用于液晶显示装置的阵列基板及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种用于液晶显示(IXD)装置的阵列基板及其制造方法。
【背景技术】
[0002]近来，随着社会进步到信息化社会，处理和显示大量信息的显示领域正在快速发展。具体地，由于在薄化、减轻和低功耗方面具有卓越的性能，薄膜晶体管(TFT) LCD装置已经被研发并且正在取代现有的阴极射线管(CRT)。
[0003]具体地，使用TFT作为开关元件的有源矩阵IXD装置适合于显示运动图像。
[0004]在下文中，将参照附图对普通的有源矩阵LCD装置的结构进行详细描述。
[0005]图1是示意性地例示了普通的有源矩阵IXD装置的结构的示图。
[0006]参见图1，有源矩阵IXD装置包括液晶面板1，所述液晶面板I配置有多个开关元件T，所述多个开关元件T分别形成在由多条选通线GL和多条数据线DL之间的交叉所限定的多个区域。液晶面板I具有如下的结构:数字视频信号通过使用伽玛电压被转换成模拟信号，该模拟信号被提供给数据线DL，选通信号与该模拟信号的供应同时被提供给选通线GL,并且数据信号被填充到液晶单元C中。
[0007]虽然未详细地示出，但是开关元件C的栅极连接到选通线GL，开关元件C的源极连接到数据线DL，并且开关元件C的漏极连接到液晶单元C的像素电极。
[0008]公共电压Vcom通过公共线CL提供到液晶单元C的公共电极。当选通信号被施加到选通线GL时，开关元件T导通以形成源极和漏极之间的通道，并且将通过数据线DL施加的电压提供到液晶单元C的像素电极。此时，液晶单元C的液晶分子的取向通过像素电极和公共电极之间的电场来改变，从而基于入射光显示图像。
[0009]作为LCD装置的一种驱动模式，扭曲向列(TN)模式或面内切换(IPS)模式取决于液晶面板I中的公共电极和像素电极的位置而确定。具体地，其中公共电极和像素电极被平行地设置在一个基板上以产生横向电场的IPS模式具有比其中公共电极和像素电极在不同的基板上被设置为彼此相对并产生横向电场的TN模式的视角更宽的视角。
[0010]用于驱动多条选通线GL的选通驱动单元2和用于驱动多条数据线DL的数据驱动单元3连接到具有上述结构的IXD装置的液晶面板I。随着IXD装置在尺寸上增大并且在分辨率上变得更高，配置选通驱动单元2和数据驱动单元3中的每一个的集成电路(IC)的数目增加。
[0011]然而，由于数据驱动单元3的IC比其它元件相对更昂贵，因此为了降低IXD装置的制造成本，最近正在研究和开发用于减少数据驱动单元3的IC的数目的技术。作为该技术的一个示例，双速率驱动(DRD)结构正在被研发，其中，选通线GL的数目增加了两倍，数据线DL的数目减少了一半(1/2)，数据驱动单元3的IC的数目减少了一半，而分辨率保持与现有的分辨率相同。
[0012]在DRD结构中，成本降低了，但由于选通线GL的数目增加并因此装置的可操作时间缩短，因此需要考虑充电效率和充电速率的设计。另外，由于在垂直方向上进一步设置了多条选通线GL，因此孔径比与选通线的数目的增加成反比地降低。
【发明内容】
[0013]因此，详细描述的一个方面在于提供一种用于液晶显示(LCD)装置的阵列基板及其制造方法，其中，在不减少装置的可操作时间或孔径比的情况下通过减少数据驱动单元的IC的数目来降低成本。
[0014]除了本发明的上述目的以外，本发明的其它目的和特征将在下面待描述的本发明的详细描述和权利要求书中描述。
[0015]为了实现这些和其它优点，并且根据本说明书的目的，如在本文中所体现并概括描述的，一种制造用于LCD装置的阵列基板的方法包括:在基板上形成栅极、选通线、公共线和第一连接线；在形成有所述栅极、所述选通线、所述公共线和所述第一连接线的所述基板上形成栅绝缘层；在形成有所述栅绝缘层的所述栅极上形成有源层；在形成有所述有源层的所述基板上形成源极和漏极，并且同时形成与所述选通线交叉以限定像素的数据线；在形成有所述源极、所述漏极和所述数据线的所述基板上形成保护层；以及在形成有所述保护层的所述基板上形成公共电极、像素电极和第二连接线，其中，至少两个或更多个相邻的像素共用一条数据线或者两条相邻的数据线彼此相邻地设置在一个像素中，并且当没有形成所述数据线的空的空间的数据线区域被形成时，在所述空的空间的所述数据线区域中形成所述第一连接线和所述第二连接线。
[0016]可以在平行于所述选通线的方向上形成所述公共线。
[0017]连接到所述公共线的所述第一连接线可以在垂直于所述选通线的方向上形成，并且可以形成在所述空的空间的、为非开放区域的所述数据线区域中。
[0018]所述漏极的一部分可以沿着所述公共线在所述公共线上延伸，以形成第一存储电极。
[0019]所述第一存储电极的一部分可以沿着所述第一连接线在所述第一连接线上延伸，以形成第二存储电极。
[0020]所述第一存储电极可以与所述公共线的一部分在所述公共线上交叠，以形成主存储电容器。
[0021]所述第二存储电极可以在左右两个像素中的每一个中配置子存储电容器，所述左右两个像素在一个数据线区域中被上下划分并且彼此相邻。
[0022]多个所述公共电极中的每一个的一端可以连接到与所述选通线平行布置的公共电极线，并且所述公共电极线可以连接到在数据线区域(即，形成有所述数据线的区域或者没有形成所述数据线的空的空间)中形成的所述第二连接线。
[0023]多个所述像素电极中的每一个的一端可以连接到与所述选通线平行布置的像素电极线。
[0024]根据本发明的另一个实施方式，一种用于IXD装置的阵列基板包括:栅极、选通线、公共线和第一连接线，其形成在基板上；栅绝缘层，其形成在形成有所述栅极、所述选通线、所述公共线和所述第一连接线的所述基板上；有源层，其形成在形成有所述栅绝缘层的所述栅极上；源极和漏极以及数据线，所述源极和所述漏极形成在形成有所述有源层的所述基板上，所述数据线与所述选通线交叉以限定像素；保护层，其形成在形成有所述源极、所述漏极和所述数据线的所述基板上；以及公共电极、像素电极和第二连接线，其形成在形成有所述保护层的所述基板上，其中，至少两个或更多个相邻的像素共用一条数据线或者两条相邻的数据线彼此相邻地设置在一个像素中，并且当没有形成所述数据线的空的空间的数据线区域被形成时，在所述空的空间的所述数据线区域中形成所述第一连接线和所述第二连接线。
[0025]可以在平行于所述选通线的方向上形成所述公共线。
[0026]连接到所述公共线的所述第一连接线可以在垂直于所述选通线的方向上布置，并且可以布置在所述空的空间的、为非开放区域的所述数据线区域中。
[0027]所述漏极的一部分可以沿着所述公共线在所述公共线上延伸，以配置第一存储电极。
[0028]所述第一存储电极的一部分可以沿着所述第一连接线在所述第一连接线上延伸，以配置第二存储电极。
[0029]所述第一存储电极可以与所述公共线的一部分在所述公共线上交叠，以配置主存储电容器。
[0030]所述第二存储电极可以与所述第一连接线的一部分在所述第一连接线上交叠，以配置第一子存储电容器。
[0031]所述第二存储电极可以与所述第二连接线的一部分在所述第二连接线的下面交叠，以配置第二子存储电容器。
[0032]所述第二存储电极可以在左右两个像素中的每一个中配置子存储电容器，所述左右两个像素在一个数据线区域中被上下划分并且彼此相邻。
[0033]多个所述公共电极中的每一个的一端可以连接到与所述选通线平行布置的一公共电极线，并且所述公共电极线可以连接到在数据线区域(即，其中形成所述数据线的区域或者其中没有形成所述数据线的空的空间)中形成的所述第二连接线。
[0034]多个所述像素电极中的每一个的一端可以连接到与所述选通线平行布置的像素电极线。
[0035]本申请的进一步的适用范围将根据下文中给出的详细描述而变得更明显。然而，应当理解的是，在指示本发明的优选实施方式的同时，所述详细描述和特定的示例通过仅例示的方式来给出，因为对于本领域技术人员而言，在本发明的精神和范围内的各种改变和修改根据所述详细描述将变得明显。
【附图说明】
[0036]附图被包括以提供对本公开的进一步理解，并且被并入本说明书并构成本说明书的一部分，附图例示了示例性的实施方式，并且与本说明书一起用来解释本公开的原理。
[0037]附图中:
[0038]图1是示意性地例示了普通的有源矩阵IXD装置的结构的示图；
[0039]图2是示意性地例示了根据本发明的实施方式的具有DRD结构的IXD装置的像素结构的示图；
[0040]图3是示意性地例示了根据本发明的第一实施方式的用于LCD装置的阵列基板的一部分的平面图；
[0041]图4是示意性地例示了在图3中例示的根据本发明的第一实施方式的用于LCD装置的阵列基板的、沿着线A-A