一种改善灰阶斜纹的过孔结构的制作方法

本发明涉及显示器等领域，具体为一种改善灰阶斜纹的过孔结构。

背景技术：

lcd显示原理：背光源发出白光，通过阵列基板的偏光片后，由于液晶旋转角度的不同，造成光偏振态的改变，通过cf上的偏光片后，造成不同pixel亮度的不同。而全彩显示器则是在阵列基板的cf基板上面加了一层色阻(colorfilter)，使得不同pixelrgb三基色的混光强度不同，以实现彩色显示。

对于非coa产品，pixel电极之间，通过viahole蚀刻pv层，实现信号之间的连通。

为了增大开口率以及降低pixel寄生电容等的影响，目前coa(colorfilteron阵列)技术被广泛采用。

对于coa产品，由于colorfilter直接覆盖在阵列基板上，colorfilter较厚，通常会有几个微米的厚度。pixel电极信号之间连通，除了需要蚀刻掉pv层，还必须把几微米厚的色阻挖空。在蚀刻区域的过孔处，色阻被挖孔，由于色阻厚度差异大，挖孔的地形会有一个很陡峭的台阶。对于va显示来说，需要滴入pi液对液晶进行配相。现有的方法是：在过孔设计时会直接挖成一个正方形的孔，曝光蚀刻之后，就会形成比较陡峭的台阶。pi液滴入时，容易在过孔处堆积，引起配相不良，造成灰阶斜纹的显示器亮度不均匀,造成各种痕迹的现象(mura)。

技术实现要素：

本发明的目的是：提供一种改善灰阶斜纹的过孔结构，通过重新设计的过孔，防止pi液堆积在过孔处而产生的灰阶斜纹等不良现象。

实现上述目的的技术方案是：一种改善灰阶斜纹的过孔结构，包括色阻层、阵列基板，所述色阻层覆于所述阵列基板上，所述色阻层设有过孔，其特征在于，该过孔的孔壁与所述色组层上表面之间为平滑过渡的弧形面；其中，所述过孔对应所述阵列基板中pv层的蚀刻区。

在本发明一较佳实施例中，所述过孔包括多层环形孔，该环形孔的孔心同心。

在本发明一较佳实施例中，所述环形孔的水平截面的形状为圆环形。

在本发明一较佳实施例中，所述环形孔包括第一环形孔、第二环形孔，所述第一环形孔的内壁面与第二环形孔的外壁面之间的面为向上凸起的弧形面。

在本发明一较佳实施例中，所述环形孔的外径由上至下逐渐减小，内径由上至下逐渐增大。

在本发明一较佳实施例中，最内层的所述环形孔的内直径范围为6um～10um。

在本发明一较佳实施例中，最内层的所述环形孔的外直径范围为10um～12um。

本发明的优点是：本发明的改善灰阶斜纹的过孔结构，通过色阻层上过孔的平缓设计，使得pi液顺利的全部通过该过孔，而不在过孔附近积液，有效的改善了灰阶斜纹的mura现象，可以用于tft-lcd显示装置上，形成一种新的面板像素及驱动设计方法，结构简单，成本低。

附图说明

下面结合附图和实施例对本发明作进一步解释。

图1是本发明实施例的带有过孔的色阻层的俯视图。

图2是本发明实施例的过孔的竖直方向部分剖面示意图。

图3至图5是本发明实施例的pi液落于过孔的动态示意图。

其中，

1色阻层；2阵列基板；

3过孔；31未曝光区；

32曝光区；33第一环形孔；

34第二环形孔。

具体实施方式

以下实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「顶」、「底」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。

实施例，如图1、图2所示，一种改善灰阶斜纹的过孔结构，包括色阻层1、阵列基板2，所述色阻层1覆于所述阵列基板2上，所述色阻层1设有过孔3，该过孔3的孔壁与所述色组层上表面之间为平滑过渡的弧形面。所述过孔3对应所述阵列基板2中pv层的蚀刻区。

本实施例中，所述过孔3包括两层环形孔，该环形孔的孔心同心。本实施例中，环形孔的环形孔的水平截面的形状为圆环形。环形孔的外径由上至下逐渐减小，内径由上至下逐渐增大。这样设计就满足了色组层上表面之间为平滑过渡的弧形面。使得色阻曝光区32和未曝光区31之间就能够形成平缓的台阶，pi液会顺利流下去，不在过孔3处堆积，液晶配相正常，画面正常显示，如图3至图5所示。

本实施例中，设有两层环形孔，该环形孔包括第一环形孔33、第二环形孔，第一环形孔33在最内层，第二环形孔34在最外层。所述第一环形孔33的内壁面与第二环形孔34的外壁面之间的面为向上凸起的弧形面。

最内层的所述环形孔的内直径范围为不少于6um，可设定范围在6um～10um。即最内层的所述环形孔的中心为未曝光区31，该区为实心的，实心区的直径范围在6um～10um，这种设计是为了考虑蚀刻精度和光的衍射影响，为了有效的保证该过孔3有效，即能够使pixel电极信号之间能够有效连通。

以上仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

技术特征：

技术总结
本发明公开了一种改善灰阶斜纹的过孔结构，包括色阻层、阵列基板，所述色阻层覆于所述阵列基板上，所述色阻层设有过孔，该过孔的孔壁与所述色组层上表面之间为平滑过渡的弧形面；其中，所述过孔对应所述阵列基板中PV层的蚀刻区。

技术研发人员：宋乔乔;姚晓慧
受保护的技术使用者：深圳市华星光电技术有限公司
技术研发日：2017.09.04
技术公布日：2017.12.15