECC编码被调度。在实施例中，ECC配置文件控制器基于接收到的情境信息来确定ECC编码的调度并且中央控制器实施该调度。例如，如果该应用程序为利用SRAM模块来存储音频数据的音频应用程序，则该ECC配置文件控制器将调度ECC编码器不执行ECC编码(例如，禁用ECC编码)，以便保持该音频应用程序所需的高处理量，因此，该中央控制器将禁用包装器逻辑并允许数据通过该包装器逻辑(例如，无需执行操控或以其他方式改动数据)。在框808，ECC解码被调度。在实施例中，ECC配置文件控制器基于接收到的情境信息来确定ECC解码的调度并且中央控制器实施该调度。例如，如果由ECC配置文件控制器选择的ECC配置文件确定应执行ECC解码，则在从SRAM模块读出数据时，中央控制器将实施ECC解码。

尽管以特定次序示出和描述了本文中的一或多种方法的操作，但是可以更改每种方法的操作次序，使得可以逆序执行某些操作，或使得可以至少部分地与其它操作同时执行某些操作。在另一实施例中，可以间断的和/或交替的方式实施不同操作的指令或子操作。

还应指出的是，可以使用存储在计算机可用存储媒体上以用于由计算机执行的软件指令实施该方法的操作中的至少一些操作。举例来说，计算机程序产品的实施例包括存储计算机可读程序的计算机可用存储媒体，当在计算机上执行该计算机可读程序时，致使计算机执行如本文所描述的操作。

此外，本发明的至少部分的实施例可以采用可从计算机可用或计算机可读媒体存取的计算机程序产品的形式，该计算机可用或计算机可读媒体提供程序代码以供计算机或任何指令执行系统使用或结合计算机或任何指令执行系统使用。出于此描述的目的，计算机可用或计算机可读媒体可以为可以含有、存储、传达、传播或传送供指令执行系统、装置或器件使用或结合指令执行系统、装置或器件使用的程序的任何装置。

计算机可用或计算机可读媒体可以为电子、磁性、光学、电磁、红外或半导体系统(或装置或器件)或传播媒体。计算机可读媒体的例子包括半导体或固态存储器、磁带、可移除计算机磁盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、硬磁盘和光盘。目前的光盘例子包括带有只读存储器的压缩光盘(CD-ROM)、带有读/写的压缩光盘(CD-R/W)、数字视频光盘(DVD)和蓝光光盘。

在以上描述中，提供各种实施例的具体细节。然而，可以在并没有这些具体细节的全部细节的情况下实施一些实施例。在其它情况下，为了简洁和清晰起见，除了本发明的各种实施例之外不再详细描述某些方法、过程、部件、结构和/或功能。

尽管已经描述和示出了本发明的具体实施例，但是本发明不限于如此描述和示出的部分的特定形式或布置。本发明的范围将由在此所附的权利要求书及其等效物限定。