薄膜晶体管阵列基板和液晶显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及液晶显示技术领域，特别涉及一种薄膜晶体管阵列基板和具有其的液 晶显示装置。
【背景技术】
[0002] 目前，液晶显示装置（LCD，Liquid Crystal Display)的显示屏幕越来越大，在 大尺寸的显示屏幕中，每英寸所拥有的像素数目（PPI，Pixels Per Inch)数值越高，即代 表显示屏幕能够以越高的密度显示图像，图像的细节就会越丰富。然而，现有的高PPI的 液晶显示装置的穿透率和开口率依然较低。为了提高液晶显示装置的穿透率和开口率， 一般的方法是使用新材料或者使用新技术如低温多晶娃技术（LTPS，Low Temperature Poly-silicon)、有机发光二极管技术（OLED，Organic Light Emitting Diode)等，但新材 料和新技术的制程条件苛刻且良率较低。
[0003] 图IA至图IF是现有的一种液晶显示装置的薄膜晶体管阵列基板的六道光罩制程 的制作流程局部剖面结构示意图。薄膜晶体管阵列基板包括设置于基板210上的多条扫描 线和多条数据线，且多条扫描线和多条数据线相互交叉限定出多个像素区域。在每条扫描 线和数据线的交叉位置设置有薄膜晶体管。图IA至图IF为薄膜晶体管阵列基板的一个像 素区域及对应的薄膜晶体管位置的局部剖面结构。
[0004] 首先，如图IA所示，利用第一道光罩制程，在基板210形成栅极211，栅极211与 对应的扫描线电连接。其次，如图IB所示，在基板210上形成栅极绝缘层212并覆盖栅极 211，利用第二道光罩制程，在栅极绝缘层212上形成半导体层213,且半导体层213的位置 位于栅极211的正上方。之后，如图IC所示，在形成半导体层213后，利用第三道光罩制 程，再在栅极绝缘层212上形成像素电极214。再来，如图ID所示，在像素电极214形成之 后，利用第四道光罩制程，在半导体层213上形成源极215a和漏极215b，源极215a与漏极 215b彼此不相接触，源极215a与对应的数据线电连接，漏极215b与像素电极214接触并实 现电连接。然后，如图IE所示，形成厚度为5 0 0 0Λ的绝缘保护层216并覆盖源极215a、漏 极215b以及像素电极214,并利用第五道光罩制程，在绝缘保护层216形成第二通孔（图 未绘示），第二通孔形成在薄膜晶体管阵列基板的显示区域外围，用于制作周边连线。再之 后，如图IF所示，利用第六道光罩制程，在绝缘保护层216上形成公共电极217。
[0005] 但是，利用现有技术的六道光罩制程制作的薄膜晶体管阵列基板，绝缘保护层216 的厚度为5 0 0 OA,使得像素电极214与公共电极217之间的距离较大，不仅导致使像素电 极214和公共电极217之间所产生的电场的强度小，而且使采用此薄膜晶体管阵列基板的 液晶显示装置的响应时间慢，穿透率低。此外，数据线与公共电极217之间只隔着厚度为 5000Λ的绝缘保护层216,使得数据线产生的寄生电容较大，从而增大了负载，导致功耗 较大。
[0006] 图2A至图2G是现有的一种液晶显示装置的薄膜晶体管阵列基板的七道光罩制程 的制作流程局部剖面结构示意图。首先，如图2A所示，利用第一道光罩制程，在基板10形 成栅极11。其次，如图2B所示，在基板10上形成栅极绝缘层12并覆盖栅极11，利用第二 道光罩制程，在栅极绝缘层12上形成半导体层13,且半导体层13的位置位于栅极11的正 上方。然后，如图2C所示，在半导体层13形成之后，利用第三道光罩制程，在栅极绝缘层12 和半导体层13上形成源极14a和漏极14b，源极14a和漏极14b彼此分隔并分别与半导体 层13直接接触并覆盖部分的半导体层13。之后，如图2D所示，在源极14a和漏极14b之 后，形成厚度为5 0 (RU第一绝缘保护层15,并覆盖源极14a、漏极14b和从源极14a和漏极 14b之间暴露出来的半导体层13,并利用第四道光罩制程，在第一绝缘保护层15形成第一 通孔15a以露出部分的漏极14b。接着，如图2E所示，利用第五道光罩制程，在第一绝缘保 护层15上形成像素电极16,像素电极16填入第一通孔15a中与漏极14b接触。再来，如图 2F所示，形成厚度为2 0 0 0Λ第二绝缘保护层17,并利用第六道光罩制程，在第二绝缘保护 层17形成第二通孔（图未绘示），第二通孔形成在薄膜晶体管阵列基板的显示区域外围，用 于制作周边连线。再之后，如图2G所示，利用第七道光罩制程，在第二绝缘保护层17上形 成公共电极18。
[0007] 但是，利用现有技术的七道光罩制程制作的薄膜晶体管阵列基板的像素区域内的 漏极14b需要设计成较大的面积，然后在对应漏极14b上方的第一绝缘保护层15形成第一 通孔15a与像素电极16接触，而漏极14b的材料是不透光材料，遮挡住了薄膜晶体管阵列 基板中的像素区域内的部分透光区域，使得薄膜晶体管阵列基板的像素区域内的开口面积 较小，导致液晶显示装置的开口率和穿透率依然低。
[0008] 因此，提尚液晶显不装置的开口率和穿透率，同时提升响应速度，降低功耗成为当 下極待解决的问题。
【发明内容】
[0009] 本发明的目的在于提供一种薄膜晶体管阵列基板，能够增加开口率，提高穿透率， 并能减小负载，降低功耗。
[0010] 本发明的另一目的在于提供一种液晶显示装置，能够增加开口率，提高穿透率，并 能减小负载，降低功耗。
[0011] 本发明解决其技术问题是采用以下的技术方案来实现的。
[0012] 一种薄膜晶体管阵列基板，其包括基板、设置在该基板上的多条扫描线和设置在 该多条扫描线上方的多条数据线，该多条扫描线和该多条数据线相互交叉限定出多个像素 区域。该薄膜晶体管阵列基板还包括第一金属层、第一绝缘保护层、半导体层、像素电极、第 二金属层、第二绝缘保护层、第三绝缘保护层和公共电极。该第一金属层形成在该基板上， 并与对应的该扫描线连接；该第一绝缘保护层形成在该基板上并覆盖该第一金属层和该多 条扫描线；该半导体层形成在该第一绝缘保护层上并位于该第一金属层上方；该像素电极 形成在该第一绝缘保护层上并位于各该像素区域内；该第二金属层形成在该半导体层上， 该第二金属层包括源极和漏极，该源极与对应的该数据线连接，该漏极与对应的该像素电 极连接；该第二绝缘保护层形成在该第二金属层上，同时该第二绝缘保护层还覆盖各该数 据线和各该扫描线，各该像素区域内的该像素电极未被该第二绝缘保护层覆盖；该第三绝 缘保护层形成在该第二绝缘保护层上，并覆盖各该像素区域内的该像素电极；该公共电极 形成在该第三绝缘保护层上。
[0013] 在本发明的较佳实施例中，该漏极呈折弯的条状，该漏极的一端与该半导体层连 接，该漏极的另一端直接与该像素电极连接。
[0014] 在本发明的较佳实施例中，该第三绝缘保护层的厚度小于该第二绝缘保护层的厚 度。
[0015] 在本发明的较佳实施例中，该第二绝缘保护层的厚度为2 00 ~ 1 0000Λ,该第 三绝缘保护层的厚度为2 0 0 ~ 5 0 0 0八。
[0016] 在本发明的较佳实施例中，该第二绝缘保护层还进一步地覆盖该源极、该漏极和 从该源极和该漏极之间露出的该半导体层。
[0017] -种液晶显示装置，其包括上述的薄膜晶体管阵列基板。
[0018] 在本发明的较佳实施例中，该液晶显示装置包括该薄膜晶体管阵列基板、与该薄 膜晶体管阵列基板相对设置的彩色滤光片基板、设置在薄膜晶体管阵列基板和彩色滤光片 基板之间的液晶层。
[0019] 一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其包括在基板形成第一金属层和多条扫描 线，该第一金属层与对应的该扫描线连