液晶显示装置300的穿透率提升了 4. 34%，负载降低了 13. 96%，响应时间降 低了 12. 45%。具有本发明的薄膜晶体管阵列基板100的液晶显示装置300与现有的七道 光罩制成制作的薄膜晶体管阵列基板的液晶显示装置相比，本发明的液晶显示装置300提 高了开口率和穿透率，并降低了响应时间。具体地，本发明的液晶显示装置300的穿透率提 升了 9. 38%，开口率提升了 10. 98%。具有本发明的薄膜晶体管阵列基板100的液晶显示装 置300与现有的六道光罩制成制作的薄膜晶体管阵列基板的液晶显示装置相比，由于本发 明的薄膜晶体管阵列基板100的像素电极114和公共电极118之间只具有厚度为2 000 Λ 的第三绝缘保护层117,因此，本发明的液晶显示装置300的像素电极114和公共电极118 之间较现有的液晶显示装置能产生更大的电场，使得响应时间降低，并提升了穿透率。且本 发明的液晶显示装置300的数据线102与公共电极118之间间隔第二绝缘保护层116和第 三绝缘保护层117,因此数据线102与公共电极118之间的距离较远，使数据线102所产生 的寄生电容较小，因此降低了液晶显示装置300的负载。相较现有的七道光罩制成制作的 薄膜晶体管阵列基板的液晶显示装置，具有本发明的薄膜晶体管阵列基板100的液晶显示 装置300的第二金属层115的漏极115b呈折弯的条状，无需设计成较大的接触面积，因此， 薄膜晶体管阵列基板100中的像素区域P内的透光区域面积增大，使得具有薄膜晶体管阵 列基板100的液晶显示装置300的开口率和穿透率得到提升。
[0045] 本发明的薄膜晶体管阵列基板100和具有薄膜晶体管阵列基板100的液晶显示装 置300,其薄膜晶体管阵列基板100沿着数据线102的长度方向覆盖有厚度为5 0 00 A的 第二绝缘保护层116和厚度为2 000 A的第三绝缘保护层117共两层保护层，有效的防止 了薄膜晶体管阵列基板100在生产制作时外物对数据线102的刮伤。而且，第二绝缘保护 层116和第三绝缘保护层117增加了数据线102与公共电极118之间的距离，使得数据线 102产生的寄生电容减小，从而减小了负载，降低了功耗。且由于薄膜晶体管阵列基板100 的像素电极114和公共电极118之间只具有厚度为2 0 00 A的第三绝缘保护层117,即像 素电极114和公共电极118相距较近，因此，像素电极114和公共电极118之间能产生较大 的电场，降低了具有薄膜晶体管阵列基板100的液晶显示装置300的响应时间，并同时提高 了穿透率。此外，第二金属层115的漏极115b呈折弯的条状，无需设计成较大的接触面积， 因此，薄膜晶体管阵列基板100中的像素区域P内的透光区域面积增大，即增大了薄膜晶体 管阵列基板100的开口率，并提高了穿透率。
[0046] 以上结合附图详细描述了本发明的优选实施方式，但是本发明并不限于上述实施 方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种简单 变型，这些简单变型均属于本发明的保护范围。在上述【具体实施方式】中所描述的各个具体 技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合。为了避免不必要的重 复，本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。
【主权项】
1. 一种薄膜晶体管阵列基板，其包括基板、设置在该基板上的多条扫描线和设置在该 多条扫描线上方的多条数据线，该多条扫描线和该多条数据线相互交叉限定出多个像素区 域，其特征在于，该薄膜晶体管阵列基板还包括： 第一金属层，形成在该基板上，并与对应的该扫描线连接； 第一绝缘保护层，形成在该基板上并覆盖该第一金属层和该多条扫描线； 半导体层，形成在该第一绝缘保护层上并位于该第一金属层上方； 像素电极，形成在该第一绝缘保护层上并位于各该像素区域内； 第二金属层，形成在该半导体层上，该第二金属层包括源极和漏极，该源极与对应的该 数据线连接，该漏极与对应的该像素电极连接； 第二绝缘保护层，形成在该第二金属层上，同时该第二绝缘保护层还覆盖各该数据线 和各该扫描线，各该像素区域内的该像素电极未被该第二绝缘保护层覆盖； 第三绝缘保护层，形成在该第二绝缘保护层上，并覆盖各该像素区域内的该像素电 极；以及 公共电极，形成在该第三绝缘保护层上。
2. 如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该漏极呈折弯的条状，该漏 极的一端与该半导体层连接，该漏极的另一端直接与该像素电极连接。
3. 如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该第三绝缘保护层的厚度 小于该第二绝缘保护层的厚度。
4. 如权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该第二绝缘保护层的厚度 为200~10000A,该第三绝缘保护层的厚度为2 O O ~ 5 O O O A。
5. 如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该第二绝缘保护层还进一 步地覆盖该源极、该漏极和从该源极和该漏极之间露出的该半导体层。
6. -种液晶显示装置，其特征在于，包括如权利要求1~5任一项所述的薄膜晶体管阵 列基板。
7. 如权利要求6所述的液晶显示装置，其特征在于，该液晶显示装置包括该薄膜晶体 管阵列基板、与该薄膜晶体管阵列基板相对设置的彩色滤光片基板、设置在该薄膜晶体管 阵列基板和该彩色滤光片基板之间的液晶层。
8. -种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，包括： 在基板形成第一金属层和多条扫描线，该第一金属层与对应的扫描线连接； 形成第一绝缘保护层，并覆盖该第一金属层和该多条扫描线，并在该第一绝缘保护层 上形成半导体层，该半导体层位于该第一金属层上方； 在该第一绝缘保护层上形成像素电极； 在该半导体层上形成第二金属层和多条数据线，该多条扫描线和该多条数据线相互交 叉限定出多个像素区域，该像素电极位于各该像素区域内，该第二金属层包括源极和漏极， 该源极与对应的该数据线连接，漏极与对应的该像素电极连接； 在该第二金属层上形成第二绝缘保护层，同时该第二绝缘保护层还覆盖各该数据线和 各该扫描线，各该像素区域内的该像素电极未被该第二绝缘保护层覆盖； 在该第二绝缘保护层上形成第三绝缘保护层，并覆盖各该像素区域内的该像素电极； 以及 在该第三绝缘保护层上形成公共电极。
9. 如权利要求8所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，进一步包括在 该第三绝缘保护层上形成配向膜并覆盖该第三绝缘保护层和该公共电极，该配向膜采用紫 外光进行配向。
10. 如权利要求8所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，该第三绝缘保 护层的厚度小于该第二绝缘保护层的厚度。
【专利摘要】一种薄膜晶体管阵列基板，包括：基板；第一金属层，形成在基板上，并与对应扫描线连接；第一绝缘保护层，形成在基板上；半导体层，形成在第一绝缘保护层上；像素电极，形成在第一绝缘保护层上并位于各像素区域；第二金属层，形成在半导体层上，并包括源极和漏极，源极与对应数据线连接，漏极与对应像素电极连接；第二绝缘保护层形成在第二金属层上，并覆盖各数据线和各扫描线；第三绝缘保护层形成在第二绝缘保护层上；公共电极形成在第三绝缘保护层上。该薄膜晶体管阵列基板能提高穿透率，减小负载，降低功耗。本发明还涉及一种液晶显示装置。
【IPC分类】G02F1-136, G02F1-1337, H01L27-12, G02F1-1333, G02F1-1362, G02F1-1368
【公开号】CN104635393
【申请号】CN201510066841
【发明人】许传志, 蒋隽, 房耸, 朱晓妮, 马铁军
【申请人】昆山龙腾光电有限公司
【公开日】2015年5月20日
【申请日】2015年2月9日